專利名稱：一種移位寄存器及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種移位寄存器及顯示裝置。
背景技術(shù)：
GOA (Gate Drive on Array，柵極集成驅(qū)動(dòng))，是指將LCD (Liquid CrystalDisplay, 液晶顯示)面板的柵極驅(qū)動(dòng)集成在玻璃基板上。然后GOA電路與陣列基板的柵線連接，作為移位寄存器控制柵線信號(hào)。將相比傳統(tǒng)的COF(ChipOn Film，覆晶薄膜)和C0G(Chip On Glass，直接綁定玻璃上)工藝，GOA技術(shù)不僅節(jié)省了成本，而且可以將面板做得兩邊對(duì)稱， 實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)，對(duì)產(chǎn)能和良率提升也較有利。但是，GOA的設(shè)計(jì)也存在一定的問(wèn)題，其電路中的三極管的寄生電容會(huì)導(dǎo)致有較大的功耗和噪聲，而且陣列基板作為輸出負(fù)載很大，從而使得輸出信號(hào)延遲變形。圖1為每一級(jí)GOA電路的連接關(guān)系，由于第N-I行GOA單元的輸出端連接第N行 GOA單元的輸入端，第N行GOA單元的輸出端連接第N+1行GOA單元的輸入端，因此上一行的信號(hào)變形直接影響到下一行的輸出信號(hào)的質(zhì)量。當(dāng)很多GOA單元級(jí)聯(lián)時(shí)，信號(hào)的變形就會(huì)持續(xù)惡化，從而導(dǎo)致GOA的輸出信號(hào)嚴(yán)重變形，甚至不能輸出。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器及顯示裝置，可以降低柵極集成驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)的變形程度，從而降低其對(duì)下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)的影響。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器，包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32 ；其中本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32包含至少一個(gè)TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。較佳的，所述TFT組件32包括一個(gè)以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；最后一個(gè)TFT的漏極323作為T(mén)FT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。較佳的，每級(jí)所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的輸出信號(hào)端311連接陣列基板的柵線。[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板；所述移位寄存器的信號(hào)輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32 ；其中本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32包含至少一個(gè)TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。較佳的，所述TFT組件32包括一個(gè)以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；最后一個(gè)TFT的漏極323作為T(mén)FT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過(guò)增加TFTCThinFilm Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中多級(jí)GOA電路連接示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例中移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型另一實(shí)施例中移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種移位寄存器，如圖2所示，其具體包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32 ；本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，該TFT 組件32至少包含一個(gè)TFT ；該TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；該TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。較佳的，參考圖5所示，TFT組件32還可以包括一個(gè)以上依次連接的TFT。例如， 依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；最后一個(gè)TFT的漏極323作為T(mén)FT 組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312 ；TFT組件32中所有 TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。較佳的，為了使TFT組件32輸出的信號(hào)更穩(wěn)定，上述TFT的溝槽寬度可以大于常規(guī)TFT的溝槽寬度，例如大于100微米。較佳的，每級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的輸出信號(hào)端311連接陣列基板的柵線，以便向陣列基板的柵線輸入信號(hào)，控制柵線上的電壓。通過(guò)上述描述，可以看出，本實(shí)用新型提供的移位寄存器，通過(guò)增加TFT以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提供的移位寄存器進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖3所示，TFT組件32僅包括一個(gè)TFT時(shí)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器，其具體包括第N-I級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、第N級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31和第N+1級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31。第N-I級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一個(gè)TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第N級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。同理，第N級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一個(gè) TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第N+1級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。由于直流高電平信號(hào)VDD的電壓穩(wěn)定，因此，TFT漏極 323輸出的電壓也較為穩(wěn)定，將其作為下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)，可以較好的避免本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路輸出信號(hào)變形給下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路帶來(lái)的影響。為了達(dá)到更好的效果，可以將該TFT的溝槽制作的較寬，大于傳統(tǒng)的TFT溝槽寬度。當(dāng)然，每級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路輸出端可以連接多個(gè)上述TFT，如圖4所示，第N-I級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一個(gè)TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第二個(gè)TFT的柵極321，且該第二個(gè)TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第N級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。同理，第N級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一個(gè)TFT的柵極321，該TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第二個(gè)TFT的柵極321，且該第二個(gè)TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第N+1級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。當(dāng)每級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31輸出端連接的TFT大于兩個(gè)時(shí)，各個(gè)TFT之間的連接關(guān)系可以參考上述描述的連接關(guān)系，即第一個(gè)TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDDJI 極323連接第二個(gè)TFT的柵極321，該第二個(gè)TFT的源極322連接直流高電平信號(hào)VDD，漏極323連接第三個(gè)TFT的柵極321，依次類推，最后一個(gè)TFT的漏極323連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的輸入端312。通過(guò)上述描述，可以看出，本實(shí)用新型提供的移位寄存器，通過(guò)增加TFT以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。
5[0051]基于同一構(gòu)想，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板；所述移位寄存器的信號(hào)輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32 ；其中本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一 TFT組件32的輸入端，所述 TFT組件32至少包含一個(gè)TFT ；所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；所述TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。較佳的，TFT組件32包括一個(gè)以上依次連接的TFT。較佳的，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321 ；最后一個(gè)TFT的漏極323作為T(mén)FT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312;TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于常規(guī)TFT的溝槽寬度，例如100微米。通過(guò)上述描述，可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過(guò)增加TFT以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種移位寄存器，其特征在于，包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件(32)；其中本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸出端(311)連接一 TFT組件(3 的輸入端，所述TFT組件(32)包含至少一個(gè)TFT ；所述TFT組件(32)的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；所述TFT組件(3 的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸入端(312)。
2.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT組件(32)包括一個(gè)以上依次連接的TFT。
3.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件(32)的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸出端(311)，第一個(gè)TFT的漏極(323)連接下一個(gè)中間TFT的柵極(321)；各個(gè)中間TFT的漏極(323)均連接下一個(gè)中間TFT的柵極(321)； 最后一個(gè)TFT的漏極(32 作為T(mén)FT組件(3 的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸入端(312)；TFT組件(32)中所有TFT的源極(322)均連接直流高電平信號(hào)VDD。
4.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。
5.如權(quán)利要求1-4中任一所述的移位寄存器，其特征在于，每級(jí)所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的輸出信號(hào)端(311)連接陣列基板的柵線。
6.一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板，其特征在于， 所述移位寄存器的信號(hào)輸出端連接所述陣列基板的柵線；所述移位寄存器包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件(3 ；其中本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸出端(311)連接一 TFT組件(3 的輸入端，所述TFT組件(32)包含至少一個(gè)TFT ；所述TFT組件(32)的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD ；所述TFT組件(3 的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸入端(312)。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述TFT組件(3 包括一個(gè)以上依次連接的TFT。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為T(mén)FT組件(32)的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸出端(311)，第一個(gè)TFT的漏極(323)連接下一個(gè)中間TFT的柵極(321)；各個(gè)中間TFT的漏極(323)均連接下一個(gè)中間TFT的柵極(321)； 最后一個(gè)TFT的漏極(32 作為T(mén)FT組件(3 的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路(31)的信號(hào)輸入端(312)；TFT組件(32)中所有TFT的源極(322)均連接直流高電平信號(hào)VDD。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種移位寄存器及顯示裝置，該移位寄存器包括多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件；本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)輸出端連接一TFT組件的輸入端，該TFT組件包含至少一個(gè)TFT；該TFT組件的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD；該TFT組件的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)輸入端。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過(guò)增加TFT以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。
文檔編號(hào)G09G3/36GK202084307SQ20112014780
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
發(fā)明者孫陽(yáng) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司