專(zhuān)利名稱(chēng)：像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素電路，特別是有關(guān)于一種使用雙柵極晶體管的像素電路，藉以提高影像均勻度。
背景技術(shù)：
圖1表示現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路。參閱圖1，像素電路I包括開(kāi)關(guān)晶體管
10、驅(qū)動(dòng)晶體管11、電容器12、以及發(fā)光二極管13。開(kāi)關(guān)晶體管10受控于一掃描信號(hào)SS10,且接收一數(shù)據(jù)信號(hào)DS10。當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管10根據(jù)掃描信號(hào)SSlO而導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管11根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)DSlO而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流110，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管13發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管11的臨界電壓(threshold voltage, Vth)會(huì)隨著操作時(shí)間而改變,這將導(dǎo)致顯示器發(fā)生影像不均勻(mura)現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素電路，其包括一開(kāi)關(guān)晶體管、一驅(qū)動(dòng)晶體管、以及一第一二極管。開(kāi)關(guān)晶體管具有第一柵極端)接收一掃描信號(hào)、第一電極端接收一數(shù)據(jù)信號(hào)、以及第二電極端。驅(qū)動(dòng)晶體管，具有第一柵極端電連接至開(kāi)關(guān)晶體管的第二電極端、第二柵極端、第一電極端電連接一第一電壓源、以及第二電極端。驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端通過(guò)第一二極管電連接一第二電壓源。第二電壓源提供的電壓低于第一電壓源提供的電壓。在一些實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端。開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端通過(guò)第一二極管電連接第二電壓源。在另一些實(shí)施例中，像素電路更包括一第二二極管，且開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端。開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端通過(guò)第二二極管電連接第二電壓源。本發(fā)明實(shí)施例的像素電路可減少臨界電壓的偏移量，以提高影像均勻度。


圖1表示現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路；圖2表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素電路；圖3表示單柵極晶體管的漏極電流與柵極電壓的關(guān)系圖；圖4表示雙柵極晶體管的漏極電流與柵極電壓的關(guān)系圖；圖5表示圖2中像素電路的結(jié)構(gòu)截面圖；圖6表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素電路；圖7A表示圖6中像素電路的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)截面圖；圖7B表示圖6中像素電路的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)截面圖；圖8表示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的像素電路；以及圖9表示圖8中像素電路的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)截面圖。附圖標(biāo)號(hào):
圖1:I 像素電路；10 開(kāi)關(guān)晶體管；11 驅(qū)動(dòng)晶體管；12 電容器；13 發(fā)光二極管；DSlO 數(shù)據(jù)信號(hào)；IlO 驅(qū)動(dòng)電流；SSlO 掃描信號(hào)。圖2:2 像素電路；20 開(kāi)關(guān)晶體管；21 驅(qū)動(dòng)晶體管；22 電容器；23 二極管；B20、B21 上柵極端；D20、D21 漏極端；DS20 數(shù)據(jù)信號(hào)；G20、G21 下柵極端；120 驅(qū)動(dòng)電流；N20 節(jié)點(diǎn)；S20、S21 源極端；SS20 掃描信號(hào)；VDD、VSS 電壓源。圖3-圖 4: 30、31、40、41 曲線;TO、Tl 時(shí)間點(diǎn)；圖5:500 基板；501、505、506、508、509、511 導(dǎo)電層；502,504,509 絕緣層；503 主動(dòng)層；504 絕緣層；507 保護(hù)層；510 有機(jī)層；圖6:6 像素電路；60 開(kāi)關(guān)晶體管；61 驅(qū)動(dòng)晶體管；62 電容器；63 發(fā)光二極管；64 二極管；B60、B61 上柵極端；D60、D61 漏極端；DS60 數(shù)據(jù)信號(hào)；G60、G61 下柵極端；160 驅(qū)動(dòng)電流；N60 節(jié)點(diǎn)；S60、S61 源極端；SS60 掃描信號(hào)；VDD、VSS 電壓源。圖7A-圖 7B:700 基板；701,702,707.710、712、715 導(dǎo)電層；703、706、713 絕緣層；704,705 主動(dòng)層；711 保護(hù)層；714 有機(jī)層；716.721、722A、722B 開(kāi)口 ；圖8:
8 像素電路；80 開(kāi)關(guān)晶體管；81 驅(qū)動(dòng)晶體管；82 電容器；83 發(fā)光二極管；84、85 二極管；B80、B81 上柵極端；D80、D81 漏極端；DS80 數(shù)據(jù)信號(hào)；G80、G81 下柵極端；180 驅(qū)動(dòng)電流；N80 節(jié)點(diǎn)；S80、S81 源極端；SS80 掃描信號(hào)；VDD、VSS 電壓源；圖9:922A、922B 開(kāi)口。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖2表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素電路。參閱圖2，像素電路2適用于有機(jī)發(fā)光顯示面板，且包括開(kāi)關(guān)晶體管20、驅(qū)動(dòng)晶體管21、電容器22、以及二極管23。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管20與驅(qū)動(dòng)晶體管21都以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖2所示，開(kāi)關(guān)晶體管20具有上柵極端B20、下柵極端G20、以及兩電極端D20與S20。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管20的兩電極端D20與S20分別是漏極端與源極端。驅(qū)動(dòng)晶體管21具有上柵極端B21、下柵極端G21、以及兩電極端D21與S21。在此實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管21的兩電極端D21與S21分別是漏極端與源極端。開(kāi)關(guān)晶體管20的下柵極端G20接收一掃描信號(hào)SS20，其漏極端D20接收一數(shù)據(jù)信號(hào)DS20，且其源極端S20電連接一節(jié)點(diǎn)N20。驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21電連接節(jié)點(diǎn)N20，其漏極端D21電連接電壓源VDD，以及其源極S21端電連接二極管23的陽(yáng)極端。電容器22電連接于驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21與源極端S21之間。在圖2的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管20的上柵極端B20以及開(kāi)關(guān)晶體管21的上柵極端B21通過(guò)二極管23電連接電壓源VSS。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，二極管23的陽(yáng)極端電連接開(kāi)關(guān)晶體管20的上柵極端B20以及驅(qū)動(dòng)晶體管21的上柵極端B21，而二極管23的陰極端電連接電壓源VSS。在此實(shí)施例中，電壓源VSS提供的電壓低于電壓源VDD提供的電壓。在圖2的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管20的源極端S20以及驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21共同連接節(jié)點(diǎn)N20。在其他實(shí)施例中，依據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)DS22對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管21的驅(qū)動(dòng)路徑，開(kāi)關(guān)晶體管20的源極端S20與驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21之間可配置至少一元件，例如電容器以及開(kāi)關(guān)，使得開(kāi)關(guān)晶體管20的源極端S20與驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21彼此電連接。在另一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管21以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)施而開(kāi)關(guān)晶體管20以單柵極晶體管來(lái)實(shí)施。在此例子中，僅有驅(qū)動(dòng)晶體管21的上柵極端B21通過(guò)二極管23電連接電壓源VSS。參閱圖2，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管20根據(jù)掃描信號(hào)SS20而導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)DS20傳送至節(jié)點(diǎn)N20。驅(qū)動(dòng)晶體管21根據(jù)節(jié)點(diǎn)N20上的電壓來(lái)提供一驅(qū)動(dòng)電流120，以驅(qū)動(dòng)二極管23發(fā)光。圖3表示單柵極晶體管的漏極電流與柵極電壓的關(guān)系圖。圖4表示雙柵極晶體管的漏極電流與柵極電壓的關(guān)系圖。參閱圖3，曲線30表示單柵極晶體管在柵極-源極電壓大于零(Vgs > 0)的情況下，在使用時(shí)間TO時(shí)漏極電流(Id)與柵極(Vg)電壓的關(guān)系圖；曲線31表示單柵極晶體管在柵極-源極電壓大于零(Vgs>0)的情況下，在使用時(shí)間Tl時(shí)漏極電流與柵極電壓的關(guān)系圖，其中，使用時(shí)間Tl晚于T0。根據(jù)圖3可得知，隨著使用時(shí)間增加，單柵極晶體管的臨界電壓正向偏移。參閱圖4，曲線40表示雙柵極晶體管在上柵極-源極電壓小于或等于零(Vbs ( 0)的情況下，在使用時(shí)間TO時(shí)漏極電流與下柵極電壓的關(guān)系圖；曲線41表示雙柵極晶體管在上柵極-源極電壓小于或等于零(VbsSO)的情況下，在使用時(shí)間Tl時(shí)漏極電流與下柵極電壓的關(guān)系圖。根據(jù)圖4可得知，隨著使用時(shí)間增力口，雙柵極晶體管的臨界電壓正向偏移。根據(jù)圖3-圖4可得知，隨著使用時(shí)間增加，雙柵極晶體管的臨界電壓正向偏移量小于單柵極晶體管的臨界電壓正向偏移量。根據(jù)圖2的實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)晶體管21的上柵極端B21與源極端S21彼此電連接在一起。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管21的上柵極-源極電壓(Vbs)等于零。此外，開(kāi)關(guān)晶體管20的上柵極-源極電壓(Vbs)小于零。根據(jù)雙柵極晶體管的特性，在長(zhǎng)時(shí)間使用像素電路2時(shí)，可減少臨界電壓的偏移量，藉此提高影像均勻度。圖5表示像素電路2中驅(qū)動(dòng)晶體管21與發(fā)光二極管23的結(jié)構(gòu)截面圖。參閱圖5，像素電路2包括基板500、導(dǎo)電層501、505-506、508-509、與511、絕緣層502、504、509、主動(dòng)層503、絕緣層504、保護(hù)層507、以及有機(jī)層510。導(dǎo)電層501配置在基板500，且作為驅(qū)動(dòng)晶體管21的下柵極端G21。絕緣層502配置在基板500上，且覆蓋導(dǎo)電層501。主動(dòng)層503配置在絕緣層502上，且位于導(dǎo)電層501上方。在此實(shí)施例中，主動(dòng)層503可包括銦鎵鋅氧化物(InGaZn04，IGZ0)。絕緣層504配置在絕緣層502上，且覆蓋主動(dòng)層503。參閱圖5，絕緣層504具有兩個(gè)開(kāi)口 512與513，以暴露部分的主動(dòng)層503。導(dǎo)電層505配置在絕緣層504上，且延伸入開(kāi)口 512以連接主動(dòng)層503。導(dǎo)電層505作為驅(qū)動(dòng)晶體管21的源極端S21。導(dǎo)電層506配置在絕緣層504上，且延伸入開(kāi)口 513以連接主動(dòng)層503。導(dǎo)電層506作為驅(qū)動(dòng)晶體管21的漏極端D21。保護(hù)層507配置在絕緣層504上，且覆蓋導(dǎo)電層505與506。保護(hù)層504具有開(kāi)口514，以暴露導(dǎo)電層505。導(dǎo)電層508配置在保護(hù)層507上，且具有兩部分508A與508B。導(dǎo)電層508的一部份508A延伸入開(kāi)口 514以連接導(dǎo)電層505。導(dǎo)電層508的另一部份508B位于主動(dòng)層503上方并作為驅(qū)動(dòng)晶體管21的上柵極端B21。絕緣層509配置在導(dǎo)電層508上，且具有開(kāi)口 515，以暴露導(dǎo)電層508的一部分508A。有機(jī)層510配置在絕緣層509上，且延伸入開(kāi)口 515以連接導(dǎo)電層508的一部份508A。在此實(shí)施例中，有機(jī)層510包括有機(jī)材料。導(dǎo)電層511配置在有機(jī)層510基層上。參閱圖5，導(dǎo)電層501、505、506、與508形成驅(qū)動(dòng)晶體管21，而導(dǎo)電層508的一部分508A、有機(jī)層510、以及導(dǎo)電層511形成二極管23。圖6表不根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素電路。參閱圖6,像素電路6適用于有機(jī)發(fā)光顯示面板，且包括開(kāi)關(guān)晶體管60、驅(qū)動(dòng)晶體管61、電容器62、發(fā)光二極管63、以及二極管64。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管60與驅(qū)動(dòng)晶體管61都以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖6所示，開(kāi)關(guān)晶體管60具有上柵極端B60、下柵極端G60、以及兩電極端D60與S60。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管60的兩電極端D60與S60分別是漏極端與源極端。驅(qū)動(dòng)晶體管61具有上柵極端B61、下柵極端G61、以及兩電極端D61與S61。在此實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管61的兩電極端D61與S61分別是漏極端與源極端。開(kāi)關(guān)晶體管60的下柵極端G60接收一掃描信號(hào)SS60，其漏極端D60接收一數(shù)據(jù)信號(hào)DS60，且其源極端S60電連接一節(jié)點(diǎn)N60。驅(qū)動(dòng)晶體管61的下柵極端G61電連接節(jié)點(diǎn)N60，其漏極端D61電連接電壓源VDD，以及其源極S61端電連接發(fā)光二極管63的陽(yáng)極端。電容器62電連接于開(kāi)關(guān)晶體管62的下柵極端G61與源極端S61之間。發(fā)光二極管63的陰極端在電連接電壓源VSS。圖6的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極端B60以及驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61通過(guò)二極管64電連接電壓源VSS。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，二極管64的陽(yáng)極端電連接開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極端B60以及驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61，而二極管64的陰極端電連接電壓源VSS。在此實(shí)施例中，電壓源VSS提供的電壓低于電壓源VDD提供的電壓。在另一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管61以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)施而開(kāi)關(guān)晶體管60以單柵極晶體管來(lái)實(shí)施。在此例子中，僅有驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61通過(guò)二極管64電連接電壓源VSS。 參閱圖6，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管60根據(jù)掃描信號(hào)SS60而導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)DS60傳送至節(jié)點(diǎn)N60。驅(qū)動(dòng)晶體管21根據(jù)節(jié)點(diǎn)N60上的電壓來(lái)提供一驅(qū)動(dòng)電流160，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管63發(fā)光。根據(jù)圖6的實(shí)施例，二極管64的陽(yáng)極端電連接開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極端B60以及驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61。由于開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極端B60與驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61未額外施加電壓源，二極管64與開(kāi)關(guān)晶體管60以及驅(qū)動(dòng)晶體管61并沒(méi)有形成電流路徑，因此，沒(méi)有電流流經(jīng)二極管64，且二極管64不會(huì)發(fā)光。二極管64的陽(yáng)極端上的電壓最終會(huì)接近或等于電壓源VSS所提供的電壓。藉此可得知，驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極-源極電壓(Vbs)以及開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極-源極電壓(Vbs)會(huì)小于或等于零。根據(jù)圖3-圖4所示的雙柵極晶體管的特性，在長(zhǎng)時(shí)間使用像素電路6時(shí)，可減少臨界電壓的偏移量，藉此提高影像均勻度。圖7A表示像素電路6中，開(kāi)關(guān)晶體管60、驅(qū)動(dòng)晶體管61、發(fā)光二極管63、以及二極管64的結(jié)構(gòu)截面圖。參閱圖7，像素電路6包括基板700、導(dǎo)電層701-702、707-710、712、與715、絕緣層703、706、與713、主動(dòng)層704-705、保護(hù)層711、以及有機(jī)層714。導(dǎo)電層701配置在基板700上，且作為驅(qū)動(dòng)晶體管61的柵極端G61。導(dǎo)電層702配置在基板700，且作為開(kāi)關(guān)晶體管60的柵極端。G60。絕緣層703配置在基板700上，且覆蓋導(dǎo)電層701與702。主動(dòng)層704配置在絕緣層703上，且位于導(dǎo)電層701上方。主動(dòng)層705配置在絕緣層703上，且位于導(dǎo)電層707上方。在此實(shí)施例中，主動(dòng)層704與705可包括銦鎵鋅氧化物(InGaZn04，IGZO) o絕緣層706配置在絕緣層703上，且覆蓋主動(dòng)層704與705。絕緣層706具有開(kāi)口716與717以暴露部分的該主動(dòng)層704，以及具有開(kāi)口 718與719以暴露部分的主動(dòng)層705。導(dǎo)電層707配置在絕緣層706上，且延伸入開(kāi)口 707以連接主動(dòng)層704，其中，導(dǎo)電層707作為驅(qū)動(dòng)晶體管61的源極端S61。導(dǎo)電層708配置在絕緣層706上，且延伸入開(kāi)口 717以連接主動(dòng)層704，其中，導(dǎo)電層708作為驅(qū)動(dòng)晶體管61的漏極端D61。導(dǎo)電層709配置在絕緣層706上，且延伸入開(kāi)口 718以連接主動(dòng)層705，其中，導(dǎo)電層709作為開(kāi)關(guān)晶體管60的源極端S60，且導(dǎo)電層701電性連接。導(dǎo)電層710配置在絕緣層706上，且延伸入開(kāi)口 719以連接主動(dòng)層705，其中，導(dǎo)電層710作為開(kāi)關(guān)晶體管60的漏極端D60。保護(hù)層711配置在絕緣層706上，且覆蓋導(dǎo)電層708-710。保護(hù)層711具有開(kāi)口 720以暴露導(dǎo)電層707。導(dǎo)電層712配置在保護(hù)層711上，且具有四個(gè)部份712A、712B、712C、以及712D。導(dǎo)電層712的一部份712A分離其他部分712B-712D，即導(dǎo)電層712的一部份712A與其他部分712B-712D不相連。導(dǎo)電層712的一部份712A延伸入開(kāi)口 720以連接導(dǎo)電層707。導(dǎo)電層712的一部份712B位于主動(dòng)層704上方并作為驅(qū)動(dòng)晶體管61的上柵極端B61。導(dǎo)電層712的另一部份712D位于主動(dòng)層705上方，并作為開(kāi)關(guān)晶體管60的上柵極端B60。絕緣層713配置在導(dǎo)電層712上，且具有一開(kāi)口 721以暴露導(dǎo)電層712的第一部分712A，以及具有一開(kāi)口 722A以暴露導(dǎo)電層712的一部分712C。導(dǎo)電層712的一部分712B位于兩部份712A與712C之間。有機(jī)層714配置在絕緣層713上，且延伸入開(kāi)口 721以連接導(dǎo)電層712的一部份712A，以及延伸入開(kāi)口 722A以連接導(dǎo)電層712的一部份712C。在此實(shí)施例中，有機(jī)層714包括有機(jī)材料。導(dǎo)電層715配置在有機(jī)層714上。導(dǎo)電層712的一部分712C、有機(jī)層714、與導(dǎo)電層715形成二極管64，導(dǎo)電層712的一部分712A、有機(jī)層714、與導(dǎo)電層715形成發(fā)光二極管63。在圖7A中，絕緣層713的開(kāi)口 722A暴露導(dǎo)電層712的一部分712C。在其他實(shí)施例中，絕緣層713可具有一開(kāi)口，其暴露導(dǎo)電層712的一部分712B或712D。舉例來(lái)說(shuō)，參閱圖7B，絕緣層713具有一開(kāi)口 722B，其暴露導(dǎo)電層712的一部分712B。根據(jù)圖7B結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層712的一部分712B、有機(jī)層714、與導(dǎo)電層715形成二極管64。圖8表不根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素電路。參閱圖8,像素電路8適用于有機(jī)發(fā)光顯示面板，且包括開(kāi)關(guān)晶體管80、驅(qū)動(dòng)晶體管81、電容器82、發(fā)光二極管83、以及二極管84與85。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管80與驅(qū)動(dòng)晶體管81都以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖8所示，開(kāi)關(guān)晶體管80具有上柵極端B80、下柵極端G80、以及兩電極端D80與S80。在此實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管80的兩電極端D80與S80分別是漏極端與源極端。驅(qū)動(dòng)晶體管81具有上柵極端B81、下柵極端G81、以及兩電極端D81與S81。在此實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管81的兩電極端D81與S81分別是漏極端與源極端。開(kāi)關(guān)晶體管80的下柵極端G80接收一掃描信號(hào)SS80，其漏極端D80接收一數(shù)據(jù)信號(hào)DS80，且其源極端S80電連接一節(jié)點(diǎn)N80。驅(qū)動(dòng)晶體管81的下柵極端G81電連接節(jié)點(diǎn)N80，其漏極端D81電連接電壓源VDD，以及其源極S81端電連接發(fā)光二極管83的陽(yáng)極端。電容器82電連接于開(kāi)關(guān)晶體管82的下柵極端G81與源極端S81之間。發(fā)光二極管83的陰極端在電連接電壓源VSS。圖8的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管80的上柵極端B80通過(guò)二極管85電連接電壓源VSS，而驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極端B81通過(guò)二極管84電連接電壓源VSS。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，二極管85的陽(yáng)極端電連接開(kāi)關(guān)晶體管80的上柵極端B80，而二極管85的陰極端電連接電壓源VSS ;二極管84的陽(yáng)極端驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極端B81，而二極管84的陰極端電連接電壓源VSS。在此實(shí)施例中，電壓源VSS提供的電壓低于電壓源VDD提供的電壓。在另一實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管81以一雙柵極晶體管來(lái)實(shí)施而開(kāi)關(guān)晶體管80以單柵極晶體管來(lái)實(shí)施。在此例子中，僅有驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極端B81通過(guò)二極管84電連接電壓源VSS。參閱圖8，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管80根據(jù)掃描信號(hào)SS80而導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)DS80傳送至節(jié)點(diǎn)N80。驅(qū)動(dòng)晶體管21根據(jù)節(jié)點(diǎn)N80上的電壓來(lái)提供一驅(qū)動(dòng)電流180，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管83發(fā)光。根據(jù)圖8的實(shí)施例，二極管85的陽(yáng)極端電連接開(kāi)關(guān)晶體管80的上柵極端B80，且二極管84的陽(yáng)極端電連接驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極端B81。由于開(kāi)關(guān)晶體管80的上柵極端B80與驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極端B81未施加電壓，因此，沒(méi)有電流流經(jīng)二極管85與84，且二極管85與84不會(huì)發(fā)光。二極管85的陽(yáng)極端上的電壓最終等于電壓源VSS所提供的電壓，且二極管84的陽(yáng)極端上的電壓最終等于電壓源VSS所提供的電壓。藉此可得知，驅(qū)動(dòng)晶體管81的上柵極-源極電壓(Vbs)等于零，且開(kāi)關(guān)晶體管80的上柵極-源極電壓(Vbs)也等于零。根據(jù)圖3-圖4所示的雙柵極晶體管的特性，在長(zhǎng)時(shí)間使用像素電路8時(shí)，可減少臨界電壓的偏移量，藉此提高影像均勻度。圖9表示像素電路8中，開(kāi)關(guān)晶體管80、驅(qū)動(dòng)晶體管81、發(fā)光二極管83、以及二極管84與85的結(jié)構(gòu)截面圖。參閱圖9，像素電路8的結(jié)構(gòu)與像素電路6的結(jié)構(gòu)大致相同，其相異之處在于為了形成二極管84與85，絕緣層713具有兩個(gè)開(kāi)口 922A與922B，取代了圖7的開(kāi)口 722A。開(kāi)口 922A與922B分別暴露導(dǎo)電層712的兩部分712B與712D。根據(jù)圖9結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層712的一部分712B、有機(jī)層714、與導(dǎo)電層715形成二極管74 ;導(dǎo)電層712的一部分712D、有機(jī)層714、與導(dǎo)電層715形成二極管85。此外，在圖9中，由于二極管84與85的形成，導(dǎo)電層712的兩部分712B與712D彼此分離(彼此不相連)。本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其特征在于，包括: 一開(kāi)關(guān)晶體管，具有第一柵極端接收一掃描信號(hào)、第一電極端接收一數(shù)據(jù)信號(hào)、以及第二電極端； 一驅(qū)動(dòng)晶體管，具有第一柵極端電連接至所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二電極端、第二柵極端、第一電極端電連接一第一電壓源、以及第二電極端；以及 一第一二極管，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端通過(guò)所述第一二極管電連接一第二電壓源，且所述第二電壓源提供的電壓低于所述第一電壓源提供的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述第一二極管的陽(yáng)極端電連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端以及第二電極端，所述第一二極管的陰極端電連接所述第二電壓源。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述第一二極管為一發(fā)光二極管，且所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供一驅(qū)動(dòng)電流，以驅(qū)動(dòng)所述第一二極管發(fā)光。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端，且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第 二柵極端電連接所述第一二極管的陽(yáng)極端。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述第一二極管的陽(yáng)極端電連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端，所述第一二極管的陰極端電連接所述第二電壓源。
6.如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，更包括一發(fā)光二極管，電連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端與所述第二電壓源之間。
7.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供一驅(qū)動(dòng)電流，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光二極管發(fā)光。
8.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端，且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端電連接所述第一二極管的陽(yáng)極端。
9.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，更包括一第二二極管，其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端，所述第二二極管的陽(yáng)極端電連接所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端，且所述第二二極管的陰極端電連接所述且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端電連接所述第二電壓源。
10.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端，且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端通過(guò)所述第一二極管電連接所述第二電壓源。
11.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，更包括一第二二極管，其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括第二柵極端，且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端通過(guò)所述第二二極管電連接所述第二電壓源。
12.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，更包括: 一基板，所述驅(qū)動(dòng)晶體管，配置在所述基板上； 一保護(hù)層，配置在所述基板上，且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)晶體管，其中，所述保護(hù)層具有一第一開(kāi)口以暴露所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端； 一第一導(dǎo)電層，配置在所述保護(hù)層上，且具有第一部份以及第二部分，其中，所述第一導(dǎo)電層的第一部份延伸入所述第一開(kāi)口以連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端，且所述第一導(dǎo)電層的第二部份位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管上方并作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端； 一絕緣層，配置在所述第一導(dǎo)電層上，且具有一第二開(kāi)口，以暴露所述第一導(dǎo)電層的第一部分； 一有機(jī)層，配置在所述第三絕緣層上，且延伸入所述第二開(kāi)口以連接所述第一導(dǎo)電層的第一部份；以及 一第二導(dǎo)電層，配置在所述有機(jī)層上，其中，所述第二導(dǎo)電層、所述有機(jī)層、以及所述第一導(dǎo)電層的第一部分形成所述第一二極管。
13.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，更包括: 一基板，所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管，配置在所述基板上； 一保護(hù)層，配置在所述基板上，且覆蓋所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管，其中，所述保護(hù)層具有一第一開(kāi)口，以暴露 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端； 一第一導(dǎo)電層，配置在所述保護(hù)層上，且具有第一部份以及第二部分，其中，所述第一導(dǎo)電層的第一部份延伸入所述第一開(kāi)口以連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端，所述第一導(dǎo)電層的第二部份覆蓋于所述驅(qū)動(dòng)晶體管上方并作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端，其中，第一導(dǎo)電層的第一部分與第二部分不相連； 一絕緣層，配置在所述第一導(dǎo)電層上，且具有一第二開(kāi)口以暴露所述第一導(dǎo)電層的第一部分，以及具有一第三開(kāi)口以暴露所述第一導(dǎo)電層的第二部分； 一有機(jī)層，配置在所述絕緣層上，且延伸入所述第二開(kāi)口以連接所述第一導(dǎo)電層的第一部份，以及延伸入所述第三開(kāi)口以連接所述第一導(dǎo)電層的第二部份；以及 一第二導(dǎo)電層，配置在所述有機(jī)層上，其中，所述第二導(dǎo)電層、所述有機(jī)層、以及所述第一導(dǎo)電層的第二部分形成所述第一二極管。
14.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，更包括一發(fā)光二極管，電連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極端與所述第二電壓源之間，其中，所述第二導(dǎo)電層、所述有機(jī)層、以及所述第一導(dǎo)電層的第一部分形成所述發(fā)光二極管。
15.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)晶體管更包括一第二柵極端，且所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端通過(guò)所述第一二極管電連接所述第二電壓源；以及 其中，所述第一導(dǎo)電層的第二部份作為所述開(kāi)關(guān)晶體管的第二柵極端。
16.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層，更具有第三部份覆蓋于所述驅(qū)動(dòng)晶體管上方并作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端，且所述第一導(dǎo)電層的第三部分與第二部分不相連；以及 其中，所述絕緣層具有一第四開(kāi)口以暴露所述第一導(dǎo)電層的第三部分，且所述第二導(dǎo)電層、所述有機(jī)層、以及所述第一導(dǎo)電層的第三部分形成所述第二二極管。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種像素電路，其包括一開(kāi)關(guān)晶體管、一驅(qū)動(dòng)晶體管、以及一第一二極管。開(kāi)關(guān)晶體管具有第一柵極端接收一掃描信號(hào)、第一電極端接收一數(shù)據(jù)信號(hào)、以及第二電極端。驅(qū)動(dòng)晶體管，具有第一柵極端電連接至開(kāi)關(guān)晶體管的第二電極端、第二柵極端、第一電極端電連接一第一電壓源、以及第二電極端。驅(qū)動(dòng)晶體管的第二柵極端通過(guò)第一二極管電連接一第二電壓源。第二電壓源提供的電壓低于第一電壓源提供的電壓。本發(fā)明實(shí)施例的像素電路可減少臨界電壓的偏移量，藉此提高影像均勻度。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103198785SQ201210000799
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者周政旭, 郭鴻儒, 林信宏 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司