專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其驅(qū)動方法，特別是一種TFT-IXD陣列基板及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱 TFT-LCD)主要包括液晶顯示面板、掃描驅(qū)動電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路；其中，液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，以及設(shè)置于二個基板之間的液晶層；掃描驅(qū)動電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路分別與陣列基板上的TFT開關(guān)元件連接。傳統(tǒng)的TFT-IXD陣列基板中，一個TFT開關(guān)元件通過一條數(shù)據(jù)線(Data Line)和一條柵線(Gate Line)進行控制，通過開啟或關(guān)閉TFT開關(guān)元件，驅(qū)動與該TFT開關(guān)元件連接的像素電極。在陣列基板工作時，數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)驅(qū)動電路中的視頻數(shù)據(jù)信號傳送到TFT 開關(guān)元件的源極，以此控制像素電極的電壓；掃描線將掃描驅(qū)動電路中的掃描驅(qū)動信號傳送到TFT開關(guān)元件的柵極，以此控制TFT開關(guān)元件的開啟和關(guān)閉。發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明過程中發(fā)現(xiàn)，在傳統(tǒng)的TFT-LCD陣列基板中，會隨著尺寸增大和/或顯示分辨率(resolution)的增加，而相應增加數(shù)據(jù)線(data line)和柵線(gate line)的數(shù)量或長度。增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，數(shù)據(jù)線長度過長會因而導致如信號延遲等顯示問題；如果為了降低信號延遲而增加數(shù)據(jù)線的線寬，將會導致像素區(qū)域的開口率降低，在數(shù)據(jù)線的邊際處也易產(chǎn)生影響顯示性能的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明第一目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其驅(qū)動方法，用于減少傳統(tǒng) TFT-IXD陣列基板中數(shù)據(jù)線的使用數(shù)量，從而降低TFT-IXD的生產(chǎn)成本。本發(fā)明第二目的是提供另一種TFT-LCD陣列基板及其驅(qū)動方法，用于減少傳統(tǒng) TFT-IXD陣列基板中柵線的使用數(shù)量，從而降低TFT-IXD的生產(chǎn)成本。為實現(xiàn)本發(fā)明第一目的，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板，包括基板，所述基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管、位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一柵線和第二柵線，所述第一柵線與第一薄膜晶體管的柵極連接，所述第二柵線與第二薄膜晶體管的柵極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線分別與所述第一薄膜晶體管的源極和第二個薄膜晶體管的源極連接。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述基板上還可設(shè)置有接收掃描驅(qū)動電路信號后，產(chǎn)生一像素行的行掃描信號并依次向所述第一柵線和第二柵線輸出的選擇開關(guān)器件。為實現(xiàn)本發(fā)明第一目的，本發(fā)明還提供了一種上述TFT-IXD陣列基板的驅(qū)動方法，包括
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步驟11、產(chǎn)生一像素行的行掃描信號；步驟12、向所述像素行的第一柵線輸出所述行掃描信號，所述第一柵線通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于奇數(shù)列的第一像素電極輸出第一數(shù)據(jù)信號；步驟13、向所述像素行的第二柵線輸出所述行掃描信號，所述第二柵線通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于偶數(shù)列的第二像素電極輸出第二數(shù)據(jù)信號。本發(fā)明TFT-LCD陣列基板中，兩兩像素電極共用一條數(shù)據(jù)線，減少數(shù)據(jù)線數(shù)量以及數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。因減少數(shù)據(jù)線而節(jié)省的空間，在不影響開口率的情況下，可用于增加數(shù)據(jù)線的寬度，以便減少信號延遲；另一方面，因減少數(shù)據(jù)線而節(jié)省的空間也可用來提高開口率。進一步的，本發(fā)明還可通過選擇開關(guān)器件產(chǎn)生行掃描信號，并根據(jù)一行掃描信號分時依次控制同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，使得所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量為柵線總數(shù)量的一半，因而本發(fā)明在減少陣列基板所需使用的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的同時，沒有增加陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量從而有利于進一步降低TFT-IXD的生產(chǎn)成本。本發(fā)明還可以提供一種TFT-IXD陣列基板及其驅(qū)動方法，用于在不增加數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的同時，減少柵線數(shù)量以及掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量。為實現(xiàn)本發(fā)明第二目的，本發(fā)明提供了另一種TFT-LCD陣列基板，包括基板，所述基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管、位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線與第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線與第二薄膜晶體管的源極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條柵線，所述柵線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極和第二個薄膜晶體管的柵極連接。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述基板上還可設(shè)置有接收數(shù)據(jù)驅(qū)動電路信號后，產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號并依次向所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線輸出的選擇開關(guān)器件。為實現(xiàn)本發(fā)明第二目的，本發(fā)明還提供了另一種TFT-IXD陣列基板的驅(qū)動方法， 包括步驟21、產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號；步驟22、向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；步驟23、向位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使位于偶數(shù)列的第二像素電極充電。本發(fā)明TFT-LCD陣列基板中，兩兩像素電極共用一條柵線，減少柵線數(shù)量以及掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。因減少柵線而節(jié)省的空間，在不影響開口率的情況下，可用于增加柵線的寬度，以便減少信號延遲；另一方面，因減少柵線而節(jié)省的空間也可用來提高開口率。進一步的，本發(fā)明還可通過選擇開關(guān)器件產(chǎn)生列數(shù)據(jù)信號，并根據(jù)一列數(shù)據(jù)信號分時依次控制同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，使得所需使用的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量為數(shù)據(jù)線總數(shù)量的一半，因而本發(fā)明在減少陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的同時，沒有增加陣列基板所需使用的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量從而有利于進一步降低TFT-IXD的生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明選擇開關(guān)器件實施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明一種TFT-IXD陣列基板驅(qū)動方法流程圖；圖5為本發(fā)明另一種TFT-IXD陣列基板驅(qū)動方法流程圖。附圖標記說明1-像素區(qū)域；11-第一像素電極；12-第二像素電極；13-第一薄膜晶體管；14-第二薄膜晶體管；21-第一柵線；22-第二柵線；3-數(shù)據(jù)線；4-掃描驅(qū)動電路；41-第一掃描驅(qū)動電路；42-第二掃描驅(qū)動電路；5-數(shù)據(jù)驅(qū)動電路；6-選擇開關(guān)器件；61-第一選擇開關(guān)器件；62-第二選擇開關(guān)器件；63-選擇開關(guān)單元；64-第一柵線開啟信號線；65-第二柵線開啟信號線；66-第三薄膜晶體管；67-第四薄膜晶體管；68-第五薄膜晶體管；69-第六薄膜晶體管；631-輸入端；632-第一輸出端；633-第二輸出端；71-源極；72-漏極；73-柵極；8-掃描線。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。圖1為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實施例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本發(fā)明 TFT-IXD陣列基板包括基板，在基板上形成的顯示區(qū)域和顯示區(qū)域以外的外圍區(qū)域，顯示區(qū)域由以矩陣方式排列的像素區(qū)域組成。每個像素區(qū)域內(nèi)形成有二個像素電極和二個薄膜晶體管；沿柵線伸展方向(即沿圖1中所示的X方向)的外圍區(qū)域上設(shè)有選擇開關(guān)器件6，柵線通過選擇開關(guān)器件6與掃描驅(qū)動電路4連接；沿數(shù)據(jù)線3伸展方向(即沿圖1中所示的 Y方向)的外圍區(qū)域連接有數(shù)據(jù)驅(qū)動電路5，數(shù)據(jù)線3分別與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路5連接。每個像素區(qū)域1內(nèi)形成的二個像素電極即為位于奇數(shù)列的第一像素電極11和位于偶數(shù)列的第二像素電極12。每個像素區(qū)域1內(nèi)形成的二個薄膜晶體管即為位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管13 和位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管14 ；每個薄膜晶體管包括源極71、漏極72和柵極73 ；第一薄膜晶體管13的漏極72與第一像素電極11連接。每行像素區(qū)域1連接有二條柵線和一條數(shù)據(jù)線。該二條柵線即為第一柵線21和第二柵線22 ；第一柵線21與第一薄膜晶體管13的柵極73連接，第二柵線22與第二薄膜晶體管14的柵極73連接；數(shù)據(jù)線3分別與第一薄膜晶體管13的源極71和第二個薄膜晶體管14的源極71連接。在外圍區(qū)域上形成的選擇開關(guān)器件6用于接收掃描驅(qū)動電路4輸出的信號，然后產(chǎn)生一像素行的行掃描信號，并將該行掃描信號依次向第一柵線21和第二柵線22輸出。在TFT-IXD陣列基板的單位像素區(qū)域1中，第一像素電極11通過第一薄膜晶體管 13進行驅(qū)動控制，第二像素電極12通過第二薄膜晶體管14進行驅(qū)動控制；第一薄膜晶體管13和第二薄膜晶體管14也共用同一條數(shù)據(jù)線3。以下以TFT-IXD陣列基板一行像素區(qū)域掃描為例，說明本實施例的工作原理。例如選擇開關(guān)器件6通過掃描線8接收掃描驅(qū)動電路4輸出的信號，并產(chǎn)生一像素行的行掃描信號。選擇開關(guān)器件6進行一行像素區(qū)域1驅(qū)動時，對該行像素區(qū)域1中的位于奇數(shù)列的第一像素電極11和位于偶數(shù)列的第二像素電極12分別進行控制。選擇開關(guān)器件6對第一像素電極11的掃描進行的控制過程為選擇開關(guān)器件6建立第一柵線21與掃描線8的通信連接，當行掃描信號通過選擇開關(guān)器件6傳輸給第一柵線 21時，與第一柵線21連接的第一薄膜晶體管13開啟，此時，數(shù)據(jù)線3上傳輸?shù)牡谝粩?shù)據(jù)信號，經(jīng)由與第一薄膜晶體管13使第一像素電極11充電；由于第二柵線22沒有行掃描信號， 與第二柵線22連接的第二薄膜晶體管14關(guān)閉，因而第二像素電極12不能充電。當該行像素區(qū)域1中位于奇數(shù)列的第一像素電極11充電結(jié)束后，選擇開關(guān)器件6 對該行像素區(qū)域1中位于偶數(shù)列的第二像素電極12進行掃描，具體為選擇開關(guān)器件6斷開第一柵線21與掃描線8的通信連接，并建立第二柵線22與掃描線8的通信連接，將行掃描信號傳輸給第二柵線22，與第二柵線22連接的第二薄膜晶體管14開啟，此時，數(shù)據(jù)線3 上傳輸?shù)牡诙?shù)據(jù)信號，經(jīng)由第二薄膜晶體管14使第二像素電極12充電；由于第一柵線 21沒有掃描信號，與第一柵線21連接的第一薄膜晶體管13關(guān)閉，因而第一像素電極11不能充電。當該行像素區(qū)域1中的第二像素電極12完成充電過程時，即完成了一行像素區(qū)域的掃描。之后，掃描驅(qū)動電路4會輸出新的信號，選擇開關(guān)器件6根據(jù)該信號產(chǎn)生另一像素行的行掃描信號，通過該行掃描信號來掃描下一行像素區(qū)域1。掃描方式可逐行掃描或隔行掃描，并可采用上述方法對每行像素區(qū)域的掃描進行控制。本實施例TFT-LCD陣列基板兩兩像素電極共用一條數(shù)據(jù)線，減少數(shù)據(jù)線數(shù)量以及數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。因減少數(shù)據(jù)線而節(jié)省的空間，在不影響開口率的情況下，可用于增加數(shù)據(jù)線的寬度，以便減少信號延遲；另一方面，因減少數(shù)據(jù)線而節(jié)省的空間也可用來提高開口率。同時，本實施例在掃描驅(qū)動電路和像素區(qū)域的連接處，增加了一個用于產(chǎn)生行掃描信號并依次向第一柵線和第二柵線輸出的選擇開關(guān)器件。如此設(shè)計可使得本實施例所需使用的柵線總數(shù)量(第一柵線數(shù)量和第二柵線數(shù)量的總和)為外圍區(qū)域掃描線數(shù)量的二倍，選擇開關(guān)器件中的一行選擇開關(guān)單元，可通過外圍區(qū)域的一條掃描線控制顯示區(qū)域的兩條柵線，從而可分別驅(qū)動像素區(qū)域中的位于奇數(shù)列的第一像素電極或位于偶數(shù)列的第二像素電極。因而，本實施例因而本發(fā)明在減少陣列基板所需使用的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的同時，沒有增加陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量。此外，由于選擇開關(guān)器件可采用現(xiàn)有的TFT構(gòu)圖工藝，在陣列基板制備過程中，直
6接形成在陣列基板的外圍區(qū)域，因而不會增加制備選擇開關(guān)器件的額外成本，從而有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。進一步的，掃描驅(qū)動電路可選用一個或多個掃描驅(qū)動芯片與陣列基板的外圍區(qū)域貼接形成，此外還可采用現(xiàn)有的TFT構(gòu)圖工藝在陣列基板的外圍區(qū)域上直接形成掃描驅(qū)動電路，從而有利于進一步降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，上述技術(shù)方案中，如果每個像素區(qū)域設(shè)置的是兩條數(shù)據(jù)線，兩個像素電極共用一條柵線的情況，選擇開關(guān)器件還可形成于沿數(shù)據(jù)線伸展方向 (即沿圖1中所示的Y方向)的外圍區(qū)域，用于接收數(shù)據(jù)驅(qū)動電路輸出的信號，然后產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號，并依次向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線和位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出該數(shù)據(jù)信號，使得與第一數(shù)據(jù)線連接的像素區(qū)域和第二數(shù)據(jù)線連接的像素區(qū)域分時交替獲取數(shù)據(jù)信號而充電。本發(fā)明提供的另一種TFT-LCD陣列基板包括基板，所述基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管、 位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接。每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線與第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線與第二薄膜晶體管的源極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條柵線，所述柵線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極和第二個薄膜晶體管的柵極連接；所述基板上還設(shè)置有產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號并依次向所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線輸出的選擇開關(guān)器件。本實施例由于設(shè)置了選擇開關(guān)器件，陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，可減少為沒有設(shè)置有選擇開關(guān)器件的陣列基板上所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的一半，而且不會增加數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的管腳數(shù)量，從而有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。圖2為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例與圖1所示實施例的區(qū)別在于，本實施例在顯示區(qū)域的左、右兩側(cè)的外圍區(qū)域分別設(shè)置有一個選擇開關(guān)器件和一個掃描驅(qū)動電路；每個掃描驅(qū)動電路通過一個選擇開關(guān)器件與顯示區(qū)域的柵線連接。如圖2所示，在顯示區(qū)域左側(cè)外圍區(qū)域設(shè)有第一掃描驅(qū)動電路41，第一掃描驅(qū)動電路 41與第一選擇開關(guān)器件61連接，第一選擇開關(guān)器件61與第一柵線21和第二柵線22的一端連接，用于從第一柵線21和第二柵線22的一端，根據(jù)從第一掃描驅(qū)動電路41接收的信號產(chǎn)生一像素行的行掃描信號，并將該行掃描信號依次傳輸給第一柵線21和第二柵線22。 在顯示區(qū)域右側(cè)外圍區(qū)域設(shè)有第二掃描驅(qū)動電路42，第二掃描驅(qū)動電路42與第二選擇開關(guān)器件62連接，第二選擇開關(guān)器件62與第一柵線21和第二柵線22的另一端連接，用于從第一柵線21和第二柵線22的另一端，根據(jù)第二掃描驅(qū)動電路42輸出的信號產(chǎn)生像素行的行掃描信號，并將該行掃描信號依次傳輸給第一柵線21和第二柵線22。本實施例采用二個掃描驅(qū)動電路分別通過各自相連的選擇開關(guān)器件，同步驅(qū)動同行像素，使得同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二偶數(shù)像素電極依次充電。具體的，位于顯示區(qū)域左側(cè)的第一掃描驅(qū)動電路41和第一選擇開關(guān)器件61，與位于顯示區(qū)域右側(cè)的第二掃描驅(qū)動電路42和第二選擇開關(guān)器件62，采用同步方式、依次開啟同行像素區(qū)域1中位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管13和位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管14。以下以TFT-IXD陣列基板一行像素區(qū)域掃描為例，說明本實施例的工作原理。
第一掃描驅(qū)動電路41向第一選擇開關(guān)器件61輸出信號后，產(chǎn)生一像素行的行掃描信號，第一選擇開關(guān)器件61建立第一柵線21與掃描線8的通信連接，將行掃描信號傳輸給第一柵線21，與第一柵線21連接的第一薄膜晶體管13自左向右依次開啟，數(shù)據(jù)線3上傳輸?shù)牡谝粩?shù)據(jù)信號，經(jīng)由與第一薄膜晶體管13使第一像素電極11自左向右依次充電；由于第二柵線22沒有掃描信號，與第二柵線22連接的第二薄膜晶體管14關(guān)閉，因而第二像素電極12不能充電。與此同時，第二掃描驅(qū)動電路42向第二選擇開關(guān)器件62輸出信號，產(chǎn)生一像素行的掃描信號，第二選擇開關(guān)器件62建立第一柵線21與掃描線8的通信連接，將行掃描信號傳輸給第一柵線21，與第一柵線21連接的第一薄膜晶體管13自右向左依次開啟，數(shù)據(jù)線3上傳輸?shù)牡谝粩?shù)據(jù)信號，經(jīng)由與第一薄膜晶體管13使第一像素電極11自右向左依次充電；由于第二柵線22沒有掃描信號，與第二柵線22連接的第二薄膜晶體管14關(guān)閉，因而第二像素電極12不能充電。當該行像素區(qū)域中位于奇數(shù)列的第一像素電極11充電完成之后，第一選擇開關(guān)器件61和第二選擇開關(guān)器件62同步斷開第一柵線21與掃描線8的通信連接，建立第二柵線22與掃描線8的通信連接，將行掃描信號傳輸給第二柵線22，與第二柵線22連接的第二薄膜晶體管14自左向右或自右向左依次開啟，此時，數(shù)據(jù)線3上傳輸?shù)牡诙?shù)據(jù)信號，經(jīng)由第二薄膜晶體管14使第二像素電極12自左向右或自右向左依次充電。當該行像素區(qū)域1 中第二像素電極12完成充電過程時，即完成了一行像素區(qū)域的掃描。之后，第一掃描驅(qū)動電路41和第二掃描驅(qū)動電路42會同步輸出新的信號，分別通過第一選擇開關(guān)器件61和第二選擇開關(guān)器件62，采用上述方法雙向同步掃描下一行像素。本實施例通過雙向同步掃描的方式驅(qū)動陣列基板，可降低掃描信號在柵線傳輸過程中的柵線延遲(Gate Line Delay)，因此，在與單向驅(qū)動方法達到相同柵線延遲允許范圍內(nèi)，可在制備TFT-LCD陣列基板過程中減小柵線的線寬，從而提高像素開口率；同時，本實施例雙向同步掃描的驅(qū)動方式，還可加快掃描速度，提高掃描頻率。進一步的，本實施例還有利于提高柵線斷路的缺陷檢測的方便性。為便于與現(xiàn)有技術(shù)進行對比說明，假設(shè)當一個像素區(qū)域中的二條柵線，即第一柵線和第二柵線中的某一條柵線出現(xiàn)斷開點缺陷(如 從左至右第3個薄膜晶體管，即第二奇數(shù)列薄膜晶體管發(fā)生故障)。如果采用單向驅(qū)動的現(xiàn)有技術(shù)進行陣列基板驅(qū)動，由于第3個薄膜晶體管發(fā)生故障，第3個像素區(qū)域不能顯示， 此外，該條柵線連接的第3個薄膜晶體管往右之后的所有薄膜晶體管因無法接收到行掃描信號，而導致第3個像素區(qū)域往右之后的所有像素區(qū)域都不能顯示；該柵線上的故障點對 TFT-LCD整體顯示的影響非常明顯。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的是，本實施例采用雙向同步驅(qū)動的方式，如果第3個薄膜晶體管發(fā)生故障，那么從該條柵線連接的右側(cè)下一個薄膜晶體管開始起所有的薄膜晶體管都可通過另一方向驅(qū)動獲取行掃描信號，從而使得相應的像素區(qū)域能夠正常顯示。可見，本實施例采用的雙向同步驅(qū)動方式中，如果該斷開點很難修復，可對斷開點不予修復方法，直接從左側(cè)和右側(cè)同步驅(qū)動該斷開點左側(cè)和右側(cè)的薄膜晶體管，從而使得位于該斷開點左側(cè)和右側(cè)的像素電極分別充電，因而本實施例采用雙向同步驅(qū)動的方式有利于減小了斷點缺陷對顯示的影響。圖3為本發(fā)明選擇開關(guān)器件實施例結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例選擇開關(guān)器件可在制備 TFT-LCD陣列基板的同時，通過構(gòu)圖工藝直接形成在TFT-LCD陣列基板的襯底基板的外圍區(qū)域上。如圖3所示，選擇開關(guān)器件6具有矩陣式電路結(jié)構(gòu)，包括多個行排列的選擇開關(guān)單元63、以及接收外部時鐘信號的第一柵線開啟信號線64和第二柵線開啟信號線65 ；選擇開關(guān)單元63的數(shù)量與像素區(qū)域1的行數(shù)相同；每個選擇開關(guān)單元63包括一個輸入端631、 二個輸出端(即第一輸出端632和第二輸出端63 以及連接在輸入端631與輸出端之間的開關(guān)。輸入端631與掃描驅(qū)動電路的一行信號輸出端連接，即輸入端631與掃描線連接， 用于接收掃描驅(qū)動電路輸出的信號并產(chǎn)生行掃描信號；第一輸出端632與第一柵線連接， 第二輸出端633與第二柵線連接。在輸入端631與第一輸出端632和第二輸出端633之間形成有開關(guān)，該開關(guān)用于根據(jù)時鐘信號依次接通第一柵線和第二柵線，使行掃描信號依次向第一柵線和第二柵線輸出。具體的，輸入端631與第一輸出端632之間形成有第一開關(guān)， 該第一開關(guān)具體為第三薄膜晶體管66 ；在輸入端631與第二輸出端633之間形成有第二開關(guān)，該第二開關(guān)具體為第四薄膜晶體管67。第三薄膜晶體管66的柵極與第一柵線開啟信號線64連接，輸入端631和第一輸出端632通過第三薄膜晶體管66的源極和漏極橋接；第四薄膜晶體管67的柵極與第二柵線開啟信號線65連接，輸入端631和第二輸出端633通過第四薄膜晶體管67的源極和漏極橋接。具體實現(xiàn)例如第三薄膜晶體管66源極和第四薄膜晶體管67源極的連接點可作為該選擇開關(guān)單元63的輸入端631，通過掃描線與掃描驅(qū)動電路掃描信號輸出端連接；第三薄膜晶體管66的漏極可作為選擇開關(guān)單元的第一輸出端632，與第一柵線連接；第四薄膜晶體管67的漏極作為選擇開關(guān)單元的第二輸出端633，與第二柵線連接。從掃描驅(qū)動電路輸出的信號通過掃描線輸入到與該掃描線連接的選擇開關(guān)單元 63，外部時鐘信號交替向第一柵線開啟信號線64和第二柵線開啟信號線65輸入高電平信號。例如當外部時鐘信號處于上半沿時，時鐘信號開啟第一柵線開啟信號線64，使得第一柵線開啟信號線64具有高電平信號，此時，與第一柵線開啟信號線64連接的第三薄膜晶體管66的柵極具有柵極開啟信號，使得第三薄膜晶體管66處于開啟狀態(tài)，行掃描信號通過第三薄膜晶體管66，經(jīng)過第一輸出端632傳輸?shù)降谝粬啪€，與第一柵線連接的第一薄膜晶體管開啟，使得同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；由于此時第二柵線開啟信號線 65為低電平信號，與第二柵線開啟信號線65連接的第四薄膜晶體管67處于關(guān)閉狀態(tài)，因此，第二柵線上沒有行掃描信號。當外部時鐘信號反轉(zhuǎn)即處于下半沿時，時鐘信號開啟第二柵線開啟信號線65，使得第二柵線開啟信號線65具有高電平信號，此時，與第二柵線開啟信號線65連接的第四薄膜晶體管67的柵極具有柵極開啟信號，使得第四薄膜晶體管67處于開啟狀態(tài)，行掃描信號通過第四薄膜晶體管67經(jīng)過第二輸出端633傳輸?shù)降诙啪€，與第二柵線連接的第二薄膜晶體管開啟，使得同行像素區(qū)域中位于偶數(shù)列的第二像素電極充電；由于此時第一柵線開啟信號線64為低電平信號，與第一柵線開啟信號線64連接的第三薄膜晶體管66處于關(guān)閉狀態(tài)，因此，第二柵線上沒有行掃描信號。本實施例實現(xiàn)了通過選擇開關(guān)單元分時依次將行掃描信號傳輸給第一柵線和第二柵線，實現(xiàn)了在同行像素掃描時，對該同行像素中的位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極進行分時依次驅(qū)動。由于本實施例與掃描驅(qū)動電路連接的掃描線為顯示區(qū)域所使用的柵線數(shù)量的一半，因此，雖然兩列像素電極共用一條數(shù)據(jù)線的陣列基板結(jié)構(gòu)增加了顯示區(qū)域中柵線的使用數(shù)量，但實際接收掃描驅(qū)動電路輸出信號的掃描線的數(shù)量沒有增加，從而不需要增加掃描驅(qū)動電路中掃描驅(qū)動芯片的使用數(shù)量，或者不需要增加現(xiàn)有掃描驅(qū)動芯片的管腳數(shù)量，從而有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實施例還可在兩個選擇開關(guān)單元63之間形成信號交叉?zhèn)鬏數(shù)牡谖灞∧ぞw管68和第六薄膜晶體管69。第五薄膜晶體管68的源極和漏極橋接本選擇開關(guān)單元63的第一輸出端632和第二輸出端633，且第五薄膜晶體管68的柵極與下一行選擇開關(guān)單元63的第一輸出端632連接；第六薄膜晶體管69的源極和漏極橋接本選擇開關(guān)單元63的第一輸出端632和下一行選擇開關(guān)單元的第二輸出端633，且第六薄膜晶體管69的柵極與本選擇開關(guān)單元63的第二輸出端633連接。為便于說明，以下將TFT-LCD陣列基板中，用于驅(qū)動第η行(η為大于1的整數(shù)) 像素區(qū)域的掃描線稱為第η條掃描線；將第η行第一柵線稱為第η條第一柵線，第η行第二柵線稱為第η條第二柵線；將用于分時控制第η條第一柵線和第η條第二柵線的開關(guān)選擇單元中包括的第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管，分別表示為TFT3 (n)、TFT4 (η)、TFT5 (η)和TFT6 (η)。圖3所示的電路結(jié)構(gòu)中，行號η可發(fā)生變化，但對于該行相應元素的命名規(guī)則同上。下面結(jié)合圖3說明設(shè)有第五薄膜晶體管68和第六薄膜晶體管69的選擇開關(guān)器件的工作原理。選擇開關(guān)器件根據(jù)掃描驅(qū)動電路輸出的信號生成的行掃描信號包括掃描開啟電壓信號Vgh和掃描關(guān)閉電壓信號Vgl，其中，Vgh為高壓信號，Vgl為低壓信號。假設(shè)掃描驅(qū)動電路采用逐行掃描模式輸出掃描信號，即當一行掃描線具有掃描開啟電壓信號Vgh時， 其他行掃描線具有掃描關(guān)閉電壓信號Vgl。當從選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的行掃描信號為用于掃描第n-1行像素電極的掃描信號時，第n-1條掃描線上具有掃描開啟電壓信號Vgh，而其他行掃描線，如第η條掃描線、第 η+1條掃描線上具有掃描關(guān)閉電壓信號Vgl。用于掃描第n-1行像素電極的掃描信號輸入圖3所示的選擇開關(guān)器件。當選擇開關(guān)器件中的第一柵線開啟信號線64通過外部時鐘信號加載高電平時， 第二柵線開啟信號線65上加載低電平，與第一柵線開啟信號線64連接的各選擇開關(guān)單元的TFT開關(guān)元件(如:TFT3 (n-1)、TFT3 (η)、TFT3 (η+1)等)均因柵極具有高壓信號而處于開啟狀態(tài)。當?shù)趎-1條掃描線將掃描開啟電壓信號Vgh，通過TFT3 (n-1)傳輸給第n_l行第一柵線，之后，第n-1行第一薄膜晶體管開啟，從而控制第n-1行像素電區(qū)域中位于奇數(shù)列的第一像素電極充電。此時，第η條掃描線、第η+1條掃描線等具有掃描關(guān)閉電壓信號Vgl， 掃描關(guān)閉電壓信號Vgl經(jīng)第一柵線開啟信號線64連接的TFT3(n)、TFT3(n+l)等TFT開關(guān)元件，將掃描關(guān)閉電壓信號Vgl傳輸給第η條第一柵線和第η+1條第一柵線等。當選擇開關(guān)器件中的第二柵線開啟信號線65通過外部時鐘信號加載高電平時， 第一柵線開啟信號線64上加載低電平，與第二柵線開啟信號線65連接的各選擇開關(guān)單元的TFT開關(guān)元件(如:TFT4(n-l)、TFT4(n)、TFT4(n+l)等)均處于開啟狀態(tài)。當?shù)趎-1條掃描線將掃描開啟電壓信號Vgh，通過TFT4 (n-1)傳輸給第n-1行第二柵線，之后，第n_l行第二薄膜晶體管開啟，從而控制第n-1行像素區(qū)域中位于偶數(shù)列的第二像素電極充電。此時，第η條掃描線、第η+1條掃描線等具有掃描關(guān)閉電壓信號Vgl，掃描關(guān)閉電壓信號Vgl經(jīng)第二柵線開啟信號線65連接的TFT4(n)、TFT4(n+l)等TFT開關(guān)元件，將掃描關(guān)閉電壓信號Vgl傳輸給第η條第二柵線和第η+1條第二柵線；同時，第η條掃描線的掃描關(guān)閉電壓信號Vgl經(jīng)TFT6(n_l)傳輸給第n_l條第一柵線，使得第n-1條第一柵線上的電壓信號速變成Vgl信號，從而使得與第n-1條第一柵線上連接的像素電極處于較好的保持狀態(tài)。具體的，當選擇開關(guān)器件中的第二柵線開啟信號線65通過外部時鐘信號加載高電平時，第n-1條掃描線輸入的Vgh信號經(jīng)由TFT4(n-l)傳輸?shù)降趎-1條第二柵線，這樣TFT6(n-l)的柵極端就具有了高壓信號，第η條掃描線輸入的 Vgl信號會首先經(jīng)由TFT4 (η)傳輸?shù)降讦菞l第二柵線，之后第η條第二柵線上的Vgl信號會經(jīng)開啟的TFT6(n-l)而傳輸給第n-1條第一柵線，使第n_l條第一柵線上的電壓信號能快速變成Vgl信號，從而使得與第n-1條第一柵線上連接的第一像素電極處于較好的保持狀態(tài)。簡言之，就是在第n-1條第二柵線上輸出高電平的同時，即相應的第n-1行偶數(shù)列的第二像素電極對應的柵極打開的同時，第n-1條第一柵線上迅速輸出低電平，即相應的第n-1 行奇數(shù)列的第一像素電極對應的柵極迅速關(guān)閉。通過上述過程完成第n-1行像素電極的驅(qū)動后，掃描驅(qū)動電路輸出用于驅(qū)動第η 行像素電極的信號，選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的第η行行掃描信號。掃描開啟電壓信號Vgh經(jīng)第 η條掃描線輸入選擇開關(guān)器件，選擇開關(guān)器件由時鐘控制的信號將第二柵線開啟信號關(guān)斷， 第一柵線開啟信號打開，向第一柵線開啟信號線64加載高電平，這樣，第η條掃描線上的 Vgh信號便會經(jīng)TFT3 (η)傳輸?shù)降讦菞l第一柵線，第η條第一柵線上連接的第一薄膜晶體管開啟，使得同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；同時，TFT5(n-l)因柵極具有高電平而處于開啟狀態(tài)，第n-1條掃描線將Vgl信號會經(jīng)開啟的TFT5(n-l)而傳輸給第n_l條第二柵線，使第n-1條第二柵線能快速變成Vgl信號，從而使得與第n-1條第二柵線上連接的像素電極處于較好的保持狀態(tài)。其他行像素電極的掃描控制原理與上述相同。簡言之， 就是在第η條第一柵線上輸出高電平的同時，即相應的第η行奇數(shù)列的第一像素電極對應的柵極打開的同時，第n-1條第二柵線上迅速輸出低電平，即相應的第n-1行偶數(shù)列的第二像素電極對應的柵極迅速關(guān)閉。本實施例使得外部時鐘信號發(fā)生翻轉(zhuǎn)時，選擇開關(guān)單元中原處于高電平的第一輸出端或第二輸出端能夠?qū)⑺虞d的電壓快速變?yōu)榈碗娖?，消除第一柵線或第二柵線上的高壓殘留，使對應的柵極迅速關(guān)閉，從而使得相應的像素電極處于較好的保持狀態(tài)，有利于降低陣列基板在顯示過程中出現(xiàn)的閃爍。圖4為本發(fā)明一種TFT-IXD陣列基板驅(qū)動方法流程圖。如圖4所示，本實施例包括步驟11、產(chǎn)生一像素行的行掃描信號；步驟12、向所述像素行的第一柵線輸出所述行掃描信號，所述第一柵線通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于奇數(shù)列的第一像素電極輸出第一數(shù)據(jù)信號；步驟13、向所述像素行的第二柵線輸出所述行掃描信號，所述第二柵線通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于偶數(shù)列的第二像素電極輸出第二數(shù)據(jù)信號。上述驅(qū)動方法中，可由選擇開關(guān)器件接收掃描驅(qū)動電路的信號后，產(chǎn)生一像素行的行掃描信號，再依次向第一柵線和第二柵線輸出。上述技術(shù)方案中，在第一柵線和第二柵線的二端可分別連接有一選擇開關(guān)器件， 用以實現(xiàn)陣列基板的雙向同步驅(qū)動。例如在第一柵線和第二柵線的一端連接有第一選擇
11開關(guān)器件，在第一柵線和第二柵線的另一端連接有第二選擇開關(guān)器件，則步驟11具體為步驟11’ 第一選擇開關(guān)器件和第二選擇開關(guān)器件分別產(chǎn)生一像素行的行掃描信號。步驟12具體為步驟12’ 第一選擇開關(guān)器件從該像素行的第一柵線的一端，向第一柵線輸出行掃描信號；第二選擇開關(guān)器件從該像素行的第一柵線的另一端，向第一柵線輸出行掃描信號；第一柵線通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于奇數(shù)列的第一像素電極輸出第一數(shù)據(jù)信號。步驟13具體為步驟13’ 第一選擇開關(guān)器件從該像素行的第二柵線的一端，向第二柵線輸出所述行掃描信號；第二選擇開關(guān)器件從像素行的第二柵線的另一端，向第二柵線輸出所述行掃描信號；第二柵線通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使數(shù)據(jù)線向位于偶數(shù)列的第二像素電極輸出第二數(shù)據(jù)信號。本實施例通過選擇開關(guān)器件產(chǎn)生行掃描信號，減少數(shù)據(jù)線數(shù)量以及數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，并根據(jù)一行掃描信號分時依次控制同行像素中位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，使得所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量為柵線總數(shù)量的一半，因而本發(fā)明在減少數(shù)據(jù)線數(shù)量以及數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片管腳數(shù)量同時，沒有增加陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量；此外，由于選擇開關(guān)器件可采用現(xiàn)有的TFT構(gòu)圖工藝，在陣列基板制備過程中，直接形成在陣列基板的外圍區(qū)域，因而不會增加制備選擇開關(guān)器件的額外成本，從而有利于降低TFT-LCD 的生產(chǎn)成本。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，上述技術(shù)方案中，如果每個像素區(qū)域設(shè)置的是兩條數(shù)據(jù)線，兩個像素電極共用一條柵線的情況，選擇開關(guān)器件還可形成于沿數(shù)據(jù)線伸展方向 (即沿圖1中所示的Y方向)的外圍區(qū)域，用于接收數(shù)據(jù)驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生列數(shù)據(jù)信號，并依次向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線和位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出該列數(shù)據(jù)信號，使得與第一數(shù)據(jù)線連接的像素區(qū)域和第二數(shù)據(jù)線連接的像素區(qū)域分時交替獲取列數(shù)據(jù)信號而充電。圖5為本發(fā)明另一種TFT-LCD陣列基板驅(qū)動方法流程圖。如圖5所示，本實施例包括步驟21、產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號；步驟22、向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；步驟23、向位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使位于偶數(shù)列的第二像素電極充電。上述驅(qū)動方法中，可由選擇開關(guān)器件接收數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的信號后，產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號，再依次向第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線輸出。本實施例由于設(shè)置了選擇開關(guān)器件，陣列基板所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量，可減少為沒有設(shè)置有選擇開關(guān)器件的陣列基板上所需使用的掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或掃描驅(qū)動芯片管腳數(shù)量的一半，而且不會增加數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的管腳數(shù)量，從而有利于降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換； 而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括基板，所述基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管、位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接；其特征在于，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線與第一薄膜晶體管的源極連接，所述第二數(shù)據(jù)線與第二薄膜晶體管的源極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條柵線，所述柵線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極和第二個薄膜晶體管的柵極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述基板上還設(shè)置有接收數(shù)據(jù)信號后，產(chǎn)生列數(shù)據(jù)信號，并依次向所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線輸出的選擇開關(guān)器件。
3.—種TFT-IXD陣列基板驅(qū)動方法，其特征在于，包括 步驟21、產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號；步驟22、向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；步驟23、向位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使位于偶數(shù)列的第二像素電極充電。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板驅(qū)動方法，其特征在于，所述步驟21包括選擇開關(guān)器件接收數(shù)據(jù)驅(qū)動電路信號后，產(chǎn)生像素列的列數(shù)據(jù)信號；所述步驟22包括所述選擇開關(guān)器件向位于奇數(shù)列的第一數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于奇數(shù)列的第一薄膜晶體管使位于奇數(shù)列的第一像素電極充電；所述步驟23包括所述選擇開關(guān)器件向位于偶數(shù)列的第二數(shù)據(jù)線輸出所述列數(shù)據(jù)信號，通過位于偶數(shù)列的第二薄膜晶體管使位于偶數(shù)列的第二像素電極充電。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD陣列基板及其驅(qū)動方法。一種陣列基板包括基板，基板上形成有以矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管、位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一柵線和第二柵線，第一柵線與第一薄膜晶體管的柵極連接，第二柵線與第二薄膜晶體管的柵極連接；每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線分別與第一薄膜晶體管的源極和第二個薄膜晶體管的源極連接。本發(fā)明減少數(shù)據(jù)線數(shù)量和數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片數(shù)量或其管腳數(shù)量，或者，減少柵線數(shù)量和掃描驅(qū)動芯片數(shù)量或其管腳數(shù)量，降低了TFT-LCD的生產(chǎn)成本。
文檔編號G09G3/36GK102201215SQ20111015989
公開日2011年9月28日 申請日期2008年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者馬占潔 申請人:北京京東方光電科技有限公司