專利名稱：發(fā)光二極管顯示器像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光二極管顯示器的像素電路，特別有關(guān)于一種能全方位解決發(fā)光二極管電流下降、發(fā)光效率下降以及隨顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降等問(wèn)題的發(fā)光二極管顯示器像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(IXD)是當(dāng)前顯示技術(shù)的主流。而有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)卻是被業(yè)界公認(rèn)為勢(shì)必將取代液晶顯示器而成為下一個(gè)時(shí)代的顯示技術(shù)。相較于液晶顯示器，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具備相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn)，例如能自主發(fā)光、視角廣、反應(yīng)時(shí)間快、亮度高、流明效率高、操作電壓低、面板厚度薄、可撓曲性、制程步驟少、成本低等諸多的優(yōu)點(diǎn)。然而，有機(jī)電激發(fā)光二極管(OLED)組件與液晶顯示器最大差異在于其亮度是由流過(guò)的電流大小所決定。因此，欲精確控制像素的亮度，即需實(shí)現(xiàn)對(duì)電流IOLED的精確控制，而相較于液晶顯示器僅要控制寫(xiě)入像素的電壓準(zhǔn)位即能控制像素亮度的技術(shù)而言，電流IOLED的精確控制難度要高出許多。請(qǐng)參考附圖I與附圖2。附圖I所示是現(xiàn)有技術(shù)中以P型TFT晶體管驅(qū)動(dòng)OLED像素的電路架構(gòu)圖。附圖2所示是現(xiàn)有技術(shù)中以N型晶體管驅(qū)動(dòng)OLED像素的電路架構(gòu)圖。如圖所示，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)的像素一般是以像素驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT，T2)與儲(chǔ)存電容(Cst)，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的亮度進(jìn)行控制。其是利用儲(chǔ)存電容(Cst)的跨壓提供予薄膜晶體管(T2)對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的亮度進(jìn)行控制。以附圖2的N型薄膜晶體管(T2)為例其關(guān)系如公式一所示Ioled = 1/2Xff/LX UnXCox(Vgs-Vth)2 (公式一)其中Cra為薄膜晶體管(T2)的單位面積電容值，W和L為薄膜晶體管(T2)的寬度與長(zhǎng)度。然而I_D為Vdata通過(guò)薄膜晶體管(T2)轉(zhuǎn)換而成的電流，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管使用時(shí)間上升后，前述公式一中電流產(chǎn)生變化的原因之一為薄膜晶體管(T2)的臨界電壓Vth變大、載流子遷移率Un變小，因此I_D下降，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的亮度衰減。并且，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)材料在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后，亦會(huì)發(fā)生老化的現(xiàn)象，而致使其跨壓逐漸上升且發(fā)光效率下降。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)跨壓的上升亦會(huì)影響薄膜晶體管的操作，以附圖2的N型薄膜晶體管(T2)為例，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)接在薄膜晶體管(T2)的源極端，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)跨壓上升時(shí)，會(huì)直接影響到薄膜晶體管(T2)柵極-源極間的端電壓，即直接影響流過(guò)薄膜晶體管(T2)的電流。再者，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)材料經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后，發(fā)光效率下降的現(xiàn)象會(huì)使有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)即流過(guò)相同大小的電流亦無(wú)法產(chǎn)生預(yù)期的亮度。且三原色的發(fā)光效率下降程度不同，更導(dǎo)致色偏的嚴(yán)重問(wèn)題。并且，隨顯示器大尺寸化，發(fā)光二極管顯示器亦會(huì)產(chǎn)生IR壓降的問(wèn)題。請(qǐng)參考附圖3所示是因主動(dòng)式發(fā)光二極管顯示面板(AMOLED)尺寸大型化，因信號(hào)線拉長(zhǎng)，隨著導(dǎo)線內(nèi)阻效應(yīng)而產(chǎn)生壓差，發(fā)生IR壓降現(xiàn)象而導(dǎo)致像素電路電流不穩(wěn)定的示意圖。當(dāng)發(fā)光二極管顯示器尺寸越大時(shí)，Vdd信號(hào)線與Vss信號(hào)線的長(zhǎng)度必須隨之增長(zhǎng)，而必然會(huì)具有內(nèi)阻效應(yīng)而產(chǎn)生電壓差，如附圖3所示，如顯示器左邊的像素的電壓，因接近掃描線驅(qū)動(dòng)源，因此其電壓為VDD，但隨著信號(hào)線距離向右延伸而會(huì)有內(nèi)阻差A(yù)R。因此，顯示器右邊的像素的電壓，則為Vdd-IddX AR。同樣地，如顯示器左邊的像素的電壓，因接近掃描線驅(qū)動(dòng)源，因此其電壓為Vss，但隨著信號(hào)線距離向右延伸而會(huì)有內(nèi)阻差A(yù)R。因此，顯示器右邊的像素的電壓，則為VSS+IDDX AR。如前所述，若不考慮導(dǎo)線內(nèi)阻效應(yīng)使得顯示器面板在不同位置像素Vdd及Vss的變化，進(jìn)而導(dǎo)致主動(dòng)式發(fā)光二極管顯示面板(AMOLED)在不同面板位置的像素具有不同大小的電流，主動(dòng)式發(fā)光二極管顯示面板(AMOLED)的亮度勢(shì)必?zé)o法均勻。因此，確有發(fā)展能全方位解決發(fā)光二極管電流下降、發(fā)光效率下降以及隨顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降等問(wèn)題的發(fā)光二極管顯示器像素的電路及其驅(qū)動(dòng)方法的必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之一目的在于提供一種發(fā)光二極管顯示器像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法，能全方位解決發(fā)光二極管電流下降、發(fā)光效率下降以及隨顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降等問(wèn)題 的發(fā)光二極管顯示器像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管顯示器像素電路，發(fā)光二極管顯示器具有連接至像素電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供像素電路一工作電壓及一接地電壓，發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括一第一薄膜晶體管，用以作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第一薄膜晶體管的第一端為源極；一發(fā)光二極管，具有第一端及第二端，發(fā)光二極管的第一端為陽(yáng)極，用以耦接至第一薄膜晶體管的第一端，為第一薄膜晶體管所驅(qū)動(dòng)；一第二薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第二薄膜晶體管的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線，第二薄膜晶體管的第一端耦接至工作電壓，第二薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)；一第三薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第三薄膜晶體管的柵極耦接至掃描信號(hào)線，第三薄膜晶體管的第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第三薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)；一第四薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第四薄膜晶體管的柵極耦接至掃描信號(hào)線，第四薄膜晶體管的第一端耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)線，用以控制數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入時(shí)間；一第五薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第五薄膜晶體管的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線，第五薄膜晶體管的第一端耦接至第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，第五薄膜晶體管的第二端耦接至發(fā)光二極管的第二端；以及一補(bǔ)償電容，具有第一端及第二端，補(bǔ)償電容的第一端耦接至第三節(jié)點(diǎn)，補(bǔ)償電容的第二端耦接至第二節(jié)點(diǎn)；其中，第二薄膜晶體管能重置第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)的電位維持為工作電壓，第三薄膜晶體管能使第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于補(bǔ)償電容，第五薄膜晶體管能對(duì)補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)放電，以維持第三節(jié)點(diǎn)的電位。本發(fā)明進(jìn)一步提供另一種發(fā)光二極管顯示器像素的電路，發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括一第一薄膜晶體管，用以作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第一薄膜晶體管的第一端為源極；一發(fā)光二極管，具有第一端及第二端，發(fā)光二極管的第一端耦接至工作電壓，發(fā)光二極管的第二端為陰極，用以耦接至第一薄膜晶體管的第一端，為第一薄膜晶體管所驅(qū)動(dòng)；一第二薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第二薄膜晶體管的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線，第二薄膜晶體管的第一端耦接至接地電壓，第二薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)；一第三薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第三薄膜晶體管的柵極耦接至掃描信號(hào)線，第三薄膜晶體管的第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第三薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)；一第四薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第四薄膜晶體管的柵極耦接至掃描信號(hào)線，第四薄膜晶體管的第一端耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)線，用以控制數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入時(shí)間；一第五薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第五薄膜晶體管的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線，第五薄膜晶體管的第一端耦接至第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，第五薄膜晶體管的第二端耦接至發(fā)光二極管的第一端；以及一補(bǔ)償電容，具有第一端及第二端，補(bǔ)償電容的第一端耦接至第三節(jié)點(diǎn)，補(bǔ)償電容的第二端耦接至第二節(jié)點(diǎn)；其中，第二薄膜晶體管能重置第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)的電位維持為接地電壓，第三薄膜晶體管能使第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于補(bǔ)償電容，第五薄膜晶體管能對(duì)補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)充電，以維持第三節(jié)點(diǎn)的電位。此外，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種像素的驅(qū)動(dòng)方法，用于具有連接至像素的電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供像素電路一工作電壓及一接地電壓的一發(fā)光二極管顯示器，像素的電路具有一第一薄膜晶體管、一發(fā)光二極管、一第二薄膜晶體 管、一第三薄膜晶體管、一第四薄膜晶體管、一第五薄膜晶體管以及一補(bǔ)償電容，第一薄膜晶體管的第一端耦接至發(fā)光二極管的第一端，用以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，第二薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)，第三薄膜晶體管的第二端耦接至第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)，第五薄膜晶體管的第一端耦接至第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，補(bǔ)償電容的第一端耦接至第三節(jié)點(diǎn)，補(bǔ)償電容的第二端耦接至第二節(jié)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)方法包括重置階段，對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線及掃描信號(hào)線提供接地電壓，導(dǎo)通第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管，以使第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)的電位重置為工作電壓；補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段，對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線提供工作電壓，截止第二薄膜晶體管與第五薄膜晶體管，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線提供一像素?cái)?shù)據(jù)電壓，以使第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)透過(guò)第一薄膜晶體管及發(fā)光二極管進(jìn)行放電；以及有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段，對(duì)掃描信號(hào)線提供工作電壓且對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線提供接地電壓，并截止第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管，導(dǎo)通第二薄膜晶體管與第五薄膜晶體管，利用補(bǔ)償電容，使第三節(jié)點(diǎn)的電位，補(bǔ)償?shù)诙?jié)點(diǎn)的電壓后，提供給第一薄膜晶體管，用以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光。本發(fā)明中，第一薄膜晶體管的柵極(第二節(jié)點(diǎn))于補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段時(shí)，因透過(guò)第一薄膜晶體管及發(fā)光二極管進(jìn)行放電，因此電壓Vb會(huì)從Vdd因放電而成為(VDD-VDisctoge)。如前述公式一所提及，當(dāng)使用時(shí)間上升后，第一薄膜晶體管臨界電壓Vth變大、載流子遷移率Un變小時(shí)、經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)跨壓上升時(shí)、或者發(fā)光二極管顯示器尺寸越大，產(chǎn)生IR壓降，而Vss變大而導(dǎo)致放電電流下降時(shí)，本發(fā)明皆能使Vllisdiaw變小，Vb變大，從而補(bǔ)償Imd的下降，以避免有機(jī)發(fā)光二極管OLED的亮度降低。再者，本發(fā)明的第五薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的第一薄膜晶體管具有相近的施壓時(shí)間(Stress time)，因此同樣具備臨界電壓上升的特性，當(dāng)?shù)谖灞∧ぞw管的臨界電壓隨時(shí)間上升，即能補(bǔ)償發(fā)光二極管發(fā)光效率下降的影響。因此，本發(fā)明能全方位解決發(fā)光二極管電流下降、發(fā)光效率下降以及隨顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降等問(wèn)題的發(fā)光二極管顯示器像素的電路及其驅(qū)動(dòng)方法，而更益于發(fā)光二極管顯不器必然朝大尺寸方向生產(chǎn)的未來(lái)發(fā)展。


附圖I是現(xiàn)有技術(shù)以P型TFT晶體管驅(qū)動(dòng)OLED像素的電路架構(gòu)圖。附圖2是現(xiàn)有技術(shù)以N型晶體管驅(qū)動(dòng)OLED像素的電路架構(gòu)圖。附圖3所示是因隨著面板尺寸大型化，因信號(hào)線拉長(zhǎng)，因內(nèi)阻效應(yīng)產(chǎn)生壓差，發(fā)生IR壓降現(xiàn)象導(dǎo)致像素電路電流不穩(wěn)定的示意圖。附圖4所示是本發(fā)明第一實(shí)施例中主動(dòng)式矩陣發(fā)光二極管顯示器的像素電路的電路架構(gòu)圖。附圖5所示是附圖4中所示第一實(shí)施例的像素電路進(jìn)行電路操作的信號(hào)波形圖。 附圖6所示是本發(fā)明第一實(shí)施例中 !Discharge、Vth—Tl、VoLED、Vss、卩 N 的關(guān)系圖。附圖7所示是本發(fā)明第二實(shí)施例中主動(dòng)式矩陣發(fā)光二極管顯示器的像素電路的電路架構(gòu)圖。附圖8所示是附圖7中所示第二實(shí)施例的像素電路進(jìn)行電路操作的信號(hào)波形圖。附圖9所示是本發(fā)明第二實(shí)施例中
I Charge、^DD、VtH—Tl、V〇LED、卩 P 的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)參考附圖4，是本發(fā)明第一實(shí)施例中主動(dòng)式發(fā)光二極管矩陣顯示器AMOLED的像素電路的電路架構(gòu)圖。如圖所示，第一薄膜晶體管采用N型薄膜晶體管。第二、第三、第四及第五薄膜晶體管則采用P型薄膜晶體管。并且，于本發(fā)明中不需要如現(xiàn)有技術(shù)的像素，須設(shè)置儲(chǔ)存電容Cst。附圖4中所示的發(fā)光二極管顯示器像素的電路具有連接至像素電路的數(shù)據(jù)信號(hào)線Data、啟動(dòng)信號(hào)線Emit [n]、掃描信號(hào)線Scan [n]，n代表所述像素為顯示器中諸多像素之一。發(fā)光二極管顯示器提供像素電路工作電壓Vdd及一接地電壓Vss。發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括第一薄膜晶體管Tl、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及補(bǔ)償電容Ce。第一薄膜晶體管Tl用以作為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的薄膜晶體管，具有第一端及第二端。第一薄膜晶體管Tl的第一端為源極。有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有第一端及第二端。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的第一端為陽(yáng)極，用以耦接至第一薄膜晶體管Tl的第一端，而被第一薄膜晶體管Tl所驅(qū)動(dòng)。第二薄膜晶體管T2具有第一端及第二端。第二薄膜晶體管T2的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線Emit [n]，其第一端耦接至工作電壓VDD，其第二端耦接至第一薄膜晶體管Tl的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)A。第三薄膜晶體管T3具有第一端及第二端。第三薄膜晶體管T3的柵極耦接至掃描信號(hào)線Scan [n]，其第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)A，其第二端耦接至第一薄膜晶體管Tl的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)B。第四薄膜晶體管T4具有第一端及第二端。第四薄膜晶體管T4的柵極耦接至掃描信號(hào)線Scan [n]，其第一端耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)線Data，用以控制數(shù)據(jù)信號(hào)線Data的輸入時(shí)間。
第五薄膜晶體管T5具有第一端及第二端。第五薄膜晶體管T5的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]。其第一端耦接至第四薄膜晶體管T4的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)C。第五薄膜晶體管T5的第二端耦接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的第二端。補(bǔ)償電容Ce具有第一端及第二端。其第一端耦接至第三節(jié)點(diǎn)C，其第二端耦接至第二節(jié)點(diǎn)B。于此第一實(shí)施例中，第一薄膜晶體管Tl的柵極(第二節(jié)點(diǎn))于補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段時(shí)，因通過(guò)第一薄膜晶體管Tl及有機(jī)發(fā)光二極管OLED進(jìn)行放電，因此第一節(jié)點(diǎn)A的電壓Va與第二節(jié)點(diǎn)的電壓Vb會(huì)從Vdd因放電而成為(VDD-VDisdiaw)。當(dāng)使用時(shí)間上升后，第一薄膜晶體管Tl的臨界電壓Vth會(huì)變大、載流子遷移率Un會(huì)變小、或者經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)跨壓上升、再或者發(fā)光二極管顯示器尺寸越大，產(chǎn)生IR壓降，而Vss變大而導(dǎo)致放電電流Illisctoge下降。在前述三種情形下，皆會(huì)造成1_的下降，而使有機(jī)發(fā)光二極管OLED的亮度降低。然而本發(fā)明在此三種情形下，能使Vllisctoge變小，Vb變大，從而補(bǔ)償I_D的下降。再者，本發(fā)明的第五薄膜晶體管T5與驅(qū)動(dòng)OLED的第一薄膜晶體管Tl具有 相近的施壓時(shí)間(Stress time)，因此第五薄膜晶體管T5與第一薄膜晶體管Tl同樣具備臨界電壓上升的特性。因此，當(dāng)?shù)谖灞∧ぞw管T5的臨界電壓Vth T5隨使用時(shí)間上升，即能補(bǔ)償發(fā)光二極管OLED發(fā)光效率下降的影響。請(qǐng)一并參考附圖4以及附圖5。附圖5所示為附圖4所示的第一實(shí)施例的像素電路進(jìn)行電路操作的信號(hào)波形圖。如圖所示，本發(fā)明像素的驅(qū)動(dòng)分成重置階段、補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段以及有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段等三個(gè)階段。在重置階段時(shí)，第二薄膜晶體管T2能使第一節(jié)點(diǎn)A與第二節(jié)點(diǎn)B的電位重置為工作電壓VDD，以于補(bǔ)償及資料寫(xiě)入階段時(shí)，導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl，進(jìn)行補(bǔ)償?shù)牟僮?。第三薄膜晶體管T3則能讓第一薄膜晶體管Tl形成二極管接法(Diode-connection),以針對(duì)前述造成Imjed下降的三種情形，使第二節(jié)點(diǎn)B發(fā)生補(bǔ)償電壓Vb,并儲(chǔ)存于補(bǔ)償電容Ce內(nèi)。第五薄膜晶體管T5則用于在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段時(shí)，對(duì)補(bǔ)償電容Ce的第一端持續(xù)放電，以維持第三節(jié)點(diǎn)C的電位為VSS+VTH T5，使Vllata不會(huì)因第四薄膜晶體管T4的漏電流影響而改變。以下請(qǐng)一并參考附圖4、附圖5以及附圖6。附圖6所示是本發(fā)明第一實(shí)施例中IMscharge> Vth t1, Voled, Vss, U N的關(guān)系圖，進(jìn)一步針對(duì)重置階段、補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段以及有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明重置階段對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]及掃描信號(hào)線Scan[n]提供接地電壓Vss，同時(shí)導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4以及第五薄膜晶體管T5，以使第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B的電位重置為工作電壓VDD，此時(shí)Vllata為Vss，第三節(jié)點(diǎn)C的電壓V。為VSS+VTH—T4與VSS+VTH—T5中的較小值。補(bǔ)償及資料寫(xiě)入階段對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]提供工作電壓VDD，截止第二薄膜晶體管T2與第五薄膜晶體管T5，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線Data提供一像素?cái)?shù)據(jù)電壓VData，此時(shí)第三節(jié)點(diǎn)C的電壓Vc為VData，使第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B透過(guò)第一薄膜晶體管Tl及發(fā)光二極管OLED進(jìn)行放電至接地電壓Vss，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓Va與第二節(jié)點(diǎn)B的電壓Vb會(huì)由Vdd成為VDD-VDisdmg6，并且控制放電在一預(yù)定的時(shí)間，以避免第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B完全放電，并且因本發(fā)明是非完全放電的技術(shù)特征，因此能補(bǔ)償yN下降的影響(若完全放電則喪失對(duì)1^下降補(bǔ)償)，再者非完全放電的技術(shù)特征能更進(jìn)一步縮短顯示器的反應(yīng)時(shí)間。有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段對(duì)掃描信號(hào)線Scan[n]提供工作電壓Vdd且對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]提供接地電壓Vss，截止第三薄膜晶體管T3與第四薄膜晶體管T4，導(dǎo)通第二薄膜晶體管T2與第五薄膜晶體管T5，第二節(jié)點(diǎn)B成為浮接狀態(tài)(Floating)，第三節(jié)點(diǎn)C的電位V。會(huì)由Vllata成為VSS+VTH T5。利用補(bǔ)償電容Ce，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓VB則因第三節(jié)點(diǎn)C的電容偶合效應(yīng)而成為(VDD_VDischarge) + [ (VSS+VTH T5) -VData]，是以，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流則可由以下算式而得出VGate—n — Vb — (VDD_VDischarge) + [ (VSS+VTH T5) _VData],
Vsourcell — Vs s+Voled ,Ioled = 1/2Xff/LX UnXCox(Vgs ti-Vth ti)2— 1/2 Xff/LXunX Cox[ (VDD+VSS) - (VDischarge+VTH T1+V0LED+Vss)+VTH—T5-VData]2 (公式二)于前述通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_D的公式二中，隨著使用時(shí)間上升，VthT1變大、y N變小、v_會(huì)上升；VDD+VSS能保持為一常數(shù)，不受IR壓降的影響，但I(xiàn)R壓降影響Vss變大，在本發(fā)明中會(huì)使放電電流Illisctoge下降，而使Vllisctoge變小，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償I_D的目的。因此，本發(fā)明能避免顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降造成對(duì)不同面板位置的像素具有不同大小的電流I_D的影響。再者，本發(fā)明利用第五薄膜晶體管T5的臨界電壓Vth T5隨使用時(shí)間上升的特性，能補(bǔ)償所述發(fā)光二極管發(fā)光效率的下降。請(qǐng)參考附圖7，是本發(fā)明第二實(shí)施例中主動(dòng)式矩陣發(fā)光二極管顯示器AMOLED的像素電路電路架構(gòu)圖。如圖所示，第一薄膜晶體管系采用P型薄膜晶體管。第二、第三、第四及第五薄膜晶體管則采用N型薄膜晶體管。并且，于本發(fā)明中不需要如現(xiàn)有技術(shù)的像素，須設(shè)置儲(chǔ)存電容Cst。附圖7中所示的發(fā)光二極管顯示器像素電路具有連接至像素電路的數(shù)據(jù)信號(hào)線Data、啟動(dòng)信號(hào)線Emit [n]、掃描信號(hào)線Scan [n]，n代表所述像素為顯示器中諸多像素之一。發(fā)光二極管顯示器提供像素電路工作電壓Vdd及一接地電壓Vss。發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括第一薄膜晶體管Tl、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及補(bǔ)償電容Ce。第一薄膜晶體管Tl系用以作為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的薄膜晶體管，具有第一端及第二端，第一薄膜晶體管Tl的第一端為源極；有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有第一端及第二端，其第一端耦接至工作電壓VDD。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的第二端為陰極，用以耦接至第一薄膜晶體管Tl的第一端，為第一薄膜晶體管Tl所驅(qū)動(dòng)。一第二薄膜晶體管T2具有第一端及第二端。第二薄膜晶體管T2的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線Emit [n]，其第一端耦接至接地電壓Vss，其第二端耦接至第一薄膜晶體管Tl的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)A。第三薄膜晶體管T3具有第一端及第二端。第三薄膜晶體管T3的柵極耦接至掃描信號(hào)線Scan [n]，其第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)A，其第二端耦接至第一薄膜晶體管Tl的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)B。
第四薄膜晶體管T4具有第一端及第二端。第四薄膜晶體管T4的柵極耦接至掃描信號(hào)線Scan [n]，其第一端耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)線Data，用以控制數(shù)據(jù)信號(hào)線Data的輸入時(shí)間。第五薄膜晶體管T5具有第一端及第二端。第五薄膜晶體管T5的柵極耦接至啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]，其第一端耦接至第四薄膜晶體管T4的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)C。第五薄膜晶體管T5的第二端耦接至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的第一端。補(bǔ)償電容Ce具有第一端及第二端。其第一端耦接至第三節(jié)點(diǎn)C，其第二端耦接至第二節(jié)點(diǎn)B。于此第二實(shí)施例中，第一薄膜晶體管Tl的柵極(第二節(jié)點(diǎn))于補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段時(shí)，因通過(guò)第一薄膜晶體管Tl及發(fā)光二極管OLED 進(jìn)行充電，因此第一節(jié)點(diǎn)A的電壓Va與第二節(jié)點(diǎn)B的電壓Vb會(huì)從Vss因充電而成為(VsJVamge)。當(dāng)使用時(shí)間上升后，第一薄膜晶體管Tl的臨界電壓Vth會(huì)變大、載流子遷移率會(huì)變小、或者經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)跨壓上升、再或者發(fā)光二極管顯示器尺寸越大，產(chǎn)生IR壓降，而Vdd變小而導(dǎo)致充電電流Iamge下降。在前述三種情形下，皆會(huì)造成I_D的下降，而使有機(jī)發(fā)光二極管OLED的亮度降低。然而本發(fā)明在此三種情形下，能使Vamge變小，Vb變大，從而補(bǔ)償I_D的下降。再者，本發(fā)明的第五薄膜晶體管T5與驅(qū)動(dòng)OLED的第一薄膜晶體管Tl具有相近的施壓時(shí)間(Stress time)，因此第五薄膜晶體管T5與第一薄膜晶體管Tl同樣具備臨界電壓上升的特性。因此，當(dāng)?shù)谖灞∧ぞw管T5的臨界電壓Vth T5隨使用時(shí)間上升，即能補(bǔ)償發(fā)光二極管OLED發(fā)光效率下降的影響。請(qǐng)一并參考附圖7和附圖8。附圖8所示是附圖7中所示的第二實(shí)施例的像素電路進(jìn)行電路操作的信號(hào)波形圖。如圖所示，本發(fā)明像素的驅(qū)動(dòng)分成重置階段、補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段以及有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段等三個(gè)階段。在重置階段時(shí)，第二薄膜晶體管T2能使第一節(jié)點(diǎn)A與第二節(jié)點(diǎn)B的電位重置為接地電壓Vss，以于補(bǔ)償及資料寫(xiě)入階段時(shí)，導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl，進(jìn)行補(bǔ)償操作。第三薄膜晶體管T3則能讓第一薄膜晶體管Tl形成二極管接法(Diode-connection),以針對(duì)前述造成Imd下降的三種情形，使第二節(jié)點(diǎn)B發(fā)生補(bǔ)償電壓Vb,并儲(chǔ)存于補(bǔ)償電容Ce內(nèi)。第五薄膜晶體管T5則用于在有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段時(shí)，對(duì)補(bǔ)償電容Ce的第一端持續(xù)充電，以維持第三節(jié)點(diǎn)C的電位為Vss-Vth T5，使Vllata不會(huì)因第四薄膜晶體管T4的漏電流影響而改變。以下請(qǐng)一并參考附圖7、附圖8以及附圖9。附圖9所示是本發(fā)明第二實(shí)施例中
I Charge' Vdd、Vtht1、Vqled > U P 的關(guān)系圖。進(jìn)一步針對(duì)重置階段、補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段以及有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。重置階段對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]及掃描信號(hào)線Scan[n]提供工作電壓VDD，同時(shí)導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4以及第五薄膜晶體管T5，以使第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B的電位重置為接地電壓Vss，此時(shí)Vllata為Vss，第三節(jié)點(diǎn)C的電壓V。為Vss-Vth t4與Vss-Vth t5中的較小值。補(bǔ)償及資料寫(xiě)入階段對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]提供接地電壓Vss，截止第二薄膜晶體管T2與第五薄膜晶體管T5，對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線Data提供一像素?cái)?shù)據(jù)電壓VData，此時(shí)第三節(jié)點(diǎn)C的電壓Vc為VData，使第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B透過(guò)第一薄膜晶體管Tl及發(fā)光二極管OLED進(jìn)行充電至工作電壓VDD，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓Va與第二節(jié)點(diǎn)B的電壓Vb會(huì)由Vss成為Vss-Vamg6,并且控制充電在一預(yù)定的時(shí)間，以避免第一節(jié)點(diǎn)A及第二節(jié)點(diǎn)B完全充電，并且因本發(fā)明是非完全充電的技術(shù)特征，是以能補(bǔ)償U(kuò)p下降的影響(若完全充電則喪失對(duì)1^下降補(bǔ)償)，再者非完全充電的技術(shù)特征能更進(jìn)一步縮短顯示器的反應(yīng)時(shí)間。有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光階段對(duì)掃描信號(hào)線Scan[n]提供接地電壓Vss且對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線Emit[n]提供工作電壓VDD，截止第三薄膜晶體管T3與第四薄膜晶體管T4，導(dǎo)通第二薄膜晶體管T2與第五薄膜晶體管T5，第二節(jié)點(diǎn)B成為浮接狀態(tài)(Floating)，第三節(jié)點(diǎn)C的電位V。會(huì)由Vllata成為Vss-Vth tso利用補(bǔ)償電容Ce，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓Vb則因第三節(jié)點(diǎn)C的電容偶合效應(yīng)而成為(Vss+Vcharge) + [ (Vdd-Vth t5) -VnatJ，是以，通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流則可由以下算式而得出
Vcate n = Vb= (VSS+Vcharge) + [ (VDD-Vth t5) _VData]，Vsource ll 一 VDD-Voled，Ioled = 1/2XW/LX UpXCox(Vsgti-Vth ti)2= 1/2XW/LX uPXCox{[-(VDD+VSS) ]-[Vcharge-(VDD-Vth T1_Voled) ] +VTH T5+VDatJ2 (公式三)于前述通過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流I_D的公式三中，隨著使用時(shí)間上升，VthT1變大、y P變小、v_會(huì)上升；VDD+VSS系能保持為一常數(shù)，不受IR壓降的影響，但I(xiàn)R壓降影響Vdd變小，在本發(fā)明中會(huì)使充電電流Iamge下降，而使Vchaw變小，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償1_的目的。是以，本發(fā)明能避免顯示器大尺寸化而產(chǎn)生IR壓降造成對(duì)不同面板位置的像素具有不同大小的電流I_D的影響。再者，本發(fā)明利用第五薄膜晶體管T5的臨界電壓Vth T5隨使用時(shí)間上升的特性，能補(bǔ)償所述發(fā)光二極管發(fā)光效率的下降。綜上所述，雖然本發(fā)明已用較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管顯示器像素電路，所述發(fā)光二極管顯示器具有連接至所述像素電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供所述像素電路一工作電壓及一接地電壓，所述發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括 一第一薄膜晶體管，用以作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，具有一第一端及第二端，所述第一薄膜晶體管的第一端為源極； 一發(fā)光二極管，具有第一端及第二端，所述發(fā)光二極管的第一端為陽(yáng)極，用以耦接至所述第一薄膜晶體管的第一端，為所述第一薄膜晶體管所驅(qū)動(dòng)； 一第二薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第二薄膜晶體管的柵極耦接至所述啟動(dòng)信號(hào)線，所述第二薄膜晶體管的第一端耦接至所述工作電壓，所述第二薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)； 一第三薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第三薄膜晶體管的柵極耦接至所述掃描信號(hào)線，所述第三薄膜晶體管的第一端耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第三薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)； 一第四薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第四薄膜晶體管的柵極耦接至所述掃描信號(hào)線，所述第四薄膜晶體管的第一端耦接至所述數(shù)據(jù)信號(hào)線，用以控制所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入時(shí)間； 一第五薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第五薄膜晶體管的柵極耦接至所述啟動(dòng)信號(hào)線，所述第五薄膜晶體管的第一端耦接至所述第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，所述第五薄膜晶體管的第二端耦接至所述發(fā)光二極管的第二端；以及 一補(bǔ)償電容，具有第一端及第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第二端耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)； 其特征在于，所述第二薄膜晶體管能重置所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)的電位維持為所述工作電壓，所述第三薄膜晶體管能使所述第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于所述補(bǔ)償電容，所述第五薄膜晶體管能對(duì)所述補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)放電，以維持所述第三節(jié)點(diǎn)的電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為N型薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第二、第三、第四及第五薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述發(fā)光二極管為有機(jī)發(fā)光二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第五薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管具有相近的施壓時(shí)間，以利用所述第五薄膜晶體管的臨界電壓隨使用時(shí)間上升，補(bǔ)償所述發(fā)光二極管發(fā)光效率的下降。
6.一種像素的驅(qū)動(dòng)方法，用于具有連接至所述像素電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供所述像素電路一工作電壓及一接地電壓的一發(fā)光二極管顯示器，所述像素電路具有一第一薄膜晶體管、一發(fā)光二極管、一第二薄膜晶體管、一第三薄膜晶體管、一第四薄膜晶體管、一第五薄膜晶體管以及一補(bǔ)償電容，所述第一薄膜晶體管的第一端耦接至所述發(fā)光二極管的第一端，用以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管，所述第二薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)，所述第三薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)，所述第五薄膜晶體管的第一端耦接至所述第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第一端耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第二端耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)方法包括 對(duì)所述啟動(dòng)信號(hào)線及所述掃描信號(hào)線提供所述接地電壓，導(dǎo)通所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管以及所述第五薄膜晶體管，以使所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)的電位重置為所述工作電壓； 對(duì)所述啟動(dòng)信號(hào)線提供所述工作電壓，截止所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線提供一像素?cái)?shù)據(jù)電壓，以使所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)通過(guò)所述第一薄膜晶體管及所述發(fā)光二極管進(jìn)行放電；以及 對(duì)掃描信號(hào)線提供工作電壓且對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線提供接地電壓，并截止所述第三薄膜晶體管與所述第四薄膜晶體管，導(dǎo)通所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，利用所述補(bǔ)償電容，使所述第三節(jié)點(diǎn)的電位，對(duì)所述第二節(jié)點(diǎn)的電壓進(jìn)行偶合后，提供給所述第一薄膜晶體管，用以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在截止所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，以進(jìn)行放電的步驟中，進(jìn)一步包括在一預(yù)定的時(shí)間一控制所述放電的步驟，用以避免所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)完全放電。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光時(shí)，所述第三薄膜晶體管使所述第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于所述補(bǔ)償電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光時(shí)，所述第五薄膜晶體管對(duì)所述補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)放電，以維持所述第三節(jié)點(diǎn)的電位。
10.一種發(fā)光二極管顯示器像素電路，所述發(fā)光二極管顯示器具有連接至所述像素電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供所述像素電路一工作電壓及一接地電壓，所述發(fā)光二極管顯示器的像素電路包括 一第一薄膜晶體管，用以作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第一薄膜晶體管的第一端為源極； 一發(fā)光二極管，具有第一端及第二端，所述發(fā)光二極管的第一端耦接至所述工作電壓，所述發(fā)光二極管的第二端為陰極，用以耦接至所述第一薄膜晶體管的第一端，為所述第一薄膜晶體管所驅(qū)動(dòng)； 一第二薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第二薄膜晶體管的柵極耦接至所述啟動(dòng)信號(hào)線，所述第二薄膜晶體管的第一端耦接至所述接地電壓，所述第二薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)； 一第三薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第三薄膜晶體管的柵極耦接至所述掃描信號(hào)線，所述第三薄膜晶體管的第一端耦接至所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第三薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)； 一第四薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第四薄膜晶體管的柵極耦接至所述掃描信號(hào)線，所述第四薄膜晶體管的第一端耦接至所述數(shù)據(jù)信號(hào)線，用以控制所述數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入時(shí)間； 一第五薄膜晶體管，具有第一端及第二端，所述第五薄膜晶體管的柵極耦接至所述啟動(dòng)信號(hào)線，所述第五薄膜晶體管的第一端耦接至所述第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，所述第五薄膜晶體管的第二端耦接至所述發(fā)光二極管的第一端；以及 一補(bǔ)償電容，具有第一端及第二端，所述補(bǔ)償電容的第一端耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第二端耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)； 其特征在于，所述第二薄膜晶體管能重置所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)的 電位維持為所述接地電壓，所述第三薄膜晶體管能使所述第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于所述補(bǔ)償電容，所述第五薄膜晶體管能對(duì)所述補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)充電，以維持所述第三節(jié)點(diǎn)的電位。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第二、第三、第四及第五薄膜晶體管為N型薄膜晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述發(fā)光二極管為有機(jī)發(fā)光二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器像素電路，其特征在于，所述第五薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管具有相近的施壓時(shí)間，以利用所述第五薄膜晶體管的臨界電壓隨使用時(shí)間上升，補(bǔ)償所述發(fā)光二極管發(fā)光效率的下降。
15.一種像素的驅(qū)動(dòng)方法，用于具有連接至所述像素的電路的一數(shù)據(jù)信號(hào)線、一啟動(dòng)信號(hào)線、一掃描信號(hào)線，且提供所述像素電路一工作電壓及一接地電壓的一發(fā)光二極管顯不器，所述像素電路具有一第一薄膜晶體管、一發(fā)光二極管、一第二薄膜晶體管、一第三薄膜晶體管、一第四薄膜晶體管、一第五薄膜晶體管以及一補(bǔ)償電容，所述第一薄膜晶體管的第一端耦接至所述發(fā)光二極管的第二端，用以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管，所述第二薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的第二端，其中形成一第一節(jié)點(diǎn)，所述第三薄膜晶體管的第二端耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其中形成一第二節(jié)點(diǎn)，所述第五薄膜晶體管的第一端耦接至所述第四薄膜晶體管的第二端，其中形成一第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第一端耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償電容的第二端耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)方法包括 對(duì)所述啟動(dòng)信號(hào)線及所述掃描信號(hào)線提供所述工作電壓，導(dǎo)通所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管以及所述第五薄膜晶體管，以使所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)的電位重置為所述接地電壓； 對(duì)所述啟動(dòng)信號(hào)線提供所述接地電壓，截止所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線提供一像素?cái)?shù)據(jù)電壓，以使所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)透過(guò)所述第一薄膜晶體管及所述發(fā)光二極管進(jìn)行充電；以及 對(duì)掃描信號(hào)線提供接地電壓且對(duì)啟動(dòng)信號(hào)線提供工作電壓，并截止所述第三薄膜晶體管與所述第四薄膜晶體管，導(dǎo)通所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，利用所述補(bǔ)償電容，使所述第三節(jié)點(diǎn)的電位，對(duì)所述第二節(jié)點(diǎn)的電壓進(jìn)行偶合后，提供給所述第一薄膜晶體管，用以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在截止所述第二薄膜晶體管與所述第五薄膜晶體管，以進(jìn)行充電的步驟中，更包括一在一預(yù)定的時(shí)間控制所述充電的步驟，用以避免所述第一節(jié)點(diǎn)及所述第二節(jié)點(diǎn)完全充電。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光時(shí)，所述第三薄膜晶體管使所述第二節(jié)點(diǎn)的補(bǔ)償電壓儲(chǔ)存于所述補(bǔ)償電容。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管進(jìn)行發(fā)光時(shí)，所述第五薄膜晶體管對(duì)所述補(bǔ)償電容的第一端持續(xù)充電，以維持所述第三節(jié)點(diǎn)的電位。
全文摘要
本發(fā)明顯示器像素中第一薄膜晶體管的柵極在補(bǔ)償及數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段時(shí)，透過(guò)第一薄膜晶體管及發(fā)光二極管進(jìn)行放電。當(dāng)使用時(shí)間上升后，第一薄膜晶體管臨界電壓變大、載流子遷移率變小時(shí)、或經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用后有機(jī)發(fā)光二極管跨壓上升、或者發(fā)光二極管顯示器尺寸越大，產(chǎn)生IR壓降時(shí)，本發(fā)明能使放電(充電)電壓變小，第一薄膜晶體管柵極電壓變大，從而補(bǔ)償發(fā)光二極管電流的下降。并且第五薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的第一薄膜晶體管同樣具備臨界電壓上升的特性，當(dāng)?shù)谖灞∧ぞw管的臨界電壓隨使用時(shí)間上升，即能補(bǔ)償發(fā)光二極管發(fā)光效率下降的影響。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102760404SQ20111010968
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者吳昭慧, 柯健專 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司