專利名稱：像素電路及其補償方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種像素電路及其補償方法。
背景技術：
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,0LED)為電流驅動主動發(fā)光型器件，因其具有自發(fā)光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等獨特特點，以OLED為基礎的有機發(fā)光顯示預計今后幾年將成為顯示領域的主流。有機發(fā)光顯示的每個顯示單元，都是由OLED構成的，有機發(fā)光顯示按驅動方式可分為有源有機發(fā)光顯示和無源有機發(fā)光顯示，其中有源有機發(fā)光顯示是指每個OLED都有薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)電路來控制流過OLED的電流，OLED和用于驅動OLED的TFT電路構成像素電路，因此，為保證有源有機發(fā)光顯示面板亮度的均勻性，就要求位于背板的不同區(qū)域內，用于驅動OLED的TFT特性具有一致性和穩(wěn)定性。TFT的閾值電壓和很多因素有關，包括TFT漏極的摻雜、電介質的厚度、柵極材質和電介質中的過剩電荷，目前在背板尤其是大尺寸的背板制作過程中，由于工藝條件和水平的限制很難做到這些因素的一致性，使得各TFT的閾值電壓偏移不一致；另外，長時間工作導致的TFT穩(wěn)定性下降等問題，也會使得TFT的閾值電壓偏移不一致，而TFT的閾值電壓偏移不一致又會造成流經(jīng)各OLED的電流有所差異，為了降低或者最大程度減少這種差異，就需要能夠補償這種差異的像素電路。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題現(xiàn)有技術中補償效果好的像素電路結構復雜，時序信號較多，如圖I所示，此結構中除OLED Dl外，需要6個TFT，兩個電容，6個信號線；并且在高分辨率的要求下，在小的像素面積上設計結構很復雜的像素電路，除要求很高的背板制造工藝外，也會使得產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率低，使得產(chǎn)品成本增加。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種像素電路及其補償方法，能夠補償閾值電壓偏移所造成的流過OLED的電流差異，并且結構簡單，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案一種像素電路，包括發(fā)光元件；用于驅動所述發(fā)光元件的驅動薄膜晶體管，所述驅動薄膜晶體管的源極用于輸入工作電壓信號，所述驅動薄膜晶體管的漏極與所述發(fā)光元件相連接； 用于控制數(shù)據(jù)信號輸入的第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的源極用于輸入數(shù)據(jù)信號，所述第三薄膜晶體管的柵極用于輸入控制數(shù)據(jù)信號輸入的掃描信號；用于儲存數(shù)據(jù)信號的電容，所述電容的兩極板分別與所述驅動薄膜晶體管的柵極和所述工作電壓信號的輸出端相連接；用于補償流過所述發(fā)光元件的電流差異的補償模塊，所述補償模塊的輸入端與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，所述補償模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。所述補償模塊為第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極作為所述補償模塊的輸入端，與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的漏極相連接后作為所述補償模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。所述的像素電路，還包括用于接收復位控制信號，并驅動所述驅動薄膜晶體管的柵極電位進行復位的復位模塊，所述復位模塊輸入端用于接收復位控制信號，所述復位模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。所述復位模塊為第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的源極用于輸入低電壓信 號，所述第二薄膜晶體管的柵極作為所述復位模塊的輸入端，用于接收控制所述第二薄膜晶體管的開關的復位控制信號，所述第二薄膜晶體管的漏極作為所述復位模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。一種補償方法，包括掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容；掃描信號關閉所述第三薄膜晶體管，所述電容儲存的所述本幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。所述掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容，具體為掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述第三薄膜晶體管輸入到所述第一薄膜晶體管的源極，由所述第一薄膜晶體管的漏極輸出到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容。所述的補償方法，在所述掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸出到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容之前，還包括根據(jù)復位控制信號，在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位。所述根據(jù)復位控制信號，在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位，具體包括在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述復位控制信號開啟所述第二薄膜晶體管，低電壓信號通過所述第二薄膜晶體管輸入所述驅動薄膜晶體管的柵極，所述驅動薄膜晶體管的柵極電位被復位到低電壓；在所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，所述復位控制信號關閉所述第二薄膜晶體管。本發(fā)明實施例中的像素電路及其補償方法，能夠補償閾值電壓偏移所造成的流過OLED的電流差異，同時還能驅動所述驅動薄膜晶體管的柵極電位在幀與幀之間復位，保證上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響，并且結構簡單，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。


圖I為現(xiàn)有技術中的像素電路結構示意圖；
圖2為本發(fā)明實施例一中的像素電路結構示意圖一；圖3為本發(fā)明實施例一中的像素電路結構示意圖二 ；圖4為本發(fā)明實施例一中的像素電路結構示意圖三；圖5為本發(fā)明實施例一中的像素電路結構示意圖四；圖6為本發(fā)明實施例一中的像素電路所使用的時序信號的示意圖；圖7為本發(fā)明實施例二中的補償方法的流程圖一；圖8為本發(fā)明實施例二中的補償方法的流程圖二 ；圖9為本發(fā)明實施例二中的補償方法的流程圖三。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供一種像素電路及補償方法，能夠補償閾值電壓偏移所造成的流過OLED的電流差異，同時還能降低了幀與幀之間信號的影響，并且結構簡單，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。下面結合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。此處所描述的具體實施方式
僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。實施例一本發(fā)明實施例提供一種像素電路，如圖2所示，該像素電路包括發(fā)光元件；用于驅動所述發(fā)光元件的驅動薄膜晶體管M4，所述驅動薄膜晶體管M4的源極用于輸入工作電壓信號VDD，所述驅動薄膜晶體管M4的漏極與所述發(fā)光元件相連接；用于控制數(shù)據(jù)信號輸入的第三薄膜晶體管M3，所述第三薄膜晶體管M3的源極用于輸入數(shù)據(jù)信號VData，所述第三薄膜晶體管M3的柵極用于輸入控制數(shù)據(jù)信號VData輸入的掃描信號VGate ；用于儲存數(shù)據(jù)信號的電容Cl，所述電容Cl的兩極板分別與所述驅動薄膜晶體管M4的柵極和所述工作電壓信號的輸出端相連接；用于補償流過所述發(fā)光元件的電流差異的補償模塊，所述補償模塊的輸入端與所述第三薄膜晶體管M3的漏極相連接，所述補償模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管M4的柵極相連接。本實施例所述發(fā)光元件為0LED，當像素電路工作時需要3個時序信號，分別是數(shù)據(jù)信號VData、掃描信號VGate和工作電壓信號VDD。掃描信號VGate開啟第三薄膜晶體管M3，開始數(shù)據(jù)信號VData的寫入，數(shù)據(jù)信號VData經(jīng)補償模塊補償后輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及電容Cl ;然后，掃描信號VGate關閉所述第三薄膜晶體管M3，數(shù)據(jù)信號VData的寫入過程結束，開始驅動OLED發(fā)光。這時，電容Cl驅動所述驅動薄膜晶體管M4開啟，使得OLED發(fā)光。這樣，經(jīng)過補償模塊的補償后，流過各OLED上的電流一致，提高了有源有機顯示面板亮度的均勻性。具體的，如圖3所示，本實施例中所述補償模塊為第一薄膜晶體管M1，所述第一薄膜晶體管Ml的源極作為所述補償模塊的輸入端，與所述第三薄膜晶體管M3的漏極相連接，所述第一薄膜晶體管Ml的柵極與所述第一薄膜晶體管Ml的漏極相連接后作為所述補償模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管M4的柵極相連接，所述驅動薄膜晶體管M4的柵極和工 作電壓信號的輸出端分別與電容Cl的兩極板相連接。本實施例中的補償模塊為第一薄膜晶體管M1，當像素電路工作時，掃描信號VGate輸入開啟電壓，使得第三薄膜晶體管M3開啟，數(shù)據(jù)信號VData開始寫入，數(shù)據(jù)信號VData經(jīng)第三薄膜晶體管M3輸入到第一薄膜晶體管Ml的源極，由第一薄膜晶體管Ml的漏極輸入到驅動薄膜晶體管M4的柵極，且通過驅動薄膜晶體管M4的柵極輸入到電容Cl。其中，當數(shù)據(jù)信號VData輸入到第一薄膜晶體管Ml的源極(S)時，由于第一薄膜晶體管Ml的柵極和漏極相連接，構成二極管式連接方式，根據(jù)電路知識，可知A點電壓等于數(shù)據(jù)信號VData減去第一薄膜晶體管Ml的閾值電壓Vthl,即Va = VData-Vthl (I)(I)式中Vthl為第一薄膜晶體管Ml的閾值電壓，Va為A點電壓。然后,掃描信號VGate關閉第三薄膜晶體管M3，數(shù)據(jù)信號VData的寫入過程結束，開始驅動OLED發(fā)光。此時，A點電壓Va通過電容Cl保持，所述電容Cl提供電壓驅動所述驅動薄膜晶體管M4開啟，使得OLED發(fā)光。此時，驅動薄膜晶體管M4工作在飽和區(qū)，根據(jù)電路知識，可知流經(jīng)驅動薄膜晶體管M4的電流與驅動薄膜晶體管M4的柵極和源極間的電壓Vgs有關，還與驅動薄膜晶體管M4的閾值電壓Vth4有關，具體如下I=I XKx(Vgs-Vth4)2(2)(2)式中，I為流經(jīng)驅動薄膜晶體管M4的電流，Vth4為驅動薄膜晶體管M4的閾值電 W
壓，~，W為驅動薄膜晶體管M4的溝道長度，L為驅動薄膜晶體管M4的溝道寬度， LxCxu
C為驅動薄膜晶體管M4的溝道電容，u為驅動薄膜晶體管M4的載流子遷移率，相同結構中K、L、C和u數(shù)值相對穩(wěn)定，所以K可認為是一常量。另外，Vgs為驅動薄膜晶體管M4的柵極和驅動薄膜晶體管M4的源極間的電壓，即驅動薄膜晶體管M4的柵極與源極間的電壓，而驅動薄膜晶體管M4的源極用于輸入工作電壓信號VDD，驅動薄膜晶體管M4的柵極電壓等于A點電壓Va，所以Vgs = VDD-Va (3)由于第一薄膜晶體管Ml保持在二極管連接狀態(tài)不變，第一薄膜晶體管Ml的柵極、源極和漏極的電壓均不變，所以(I)式Va = VData-Vthl仍然成立，所以Vgs為Vgs = VDD- (VData-Vthl) (4)將⑷式代入⑴式，可知流經(jīng)驅動薄膜晶體管M4的電流為I= -xKx ( VDD-VData +Vthl-Vth4 ) 2 ( 5 )
2
由(4)式可知流經(jīng)驅動薄膜晶體管M4的電流I除與工作電壓信號VDD、數(shù)據(jù)信號VData及常量K有關外，還與第一薄膜晶體管Ml的閾值電壓Vthl和驅動薄膜晶體管M4的閾值電壓Vth4有關，而根據(jù)低溫多晶硅工藝的短程有序原理，短程內的薄膜晶體管特性可以認為是均勻的，即第一薄膜晶體管Ml和驅動薄膜晶體管M4位置接近，可認為是在短程內，所以第一薄膜晶體管Ml的閾值電壓Vthl和驅動薄膜晶體管M4的閾值電壓Vth4近似相同，即Vthl-Vth4 = 0，因此流經(jīng)驅動薄膜晶體管M4的電流就只與工作電壓信號VDD和數(shù)據(jù)信號VData相關，而與驅動薄膜晶體管M4的閾值電壓Vth無關。這樣，因背板制造工藝原因及長時間工作導致的造成的閾值電壓偏移不一致就不會影響流經(jīng)驅動薄膜晶體管的電流，也不會影響流經(jīng)OLED的電流，所以能提高有源有機顯示面板亮度的均勻性及穩(wěn)定性。
進一步地，如圖4所示，本實施例中的像素電路還包括用于接收復位控制信號VReset,并驅動所述驅動薄膜晶體管M4的柵極電位進行復位的復位模塊，所述復位模塊輸入端用于接收復位控制信號VReset，所述復位模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管M4的柵極相連接。本實施例中的像素電路中的復位模塊能根據(jù)復位控制信號VReset驅動所述驅動薄膜晶體管M4的柵極電位在幀與幀之間復位，保證上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響。具體地，如圖5所示，本實施例中的復位模塊為第二薄膜晶體管M2，所述第二薄膜晶體管M2的源極用于輸入低電壓信號GND，所述第二薄膜晶體管M2的柵極作為所述復位模塊的輸入端，用于輸入控制所述第二薄膜晶體管M2的開關的復位控制信號VReset，所述第二薄膜晶體管M2的漏極作為所述復位模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管M4的柵極相連接。復位控制信號VReset在上幀信號結束后，本幀信號輸入之前，控制開啟第二薄膜晶體管M2，低電壓信號GND通過所述第二薄膜晶體管輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極，所述驅動薄膜晶體管的柵極電位被復位到低電壓。本實施例中的像素電路，利用第二薄膜晶體M2實現(xiàn)了復位功能，保證了上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響，并且結構簡單，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。本實施例中的所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。下面對本實施例中的像素電路的具體工作過程作詳細敘述。本實施例中的像素電路工作時需要5個時序信號，分別是低電壓信號GND、數(shù)據(jù)信號VData、掃描信號VGate、工作電壓信號VDD和復位控制信號VReset。其中，掃描信號VGate、數(shù)據(jù)信號VData和工作電壓信號VDD這三個是必需的，另外低電壓信號GND和復位控制信號VReset是可選的，只在實現(xiàn)復位功能時需要。直流低電壓信號GND可以是直流信號也可以是交流信號，根據(jù)不同設計要求，其信號也不同，在本實施例中我們以直流低電壓信號GND來進行說明。圖6給出了數(shù)據(jù)信號VData、掃描信號VGate、和復位控制信號VReset的時序信號圖。所述像素電路工作時分為三個階段，即復位階段、信號寫入階段和驅動發(fā)光階段，像素電路工作過程具體如下復位階段復位控制信號VReset輸出高電壓，開啟第二薄膜晶體管M2，低電壓信號GND通過第二薄膜晶體管M2輸入到驅動薄膜晶體管M4的柵極，因此，驅動薄膜晶體管M4的柵極電位被拉低成低電壓，這樣上幀信號就不會對本幀信號的寫入造成影響。然后，復位控制信號VReset關閉所述第二薄膜晶體管M2，為本幀信號的輸入做好準備，復位階段結束；信號寫入階段復位階段結束后，開始本幀信號的寫入，此時掃描信號VGate輸入開啟電壓，第三薄膜晶體管M3開啟，數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)第一薄膜晶體管Ml補償后輸入到驅動薄膜晶體管M4的柵極及電容Cl ；驅動發(fā)光階段掃描信號VGate關閉所述第三薄膜晶體管M3，數(shù)據(jù)信號VData的寫入過程結束，A點電壓Va通過電容Cl保持，電容Cl提供的電壓驅動所述驅動薄膜晶體管M4開啟，使得OLED發(fā)光。驅動發(fā)光階段結束后，開始下一幀信號，重復這三個階段，首先是復位階段、之后是信號寫入階段、最后是驅動發(fā)光階段。本實施例中的像素電路，能補償因驅動薄膜晶體管閾值電壓偏移不一致所導致的流經(jīng)OLED的電流差異，提高有源有機顯示面板亮度的均勻性及穩(wěn)定性，還能使驅動薄膜晶體管的柵極電位在幀與幀之間復位，保證上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響，并且結構簡單，除OLED外，只包括4個TFT，一個電容，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。實施例二本發(fā)明實施例還提供一種補償方法，如圖7所示，該補償方法包括步驟101、掃描信號VGate開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容；步驟102、掃描信號VGate關閉所述第三薄膜晶體管，所述電容儲存的所述本幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。在本實施例中，數(shù)據(jù)信號VData中的每幀信號通過補償電路顯示時，都分為兩個階段，即信號寫入階段和驅動發(fā)光階段，步驟101為數(shù)據(jù)信號VData的寫入階段，數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)補償模塊補償后輸入到驅動薄膜晶體管的柵極及電容；步驟102為驅動發(fā)光階段，電容提供的電壓驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得發(fā)光元件發(fā)光，所以流過發(fā)光元件的電流都是經(jīng)過補償?shù)?，這樣，即便各驅動薄膜晶體管閾值電壓偏移不一致，但流過各發(fā)光元件的電流也會一致，能提高有源有機顯示面板亮度的均勻性。進一步地，所述掃描信號VGate開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容，具體為掃描信號VGate開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)所述第三薄膜晶體管輸入到所述第一薄膜晶體管的源極，由所述第一薄膜晶體管的漏極輸出到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容。本實施例的補償方法，用一個薄膜晶體管具體實現(xiàn)了補償功能，像素電路結構簡單，可以提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。本實施例中實現(xiàn)補償功能的原理已在實施例一中作過詳細敘述，在此不再贅述。進一步地，如圖8所示，在所述掃描信號VGate開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電 容之前，該補償方法還包括步驟100、根據(jù)復位控制信號VReset，在所述數(shù)據(jù)信號VData中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，在所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位。本實施例所述補償方法還能實現(xiàn)復位功能，數(shù)據(jù)信號VData中每幀信號通過補償電路顯示時，還包括復位階段。步驟100為復位階段，經(jīng)過復位階段，驅動薄膜晶體管的柵極電位被復位，然后再開始信號的寫入、驅動發(fā)光，這樣保證了上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響。具體地，如圖9所示，所述根據(jù)復位控制信號VReset，在所述數(shù)據(jù)信號VData中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述數(shù)據(jù)信號VData中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位，具體包括步驟1001、在數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述復位控制信號VReset開啟所述第二薄膜晶體管，低電壓信號GND通過所述第二薄膜晶體管輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極，所述驅動薄膜晶體管的柵極電位被復位到低電壓；步驟1002、在數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，所述復位控制信號VReset關閉所述第二薄膜晶體管，復位階段結束。驅動發(fā)光階段結束后，開始下一幀信號，重復這三個階段，首先是復位階段、之后是信號寫入階段、最后是驅動發(fā)光階段。本實施例所述補償方法，能用簡單的像素電路，補償因驅動薄膜晶體管閾值電壓偏移不一致所導致的流經(jīng)OLED的電流差異，提高有源有機顯示面板亮度的均勻性及穩(wěn)定性，還能實現(xiàn)驅動薄膜晶體管的柵極電位在幀與幀之間復位，保證上幀信號對下幀信號的影響最小化，降低了幀與幀之間信號的影響，并且所使用的像素電路結構簡單，除發(fā)光元件外，只包括4個TFT，一個電容，所以可提高產(chǎn)品成品率及產(chǎn)率，降低產(chǎn)品成本。可以看出，本發(fā)明實施例中所述的第一驅動薄膜晶體管、第二驅動薄膜晶體管、第三驅動薄膜晶體管及驅動薄膜晶體管，可替換為N型場效應管， 所述像素電路的結構及補償方法大致類似。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權利要求的保護范圍為準。
權利要求
1.一種像素電路，其特征在于，包括 發(fā)光兀件； 用于驅動所述發(fā)光元件的驅動薄膜晶體管，所述驅動薄膜晶體管的源極用于輸入工作電壓信號，所述驅動薄膜晶體管的漏極與所述發(fā)光元件相連接； 用于控制數(shù)據(jù)信號輸入的第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的源極用于輸入數(shù)據(jù)信號，所述第三薄膜晶體管的柵極用于輸入控制數(shù)據(jù)信號輸入的掃描信號； 用于儲存數(shù)據(jù)信號的電容，所述電容的兩極板分別與所述驅動薄膜晶體管的柵極和所述工作電壓信號的輸出端相連接； 用于補償流過所述發(fā)光元件的電流差異的補償模塊，所述補償模塊的輸入端與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，所述補償模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連 接。
2.根據(jù)權利要求I所述的像素電路，其特征在于，所述補償模塊為第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極作為所述補償模塊的輸入端，與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的漏極相連接后作為所述補償模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的像素電路，其特征在于，還包括用于接收復位控制信號，并驅動所述驅動薄膜晶體管的柵極電位進行復位的復位模塊，所述復位模塊的輸入端用于接收復位控制信號，所述復位模塊的輸出端與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的像素電路，其特征在于， 所述復位模塊為第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的源極用于輸入低電壓信號，所述第二薄膜晶體管的柵極作為所述復位模塊的輸入端，用于輸入控制所述第二薄膜晶體管的開關的復位控制信號，所述第二薄膜晶體管的漏極作為所述復位模塊的輸出端，與所述驅動薄膜晶體管的柵極相連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。
6.—種補償方法,其特征在于,包括 掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容； 掃描信號關閉所述第三薄膜晶體管，所述電容儲存的所述本幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。
7.根據(jù)權利要求6所述的補償方法，其特征在于，所述掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容，具體為 掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述第三薄膜晶體管輸入到所述第一薄膜晶體管的源極，由所述第一薄膜晶體管的漏極輸出到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的補償方法，其特征在于，在所述掃描信號開啟所述第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號經(jīng)所述補償模塊輸出到所述驅動薄膜晶體管的柵極及所述電容之前，還包括 根據(jù)復位控制信號，在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，在所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位。
9.根據(jù)權利要求8所述的補償方法，其特征在于，所述根據(jù)復位控制信號，在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，復位所述驅動薄膜晶體管的柵極電位，具體包括 在所述數(shù)據(jù)信號中的上幀信號驅動所述驅動薄膜晶體管開啟，使得所述發(fā)光元件發(fā)光結束之后，所述復位控制信號開啟所述第二薄膜晶體管，低電壓信號通過所述第二薄膜晶體管輸入到所述驅動薄膜晶體管的柵極，所述驅動薄膜晶體管的柵極電位被復位到低電壓； 在所述數(shù)據(jù)信號中的本幀信號輸入之前，所述復位控制信號關閉所述第二薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素電路及其補償方法，涉及顯示領域，可補償閾值電壓偏移造成的電流差異。所述像素電路，包括發(fā)光元件；用于驅動發(fā)光元件的驅動薄膜晶體管，驅動薄膜晶體管的源極用于輸入工作電壓信號，驅動薄膜晶體管的漏極與發(fā)光元件相連接；用于控制數(shù)據(jù)信號輸入的第三薄膜晶體管，第三薄膜晶體管的源極用于輸入數(shù)據(jù)信號，第三薄膜晶體管的柵極用于輸入控制數(shù)據(jù)信號輸入的掃描信號；用于儲存數(shù)據(jù)信號的電容，電容的兩極板分別與驅動薄膜晶體管的柵極和工作電壓信號的輸出端相連接；用于補償流過發(fā)光元件的電流差異的補償模塊，補償模塊的輸入端與第三薄膜晶體管的漏極相連接，補償模塊的輸出端與驅動薄膜晶體管的柵極相連接。
文檔編號G09G3/32GK102629447SQ20111032477
公開日2012年8月8日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權日2011年10月21日
發(fā)明者馬占潔 申請人:京東方科技集團股份有限公司