專利名稱：Amoled補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)及amoled顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)及 AMOLED顯示面板。
背景技術(shù)：
目前在有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯示領(lǐng)域中，尤其是大尺寸基板設(shè)計中，由于背板薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor, TFT)在工藝過程中的不均性，以及穩(wěn)定性問題，造成OLED電流的不均勻性。為了彌補(bǔ)由于背板生產(chǎn)過程中造成的TFT不均勻性，所導(dǎo)致閾值電壓漂移(Vth Shift)，以及長時間開啟偏壓造成的TFT穩(wěn)定性下降的缺陷，需要進(jìn)行補(bǔ)償電路設(shè)計。現(xiàn)有補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，時序信號較多。如圖1所示，此結(jié)構(gòu)是具有閾值電壓補(bǔ)償功能的6T2C 結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括6個晶體管TFT、兩個存儲電容，以及6個信號線構(gòu)成。其電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，用于控制的時序信號交多，時序控制復(fù)雜。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是如何實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單、時序信號較少的補(bǔ)償電路。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，包括 柵線、數(shù)據(jù)線、電源線、接地極、開關(guān)晶體管、補(bǔ)償子電路、驅(qū)動晶體管、存儲電容和有機(jī)發(fā)光二極管OLED，所述開關(guān)晶體管柵極連接所述柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述補(bǔ)償子電路的第一端；所述補(bǔ)償子電路的第二端連接所述柵線，第三端連接所述存儲電容的第一端，用于向所述存儲電容預(yù)先存儲所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；所述驅(qū)動晶體管柵極連接所述存儲電容的第一端，源極連接所述電源線和所述存儲電容的第二端，漏極連接所述0LED，用于為OLED提供驅(qū)動電流；所述OLED的陽極連接所述驅(qū)動晶體管的漏極，陰極連接所述接地極。其中，所述補(bǔ)償子電路包括第一補(bǔ)償晶體管和第二補(bǔ)償晶體管，所述第一補(bǔ)償晶體管的源極為所述補(bǔ)償子電路的第一端，連接所述開關(guān)晶體管的漏極，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端，柵極連接所述第二補(bǔ)償晶體管的漏極；所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極為所述補(bǔ)償子電路的第二端，連接所述柵線，源極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端；所述第一補(bǔ)償晶體管的漏極和第二補(bǔ)償晶體管的源極為所述補(bǔ)償子電路的第三端。[0015]其中，所述開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管和第二補(bǔ)償晶體管均為P型TFT。其中，所述第一補(bǔ)償晶體管為P型TFT或N型TFT。其中，還包括參考電源和復(fù)位晶體管，所述復(fù)位晶體管的柵極連接所述參考電源，源極連接所述接地極，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極，用于復(fù)位所述驅(qū)動晶體管的柵極信號。其中，所述復(fù)位晶體管為P型TFT或?yàn)镹型TFT。本實(shí)用新型還提供了一種AMOLED顯示面板，所述面板中的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)為上述任一項(xiàng)所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)。(三)有益效果本實(shí)用新型通過開關(guān)晶體管、補(bǔ)償子電路、驅(qū)動晶體管、存儲電容的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)簡單，時序信號較少的補(bǔ)償電路；并通過復(fù)位晶體管連接參考電源來復(fù)位驅(qū)動晶體管的柵極信號，使得上一幀信號對下一幀信號的影響最小化，極大降低了幀與幀之間信號的影響

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2中AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)工作時的時序信號圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4中AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)工作時的時序信號圖；圖6是圖4中AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動晶體管每幀復(fù)位模擬效果圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例1如圖2所示，本實(shí)用新型的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)包括柵線201、數(shù)據(jù)線202、 電源線203、接地極204、開關(guān)晶體管205、補(bǔ)償子電路、驅(qū)動晶體管208、存儲電容209和有機(jī)發(fā)光二極管OLED 210。其中，開關(guān)晶體管205的柵極連接?xùn)啪€201，源極連接數(shù)據(jù)線202，漏極連接補(bǔ)償子電路的第一端。補(bǔ)償子電路的第二端連接?xùn)啪€201，第三端連接存儲電容209的第一端，用于向存儲電容209預(yù)先存儲驅(qū)動晶體管208的閾值電壓。存儲電容209的第二端連接驅(qū)動晶體管208的源極，當(dāng)柵線201為低電壓時，存儲電容209為驅(qū)動晶體管208提供柵極電壓。本實(shí)施例中，補(bǔ)償子電路具體包括第一補(bǔ)償晶體管206和第二補(bǔ)償晶體管207。 第一補(bǔ)償晶體管206的源極為補(bǔ)償子電路的第一端，連接開關(guān)晶體管205的漏極，漏極連接驅(qū)動晶體管208的柵極和存儲電容209的第一端，柵極連接第二補(bǔ)償晶體管207的漏極。第二補(bǔ)償晶體管207的柵極為補(bǔ)償子電路的第二端，連接?xùn)啪€201，源極連接驅(qū)動晶體管208的柵極和存儲電容209的第一端。第一補(bǔ)償晶體管206的漏極和第二補(bǔ)償晶體管207的源極共同作為補(bǔ)償子電路的Λ-Λ- ~‘上山
弟二兄而°驅(qū)動晶體管208的柵極連接存儲電容209的第一端，源極連接電源線203和存儲電容209的第二端，漏極連接OLED 210，用于為OLED提供驅(qū)動電流。OLED 210的陽極連接驅(qū)動晶體管208的源極，陰極連接接地極204。本實(shí)施例中，上述開關(guān)晶體管205、驅(qū)動晶體管208和第二補(bǔ)償晶體管207均為P 型TFT，第一補(bǔ)償晶體管206可為P型TFT或N型TFT。本實(shí)施例的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)的工作原理如下圖3為上述AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)工作時的時序信號圖，柵線201的開啟信號為低電壓信號，當(dāng)該低電壓信號輸入開關(guān)晶體管205的柵極和第二補(bǔ)償晶體管207的柵極時，開關(guān)晶體管205的源漏極和第二補(bǔ)償晶體管207的源漏極導(dǎo)通。此時，數(shù)據(jù)線202的信號為高電壓信號Vdata。開關(guān)晶體管205在柵線201的低電壓信號下導(dǎo)通，將數(shù)據(jù)線202的電壓信號 Vdata輸入到A點(diǎn)。第二補(bǔ)償晶體管207在柵線201的開啟信號下導(dǎo)通，使第一補(bǔ)償晶體管206構(gòu)成一個二極管連接結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使Vdata通過第一補(bǔ)償晶體管206后變成 Vdata-Vth'，Vth'為第一補(bǔ)償晶體管206的閾值電壓。因此，驅(qū)動晶體管208的柵極信號就變成Vdata-Vth'，該信號使驅(qū)動晶體管208工作在飽和區(qū)，這樣經(jīng)驅(qū)動晶體管 208 輸出的電流為I = 1/2XKX (Vgs-Vth)2 = 1/2XKX (VDD-Vdata+Vth ‘ -Vth)2 = 1/2XKX (VDD-Vdata)2，其中K = W/LXCXu，其中W是晶體管溝道的寬度，L是晶體管溝道的長度，C是晶體管溝道與柵極間的電容，u是晶體管溝道的載流子遷移率。Vgs為驅(qū)動晶體管208的柵源壓差，Vth為驅(qū)動晶體管208的閾值電壓。相同結(jié)構(gòu)中K相對穩(wěn)定，可以視為常量，相鄰兩個晶體管的閾值電壓大小差異很小，可以認(rèn)為相同，即Vth' =Vth0因此， 流經(jīng)OLED 210的電流就只與VDD和Vdata信號相關(guān)，而與Vth無關(guān)，從而流經(jīng)OLED的電流不因背板制造工藝原因而造成的Vth不均勻所導(dǎo)致的電流不同，引起亮度變化。同時還可以改善由于Vth衰退而導(dǎo)致的流經(jīng)OLED的電流變化，而引起亮度變化，使AMOLED穩(wěn)定性變差的情況。從圖1和圖2中可看出，本實(shí)施例中電路結(jié)構(gòu)簡單，時序信號少，只需柵線201 和數(shù)據(jù)線202的信號。實(shí)施例2如圖4所述，本實(shí)施例的與實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)基本相同，不同的是，在實(shí)施例1結(jié)構(gòu)上增加了參考電源411和復(fù)位晶體管412。復(fù)位晶體管412的柵極連接參考電源411，源極連接接地極404，漏極連接驅(qū)動晶體管408的柵極，用于復(fù)位驅(qū)動晶體管408的柵極信號。 在結(jié)構(gòu)上，柵線401 OLED 410的連接方式和實(shí)施例1的柵線201 0LED210的連接方式相同。本實(shí)施例中，開關(guān)晶體管405、驅(qū)動晶體管408、第二補(bǔ)償晶體管407和復(fù)位晶體管 412均為P型TFT。本實(shí)施例的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)的工作原理如下如圖5所示，為本實(shí)施例的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)工作時的時序信號圖，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上增加了參考電源信號REF的時序。從圖中可以看出，在柵線401的每個開啟信號和數(shù)據(jù)線402的每個電壓信號的脈沖到來之前，參考電源411輸出低電壓信號給復(fù)位晶體管412，使復(fù)位晶體管412的漏源極導(dǎo)通，將接地極404的GND信號輸入到驅(qū)動晶體管408的柵極，使驅(qū)動晶體管408的柵極信號歸零，之后REF信號變?yōu)楦唠妷盒盘?，使?fù)位晶體管412的漏源極斷開，同時柵線401和數(shù)據(jù)線402的信號都變?yōu)楦唠妷盒盘枺蟮墓ぷ髟砭秃蛯?shí)施例1的原理相同，此處不再敖述。即在柵線401和數(shù)據(jù)線402的每幀信號到來之前都現(xiàn)將驅(qū)動晶體管408的柵極信號歸零。如圖6所示，為本實(shí)施例中驅(qū)動晶體管408柵極每幀的復(fù)位模擬效果圖，從該模擬效果圖中可以看出，在驅(qū)動晶體管408每幀開啟之前，驅(qū)動晶體管408的柵極電壓都要先歸零，即柵極復(fù)位(實(shí)線所示)，保證上一幀殘留的電壓信號(虛線所示)歸零，不影響下一幀的電壓信號。從模擬效果圖中可以看出每幀前的復(fù)位歸零效果很好，下一幀信號沒有受上
一幀信號影響。實(shí)施例1和實(shí)施例2中的開關(guān)晶體管、第一補(bǔ)償晶體管、第二補(bǔ)償晶體管和復(fù)位晶體管主要起開關(guān)作用，其源漏極的連接可以互換。實(shí)施例3本實(shí)施例中，提供了一種AMOLED顯示面板，顯示面板中的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)為上述實(shí)施例1或?qū)嵤├?所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)。以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，包括柵線、數(shù)據(jù)線、電源線、接地極、開關(guān)晶體管、 補(bǔ)償子電路、驅(qū)動晶體管、存儲電容和有機(jī)發(fā)光二極管0LED，其特征在于，所述開關(guān)晶體管柵極連接所述柵線，源極連接所述數(shù)據(jù)線，漏極連接所述補(bǔ)償子電路的第一端；所述補(bǔ)償子電路的第二端連接所述柵線，第三端連接所述存儲電容的第一端，用于向所述存儲電容預(yù)先存儲所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；所述驅(qū)動晶體管柵極連接所述存儲電容的第一端，源極連接所述電源線和所述存儲電容的第二端，漏極連接所述0LED，用于為OLED提供驅(qū)動電流；所述OLED的陽極連接所述驅(qū)動晶體管的漏極，陰極連接所述接地極。
2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述補(bǔ)償子電路包括 第一補(bǔ)償晶體管和第二補(bǔ)償晶體管，所述第一補(bǔ)償晶體管的源極為所述補(bǔ)償子電路的第一端，連接所述開關(guān)晶體管的漏極，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端，柵極連接所述第二補(bǔ)償晶體管的漏極；所述第二補(bǔ)償晶體管的柵極為所述補(bǔ)償子電路的第二端，連接所述柵線，源極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端；所述第一補(bǔ)償晶體管的漏極和第二補(bǔ)償晶體管的源極為所述補(bǔ)償子電路的第三端。
3.如權(quán)利要求2所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管和第二補(bǔ)償晶體管均為P型TFT。
4.如權(quán)利要求2所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一補(bǔ)償晶體管為P型TFT或N型TFT。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 參考電源和復(fù)位晶體管，所述復(fù)位晶體管的柵極連接所述參考電源，源極連接所述接地極，漏極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極，用于復(fù)位所述驅(qū)動晶體管的柵極信號。
6.如權(quán)利要求5所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復(fù)位晶體管為P 型TFT或?yàn)镹型TFT。
7.一種AMOLED顯示面板，其特征在于，所述面板中的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)及AMOLED顯示面板，涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，AMOLED補(bǔ)償電路像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、電源線、接地極、開關(guān)晶體管、補(bǔ)償子電路、驅(qū)動晶體管、存儲電容和有機(jī)發(fā)光二極管OLED，開關(guān)晶體管柵極連接?xùn)啪€，原極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接補(bǔ)償子電路的第一端；補(bǔ)償子電路的第二端連接?xùn)啪€，第三端連接存儲電容的第一端，用于向存儲電容預(yù)先存儲驅(qū)動晶體管的閾值電壓；驅(qū)動晶體管柵極連接存儲電容的第一端，漏極連接電源線，源極連接OLED，用于為OLED提供驅(qū)動電流；OLED的陽極連接驅(qū)動晶體管的源極，陰極連接接地極。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，不但具有閾值電壓漂移補(bǔ)償功能，同時還實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動晶體管柵極信號復(fù)位，降低了幀與幀之間信號的影響。
文檔編號G09G3/32GK202120574SQ20112025161
公開日2012年1月18日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月15日
發(fā)明者馬占潔 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司