專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示裝置的像素設(shè)計及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
近來，液晶顯示裝置被應(yīng)用到許多領(lǐng)域中，包括筆記型個人計算機(jī)、監(jiān)視器、車用導(dǎo)航器、功能性計算器、各種尺寸的電視機(jī)、移動電話與電子留言板。尤其現(xiàn)今輕薄或可攜式的電子產(chǎn)品成為市場新寵，液晶顯示裝置的體積與厚度比起早期的映像管顯示裝置來的小，故被廣泛使用。在現(xiàn)今的電子顯示技術(shù)發(fā)展中，愈來愈注重顯示裝置的電力消耗，低耗電量的液晶顯示裝置較能符合使用者對節(jié)能環(huán)保的需求。尤其在可攜式的顯示裝置上(如手機(jī)、智 能型手機(jī)、個人數(shù)字助理、電子書、平板計算機(jī)等)，液晶顯示模塊的耗電量直接影響到整個裝置的續(xù)航力。尤其是在現(xiàn)今大尺寸且體積輕薄的顯示裝置上更是迫切需要低耗電且高效率的液晶顯不|旲塊。目前的液晶顯示裝置中通常具有一定的更新頻率(refreshrate)或掃描頻率(frame rate),—般來說液晶顯示裝置采用的頻率約為50 70赫茲(Hz),即每秒畫面更新50 70次。也就是說，即便液晶顯示裝置上的顯示畫面未變動或僅有微小改變，顯示驅(qū)動電路仍會定期以每秒約六十次的頻率刷新顯示模塊中各個像素的顯示信號。因此，便產(chǎn)生不必要的能量消耗。以目前市面上一般的薄膜晶體管液晶顯示裝置(thin film transistor liquidcrystal display, TFT-IXD)來說，其電力消耗主要分為液晶顯示面板、驅(qū)動電路以及背光模塊幾個部分。以10. I英寸大小的薄膜晶體管液晶顯示裝置為例，其中液晶顯示面板與驅(qū)動電路部分的耗電約為1000毫瓦(mW)至2000毫瓦之間；另一方面，背光模塊部分的耗電約為2000毫瓦至3000毫瓦之間。雖然，目前業(yè)界針對驅(qū)動電路方面有提出極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式，例如行反轉(zhuǎn)(rowinversion)驅(qū)動或巾貞反轉(zhuǎn)(frame inversion)驅(qū)動；且針對背光模塊則提出區(qū)域調(diào)光(area light scanning)的作法,然而上述作法效果有限，目前仍在積極尋找可以提供穩(wěn)定顯示效果且能降低能量消耗的液晶顯示裝置及顯示驅(qū)動方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明揭露具有可動態(tài)調(diào)整更新頻率的液晶顯示裝置以及利用(多)雙TFT驅(qū)動電路的像素單元和儲存電容的設(shè)計及其液晶材料搭配以達(dá)到低更新頻率驅(qū)動的液晶顯示裝置。在本發(fā)明的更新頻率可動態(tài)調(diào)整的液晶顯示裝置中，液晶顯示裝置可根據(jù)當(dāng)時顯示的影像信息的影像特性分類(如動態(tài)、靜態(tài)、圖像、文字、快速改變、緩慢改變等)相對應(yīng)調(diào)整驅(qū)動電路的顯示更新頻率，通過采用較低的顯示更新頻率達(dá)到省電的效果。其中該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有兩組或兩組以上的掃描頻率。在較低的顯示更新頻率之下，一般液晶顯示裝置中的儲存電容的電位可能隨時間逐步改變，導(dǎo)致液晶顯示面板的穿透率隨之變化，如常白模式下穿透率隨時間提高、常黑模式下穿透率隨時間降低，可能導(dǎo)致一個顯示周期內(nèi)的顯示亮度或輝度不均，更進(jìn)而造成閃爍、閃屏的現(xiàn)象，可采用具有亮度或輝度保持率補償?shù)囊壕э@示裝置加以解決，例如在顯示周期中階段性調(diào)整背光模塊的驅(qū)動設(shè)定。因此，本發(fā)明內(nèi)容的一方面是在提供一種液晶顯示裝置，其包含緩存器、液晶顯示面板、驅(qū)動電路、動態(tài)頻率調(diào)整單元以及控制電路。緩存器用來暫存一影像信息。液晶顯示面板包含多個液晶電容。驅(qū)動電路包含多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，其中所述多個儲存電容的電容值明顯大于所述多個液晶電容，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上。動態(tài)頻率調(diào)整單元根據(jù)該影像信息的一影像特性分類動態(tài)地產(chǎn)生 一顯示模式控制信號。控制電路與動態(tài)頻率調(diào)整單元以及該驅(qū)動電路電性連接，控制電路根據(jù)該顯示模式控制信號相對應(yīng)調(diào)整該驅(qū)動電路的顯示更新頻率以及驅(qū)動參數(shù)。本發(fā)明內(nèi)容的另一方面是在提供一種液晶顯示裝置，其至少包含一液晶顯示面板，該液晶顯示面板至少包含多個液晶電容、多個像素單元、一上配向膜層以及一下配向膜層，該液晶體阻抗大于等于IO13歐姆每厘米，且該液晶顯示面板的一配向膜體阻抗大于等于該液晶體阻抗的十倍以上；以及一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路至少包含一顯示更新頻率和多個儲存電容，所述多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的十倍以上，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上，其中該驅(qū)動電路中對應(yīng)每一像素單元至少包含兩個或兩個以上的薄膜晶體管開關(guān)、或一雙柵極薄膜晶體管、或一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一方面實施例，其中該驅(qū)動電路中的對應(yīng)每一像素單元包含至少兩個薄膜晶體管開關(guān)，該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。于此實施例中，其中該至少兩個薄膜晶體管開關(guān)形成一雙柵極薄膜晶體管。于另一實施例中，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流進(jìn)一步小于等于10_13安培。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該驅(qū)動電路包含一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該輕摻雜漏極薄膜晶體管至少具有長度不同的一第一輕摻雜漏極與一第二輕摻雜漏極，其中最接近該驅(qū)動晶體管的該第一輕摻雜漏極具有最長的長度，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。于此實施例中，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流進(jìn)一步小于等于10_13安培。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該驅(qū)動電路采用一雙柵極薄膜晶體管驅(qū)動架構(gòu)，該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于IO-13安培。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中所述多個液晶電容的平均電容值大于等于0. 5微微法拉，且所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的十倍。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的五十倍。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該液晶體阻抗大于等于IO13歐姆每厘米，且該液晶顯示面板的一配向膜體阻抗大于等于該液晶阻抗的十倍。
根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該液晶顯示面板的一配向膜體阻抗進(jìn)一步大于等于該液晶體阻抗的五十倍。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，該液晶顯示面板包含多個像素單元，所述多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個像素單元，其中所述多個儲存電容的面積占所述多個像素單元的面積比大于等于85%。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該液晶顯示面板的一驅(qū)動方法使用行反轉(zhuǎn)(row inversion)驅(qū)動或巾貞反轉(zhuǎn)(frame inversion)驅(qū)動該顯示面板。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該影像特性分類至少包含一動態(tài)影像、一靜態(tài)緩慢影像或一靜態(tài)保持影像。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該影像信息進(jìn)一步具有一影像特性子分類，該影像特性子分類至少包含一全彩模式、一圖像模式、一文字模式及或一單調(diào)色系，該動態(tài)頻率調(diào)整單元同時根據(jù)該影像信息的該影像特性分類以及該影像特性子分類產(chǎn)生相對應(yīng)的該顯示模式控制信號。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有兩組以上的掃描頻率。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該顯示設(shè)定至少包含一灰階深度。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有一掃描頻率低于20Hz。于另一實施例中，其中該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有一掃描頻率低于5Hz。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該液晶顯示面板包含多個像素單元，其中每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在下基板的一第一電極層(Ml)、一第二電極層的一源極層和一漏極層的延伸層(M2)、以及一第三電極層的像素電極層(M3)，其間可分別設(shè)置有一介電層材料，該第一電極層包含一柵極層、及或一共電極導(dǎo)通層，且該第二電極層的漏極層的延伸層與像素電極層相連通，且或該第一電極的共電極導(dǎo)通層與上基板透明的共同電極層是電性相連通，其中該液晶電容是形成于該上基板的透明共同電極層(ITO、IZ0)與該下基板的像素電極層之間，而該儲存電容是設(shè)置于下基板該第一電極層的共電極導(dǎo)通層與該第二電極層的延伸層之間、及或該第一電極層的共電極導(dǎo)通層與該像素電極層之間、及或該第一電極層的柵極層與該像素電極層之間。于一較佳實施例中，其中該像素電極層可以是包含具狹縫隙(Slit HO)的像素電極層架構(gòu)，該液晶層為一垂直排列的負(fù)型液晶。于此實施例中，其中該像素電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯示面板。根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的另一實施例，其中該液晶顯示面板包含多個像素單元，其中每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在下基板的一第一電極層的柵極層(Ml)、一第二電極層(M2)、以及一第三電極層的共同電極層(M3),其間可分別設(shè)置有一介電層材料，該第二電極層包含一源極層、一漏極層、一連通漏極層的像素電極層，且該第二電、極層的該像素電極層、該第三電極層的該共同電極層可為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，其中該液晶電容是形成于第二電極層的像素電極層、第三電極層的共同電極層的彎曲電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于下基板該第二電極的像素電極層與該第三電極層的共同電極層之間。于一較佳實施例中，該液晶顯示裝置的該下基板是至少包含一像素電極層及一共同電極層，其間設(shè)有絕緣層予以隔開，該像素電極層、共同電極層可為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀 電極的電極架構(gòu)，可以是一水平橫向(In Plan Switching, IPS)電場架構(gòu),該液晶分子層可為水平排列的正型液晶，該像素電極層、共同電極層為金屬、合金導(dǎo)電電極。于一較佳實施例中，該水平橫向(In Plan Switching, IPS)電場架構(gòu)的液晶顯示裝置至少包含一像素電極層及一共同電極層，可為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，其中該共同電極層可以是第一金屬電極M1，該像素電極層可以是第二金屬電極M2，其Ml、M2所形成的儲存電容的位置可以在該梳狀、柵狀電極的所在位置，甚至形成形成梳狀、柵狀或環(huán)繞狀、環(huán)狀(或口字形)的儲存電容。于一較佳實施例中，該液晶顯示裝置的該下基板是至少包含一像素電極層及一共同電極層，其間設(shè)有絕緣層予以隔開，該像素電極架構(gòu)，可以是一邊際電場(Fringe FiledSwitching,FFS)架構(gòu)，該液晶分子層可為水平排列的負(fù)型液晶，該像素電極層、共同電極層為ITO、IZO透明電極或金屬、合金導(dǎo)電電極，該邊際電場架構(gòu)的像素電極層可為矩形或單位像素電極、或梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極，該共同電極層可為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極。于此實施例中，其中該介電層材料為一氧化娃材料SiOx、一氧化氮材料SiNx、一樹脂材料、一塑料材料或一光阻材料。于此實施例中，其中該上基板共同電極層與該漏極層之間的一間距小于等于0. 2微米。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下圖I繪示根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例中一種液晶顯示裝置的功能方塊圖；圖2繪示液晶顯示裝置的電路示意圖；圖3繪示液晶顯示裝置中像素單元的俯視示意圖；圖4繪示液晶顯示裝置的液晶顯示面板與驅(qū)動電路的剖面示意圖；圖5繪示像素單元中儲存電容的示意圖；圖6繪示一種雙柵極架構(gòu)的示意圖；圖7繪示另一種雙柵極架構(gòu)的示意圖；圖8繪示根據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例中一種液晶顯示裝置的像素單元的俯視示意圖；圖9繪示根據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例中像素單元的剖面示意圖；圖10繪示水平橫向電場架構(gòu)的像素單元的示意圖；圖11繪示水平橫向電場架構(gòu)的像素單元的示意圖；圖12繪示邊際電場架構(gòu)的像素單元的示意圖13繪示邊際電場架構(gòu)的像素單元的示意圖；以及圖14繪示一種具狹縫隙的像素電極層的示意圖。主要組件符號說明100:液晶顯示裝置102 :緩存器104 :動態(tài)頻率調(diào)整單元120 :液晶顯示面板140:驅(qū)動電路160:控制電路142 :雙柵極架構(gòu)122 :像素單元Clc:液晶電容Cst:儲存電容 Ml :第一金屬層M2 :第二金屬層M3 :第三金屬層Il :介電層材料12:介電層材料142':雙柵極架構(gòu)322 :像素單元Cstl :儲存電容Cst2:儲存電容Cst3:儲存電容323 :柵極層324:共電極導(dǎo)通層IT0:共同電極層slit :狹縫隙LDDl :第一輕摻雜漏極LDD2 :第二輕摻雜漏極LDD3:第三輕摻雜漏極LDD4 :第四輕摻雜漏極Gl :第一柵極G2 :第二柵極BM :遮光罩CF :濾光基板Scan line :掃描線Bus line :總線
具體實施例方式請參閱圖1，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例中一種液晶顯示裝置100的功能方塊圖。如圖I所示，液晶顯示裝置100包含緩存器102、動態(tài)頻率調(diào)整單元104、液晶顯示面板120、驅(qū)動電路140以及控制電路160。緩存器102與驅(qū)動電路140及動態(tài)頻率調(diào)整單元104耦接，用來暫存欲顯示的影像信息。驅(qū)動電路140用以將該影像信息顯示于液晶顯示面板120上。控制電路160與該動態(tài)頻率調(diào)整單元120以及驅(qū)動電路140電性連接。須注意的是，于此實施例中的驅(qū)動電路140并非采用固定的顯示更新頻率，而是可以動態(tài)采用不同的顯示更新頻率。其中，動態(tài)選擇不同顯示更新頻率的作法說明如下，是由動態(tài)頻率調(diào)整單元104根據(jù)該影像信息的影像特性分類動態(tài)地產(chǎn)生一顯示模式控制信號。接著，控制電路160根據(jù)該顯示模式控制信號相對應(yīng)調(diào)整該驅(qū)動電路140的顯示更新頻率。其中，上述影像信息的影像特性分類至少包含動態(tài)影像(如電影、動畫、運動畫面等)、靜態(tài)緩慢影像(如生態(tài)攝影、翻頁廣告等)或靜態(tài)保持影像(如圖片、照片、靜態(tài)平面廣告、文字等)，動態(tài)頻率調(diào)整單元104可根據(jù)影像信息的影像特性分類產(chǎn)生相對應(yīng)的該顯示模式控制信號，如動態(tài)影像可維持高顯示更新頻率(例如60Hz);靜態(tài)緩慢影像可切換至中顯示更新頻率(例如20Hz、15Hz);而靜態(tài)保持影像可切換至低顯示更新頻率(例如5Hz、3Hz、0. 3Hz)，然而本發(fā)明并不以此為限，若有強(qiáng)列節(jié)能需求，在動態(tài)影像時亦可切換至低顯示更新頻率。如上所述，于此實施例中，本發(fā)明的動態(tài)頻率調(diào)整單元104可具有兩組(高、低顯示更新頻率)、三組(高、中、低顯示更新頻率)或三組以上的掃描頻率。于一實施例中，該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有一掃描頻率低于20Hz。于另一實施例中，該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有一掃描頻率進(jìn)一步低于5Hz。于另一實施例中，該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有一掃描頻率進(jìn)一步低于IHz。 此外，影像信息進(jìn)一步具有影像特性子分類，影像特性子分類至少包含全彩模式、圖像模式或文字模式、及或單調(diào)色系，動態(tài)頻率調(diào)整單元104可同時考慮影像信息的影像特性分類(動態(tài)、靜態(tài)緩慢、靜態(tài)保持)以及影像特性子分類(全彩模式、圖像模式、文字模式、單調(diào)色系)產(chǎn)生相對應(yīng)的該顯示模式控制信號。舉例來說，對動態(tài)影像、靜態(tài)緩慢影像以及靜態(tài)保持影像可進(jìn)一步將其分類為全彩模式/單調(diào)色系以及文字模式/圖像模式；也就是說，動態(tài)/靜態(tài)緩慢/靜態(tài)保持影像又可進(jìn)一步全彩圖像、全彩文字、單色圖像、單色文字等至少四種子分類，但本發(fā)明并不以此為限。接著，可根據(jù)不同分類調(diào)整顯示更新頻率，此外，并可根據(jù)影像特性分類以及影像特性子分類進(jìn)一步調(diào)整其它顯示設(shè)定，如灰階(grey level)深度。舉例來說，針對動態(tài)影像可將其調(diào)整至顯示更新頻率IOHz 60Hz及256灰階深度；針對靜態(tài)緩慢且為全彩模式的影像進(jìn)一步將其調(diào)整至顯示更新頻率3Hz IOHz且64或256灰階深度；針對靜態(tài)緩慢且為文字模式的影像進(jìn)一步將其調(diào)整至顯示更新頻率
0.5Hz 3Hz且4或16灰階深度；針對靜態(tài)保持文字模式的影像且在節(jié)能模式下可進(jìn)一步將其調(diào)整至顯示更新頻率0. 05Hz 0. 5Hz且2或4灰階深度。此外，動態(tài)頻率調(diào)整單元104先對影像信息進(jìn)行顯示模式的判斷之后，可進(jìn)一步對將顯示的影像信息進(jìn)行數(shù)據(jù)重整計算，所謂的數(shù)據(jù)重整計算范例說明于下列段落。假設(shè)原始數(shù)據(jù)60Hz則一秒有60幀(Frame)，在10秒內(nèi)則有600個frames，分辨率為(Nx, Ny);數(shù)據(jù)函數(shù)可以表示為 Data(f, x, y, data(R, G, B)), f = I 600, x = I Nx,y = I Ny ；data(R, G, B)為RGB三色刺激值或信號值(或是用data(Y, x, y)或data(Y,
u,v))o以IOHz頻率進(jìn)行比對時,可針對每6Frames作平均值DatalO (6, x, y, data)比對其函數(shù)變化，并判斷其模式。即 Data6(x,y,data) = (1/6) E Data (f, x, y, data), f = I 6，每6個畫面數(shù)據(jù)相加后，再取平均值。以5Hz頻率進(jìn)行比對時，每12Frames作平均值Datal2 (X, y, data)比對；以IHz頻率進(jìn)行比對時，每60Frames作平均值Data60 (X, y, data)比對；以0. 5Hz頻率進(jìn)行比對時每 120Frames 作平均值 Datal20 (x, y, data)比對。此外，另一實施例中，另可在10秒或其它特定時間長度內(nèi)取上述Data6，Datal2，Data60, Data600 的均方根(A Data6, A Datal2, A Data60, A Data600)來作比對,舉例來說其中 A Data6 (x, y, data) = {1/N E [Data6 (x, y, data) -Data (f, x, y, data) ] '2} '0. 50透過上述運算，借以判斷其模式，此種統(tǒng)計方式有助于提高判斷的穩(wěn)定性。另外，若計算的數(shù)據(jù)量過大亦可以降低取樣數(shù)、灰階數(shù)(如僅取高位部分)進(jìn)行判斷。請一并參閱圖2,其繪示液晶顯示裝置100的電路示意圖，液晶顯示裝置100中所包含的硬件組件并不以圖I為限。如圖2所示，于液晶顯示裝置100中尚具有顯示所需的其它電子組件，如時序控制電路、低電壓差分信號接收電路(LVDS receiver)、延伸顯示能力識別單兀(Extended display identification data, EDID)等等。請一并參閱圖3,其繪示液晶顯示裝置100中像素單元122的俯視示意圖。須說明的是，其中液晶顯示面板120包含多個像素單元122 (如1024*768個像素單元122)，則像素單元中包含一個液晶電容Clc，驅(qū)動電路140包含多個儲存電容Cst，儲存電容Cst分別對應(yīng)所述多個液晶電容Clc。一般來說,液晶電容Clc的電壓準(zhǔn)位則代表顯不信號的內(nèi)容。儲存電容Cst與液晶電容Clc并聯(lián)，儲存電容Cst主要用來維持顯示信號的電壓準(zhǔn)位，當(dāng)顯示更新頻率降低時，上述電容的更新周期變長，可能造成電壓維持率下降，導(dǎo)致顯示失真。然而于本發(fā)明中，其中所述多個儲存電容Cst的電容值明顯大于所述多個液晶電容Clc，借此，提高顯不信號的電壓維持率。于一實施例中，所述多個儲存電容Cst的電容值大于等于所述多個液晶電容Clc的電容值的十倍甚或五十倍。借此，提高顯示信號的電壓維持率。
請一并參閱圖4,其繪示液晶顯示裝置100的液晶顯示面板120與驅(qū)動電路140的剖面示意圖。此為一反射式或穿透反射式或高開口率(Top HO)的TFT像素示意圖。每一像素單元包含依序設(shè)置的下基板的柵極層和第一金屬層Ml (共同電極層)、第二金屬層M2(漏極層和漏極層的延展層)以及第三金屬層或像素電極層M3(像素電極層，其為一反射層或一部分穿透部分反射層或透明電極ITO層)。其中，Ml、M2之間以及M2、M3之間可分別設(shè)置有介電層材料II、12，其中液晶電容Clc是形成于上基板(即圖中濾光基板CF)透明的共同電極層(ITO、IZO透明電極，Common Electrode)與像素電極層M3之間，而儲存電容Cst是設(shè)置于下基板共同電極層Ml與漏極層的延展層M2之間和共同電極層Ml與像素電極層M3之間。實際應(yīng)用中，上基板可為彩色濾光片(Colorfilter)基板。此外，在穿透式液晶顯示面板或穿透反射式液晶顯示面板中，上述Ml、M2、M3各層可部分采用(特別是針對顯示區(qū)域)透明的ITO或IZO透明電極層以增加開口率，并不限定于采用不透明的金屬材料。其中，形成儲存電容Cst的導(dǎo)電材(下基板共同電極層Ml與漏極層的延展層M2)之間的距離可設(shè)計為明顯小于液晶電容Clc的導(dǎo)電材(上基板共同電極層CommonElectrode與像素電極層M3)之間的距離，利用儲存電容Cst的導(dǎo)電材間距較小來提高儲存電容Cst的電容值。此外，亦可儲存電容Cst的平面延伸的面積來提高儲存電容Cst的電容值，請一并參閱圖5。其繪示一像素單元122中儲存電容Cst的示意圖。于一實施例中，儲存電容Cst占像素單元122的面積比大于等于85% (如圖5所示)。借此使，所述多個儲存電容Cst的電容值大于等于所述多個液晶電容Clc的電容值的十倍甚或五十倍以上。借此，提高顯示信號的電壓維持率。于一實施例中，液晶電容Clc的平均電容值大于等于0. 5微微法拉,該液晶顯不面板的一液晶體阻抗大于等于IO13歐姆每厘米，且液晶顯示面板的一配向膜體阻抗大于等于該液晶阻抗的十倍，于另一實施例中，液晶顯示面板的一配向膜體阻抗進(jìn)一步大于等于該液晶體阻抗的五十倍。此外，于此實施例中，本發(fā)明的驅(qū)動電路140可進(jìn)一步采用雙柵極架構(gòu)142 (請參閱圖3與圖4)，雙柵極架構(gòu)142可使驅(qū)動電路140的漏電流降低，漏電流降低有助于提高顯示信號的電壓維持率。于一實施例中，驅(qū)動電路140的關(guān)閉狀態(tài)漏電流可小于等于10_13安培，于另一實施例中，驅(qū)動電路140的關(guān)閉狀態(tài)漏電流可進(jìn)一步小于等于10_14安培。有關(guān)雙柵極架構(gòu)142的詳細(xì)實施方式，請參閱圖6，其繪示一種雙柵極架構(gòu)142的示意圖。如圖6所示，其中驅(qū)動電路140的雙柵極架構(gòu)142包含一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該輕摻雜漏極薄膜晶體管至少具有長度不同的一第一輕摻雜漏極LDDl與一第二輕摻雜漏極LDD2，其中最接近該驅(qū)動晶體管的該第一輕摻雜漏極LDDl具有最長的長度。其中該輕摻雜漏極薄膜晶體管為一雙柵極(Dual gate)薄膜晶體管，至少具有一第一柵極Gl與一第二柵極G2。其中該雙柵極薄膜晶體管還包含一第三輕摻雜漏極LDD3、一第四輕摻雜漏極LDD4，又該第一柵極Gl對應(yīng)該第一輕摻雜漏極LDD1、該第二輕摻雜漏極LDD2，該第二柵極G2對應(yīng)該第三輕摻雜漏極LDD3、該第四輕摻雜漏極LDD4，而該第一輕摻雜漏極LDDl最接近該驅(qū)動晶體管，且該第一輕摻雜漏極LDDl長度大于其它三個輕摻雜漏極(LDD2 LDD4)長度。另可參閱圖7，其繪示另一種雙柵極架構(gòu)142'的示意圖。如圖7所示，雙柵極架構(gòu)142'包含一基底、一有效層、一第一柵極絕緣層、一第二柵極絕緣層、一第一柵極層以及一第二柵極層。其中有效層是形成于該基底上。第一柵極絕緣層是形成于該有效層上，其覆蓋該第一信道區(qū)域、該第四輕摻雜區(qū)域、以及該第二輕摻雜區(qū)域。第二柵極絕緣層是形成于該有效層上，其覆蓋該第二信道區(qū)域、第三輕摻雜區(qū)域、以及該第五輕摻雜區(qū)域。第一柵極層是形成于該第一柵極絕緣層上且覆蓋該第一信道區(qū)域上方的該第一柵極絕緣層。第二柵極層是形成于該第二柵極絕緣層上且覆蓋該第二信道區(qū)域上方的該柵極絕緣層。各種雙柵極架構(gòu)的詳細(xì)內(nèi)容與形成方法為已知技藝之人所熟知，故在此不另贅述。如上述，本發(fā)明的驅(qū)動電路140可進(jìn)一步采用各種雙柵極架構(gòu)、或多柵極架構(gòu)，使驅(qū)動電路140的漏電流降低，借此提高顯示信號的電壓維持率。如此一來，即便當(dāng)液晶顯示裝置100的顯示更新頻率降低時，仍可維持較佳的顯示效果。于一實施例中，該液晶顯示裝置100的驅(qū)動電路140還包含行反轉(zhuǎn)(rowinversion)驅(qū)動或巾貞反轉(zhuǎn)(frame inversion)驅(qū)動。于上述段落中，本發(fā)明揭露具有更新頻率可動態(tài)調(diào)整的液晶顯示裝置100，液晶顯示裝置100可根據(jù)當(dāng)時顯示的影像信息的影像特性分類(如動態(tài)、靜態(tài)、圖像、文字、快速改變、緩慢改變等)相對應(yīng)調(diào)整驅(qū)動電路的顯示更新頻率，通過采用動態(tài)切換的、較低的顯示更新頻率達(dá)到省電的效果。此外，本發(fā)明另提出以提高儲存電容Cst的電容值以及采用雙柵極架構(gòu)的驅(qū)動電路，在低顯示更新頻率下提高顯示信號的電壓維持率。請參閱圖8，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例中一種液晶顯示裝置的像素單元322的俯視示意圖。第二具體實施例中像素單元設(shè)計具有低漏電流、高電壓維持率的特性，可用以支持第一具體實施例中可進(jìn)行動態(tài)頻率調(diào)整的液晶顯示裝置100，尤其是在低顯示頻率下仍可維持穩(wěn)定的顯示效果。第二具體實施例中的液晶顯示裝置包含液晶顯示面板，該液晶顯示面板至少包含多個液晶電容、多個像素單元322 (如圖8所示)、上配向膜層以及下配向膜層，該液晶體阻抗大于等于IO13歐姆每厘米，且液晶顯示面板的配向膜體阻抗大于等于該液晶體阻抗的十倍以上。驅(qū)動電路至少包含一顯示更新頻率和多個儲存電容，該儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的十倍以、上，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上，其中該驅(qū)動電路中對應(yīng)每一像素單元至少包含兩個或兩個以上的薄膜晶體管開關(guān)、或一雙柵極薄膜晶體管、或一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。關(guān)于液晶顯示裝置的其它詳細(xì)內(nèi)容可參閱第一具體實施例中的說明。請一并參閱圖9，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例中像素單元322的剖面示意圖。須特別說明的是，如圖8與圖9所示，像素單元322像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的第一電極層Ml、第二電極層M2以及第三電極層M3，第一電極層Ml與第二電極層M2之間設(shè)置有介電層材料II,第二電極層M2與第三電極層M3之間設(shè)置有介電層材料12。如圖8與圖9所示，第二電極層M2包含一漏極層的延伸層，該第三電極層M3包含一像素電極層，該第一電極層與該第二電極層、該第一電極層Ml包含柵極層323及或共電極導(dǎo)通層324(如圖8所示)，且該漏極層的延伸層與該像素電極層相連通，且或該共電極導(dǎo)通層324與一上基板的一透明共同電極層是電性相連通，其中該液晶電容是形成于該上基板的透明共同電極層與該下基板的該像素電極層之間，而該儲存電容則可以具有三個部 分，第一部分的儲存電容Cstl是設(shè)置于第一電極層Ml的共電極導(dǎo)通層324與第二電極層的延伸層之間，及或第二部分的儲存電容Cst2是設(shè)置于第一電極層Ml的共電極導(dǎo)通層與該第三電極層M3的像素電極層之間，及或第三部分的儲存電容Cst3是設(shè)置于該第一電極層Ml的柵極層與該第三電極層M3的該像素電極層之間。于上述像素單元322的設(shè)計中，像素電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板可為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯不面板。其中該儲存電容的該介電層材料為一氧化娃材料SiOx、一氧化氮材料SiNx、一樹脂材料、一塑料材料或一光阻材料。其中該儲存電容的該介電層材料的厚度小于等于0.2微米。于上述實施例的像素單元322中，該像素電極層為包含具狹縫隙(SlitITO)的像素電極層架構(gòu)，請一并參閱圖14，其繪示一種具狹縫隙(Slit HO)的像素電極層的示意圖，如圖14所示，像素單元322的共同電極層ITO上設(shè)置有多個狹縫隙slit，其中該液晶層為一垂直排列的負(fù)型液晶。此外，于另一實施例中，本發(fā)明的另一種像素單元設(shè)計如下，每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容。每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層Ml的柵極層、一第二電極層M2以及第三電極層M3的共同電極層M3。第一電極層Ml與第二電極層M2、第二電極層M2與第三電極層M3其間分別設(shè)置有介電層材料(II，12)，以上可參閱圖8與圖9。須說明的是，第二電極層M2包含一源極層、一漏極層以及連通該漏極層的一像素電極層，且該第二電極層M2的該像素電極層、該第三電極層M3的共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，該上基板可設(shè)置一彩色濾光片、一平坦層，其中該液晶電容是形成于該第二電極層的該像素電極層與該第三電極層的共同電極層的彎曲電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第二電極層的該像素電極層與該第三電極層的共同電極層之間。請參閱圖10與圖11，于一實施例中，圖10與圖11中的該像素電極層架構(gòu)為一水平橫向(In Plan Switching, IPS)電場架構(gòu),該液晶分子層為一水平排列的正型液晶,該像素電極層與該共同電極層為一金屬或一合金導(dǎo)電電極。其中，該液晶顯示裝置的該下基板的該像素電極層、該共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極。于一較佳實施例中，該水平橫向(In Plan Switching, IPS)電場架構(gòu)的液晶顯示裝置至少包含一像素電極層及一共同電極層，可為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，其中該共同電極層可以是第一金屬電極M1，該像素電極層可以是第二金屬電極M2，其Ml、M2所形成的儲存電容的位置可以在該梳狀、柵狀電極的所在位置，甚至形成環(huán)狀(口字形)的儲存電容。于另一實施例中，請參閱圖12與圖13的該像素電極層架構(gòu)亦可以是一邊際電場
(Fringe Filed Switching, FFS)架構(gòu),該液晶分子層可為水平排列的負(fù)型液晶，該像素電極層、共同電極層為ITO、IZO透明電極或金屬、合金導(dǎo)電電極。于此實施例中，該像素電極層可為矩形或單位像素電極層，該共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極(如圖12所示)。于上述像素單元的設(shè)計中，像素電極層亦可為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板可為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯不面板。其中該儲存電容的該介電層材料為一氧化娃材料SiOx、一氧化氮材料SiNx、一樹脂材料、一塑料材料或一光阻材料。其中該儲存電容的該介電層材料的厚度小于等于0. 2微米綜上所述，透過第二具體實施例中所揭露各種的像素單元的像素設(shè)計和液晶材料的搭配，可用來支持液晶顯示裝置動態(tài)調(diào)整至低顯示更新頻率，借此降低液晶顯示裝置的能量消耗。如此一來，本發(fā)明的做法可提供高能量效率且具有穩(wěn)定顯示效果(可避免閃頻等異常顯示)的液晶顯示裝置。此外,本發(fā)明內(nèi)容可進(jìn)一步搭配利用在具有亮度或輝度保持率補償(LuminanceHolding Ratio Compensation,LHRC)的液晶顯示裝置上。其中，當(dāng)顯示周期中該液晶顯示面板的一穿透率隨時間提高。背光模塊可在于顯示周期中形成多個背光遮斷期間，或是逐步調(diào)整背光驅(qū)動電流。雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，至少包含 一緩存器，用來暫存一影像信息； 一液晶顯示面板，該液晶顯示面板至少包含多個液晶電容、多個像素單元、一上配向膜層以及一下配向膜層； 一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路至少包含多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，其中所述多個儲存電容的電容值明顯大于所述多個液晶電容，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上； 一動態(tài)頻率調(diào)整單元，該動態(tài)頻率調(diào)整單元根據(jù)該緩存器的該影像信息的一影像特性分類，經(jīng)運算判斷后動態(tài)地產(chǎn)生一顯示模式控制信號；以及 一控制電路，與該動態(tài)頻率調(diào)整單元以及該驅(qū)動電路電性連接，該控制電路根據(jù)該顯 示模式控制信號相對應(yīng)調(diào)整該驅(qū)動電路的一顯示更新頻率以及一顯示設(shè)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該影像特性分類至少包含一動態(tài)影像、一靜態(tài)緩慢影像或一靜態(tài)保持影像，其中該顯示設(shè)定包含一灰階深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該影像信息進(jìn)一步具有一影像特性子分類，該影像特性子分類至少包含一全彩模式、一圖像模式、一文字模式、及或一單調(diào)色系，該動態(tài)頻率調(diào)整單元同時根據(jù)該影像信息的該影像特性分類以及該影像特性子分類產(chǎn)生相對應(yīng)的該顯示模式控制信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該動態(tài)頻率調(diào)整單元至少有兩組或兩組以上的顯示更新頻率。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該驅(qū)動電路中對應(yīng)每一像素單元至少包含兩個或兩個以上的薄膜晶體管開關(guān)、一雙柵極薄膜晶體管或一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的一配向膜體阻抗進(jìn)一步大于等于該液晶體阻抗的五十倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述多個儲存電容的電容值大于等于該等所述多個液晶電容的電容值的五十倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個像素單元，其中所述多個儲存電容的面積占所述多個像素單元的面積比大于等于85%。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的該多個像素單元中每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層、一第二電極層以及一第三電極層，該第二電極層包含一漏極層的延伸層，該第三電極層包含一像素電極層，該第一電極層與該第二電極層、該第二電極層與該第三電極層之間分別設(shè)置有一介電層材料，該第一電極層包含一柵極層及或一共電極導(dǎo)通層，且該漏極層的延伸層與該像素電極層相連通，且或該共電極導(dǎo)通層與一上基板的一透明共同電極層是電性相連通，其中該液晶電容是形成于該透明共同電極層與該下基板的該像素電極層之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第一電極層的該共電極導(dǎo)通層與該第二電極層的延伸層之間、及或該第一電極層的共電極導(dǎo)通層與該像素電極層之間、及或該第一電極層的柵極層與該像素電極層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層為包含具狹縫隙的像素電極層架構(gòu)，該液晶層為一垂直排列的負(fù)型液晶。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層、及或共電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯示面板。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的該多個像素單元，每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層的柵極層、一第二電極層以及一第三電極層的共同電極層，其間分別設(shè)置有一介電層材料，該第二電極層至少包含一源極層、一漏極層以及連通該漏極層的一像素電極層，且該第二電極層的該像素電極層、該第三電極層的共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，其中該液晶電容是形成于該第二電極層的該像素電極層與該第三電極層的共同電極層的彎曲電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第二電極層的像素電極層與該第三電極層的共同電極層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層架構(gòu)為一邊際電場架構(gòu)，該液晶分子層為水平排列的負(fù)型液晶，或該像素電極層架構(gòu)為一水平橫向電場架構(gòu)，該液晶分子層為一水平排列的正型液晶，該像素電極層、該共同電極層為ITO、IZO透明電極或金屬、合金導(dǎo)電電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層更為矩形或單位像素電極層，該共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層、及或共電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯示面板。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的該多個所述多個像素單元，每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層、一第二電極層，其間分別設(shè)置有一介電層材料，該第一電極層至少包含一柵極層以及一共電極層，該第二電極層至少包含一源極層、一漏極層以及連通該漏極層的一像素電極層，且該第一電極層的共同電極層、該第二電極層的像素電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，其中該液晶電容是形成于該第一電極層的共同電極層與該第二電極層的像素電極層的橫向電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第一電極層的共同電極層與該第二電極層的像素電極層之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層架構(gòu)為一水平橫向電場架構(gòu)，該液晶分子層為一水平排列的正型液晶，該像素電極層與該共同電極層為一金屬或一合金導(dǎo)電電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置的該像素單元的儲存電容，該儲存電容的所在位置包括在該梳狀、柵狀電極的所在位置，并形成梳狀、柵狀或環(huán)繞狀的儲存電容。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，形成該儲存電容區(qū)域的該第一電極層與該第二電極層在該梳狀、柵狀電極的所在位置，其該第二電極層的寬度小于該第一電極層的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置至少包含有一顯示更新頻率低于等于5Hz。
21.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置的驅(qū)動電路還包含一行反轉(zhuǎn)驅(qū)動或一巾貞反轉(zhuǎn)驅(qū)動。
22.一種液晶顯示裝置，其特征在于，至少包含 一液晶顯示面板，該液晶顯示面板至少包含多個液晶電容、多個像素單元、一上配向膜層以及一下配向膜層，該液晶體阻抗大于等于IO13歐姆每厘米，且該液晶顯示面板的一配向膜體阻抗大于等于該液晶體阻抗的十倍以上；以及 一驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路至少包含一顯示更新頻率和多個儲存電容，所述多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的十倍以上，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上，其中該驅(qū)動電路中對應(yīng)每一像素單元至少包含兩個或兩個以上的薄膜晶體管開關(guān)、或一雙柵極薄膜晶體管、或一輕摻雜漏極薄膜晶體管，其中該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流小于等于10_12安培。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該驅(qū)動電路的該輕摻雜漏極薄膜晶體管至少具有長度不同的一第一輕摻雜漏極與一第二輕摻雜漏極，其中最接近該驅(qū)動晶體管的該第一輕摻雜漏極具有最長的長度。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該驅(qū)動電路的一關(guān)閉狀態(tài)漏電流進(jìn)一步小于等于10_13安培。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的一配向膜 體阻抗進(jìn)一步大于等于該液晶體阻抗的五十倍。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述多個儲存電容的電容值大于等于所述多個液晶電容的電容值的五十倍。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個像素單元，其中所述多個儲存電容的面積占所述多個像素單元的面積比大于等于85%。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的該多個像素單元中每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層、一第二電極層以及一第三電極層，該第二電極層包含一漏極層的延伸層，該第三電極層包含一像素電極層，該第一電極層與該第二電極層、該第二電極層與該第三電極層之間分別設(shè)置有一介電層材料，該第一電極層包含一柵極層及或一共電極導(dǎo)通層，且該漏極層的延伸層與該像素電極層相連通，且或該共電極導(dǎo)通層與一上基板的一透明共同電極層是電性相連通，其中該液晶電容是形成于該透明共同電極層與該下基板的該像素電極層之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第一電極層的該共電極導(dǎo)通層與該第二電極層的延伸層之間、及或該第一電極層的共電極導(dǎo)通層與該像素電極層之間、及或該第一電極層的柵極層與該像素電極層之間。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層為包含具狹縫隙的像素電極層架構(gòu)，該液晶層為一垂直排列的負(fù)型液晶。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層、及或共電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯示面板。
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的該多個像素單元，每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每 一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層的柵極層、一第二電極層以及一第三電極層的共同電極層，其間分別設(shè)置有一介電層材料，該第二電極層至少包含一源極層、一漏極層以及連通該漏極層的一像素電極層，且該第二電極層的該像素電極層、該第三電極層的共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，其中該液晶電容是形成于該第二電極層的該像素電極層與該第三電極層的共同電極層的彎曲電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第二電極層的像素電極層與該第三電極層的共同電極層之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層架構(gòu)為一邊際電場架構(gòu)，該液晶分子層為水平排列的負(fù)型液晶，或該像素電極層架構(gòu)為一水平橫向電場架構(gòu)，該液晶分子層為一水平排列的正型液晶，該像素電極層、該共同電極層為ITO、IZO透明電極或金屬、合金導(dǎo)電電極。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層為矩形或單位像素電極層，該共同電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層、及或共電極層為一透明電極、一金屬反射式電極或兩者的結(jié)合，該液晶顯示面板為一穿透式液晶顯示面板、一反射式液晶顯示面板或一穿透反射式液晶顯示面板。
35.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示面板的所述多個像素單元，每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及其中一個儲存電容，且每一像素單元對應(yīng)至少其中一個液晶電容以及至少其中一個儲存電容，且每一像素單元包含依序設(shè)置在一下基板的一第一電極層、一第二電極層，其間分別設(shè)置有一介電層材料，該第一電極層至少包含一柵極層以及一共電極層，該第二電極層至少包含一源極層、一漏極層以及連通該漏極層的一像素電極層，且該第一電極層的共同電極層、該第二電極層的像素電極層為梳狀、柵狀或彎曲的梳狀、柵狀電極的電極架構(gòu)，且該上基板并無共同電極層，其中該液晶電容是形成于該第一電極層的共同電極層與該第二電極層的像素電極層的橫向電場之間，而該儲存電容是設(shè)置于該第一電極層的共同電極層與該第二電極層的像素電極層之間。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該像素電極層架構(gòu)為一水平橫向電場架構(gòu)，該液晶分子層為一水平排列的正型液晶，該像素電極層與該共同電極層為一金屬或一合金導(dǎo)電電極。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置的該像素單元的儲存電容，該儲存電容的所在位置包括在該梳狀、柵狀電極的所在位置，并形成梳狀、柵狀或環(huán)繞狀的儲存電容。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的液晶顯示裝置，其特征在于，形成該儲存電容區(qū)域的該第一電極層與該第二電極層在該梳狀、柵狀電極的所在位置，其該第二電極層的寬度小于該第一電極層的寬度。
39.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置至少包含有一顯示更新頻率低于等于5Hz。
40.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置的驅(qū)動電路還包含一行反轉(zhuǎn)驅(qū)動或一巾貞反轉(zhuǎn)驅(qū)動。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種液晶顯示裝置及其像素單元設(shè)計，其中液晶顯示裝置至少包含緩存器、液晶顯示面板、驅(qū)動電路、動態(tài)頻率調(diào)整單元以及控制電路。緩存器用來暫存一影像信息。該液晶顯示面板至少包含多個液晶電容以及多個像素單元。驅(qū)動電路至少包含多個儲存電容分別對應(yīng)所述多個液晶電容，其中所述多個儲存電容的電容值明顯大于所述多個液晶電容，該驅(qū)動電路根據(jù)該影像信息將其顯示于該液晶顯示面板上。動態(tài)頻率調(diào)整單元根據(jù)影像信息的影像特性分類，經(jīng)運算判斷后動態(tài)地產(chǎn)生一顯示模式控制信號。隨后，據(jù)以相對應(yīng)調(diào)整顯示更新頻率以及顯示設(shè)定。
文檔編號G09G3/36GK102737597SQ20111046116
公開日2012年10月17日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者劉鴻達(dá) 申請人:劉鴻達(dá)