專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，尤其涉及具有能修正的像素構(gòu)造的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為使用了電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件的圖像顯示裝置，已知有使用了有機(jī)電致發(fā)光元件(以下，記為有機(jī)EL元件)的有機(jī)EL顯示器。該有機(jī)EL顯示器具有視角特性良好且功耗少的優(yōu)點(diǎn)，因此，作為下一代的FPD (Flat Panel Display :平板顯示器)的候選而受到 關(guān)注。通常，構(gòu)成像素的有機(jī)EL元件呈矩陣狀配置。例如在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器中，在多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)處設(shè)置薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor),在該TFT連接有保持電容元件(電容器)和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。并且，通過(guò)所選擇的掃描線而使該TFT導(dǎo)通，將來(lái)自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管和保持電容元件，通過(guò)該驅(qū)動(dòng)晶體管和保持電容元件來(lái)控制有機(jī)EL元件的發(fā)光定時(shí)。通過(guò)該像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)，能夠在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器中使有機(jī)EL元件發(fā)光到下一掃描(選擇)，因此，即使占空比上升，也不會(huì)發(fā)生如導(dǎo)致顯示器的輝度(brightness)減少的情況。但是，如有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器所代表的那樣，發(fā)光像素的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，發(fā)光像素?cái)?shù)量越增力口，在需要微細(xì)加工的制造工序中，越會(huì)發(fā)生電路元件和/或布線的短路和/或開(kāi)路的電氣不良。特別是在有機(jī)EL面板中，構(gòu)成像素驅(qū)動(dòng)電路的保持電容元件的元件面積相對(duì)大。因此，該保持電容元件容易受到存在于電極間的微粒等的影響，會(huì)成為因發(fā)生短路不良而使像素不良率提高的主要原因。通過(guò)激光照射和/或電流供給而將該短路不良的保持電容元件與其他的正常部位切斷，由此能夠消除該短路不良。并且，為了避免由切離不良的保持電容元件所造成的電容下降導(dǎo)致改變像素特性，提出了配置有備用保持電容元件的像素電路的方案。圖13是專利文獻(xiàn)I所記載的液晶顯示裝置的畫(huà)面的一部分的電路圖。在圖13中示出呈矩陣狀配置有多個(gè)像素的顯示單元的電路結(jié)構(gòu)。該顯示單元具有按像素行配置的掃描線501及電容線502、和按像素列配置的信號(hào)線503。各像素包括像素TFT504、相互并聯(lián)連接的保持電容元件505a及505b (505a和505b為大致相同的電容值)、像素電極520、對(duì)向電極506、液晶元件507，還與保持電容元件505a及505b并設(shè)配置有修復(fù)用的保持電容元件508。保持電容元件508被配置成與保持電容元件505a(或者505b)大致相同的電容值，通常與像素電極520分離。在上述結(jié)構(gòu)中，例如如圖13所示的中央的像素，在保持電容元件505b由于制造工序的灰塵而短路的情況下，在該狀態(tài)下，像素電極520與電容線502直接連接，無(wú)法在液晶元件507施加電壓而會(huì)成為像素缺陷。于是，在可切斷部510通過(guò)激光照射進(jìn)行切斷，在可連接部511執(zhí)行激光接觸。在可連接部511隔著層間絕緣膜而重疊有對(duì)向的兩種布線，通過(guò)向該重疊部進(jìn)行激光照射來(lái)連接兩種布線。由此，即使保持電容元件505b發(fā)生短路不良，也能夠切離保持電容元件505b，并連接修復(fù)用的保持電容元件508。通過(guò)上述可切斷部510和可連接部511的結(jié)構(gòu)以及對(duì)它們進(jìn)行的激光照射，即使構(gòu)成像素電路的保持電容元件的一部分發(fā)生短路不良，也能夠不使修復(fù)(repair)后的像素的保持電容減少而使該像素正?；Ｔ谙燃夹g(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2003-15549號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，在專利文獻(xiàn)I所公開(kāi)的可修復(fù)的顯示裝置中，需要在像素電路內(nèi)設(shè)置修復(fù)用的保持電容元件，進(jìn)而需要確保分別設(shè)置用于連接該保持電容元件的可連接部和用于切斷短路不良的保持電容元件的可連接部的空間。也即是，需要獨(dú)立地確保用于連接的激光照射區(qū)域和用于切斷的激光照射區(qū)域，以使得周邊的電路元件和布線不會(huì)由于激光照射而受到損傷。因此，難以實(shí)現(xiàn)用于實(shí)現(xiàn)顯示單元的高精細(xì)化的像素電路的省面積化。另外，由于需要導(dǎo)通部位的切斷和絕緣部位的連接這兩種不同的修復(fù)工序，所以存在費(fèi)制造工時(shí)的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種保持電容元件得以修復(fù)的同時(shí)也能抑制電容減少、且修復(fù)工時(shí)得以簡(jiǎn)化的可應(yīng)對(duì)省面積的顯示裝置及其制造方法。用于解決問(wèn)題的手段為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的顯示裝置是呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素的顯示裝置，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由所述第一電極層和所述第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與所述第一電極層或所述第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及多個(gè)絕緣層，所述多個(gè)絕緣層介于所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層之間，所述電容單元包括電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、與第二布線電連接并在層疊方向與所述第一電容電極對(duì)向而設(shè)置于所述第二電極層的第二電容電極、以及所述絕緣層；備用電容電極，其設(shè)置在所述第三電極層；可切斷部，其能切斷所述第一電容電極與所述第一布線的電連接；以及可連接部，其能將所述備用電容電極和所述第一布線電連接，所述可切斷部和所述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，通過(guò)對(duì)產(chǎn)生了不良的一部分保持電容元件的連接部照射激光，能夠?qū)⒉涣嫉臉?gòu)成保持電容元件的電容電極從像素電路切斷，同時(shí)將備用電容電極與像素電路連接。即，能夠通過(guò)I個(gè)部位的激光加工進(jìn)行不良電容元件的切斷和備用電容元件的連接，能夠減少加工區(qū)域和加工工時(shí)，因此能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化。


圖I是表示本發(fā)明實(shí)施方式涉及的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。圖3A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的俯視透視圖。圖3B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第一例的俯視透視圖。圖3C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第二例的俯視透視圖。圖4A是實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的等效電·路圖。圖4B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第一例的等效電路圖。圖4C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第二例的等效電路圖。圖5是表示通過(guò)激光照射進(jìn)行電容電極和布線的重構(gòu)的電容連接部的立體圖。圖6是表示通過(guò)激光照射進(jìn)行電容電極和布線的重構(gòu)的電容連接部的變形例的立體圖。圖7A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的變形例的等效電路圖。圖7B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第三例的等效電路圖。圖7C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第四例的等效電路圖。圖8是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的概略剖視圖。圖9是表示實(shí)施方式2涉及的顯示裝置的制造方法的動(dòng)作流程圖。圖IOA是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IOB是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖IlA是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IlB是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖12是內(nèi)置有本發(fā)明的圖像顯示裝置的薄型平板TV的外觀圖。圖13是專利文獻(xiàn)I所記載的液晶顯示裝置的畫(huà)面的一部分的電路圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I :顯示裝置；10 :顯示面板；11、31 :發(fā)光像素；11A、31A :驅(qū)動(dòng)電路層；11B、31B 顯示元件層；12、503 :信號(hào)線；13、18、501 :掃描線；14 :掃描線驅(qū)動(dòng)電路；15 :信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路;16 :電源線；17 :參照電源線；20 :控制電路;21、35、36、37 :開(kāi)關(guān)晶體管;22、32 :驅(qū)動(dòng)晶體管;23、33、505a、505b、508 :保持電容元件;23A、23B、33A、33B :電容元件；23A1、23B1、33AU33B1 :第一電容電極；23A2、23B2、33A2、33B2 :第二電容電極;23C、511 :可連接部；23D、510 :可切斷部；23P、23Q、33P :備用電容元件；23P2、23Q2、33P2 :備用電容電極；24、34 :有機(jī) EL 元件；110 TM 電極層；111 GM 電極層;111L、111M、111N、112L :布線；112 SD 電極層；113 :層間絕緣膜；114 :玻璃基板；502 :電容線；504 :像素TFT ；506 :對(duì)向電極；507 液晶元件；520 :像素電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置是呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素的顯示裝置，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由所述第一電極層和所述第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與所述第一電極層或所述第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及多個(gè)絕緣層，所述多個(gè)絕緣層介于所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層之間，所述電容單元包括電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、與第二布線電連接并在層疊方向與所述第一電容電極對(duì)向而設(shè)置于所述第二電極層的第二電容電極、以及所述絕緣層；備用電容電極，其設(shè)置在所述第三電極層；可切斷部，其能切斷所述第一電容電極與所述第一布線的電連接；以及可連接部，其能將所述備用電容電極和所述第一布線電連接，所述可切斷部和所述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件不良而進(jìn)行從該電容元件向備用電容元件變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明中，由于可切斷部和可連接部設(shè)置在層疊方向重疊上的位置，因此，能夠通過(guò)I個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接。因此，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，所以能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化。而且，在本發(fā)明中，由于電容元件和備用電容元件沿層疊方向設(shè)置，所以即使在電容元件發(fā)生了不良的情況下，也能夠最大限度地維持電容電極的面積。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述可切斷部設(shè)置在用于連接所述第一電容電極和所述第一布線的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射而熔斷所述第一電容電極與所述第一布線的連接的形狀，所述可連接部具備從所述備用電容電極延伸設(shè)置到與所述可切斷部重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射而將所述連接用布線和從所述第一電容電極切斷的所述第一布線熔接的形狀。由此，對(duì)于可切斷部和可連接部，能夠通過(guò)一次激光照射來(lái)進(jìn)行可切斷部的切斷和可連接部的連接。另外，由于對(duì)從備用電容電極延伸設(shè)置的連接用布線和將電容電極彼此連接的第一布線進(jìn)行激光照射，所以不會(huì)對(duì)備用電容電極和電容電極造成因激光照射引起的損傷，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的修復(fù)加工。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述連接用布線在所述可切斷部的上方具有與層疊方向平行的端面。由此，在連接用布線的端部被激光照射而熔融的情況下，能確保成為與第一布線的熔接部的連接用布線的端面的面積，因此，能夠經(jīng)由該連接用布線切實(shí)地熔接備用電容電極和第一布線。
另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，所述電容單元可以包括2個(gè)所述電容元件和2個(gè)所述備用電容電極。在由I個(gè)電容元件和I個(gè)備用電容元件構(gòu)成的電容單元的情況下，對(duì)于在第一電容電極、第二電容電極以及備用電容電極這3層成為短路不良的發(fā)光像素，難以通過(guò)本發(fā)明涉及的結(jié)構(gòu)來(lái)修復(fù)該發(fā)光像素。與此相對(duì)，在由2個(gè)電容元件和2個(gè)備用電容元件構(gòu)成的電容單元的情況下，即使一個(gè)電容元件在3層發(fā)生短路不良，也能夠通過(guò)另一個(gè)電容元件維持發(fā)光動(dòng)作。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中可以為，所述電容元件是將與按所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓作為保持電壓來(lái)保持的保持電容元件，所述驅(qū)動(dòng)電·路層具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和所述電容元件的一個(gè)端子連接，通過(guò)在所述柵電極施加所述保持電壓，將所述保持電壓轉(zhuǎn)換為作為源電極-漏電極間電流的信號(hào)電流，所述顯示元件層具備通過(guò)流動(dòng)所述信號(hào)電流而發(fā)光的發(fā)光元件。由此，能應(yīng)用于可獨(dú)立地控制施加信號(hào)電壓的定時(shí)和發(fā)光定時(shí)的有源矩陣型的顯示裝置。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述第一電極層和所述第二電極層中的一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極層和用于輔助所述源、漏電極層或所述柵電極層的輔助電極層中的一方，所述第三電極層設(shè)置于所述柵電極層和所述輔助電極層中的
另一方。由此，在構(gòu)成本發(fā)明涉及的顯示裝置具有的平行平板型的電容單元時(shí)，不需要另外層疊電極層，能利用作為已存在的構(gòu)成要素的驅(qū)動(dòng)晶體管所使用的源、漏電極層、柵電極層以及輔助電極層，因此能有助于像素電路的省面積化和制造工序的簡(jiǎn)化。另外，本發(fā)明不僅可以作為包括這樣的特征單元的顯示裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，還可以作為將顯示裝置所包括的特征單元作為步驟的顯示裝置的制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的實(shí)施方式和各附圖中，對(duì)相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的標(biāo)號(hào)來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。另外，下面以包括上面發(fā)光方式的將陽(yáng)極作為下面、將陰極作為上面的有機(jī)EL元件的顯示裝置為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，但不限于此。<實(shí)施方式1>本實(shí)施方式的顯示裝置呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層。驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由第一電極層和第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與第一電極層和第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及介于該三層之間的絕緣層。電容單元包括電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于第一電極層的第一電容電極、與第二布線電連接并設(shè)置于第二電極層的第二電容電極；備用電容電極，其設(shè)置在第三電極層；可切斷部，其能切斷第一電容電極與第一布線的電連接；以及可連接部，其能將備用電容電極和第一布線電連接。另夕卜，可切斷部和可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。由此，能夠同時(shí)通過(guò)激光照射進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接，能夠?qū)⑿迯?fù)加工區(qū)域的面積抑制為最小限度。以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式I。
圖I是表示本發(fā)明實(shí)施方式涉及的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖I中的顯示裝置I包括顯示面板10和控制電路20。顯示面板10包括多個(gè)發(fā)光像素11、按發(fā)光像素列配置的多條信號(hào)線12、按發(fā)光像素行配置的多條掃描線13、掃描線驅(qū)動(dòng)電路14、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15。發(fā)光像素11是在顯示面板10上呈矩陣狀配置的顯示像素。掃描線驅(qū)動(dòng)電路14通過(guò)向各掃描線13輸出掃描信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光像素所具有的電路元件。 信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15通過(guò)向信號(hào)線12輸出信號(hào)電壓和基準(zhǔn)電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)與輝度信號(hào)對(duì)應(yīng)的發(fā)光像素的發(fā)光?？刂齐娐?0控制從掃描線驅(qū)動(dòng)電路14輸出的掃描信號(hào)的輸出定時(shí)。另外，控制電路20控制從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15輸出的信號(hào)電壓的輸出定時(shí)。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。圖2中所示的發(fā)光像素11包括驅(qū)動(dòng)電路層IlA和顯示元件層11B。驅(qū)動(dòng)電路層IlA例如包括開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件23。并且，開(kāi)關(guān)晶體管21的源電極連接于信號(hào)線12，開(kāi)關(guān)晶體管21的柵電極連接于掃描線13，開(kāi)關(guān)晶體管21的漏電極連接于保持電容元件23和驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電極經(jīng)由連接點(diǎn)B而連接于電源線16，漏電極經(jīng)由連接點(diǎn)A而連接于有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極。連接點(diǎn)A和連接點(diǎn)B例如是為了在不同的電極層之間進(jìn)行電連接而設(shè)置于層間絕緣膜的接觸孔。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)向掃描線13輸入掃描信號(hào)而使開(kāi)關(guān)晶體管21為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，經(jīng)由信號(hào)線12提供的信號(hào)電壓被寫(xiě)入到保持電容元件23。并且，寫(xiě)入到保持電容元件23的保持電壓在I幀期間被保持，驅(qū)動(dòng)晶體管22的電導(dǎo)根據(jù)該保持電壓而模擬性(連續(xù)性)變化，向有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極提供與發(fā)光灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。進(jìn)而，提供到有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極的驅(qū)動(dòng)電流流向有機(jī)EL元件24的陰極。由此，顯示元件層IlB的有機(jī)EL元件24發(fā)光而顯示為圖像。驅(qū)動(dòng)電路層IlA不限于上述的電路結(jié)構(gòu)。也即是，開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22以及保持電容元件23是為了在顯示元件層IlB中流動(dòng)與信號(hào)電壓的電壓值相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流所需要的電路構(gòu)成要素，但不限于上述的方式。另外，在上述的電路構(gòu)成要素中添加其他的電路構(gòu)成要素的情況也包含在本發(fā)明涉及的驅(qū)動(dòng)電路層IlA中。驅(qū)動(dòng)電路層IlA和顯示元件層IlB層疊在例如玻璃基板上，呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素。在顯示裝置I為頂部發(fā)射型構(gòu)造的情況下，也即是，當(dāng)向顯示元件層IlB施加電壓時(shí)，由有機(jī)EL元件24產(chǎn)生光，光通過(guò)透明陰極和封止膜而向上方出射。另外，由有機(jī)EL元件24產(chǎn)生的光中朝向下方的光被陽(yáng)極反射，光通過(guò)透明陰極和封止膜而向上方出射。接著，說(shuō)明作為本發(fā)明的主要構(gòu)成要素的保持電容元件23的構(gòu)造以及功能。保持電容元件23是平行平板型的電容單元，其具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由第一電極層和第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與第一電極層及第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及介于上述三層之間的絕緣層。圖3A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的俯視透視圖。圖3A中示出了按發(fā)光像素11配置的保持電容元件23的結(jié)構(gòu)的一例。保持電容元件23由電容元件23A、23B和備用電容元件23P、23Q構(gòu)成。也即是，保持電容元件23包含2個(gè)電容元件和2個(gè)備用電容元件。在保持電容元件為由I個(gè)電容元件和I個(gè)備用電容元件構(gòu)成的電容單元的情況下，對(duì)于對(duì)向?qū)盈B的3層電極層短路不良的發(fā)光像素，有時(shí)難以通過(guò)本發(fā)明的顯示裝置I涉及的結(jié)構(gòu)來(lái)修復(fù)該發(fā)光像素。與此相對(duì)，在由2個(gè)電容元件和2個(gè)備用電容元件構(gòu)成的本實(shí)施方式涉及的保持電容元件23的情況下，即使在電容元件23A和23B中的一方中3層電極層發(fā)生短路不良，也能夠通過(guò)電容元件23A和23B中的另一方來(lái)維持發(fā)光動(dòng)作。構(gòu)成保持電容元件23的電容元件23A包括設(shè)置于作為第一電極層的SD (中間)電極層112的第一電容電極23A1和設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層(下側(cè))111的第二電容電極23A2。第一電容電極23A1和第二電容電極23A2在層疊方向上對(duì)向。另外，電容元件23B包括設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23B1和設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二電容電極23B2。第一 電容電極23B1和第二電容電極23B2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容元件23P包括第一電容電極23A1和設(shè)置于作為第三電極層的TM(上側(cè))電極層110的備用電容電極23P2。第一電容電極23A1和備用電容電極23P2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容元件23Q包括第一電容電極23B1和設(shè)置于作為第三電極層的TM(上側(cè))電極層110的備用電容電極23Q2。第一電容電極23B1和備用電容電極23Q2在層疊方向上對(duì)向。在此，SD電極層112是圖2中所示的驅(qū)動(dòng)晶體管22的源、漏電極層，GM電極層111是圖2中所示的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極層。另外，TM電極層110是用于輔助源、漏電極層或柵電極層的輔助電極層。由此，當(dāng)構(gòu)成本實(shí)施方式涉及的保持電容元件23時(shí)，不需要另外層疊電極層，能利用作為已存在的構(gòu)成要素的驅(qū)動(dòng)晶體管所使用的電極層，因此能有助于像素電路的省面積化和制造工序的簡(jiǎn)化。另外，第一電容電極23A1及23B1分別經(jīng)由布線112L及112M與作為第一布線的電源線16電連接，第二電容電極23A2及23B2與作為第二布線的布線IllN電連接。另外，區(qū)域Da包含能切斷第一電容電極23A1與電源線16的電連接的可切斷部和能將備用電容電極23P2和電源線16電連接的可連接部。另外，上述可切斷部和上述可連接部在區(qū)域Da內(nèi)設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。另外，區(qū)域Db包含能切斷第一電容電極23B1與電源線16的電連接的可切斷部和能將備用電容電極23Q2和電源線16電連接的可連接部。另外，上述可切斷部和上述可連接部在區(qū)域Db內(nèi)設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。作為TM電極層110、SD電極層112以及GM電極層111的材料，例如是鑰(Mo)與鎢(W)的合金、或Mo與W的合金/鋁(Al)/Mo與W的合金的層疊構(gòu)造，膜厚例如為150nm。另外，在TM電極層110與SD電極層112之間以及SD電極層112與GM電極層111之間形成有層間絕緣膜，該層間絕緣膜可列舉出例如硅氧化膜(SiOx)或硅氮化膜(SiN)等。為了確保所期望的靜電電容，絕緣層也可以是電介質(zhì)材料。如上所述，SD電極層112-TM電極層110的層間距離被設(shè)定為比SD電極層112-GM電極層111的層間距離厚，因此，即使在SD電極層112-GM電極層111間發(fā)生短路缺陷，作為該短路不良的原因的導(dǎo)電性異物貫通到SD電極層112-TM電極層110的概率也極低，所以通過(guò)相互對(duì)向的GM電極層111、SD電極層112以及TM電極層110來(lái)修復(fù)電容元件的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明是有效的。圖4A是實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的等效電路圖。在電容元件23A及23B不短路的情況下，保持電容元件23的靜電電容為將并聯(lián)連接的電容元件23A和23B的靜電電容相加而得到的值(CA+CB)。在此，對(duì)于備用電容元件23P及23Q，備用電容電極23P2及23Q2與任何布線和電極都不連接。因此，在不需修復(fù)的發(fā)光像素中，備用電容元件23P及23Q不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。在此，本實(shí)施方式中，在電容元件23A及23B短路的情況下，能夠使包含短路部位的電容元件無(wú)功能化。具體而言，從與膜面大致垂直的方向?qū)汕袛嗖亢涂蛇B接部照射激光。圖3B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極 結(jié)構(gòu)的第一例的俯視透視圖。在圖3B中，假設(shè)電容元件23A短路的情況，保持電容元件23的基本結(jié)構(gòu)與圖3A中所示的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的結(jié)構(gòu)相同。在該情況下，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部和可連接部(圖3B的X)照射激光，切斷第一電容電極23A1與電源線16的連接，且使備用電容電極23P2和電源線16連接。圖4B是表示本發(fā)明實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第一例的等效電路圖。在電容元件23A短路的情況下，通過(guò)向區(qū)域Da進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容成為將電容元件23B和23P的靜電電容相加而得到的值(CB+CP)。在此，備用電容元件23P的備用電容電極23P2連接于電源線16。另一方面，電容元件23A的第一電容電極23A1被從電源線16切斷，但與第二電容電極23A2短路連接。由此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23A不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cB+cP)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，能以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。圖3C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第二例的俯視透視圖。在圖3C中，假設(shè)電容元件23B短路的情況，保持電容元件23的基本結(jié)構(gòu)與圖3A中所示的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的結(jié)構(gòu)相同。在該情況下，通過(guò)向區(qū)域Db中的可切斷部和可連接部(圖3C的Y)照射激光，切斷第一電容電極23B1與電源線16的連接，且使備用電容電極23Q2和電源線16連接。圖4C是表示本發(fā)明實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第二例的等效電路圖。在電容元件23B短路的情況下，通過(guò)向區(qū)域Db進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容變?yōu)閷㈦娙菰?3A和23Q的靜電電容相加而得到的值(CA+CQ)。在此，備用電容元件23Q的備用電容電極23Q2連接于電源線16。另一方面，電容元件23B的第一電容電極23B1被從電源線16切斷，但與第二電容電極23B2短路連接。由此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23B不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cA+cQ)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，能以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。
圖5是表示通過(guò)激光照射進(jìn)行電容電極和布線的重構(gòu)的電容連接部的立體圖。圖5中描繪出圖3B中所示的需要修復(fù)的發(fā)光像素中的將電容元件以及備用電容元件連接的部分。如圖5的(b)所示，向從備用電容電極23P2延伸設(shè)置的作為連接用布線的端部的可連接部23C和與可連接部23C在層疊方向上重疊的布線112L上的可切斷部23D大致垂直地進(jìn)行激光照射。在此，可切斷部23D設(shè)置于連接第一電容電極23A1和布線112L的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射而熔斷第一電容電極23A1與布線112L的連接的形狀。另夕卜，可連接部23C具有從備用電容電極23P2延伸設(shè)置到與可切斷部23D重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射而將與第一電容電極23A1切斷的布線112L和上述連接用布線熔接的形狀。由此，如圖5的(C)所示，在可連接部23C，連接用布線的一部分熔融而與布線112L熔接，另一方面，布線112L的可切斷部23D被熔斷，第一電容電極23A1和布線112L被 切斷。另外，針對(duì)可切斷部23D和可連接部23C，能夠通過(guò)一次激光照射進(jìn)行可切斷部23D的切斷和可連接部23C的連接。另外，由于僅向從備用電容電極23P2延伸設(shè)置的連接用布線和布線112L進(jìn)行激光照射，所以對(duì)備用電容電極和電容電極不會(huì)造成因激光照射引起的損傷，能實(shí)現(xiàn)高精度的修復(fù)加工。上述連接用布線的端面優(yōu)選在可切斷部23D的上方與層疊方向平行。由此，在連接用布線的端部被激光照射而熔融的情況下，能確保成為與布線112L的熔接部的連接用布線的端面的面積，因此，能夠經(jīng)由該連接用布線切實(shí)地熔接備用電容電極23P2和布線112L。以上，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23A不良而進(jìn)行從電容元件23A向備用電容元件23P變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明的顯示裝置I中，由于可切斷部23D和可連接部23C設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此，能夠通過(guò)I個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件23A的切斷和備用電容元件23P的連接。由此，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，所以能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化?？蛇B接部23C的連接用布線和可切斷部23D的布線112L例如線寬是4 μ m，具有能夠通過(guò)激光照射而熔接和熔斷的形狀。在此，上述能熔接和熔斷的形狀與所使用的激光的規(guī)格具有密切的關(guān)系，例如，使用以YAG(Yttrium Aluminium Garnet)激光作為光源的激光振蕩器，例如使用以波長(zhǎng)532nm、脈沖寬度10ns、功率O. 5mff作為輸出參數(shù)的激光。在該情況下，當(dāng)上述連接用布線和布線112L的形狀是上述的形狀時(shí)，則能夠不使其他正常的電容元件和布線受到損傷而使上述連接用布線和布線112L熔接和熔斷。另外，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23B不良而進(jìn)行從電容元件23B向備用電容元件23Q變更電連接這樣的修復(fù)的情況下，電容元件23B和備用電容元件23Q的連接部具有與圖5所示的電容元件23A和備用電容元件23P的連接部同樣的構(gòu)造，也能夠進(jìn)行同樣的修復(fù)。圖6是表示通過(guò)激光照射進(jìn)行電容電極和布線的重構(gòu)的電容連接部的變形例的立體圖。圖6中所示的保持電容元件相對(duì)于圖3A 圖3C中所示的保持電容元件23, GM電極層111和SD電極層112的層結(jié)構(gòu)相反。具體而言，第一電容電極23A1、23B1和電源線16設(shè)置于GM電極層111，第二電容電極23A2和23B2設(shè)置于SD電極層112。以下，說(shuō)明在這樣的結(jié)構(gòu)中也能應(yīng)用本發(fā)明。如圖6的(b)所示，備用電容電極23P2在與電容元件23A在層疊方向上對(duì)向的區(qū)域中形成于TM電極層110，但在具有可切斷部和可連接部的區(qū)域04中形成于SD電極層112。向從備用電容電極23P2延伸設(shè)置的作為連接用布線的端部的可連接部23C、和與可連接部23C在層疊方向上重疊的布線112L上的可切斷部23D大致垂直地進(jìn)行激光照射。在此，可切斷部23D設(shè)置在用于連接第一電容電極23A1和布線IllL的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射而熔斷第一電容電極23A1與布線IllL的連接的形狀。另外，可連接部23C具有從備用電容電極23P2延伸設(shè)置到與可切斷部23D 重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射而將從第一電容電極23A1切斷的布線IllL和上述連接用布線熔接的形狀。由此，如圖6的(C)所示，在可連接部23C，連接用布線的一部分熔融而與布線11IL熔接，另一方面，布線11IL的可切斷部23D被熔斷，第一電容電極23A1和布線11IL被切斷。另外，對(duì)于可切斷部23D和可連接部23C，能夠通過(guò)進(jìn)行一次激光照射實(shí)現(xiàn)可切斷部23D的切斷和可連接部23C的連接。另外，由于僅向從備用電容電極23P2延伸設(shè)置的連接用布線和布線IllL進(jìn)行激光照射，所以能夠?qū)溆秒娙蓦姌O和電容電極不會(huì)造成因激光照射引起的損傷而實(shí)現(xiàn)高精度的修復(fù)加工。上述連接用布線的端面優(yōu)選在可切斷部23D的上方與層疊方向平行。由此，在連接用布線的端部被激光照射而熔融的情況下，能確保成為與布線IllL的熔接部的連接用布線的端面的面積，因此，能夠經(jīng)由該連接用布線切實(shí)地熔接備用電容電極23P2和布線IllL0另外，發(fā)現(xiàn)電容元件23B不良而進(jìn)行從電容元件23B向備用電容元件23Q變更電連接這樣的修復(fù)的情況下，電容元件23B和備用電容元件23Q的連接部具有與圖6所示的電容元件23A和備用電容元件23P的連接部同樣的構(gòu)造，也能夠?qū)崿F(xiàn)同樣的修復(fù)。圖7A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的變形例的等效電路圖。圖7A中，圖6中所示的保持電容元件的電極構(gòu)造作為等效電路來(lái)進(jìn)行表示。在電容元件23A及23B不短路的情況下，保持電容元件23的靜電電容為將并聯(lián)連接的電容元件23A和23B的靜電電容相加而得到的值(CA+CB)。在此，對(duì)于備用電容元件23P及23Q，備用電容電極23P2及23Q2與任何布線和電極都不連接。因此，在不需修復(fù)的發(fā)光像素中，備用電容元件23P及23Q不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。在此，本實(shí)施方式中，在電容元件23A及23B短路的情況下，能夠使包含短路部位的電容元件無(wú)功能化。具體而言，從與膜面大致垂直的方向向可切斷部和可連接部照射激光。圖7B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第三例的等效電路圖。在電容元件23A短路的情況下，通過(guò)向區(qū)域Da進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容成為將電容元件23B和23P的靜電電容相加而得到的值(C^Cp)。在此，備用電容元件23P的備用電容電極23P2連接于電源線16。另一方面，電容元件23A的第一電容電極23A1被從電源線16切斷。因此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23A不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。
根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cB+cP)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，能以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。圖7C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第四例的等效電路圖。在電容元件23B短路的情況下，通過(guò)向區(qū)域Db進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容成為將電容元件23A和23Q的靜電電容相加而得到的值(CA+CQ)。在此，備用電容元件23Q的備用電容電極23Q2連接于電源線16。另一方面，電容元件23B的第一電容電極23B1被從電源線16切斷。因此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23B不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cA+cQ)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容 設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，能以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。接著，說(shuō)明由激光照射實(shí)現(xiàn)的上述可切斷部和上述可連接部的形狀變化。圖8是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的概略剖視圖。圖8的(a) (C)中示出了驅(qū)動(dòng)電路層IlA中的區(qū)域Da及其周邊的概略剖面構(gòu)造。如圖8所示，備用電容元件23P例如通過(guò)在玻璃基板114上依次層疊SD電極層112、層間絕緣膜113、TM電極層110而形成。在此，TM電極層110的端部構(gòu)成可連接部23C，與可連接部23C在層疊方向上重疊的SD電極層112的重疊部構(gòu)成可切斷部23D。如圖8的(b)所示，與膜面大垂直地對(duì)區(qū)域Da進(jìn)行激光照射。于是，如圖8的(C)所示，TM電極層110的端部熔融而與SD電極層112熔接，另一方面，由SD電極層112形成的布線被熔斷。這樣，根據(jù)對(duì)可切斷部23D和可連接部23C的激光照射，能夠通過(guò)進(jìn)行一次激光照射來(lái)執(zhí)行可連接部23的連接和可切斷部23D的切斷。在圖8中，說(shuō)明了通過(guò)激光照射來(lái)連接TM電極層110和SD電極層112的構(gòu)造，但在通過(guò)激光照射來(lái)連接TM電極層110與GM電極層111的情況下，也能夠通過(guò)同樣的構(gòu)造實(shí)現(xiàn)GM電極層111的切斷和連接。進(jìn)而，即使在連接對(duì)象的兩層之間作為中間層而夾有與這兩層不同的一層的情況下，也能夠不使該中間層變形而使上述兩層連接。但是，在該情況下，上述中間層優(yōu)選不形成在與可切斷部及可連接部在層疊方向上重疊的位置。以上，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23A不良而進(jìn)行從電容元件23A向備用電容元件23P變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)、或者發(fā)現(xiàn)電容元件23B不良而進(jìn)行從電容元件23B向備用電容元件23Q變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明的顯示裝置I中，由于可切斷部23D和可連接部23C設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此，能夠通過(guò)I個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件23A的切斷和備用電容元件23P的連接或者電容元件23B的切斷和備用電容元件23Q的連接。因此，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，因此能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化?！磳?shí)施方式2>在本實(shí)施方式中，說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法包括驅(qū)動(dòng)電路層的形成工序、顯示元件層的形成工序、像素電路的檢查工序、以及保持電容元件的修復(fù)工序。在此，以與以往的顯示裝置的制造方法不同的工序、也即是驅(qū)動(dòng)電路層所具有的保持電容元件23的形成工序、像素電路的檢查工序以及修復(fù)工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式2涉及的顯示裝置的制造方法的動(dòng)作流程圖。首先，形成適當(dāng)?shù)嘏渲糜斜３蛛娙菰?3和作為其周邊元件的開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22以及電路布線等的驅(qū)動(dòng)電路層IlA(SOl)。具體而言，作為圖2中所示的驅(qū)動(dòng)電路層IlA的一層，使用金屬掩模制膜、剝離(lift-off)以及蝕刻等方法，將例如由Mo與W的合金形成的GM電極層111形成為圖3A中所示的形狀。接著，在GM電極層111上形成例如由SiOx或SiN等形成的層間絕緣膜以覆蓋GM電極層111。此時(shí)，根據(jù)需要，優(yōu)選使上述層間絕緣膜的表面平坦化。接著，在上述層 間絕緣膜上，使用金屬掩模制膜、剝離以及蝕刻等方法，將例如由Mo與W的合金/Al/Mo與W的合金的層疊構(gòu)造形成的SD電極層112形成為圖3A中所示的形狀。接著，在SD電極層112上形成例如由SiOx或SiN等形成的層間絕緣膜以覆蓋SD電極層112。此時(shí)，根據(jù)需要，優(yōu)選使上述層間絕緣膜的表面平坦化。接著，在上述層間絕緣膜上，使用金屬掩模制膜、剝離以及蝕刻等方法，將例如由Mo與W的合金形成的TM電極層110形成為圖3A中所示的形狀。上述步驟SOl相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)電路形成步驟。接著，經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)電路層IIA的平坦化工序之后，在驅(qū)動(dòng)電路層IIA上形成具有有機(jī)EL元件24的顯示元件層11B(S02)。具體而言，顯示元件層IlB具有例如陽(yáng)極、空穴注入層、空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層、堤層、電子注入層以及透明陰極。上述步驟S02相當(dāng)于顯示元件形成步驟。接著，針對(duì)所有的發(fā)光像素11，檢查保持電容元件23的電特性，確定具有處于短路狀態(tài)的保持電容元件23的發(fā)光像素11 (S03)。具體而言，例如在信號(hào)線12連接陣列測(cè)試器(Agilent公司的HS100)，經(jīng)由信號(hào)線12向各發(fā)光像素11依次輸出測(cè)試電壓并向保持電容元件23寫(xiě)入該電壓。然后，陣列測(cè)試器以預(yù)定的定時(shí)經(jīng)由信號(hào)線12讀入在保持電容元件23寫(xiě)入的電壓。由此，確定所讀入的電壓不滿足預(yù)定的電壓的發(fā)光像素11。由此，完成具有異常的保持電容元件23的發(fā)光像素的像素限定工序。接著，觀察確定出的發(fā)光像素11的保持電容元件23，確定異常部位的區(qū)域(S04)。具體而言，例如用顯微鏡觀察形成有保持電容元件23的區(qū)域的表面凹凸形狀。導(dǎo)電性微粒不均勻存在的區(qū)域多會(huì)成為凸?fàn)?。由此，完成異常的保持電容元?3的區(qū)域限定工序，確定異常的電容元件。該區(qū)域限定工序既可以由檢測(cè)員執(zhí)行，也可以用具有圖像識(shí)別功能的自動(dòng)測(cè)量來(lái)執(zhí)行。上述步驟S03和S04相當(dāng)于檢查步驟。接著，向包含確定出的異常電容元件的保持電容元件23的預(yù)定的可切斷部23D和可連接部23C照射激光，使該電容元件從像素電路元件電絕緣，并且將備用電容元件連接到像素電路元件(S05)。上述步驟S05相當(dāng)于修復(fù)步驟。最后，進(jìn)行實(shí)施了上述的激光照射的發(fā)光像素11的動(dòng)作確認(rèn)(S06)。根據(jù)以上的制造方法，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件不良而進(jìn)行從該電容元件電向備用電容元件變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，由于可切斷部23D和可連接部23C設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此能夠通過(guò)I個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接。由此，能夠削減制造工時(shí)并將修復(fù)加工區(qū)域的面積抑制為最小限度。檢查步驟S03和S04、以及修復(fù)步驟S05也可以在顯示元件形成步驟S02之前實(shí)施。也即是，既可以在形成有TM電極層110的階段、或者進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)電路層IlA的平坦化處理的階段實(shí)施，也可以在完成了顯示元件層IlB及其后的封止工序的階段實(shí)施。另外，在修復(fù)步驟S05之后也可以包括加強(qiáng)步驟，該加強(qiáng)步驟中對(duì)可連接部23C填補(bǔ)低電阻的金屬材料來(lái)加強(qiáng)由可連接部23C實(shí)現(xiàn)的連接。作為填補(bǔ)低電阻的金屬材料的方法，例如可列舉出通過(guò)噴墨方式向可連接部23C噴涂金粒子，在該噴涂后對(duì)可連接部23C進(jìn)行激光退火。由此，能夠提高向可連接部23C進(jìn)行激光照射而實(shí)現(xiàn)的備用電容電極與第一布線的連接的電導(dǎo)率，因此修復(fù)的可靠性提高，制造材料利用率提高。 〈實(shí)施方式3>本實(shí)施方式中，說(shuō)明實(shí)施方式I涉及的發(fā)光像素11的布局結(jié)構(gòu)及其效果。圖IOA是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IOA中所示的發(fā)光像素11的電路結(jié)構(gòu)與圖2中所示的發(fā)光像素11的電路結(jié)構(gòu)相同，因此省略電路結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。圖IOB是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖IOB中所示的布局是一個(gè)發(fā)光像素的布局，描繪了信號(hào)線12、掃描線13、電源線16、開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、電容兀件23A及23B、備用電容兀件23P。另外，開(kāi)關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22是底柵型晶體管，形成有柵電極的層是GM(下側(cè))電極層111，形成有源電極和漏電極的層成為SD (中間)電極層112。保持電容元件23由2個(gè)電容元件(23A和23B)和I個(gè)備用電容元件23P構(gòu)成。構(gòu)成保持電容元件23的電容元件23A包括設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二電容電極23A2和設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23A1。第一電容電極23A1和第二電容電極23A2在層疊方向上對(duì)向。另外，電容元件23B包括設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二電容電極23B2和設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23B1。第一電容電極23B1和第二電容電極23B2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容兀件23P包括設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23A1及23B1和設(shè)置于作為第三電極層的TM電極層110的備用電容電極23P2。第一電容電極23A1及23B1和備用電容電極23P2在層疊方向上對(duì)向。另外，第一電容電極23A1及23B1與作為第一布線的電源線16電連接，第二電容電極23A2及23B2與作為第二布線的驅(qū)動(dòng)晶體管22的GM電極層111電連接。另外，備用電容電極23P2與任何電極和布線都不連接。另外，區(qū)域Da包含能切斷第一電容電極23A1與電源線16的電連接的可切斷部、和能將備用電容電極23P2和電源線16電連接的可連接部。另外，區(qū)域Db包含能切斷第一電容電極23B1與電源線16的電連接的可切斷部、和能將備用電容電極23P2和電源線16電連接的可連接部。也即是，上述可切斷部和上述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。在此，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA的制造工序中，在電容元件23A成為短路不良的情況下，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部和可連接部照射激光，切斷第一電容電極23A1與電源線16的連接，且使備用電容電極23P2和電源線16連接。根據(jù)上述布局，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(CB+CP)。在此，備用電容電極23P2與第一電容電極23A1及23B1這兩方對(duì)向，但在電容元件23A成為短路不良而向區(qū)域Da中的可切斷部和可連接部照射了激光的情況下，備用電容元件23P作為具有由備用電容電極23P2和第一電容電極23A1獲得的靜電電容Cp的電容元件發(fā)揮功能。由此，能夠?qū)溆秒娙菰撵o電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，能以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。以上，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的像素電路的布局，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23A不良而進(jìn)行從電容元件23A向備用電容元件23P變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)、或發(fā)現(xiàn)電容元件23B不良而進(jìn)行從電容元件23B向備用電容元件23P變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā) 明的顯示裝置的保持電容元件結(jié)構(gòu)中，由于可切斷部和可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此能夠通過(guò)I個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件23A的切斷和備用電容元件23P的連接、或電容元件23B的切斷和備用電容元件23P的連接。因而，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，因此，能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化?！磳?shí)施方式4>在本實(shí)施方式中說(shuō)明與實(shí)施方式I不同的發(fā)光像素31的布局結(jié)構(gòu)及其效果。圖IlA是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IlA中所示的發(fā)光像素31的電路結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)電路層31A和顯示元件層31B。驅(qū)動(dòng)電路層IIA包括例如開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37、驅(qū)動(dòng)晶體管32、保持電容兀件33。并且，開(kāi)關(guān)晶體管37的漏電極連接于信號(hào)線12，開(kāi)關(guān)晶體管37的柵電極連接于掃描線13，開(kāi)關(guān)晶體管37的源電極連接于保持電容元件33和開(kāi)關(guān)晶體管36的漏電極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管32的源電極經(jīng)由連接點(diǎn)A連接于有機(jī)EL元件34的陽(yáng)極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵電極連接于保持電容元件33和開(kāi)關(guān)晶體管35的源電極。根據(jù)上述電路結(jié)構(gòu)，能夠使保持電容元件33的兩端電極記錄與信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的電位。圖IlB是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖IlB中所示的布局是一個(gè)發(fā)光像素的布局，描繪了信號(hào)線12、掃描線13及18、電源線16、參考電源線17、開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37、驅(qū)動(dòng)晶體管32、電容元件33A及33B、備用電容元件33P。另外，開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37和驅(qū)動(dòng)晶體管32是底柵型晶體管，形成有柵電極的層是GM電極層111，形成有源電極和漏電極的層為SD電極層112。保持電容元件33由2個(gè)電容元件33A及33B和I個(gè)備用電容元件33P構(gòu)成。構(gòu)成保持電容兀件33的電容兀件33A包括設(shè)置于GM電極層111的第一電容電極33A1和設(shè)置于SD電極層112的第二電容電極33A2。第一電容電極33A1和第二電容電極33A2在層疊方向上對(duì)向。另外，電容兀件33B包括設(shè)置于GM電極層111的第一電容電極33B1和設(shè)置于SD電極層112的第二電容電極33B2。第一電容電極33B1和第二電容電極33B2在層疊方向上相對(duì)。另外，備用電容元件33P包括設(shè)置于作為第三電極層的TM電極層110的備用電容電極33P2和第二電容電極33B2。備用電容電極33P2和第二電容電極33B2在層疊方向上對(duì)向。另外，第一電容電極33A1及33B1與驅(qū)動(dòng)晶體管32的GM電極層111電連接，第二電容電極33A2及33B2與開(kāi)關(guān)晶體管36及37的SD電極層112電連接。另外，第一電容電極33A1經(jīng)由接觸孔與開(kāi)關(guān)晶體管35的SD電極層112電連接。另外，區(qū)域Da包含能切斷作為第一電極層發(fā)揮功能的第一電容電極33A1與第一電容電極33B1的電連接的可切斷部、和能將備用電容電極33P2與第一電容電極33BI電連接的可連接部。在此，上述可切斷部和上述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。另外，區(qū)域Db包含能切斷作為第一電極層發(fā)揮功能的第二電容電極33B2與第二電容電極33A2的電連接的可切斷部、和能將備用電容電極33P2與第二電容電極33A2電連接的可連接部。在此，上述可切斷部和上述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。在此，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA的制造工序中，當(dāng)電容元件33A成為短路不良的情況下，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部照射激光，切斷第一電容電極33A1與第一電容電極33B1的連接，且連接備用電容電極33P2和第一電容電極33B1。由此，保持電容元件33成為由第一電容電極33B1和第二電容電極33B2形成的電容元件33B、與由備用電容電極33P2和第二電容電極33B2形成的備用電容元件33P并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。因此，作為保持電容元件33的靜電電容成為(CB+CP)，至少能維持修復(fù)前的保持電容元件。另一方面，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA的制造工序中，在電容元件33B成為短路不良的情況下，通過(guò)向區(qū)域Db中的可切斷部和可連接部照射激光，切斷第二電容電極33B2與第二電容電極33A2的連接，且將備用電容電極33P2和第二電容電極33A2電連接。由此，保持電容元件33成為由第一電容電極33A1和第二電容電極33A2形成的電容元件33A、與由備用電容電極33P2和第二電容電極33B2形成的備用電容元件33P并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。因此，作為保持電容元件33的靜電電容成為(CA+CP),至少能維持修復(fù)前的保持電容元件。在此，與沒(méi)有配置備用電容元件33P的以往的布局進(jìn)行比較。在該情況下，當(dāng)電容元件33A或33B發(fā)生了短路不良時(shí)，通過(guò)切斷某個(gè)電容元件，修復(fù)后的靜電電容成為1/2。與此相對(duì)，通過(guò)使用本實(shí)施方式涉及的布局，能夠通過(guò)進(jìn)行一次激光照射以與以往的布局的發(fā)光像素的面積相同的面積來(lái)確保修復(fù)前的靜電電容。由此，修復(fù)后的發(fā)光像素31能夠不使像素面積增大而抑制修復(fù)后的靜電電容的減少。在電容元件的電極間發(fā)生的短路不良不是完全短路狀態(tài)而具有電阻成分的情況下、或結(jié)合狀態(tài)隨時(shí)間變化而變化的情況下，估計(jì)修復(fù)后的保持電容元件的靜電電容會(huì)不穩(wěn)定。對(duì)此，如圖IlB中所示的K點(diǎn)那樣，通過(guò)從發(fā)生了短路不良的電容元件的電容電極向延伸并重疊地設(shè)有雙方的電容電極的布線部照射激光來(lái)使該雙方的電容電極短路，能夠?qū)⒉环€(wěn)定的短路不良改性為完全的短路不良。以上，根據(jù)實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，但本發(fā)明涉及的顯示裝置及其制造方法不限于上述實(shí)施方式。通過(guò)組合實(shí)施方式I 4中的任意的構(gòu)成要素而實(shí)現(xiàn)的其他實(shí)施方式、本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)對(duì)實(shí)施方式I 4實(shí)施能想到的各種變形而得到的變形例、內(nèi)置有本發(fā)明涉及的顯示裝置的各種設(shè)備均包含在本發(fā)明中。另外，在實(shí)施方式I 4中，說(shuō)明了以底柵型晶體管作為像素電路的構(gòu)成要素的情況下的保持電容元件的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明也能應(yīng)用于以頂柵型晶體管作為像素電路的構(gòu)成要素的情況。另外，激光的照射方向可以不是從顯示面板10的上面進(jìn)行照射，而是經(jīng)由下部基板從下面進(jìn)行照射。從下面進(jìn)行的激光照射方式與從上面進(jìn)行的激光照射方式相比，對(duì)在顯示元件層IlB形成于驅(qū)動(dòng)電路層IlA上之后進(jìn)行的保持電容元件的修復(fù)是有利的。其原因是，從下面進(jìn)行的激光照射方式中激光不通過(guò)顯示元件層11B，通過(guò)這一點(diǎn)能夠排除由于通過(guò)激光而使顯示元件層IlB受損的可能性。另外，在實(shí)施方式I和4中，示出了設(shè)置有兩個(gè)構(gòu)成保持電容元件的電容元件的例子，但電容元件的配置數(shù)量也可以根據(jù)發(fā)光像素11的不良率、所要求的像素面積和靜電電容而為3個(gè)以上。
另外，在實(shí)施方式I 4中，作為保持電容元件的不良原因，列舉了由電極間不均勻存在的微粒等導(dǎo)致的電極間短路，但上述實(shí)施方式的短路不限于完全短路。例如，如微粒之間的點(diǎn)接觸那樣具有微小的電阻值和電容值的情況也包含在短路中。另外，例如，本發(fā)明涉及的顯示裝置能內(nèi)置于圖12中所示的薄型平板TV中。由此，能實(shí)現(xiàn)不以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光的發(fā)光像素得到修正、顯示面板的品質(zhì)提高的高精細(xì)的薄型平板TV。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法在要求大型及高分辨率的薄型電視機(jī)、個(gè)人電腦的顯示器等技術(shù)領(lǐng)域中是有用的。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層， 所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由所述第一電極層和所述第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與所述第一電極層或所述第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及多個(gè)絕緣層，所述多個(gè)絕緣層介于所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層之間， 所述電容單元包括 電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、與第二布線電連接并在層疊方向與所述第一電容電極對(duì)向而設(shè)置于所述第二電極層的第二電容電極、以及所述絕緣層； 備用電容電極，其設(shè)置在所述第三電極層； 可切斷部，其能切斷所述第一電容電極與所述第一布線的電連接；以及 可連接部，其能將所述備用電容電極和所述第一布線電連接， 所述可切斷部和所述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述可切斷部設(shè)置在用于連接所述第一電容電極和所述第一布線的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射而熔斷所述第一電容電極與所述第一布線的連接的形狀， 所述可連接部具備從所述備用電容電極延伸設(shè)置到與所述可切斷部重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射而將所述連接用布線和從所述第一電容電極切斷的所述第一布線熔接的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置， 所述連接用布線在所述可切斷部的上方具有與層疊方向平行的端面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述電容單元包括2個(gè)所述電容元件和2個(gè)所述備用電容電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述電容元件是將與按所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓作為保持電壓來(lái)保持的保持電容元件， 所述驅(qū)動(dòng)電路層具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和所述電容元件的一個(gè)端子連接，通過(guò)在所述柵電極施加所述保持電壓，將所述保持電壓轉(zhuǎn)換為作為源電極-漏電極間電流的/[目號(hào)電流， 所述顯示元件層具備通過(guò)流動(dòng)所述信號(hào)電流而發(fā)光的發(fā)光元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置， 所述第一電極層和所述第二電極層中的一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極層和用于輔助所述源、漏電極層或所述柵電極層的輔助電極層中的一方， 所述第三電極層設(shè)置于所述柵電極層和所述輔助電極層中的另一方。
7.—種顯示裝置的制造方法，在所述顯示裝置中呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層，所述顯示裝置的制造方法包括 驅(qū)動(dòng)電路形成步驟，形成驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上相互對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、形成于由所述第一電極層和所述第二電極層夾著的區(qū)域以外的區(qū)域并與所述第一電極層或所述第二電極層在層疊方向上對(duì)向配置的第三電極層、以及多個(gè)絕緣層，所述多個(gè)絕緣層介于所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層之間，所述電容單元包括具有與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極和與第二布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層的第二電容電極的電容元件、設(shè)置于所述第三電極層的備用電容電極、能夠切斷所述第二電容電極與所述第一布線的電連接的可切斷部、以及能夠?qū)⑺鰝溆秒娙蓦姌O和所述第一布線電連接的可連接部，所述可切斷部和所述可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置； 顯示元件形成步驟，形成所述顯示元件層； 檢查步驟，檢查通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)電路形成步驟形成的所述電容元件；以及 修復(fù)步驟，對(duì)于在所述檢查步驟中判斷為所述電容元件不良的所述電容單元，以所述可切斷部進(jìn)行切斷，并以所述可連接部進(jìn)行連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法， 在所述修復(fù)步驟中，向所述可切斷部和所述可連接部同時(shí)進(jìn)行激光照射。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法， 在所述修復(fù)步驟之后還包括加強(qiáng)步驟，所述加強(qiáng)步驟中對(duì)所述可連接部填補(bǔ)低電阻的金屬材料來(lái)加強(qiáng)由所述可連接部實(shí)現(xiàn)的連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及其制造方法。顯示裝置具有的保持電容元件(23)包括電容元件(23A)，其具有與電源線(16)連接并設(shè)置于SD電極層(112)的第一電容電極(23A1)和設(shè)置于GM電極層(111)的第二電容電極(23A2)；備用電容電極(23P2)，其設(shè)置于TM電極層(110)；可切斷部(23D)，其能切斷第一電容電極(23A1)與電源線(16)的連接；以及可連接部(23C)，其能連接備用電容電極(23P2)和電源線(16)，可切斷部(23D)和可連接部(23C)在層疊方向上重疊。由此，能夠提供保持電容元件得以修復(fù)的同時(shí)也能抑制電容減少的可應(yīng)對(duì)省面積的顯示裝置。
文檔編號(hào)G09F9/30GK102959604SQ20118000437
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者白水博, 田鹿健一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社