專利名稱：一種像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode, AMOLED)是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板。相比傳統(tǒng)的液晶面板，AMOLED具有反應(yīng)速度較快、對(duì)比度更高、視角較廣等特點(diǎn)。傳統(tǒng)的電壓編程型AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路包含兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容， 其中一個(gè)開關(guān)TFT，一個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT。當(dāng)掃描線開啟時(shí)，外部電路送入電壓信號(hào)經(jīng)由開關(guān)TFT 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容中，此電壓信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通電流大小，也就決定了 OLED的灰階；當(dāng)掃描線關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容中的電壓仍能保持驅(qū)動(dòng)TFT在導(dǎo)通狀態(tài)，故能在一個(gè)畫面時(shí)間內(nèi)維持OLED的固定電流。這里，OLED的亮度與流經(jīng)其的電流I成比例關(guān)系，I = K(Vgs-Vth)2，其中，Vgs為柵源電壓，Vth為閾值電壓，K為系數(shù)項(xiàng)，可以看出，Vth的變化會(huì)引起電流I的變化，最終體現(xiàn)為OLED亮度的變化。另外，在發(fā)光時(shí)，OLED和驅(qū)動(dòng)管接在同一回路中，OLED兩端的電壓Voled的變化就引起驅(qū)動(dòng)管Vgs的變化，由上式可知，Vgs的變化也會(huì)引起電流I的變化，最終也體現(xiàn)為 OLED亮度的變化。但是，由于工藝和老化的原因，Vth和Voled的變化是不可避免的，具體為閾值電壓Vth的漂移，OLED兩端的電壓Voled的上升，從而造成AMOLED屏顯示品質(zhì)的下降。現(xiàn)有的大多數(shù)像素驅(qū)動(dòng)電路的補(bǔ)償都只是針對(duì)閾值電壓Vth漂移的補(bǔ)償，很少涉及到同時(shí)對(duì) Voled 的上升的補(bǔ)償。在文獻(xiàn) Joon-Chul GohJin Jang ；Kyu-Sik Cho ；Choong-Ki Kim. ANew a_Si:H Thin-Film Transistor Pixel Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Diodes, IEEE Electron Device Letters, 2003,24 (9) :583_585，提出了一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，同樣的，這種像素驅(qū)動(dòng)電路也只能補(bǔ)償Vth漂移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光器件，其中，第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起，并通過發(fā)光器件與電源線相連；第一晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的一端相連，存儲(chǔ)電容的另一端與第五晶體管的漏極相連，第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線，第五晶體管的柵極接第一控制掃描線；第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連，第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連，第四晶體管的柵極接第一控制掃描線；第二晶體管的柵極接第二控制掃描線，第二晶體管的漏極接負(fù)電源；第三晶體管的柵極接第二控制掃描線，第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連；第六晶體管的源極接電源線，第六晶體管的柵極接外部的控制信號(hào)。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路借助六個(gè)晶體管并且通過存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)作用，可以同時(shí)對(duì)閾值電壓Vth漂移和發(fā)光器件兩端的電壓Voled的上升進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而可以提高發(fā)光器件的顯示品質(zhì)。說明書附1為本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路示意圖。圖2為本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路的波形示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述。本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路如

圖1所示，包括第一晶體管TD、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、存儲(chǔ)電容CC和發(fā)光器件，其中，第一晶體管TD的源極、第三晶體管T3的源極和第六晶體管T6的漏極連接在一起，并通過發(fā)光器件與電源線Vdd相連；第一晶體管TD的柵極與存儲(chǔ)電容CC的一端A相連，存儲(chǔ)電容的另一端B與第五晶體管T5的漏極相連，第五晶體管T5的源極接數(shù)據(jù)線Vdata，第五晶體管T5 的柵極接第一控制掃描線Sl ；第四晶體管T4的漏極與第一晶體管TD的柵極相連，第四晶體管T4的源極與第一晶體管Tl的漏極、第二晶體管T2的源極相連，第四晶體管T4的柵極接第一控制掃描線Sl ；第二晶體管T2的柵極接第二控制掃描線S2，第二晶體管T2的漏極接負(fù)電源Vss ；第三晶體管T3的柵極接第二控制掃描線S2，第三晶體管T3的漏極與第五晶體管T5的漏極相連；第六晶體管T6的源極接電源線，第六晶體管的柵極T6接外部的控制信號(hào)Cl。具體的，這里的發(fā)光器件有機(jī)發(fā)光二極管；晶體管為多晶硅薄膜晶體管。外部的控制信號(hào)Cl，在充電階段使用，可以避免發(fā)光器件閃爍。本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路分為四階段電路動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)對(duì)Vth和Voled的補(bǔ)償，具體波形示意圖如圖2所示1階段A點(diǎn)電壓為負(fù)壓Vss，其值小于Vth，B點(diǎn)電壓為Vdata。2階段Vdd對(duì)A點(diǎn)輸入電壓，使得Vac = Vth, B點(diǎn)電壓為Vdata。3階段關(guān)閉所有的開關(guān)管，Vdata在此過程中跳變。4階段B點(diǎn)的電壓跳變量為Vc-Vdata, A點(diǎn)的電壓跳變量同樣為Vc-Vdata。此時(shí) A 點(diǎn)電壓為 Vdd+Vth+Vc-Vdata。因 I = K (Vgs-Vth)2，Vgs-Vth = Vdd-Vdata0 在 Vgs-Vth 的過程中消去了 Vth 和 Vc，而Vdd-Vc = Voled0由上可得，在四階段過程中消除了 Vth和Voled的變異。具體說明如下在2階段，T4導(dǎo)通，A點(diǎn)通過T4充電到Vc+Vth，存儲(chǔ)電容CC的A端記錄了 TD的閾值電壓Vth，即Va-Vc = Vth，在4階段中Vth相消去，在每幀圖像都會(huì)重復(fù)此動(dòng)作，即消除了 Vth的變異。在使用過程中Voled都會(huì)慢慢上升，從而導(dǎo)致TD的Vgs的變化，通過T3在 4階段來記錄V。，存儲(chǔ)電容CC的B端記錄此時(shí)的Vc，此時(shí)的存儲(chǔ)電容CC的B端的電壓跳變?yōu)閂Vdata，根據(jù)電容的特性，同時(shí)存儲(chǔ)電容CC的A端會(huì)發(fā)生相應(yīng)的跳變Vc-Vdata,即實(shí)現(xiàn)把此時(shí)的Vc轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)電容CC的A端，而A端連接在TD的柵極，Vgs = Vg-Vs = Va-Vc,從而消去了 \，即消去了 Voled的變異。
綜上可以看出，本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路可以同時(shí)對(duì)閾值電壓Vth漂移和發(fā)光器件兩端的電壓Voled的上升進(jìn)行補(bǔ)償，進(jìn)而可以提高發(fā)光器件的顯示品質(zhì)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光器件，其中，第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起，并通過發(fā)光器件與電源線相連；第一晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的一端相連，存儲(chǔ)電容的另一端與第五晶體管的漏極相連，第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線，第五晶體管的柵極接第一控制掃描線；第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連，第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連，第四晶體管的柵極接第一控制掃描線；第二晶體管的柵極接第二控制掃描線，第二晶體管的漏極接負(fù)電源；第三晶體管的柵極接第二控制掃描線，第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連； 第六晶體管的源極接電源線，第六晶體管的柵極接外部的控制信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的發(fā)光器件具體為有機(jī)發(fā)光二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的晶體管為多晶硅薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括六個(gè)晶體管和存儲(chǔ)電容，第一晶體管的源極、第三晶體管的源極和第六晶體管的漏極連接在一起，并通過發(fā)光器件與電源線相連；第一晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的一端相連，存儲(chǔ)電容的另一端與第五晶體管的漏極相連，第五晶體管的源極接數(shù)據(jù)線，第五晶體管和第四晶體管的柵極接第一控制掃描線；第四晶體管的漏極與第一晶體管的柵極相連，第四晶體管的源極與第一晶體管的漏極、第二晶體管的源極相連；第二晶體管和第三晶體管的柵極接第二控制掃描線，第三晶體管的漏極與第五晶體管的漏極相連。本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路借助六個(gè)晶體管和存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)作用，可以同時(shí)對(duì)閾值電壓漂移和發(fā)光器件兩段電壓的上升進(jìn)行補(bǔ)償。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102411893SQ201110360910
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者何小祥 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司