專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及有機(jī)EL顯示器件和電子裝置。
背景技術(shù)：
作為平面型(平板型)顯示器件之一，存在將所謂的電流驅(qū)動(dòng)電光元件(其發(fā)光亮度依據(jù)流經(jīng)該元件的電 流的值而改變)用作像素的發(fā)光器(發(fā)光元件)的顯示器件。作為電流驅(qū)動(dòng)電光元件，有機(jī)EL元件是已知的。有機(jī)EL元件利用有機(jī)材料的電致發(fā)光(EL)，并且使用有機(jī)薄膜在被施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)光的現(xiàn)象。使用有機(jī)EL元件作為像素的發(fā)光器的有機(jī)EL顯示器件具有下列特點(diǎn)。確切地，由于可以用IOV或更低的外加電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件，因此有機(jī)EL元件具有低的功耗。有機(jī)EL元件是自發(fā)光元件，因此其相比于液晶顯示器件提供了高的圖像可視性。另外，由于有機(jī)EL元件不需要背燈之類的照明組件，因此有機(jī)EL元件容易允許顯示器件的重量和厚度的降低。此外，有機(jī)EL元件具有若干微秒的非常高速的響應(yīng)速度，因此不會(huì)出現(xiàn)運(yùn)動(dòng)圖像顯示中的殘像。作為有機(jī)EL顯示器件，通常知道利用掩膜(mask)通過汽化單獨(dú)應(yīng)用紅(R)、綠(G)和藍(lán)⑶的有機(jī)EL材料所獲得的所謂的RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)(RGB maskseparate-application system)的顯示器件。相比之下，為了顯示器件的尺寸和清晰度的增大的目的，存在這樣的顯示器件其在沒有RGB掩膜分離應(yīng)用的情況下獲得，并且其基于通過發(fā)出白光的有機(jī)EL元件(下文稱為“白色有機(jī)EL元件”)和濾色器的組合獲得RGB的各色光束的方式(例如參見日本專利特開No. 2003-123971)。

發(fā)明內(nèi)容
在基于白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的上述有機(jī)EL顯示器件中，存在對(duì)于各個(gè)像素公共地形成的公共層。像素之間公共層的存在引起下列問題。確切地，通過此公共層出現(xiàn)對(duì)于相鄰的像素的泄露，并且相鄰的像素(下文稱為“相鄰像素”)由于此泄露也略微發(fā)光。因此，色彩再現(xiàn)性(色彩純度)被惡化。這種問題不限于基于白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的有機(jī)EL顯示器件。確切地，由于通過此公共層出現(xiàn)對(duì)于相鄰像素的泄露，因此只要在像素之間存在公共層，則同樣的問題例如也出現(xiàn)于掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的有機(jī)EL顯示器件中。需要提供能夠消除對(duì)于相鄰像素的泄露的問題以取得良好的色彩再現(xiàn)性(色彩純度)的有機(jī)EL顯示器件和具有這種有機(jī)EL顯示器件的電子裝置的技術(shù)。根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，在該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，每一個(gè)均包括通過在陽極電極和陰極電極之間插入有機(jī)層所形成的有機(jī)電致發(fā)光元件的像素布置成矩陣方式。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包含公共層，其配置為包括在有機(jī)電致發(fā)光元件中，并且對(duì)于各像素公共地形成在有機(jī)層中；以及金屬互連，其配置為圍繞所述陽極電極的外圍，并且電連接至有機(jī)層。所述金屬互連的電位設(shè)為比所述陽極電極在有機(jī)電致發(fā)光元件的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。在具有上述配置的有機(jī)EL顯示器件中，電連接至有機(jī)層的金屬互連圍繞陽極電極而形成。由于此特點(diǎn)，即使泄露電流在橫向(lateral direction)上流經(jīng)有機(jī)層中的公共層時(shí)，此泄露電流也流向金屬互連側(cè)。這可以降低流入相鄰像素的泄露電流，由此抑制相鄰像素中的發(fā)光。根據(jù)本公開的該實(shí)施例，即使泄露電流在橫向上流經(jīng)有機(jī)層中的公共層時(shí)，也可以抑制相鄰像素中的發(fā)光。由此，可以取得良好的色彩再現(xiàn)性(色彩純度)。


圖I是示出本公開一個(gè)實(shí)施例應(yīng)用到的有源矩陣有機(jī)EL顯示器件的示意配置的系統(tǒng)配置示圖；圖2是示出像素(像素電路)的特定電路配置的一個(gè)示例的電路示圖；圖3是用于說明本公開一個(gè)實(shí)施例應(yīng)用到的有機(jī)EL顯示器件的基本電路操作的時(shí)序波形示圖；圖4A 4D是本公開一個(gè)實(shí)施例應(yīng)用到的有機(jī)EL顯示器件的基本電路操作的操作說明示圖(第一示圖)；圖5A 是本公開一個(gè)實(shí)施例應(yīng)用到的有機(jī)EL顯示器件的基本電路操作的操作說明示圖(第二示圖)；圖6A和6B是特性圖，圖6A用于說明驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化所引起的問題，圖6B用于說明驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率μ的變化所引起的問題；圖7是示出白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的系統(tǒng)(system)的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的剖面視圖；圖8是示出具有典型級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的主要部分的剖面視圖；圖9是示出采用白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的系統(tǒng)的顯示面板的等效電路的電路不圖；圖10是示出包括具有根據(jù)本公開實(shí)施例的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的主要部分的剖面視圖；圖11是不出陽極電極和其外圍的平面圖案不圖；圖12是關(guān)于實(shí)施例的操作和效果的說明示圖；圖13是示出具有根據(jù)實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的等效電路的電路示圖；圖14是示出采用RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的主要部分的剖面視圖；圖15是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖；圖16A和16B是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的外觀的透視圖圖16A是前側(cè)的透視圖，圖16B是后側(cè)的透視圖；圖17是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖；圖18是示出應(yīng)用本 公開一個(gè)實(shí)施例的視頻攝像機(jī)的外觀的透視圖；和圖19A 19G是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的蜂窩電話的外觀示圖圖19A是打開狀態(tài)的前視圖，圖19B是打開狀態(tài)的側(cè)視圖，圖19C是閉合狀態(tài)的前視圖，圖19D是左側(cè)視圖，圖19E是右側(cè)視圖，圖19F是頂部視圖，圖19G是底部視圖。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖詳細(xì)描述用于實(shí)施本公開技術(shù)的模式(下文稱為“實(shí)施例”)。描述的順序如下。I.應(yīng)用了本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件1-1.系統(tǒng)配置1-2.基本電路操作
1-3.白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的系統(tǒng)1-4.由于公共層的存在引起的泄露電流的問題2.實(shí)施例的描述2-1.用于降低泄漏電流的像素結(jié)構(gòu)2-2.實(shí)施例的操作和效果3.變型示例4.應(yīng)用示例(電子裝置)〈I.應(yīng)用了本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件〉[1-1.系統(tǒng)配置]圖I是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)EL顯示器件的示意配置的系統(tǒng)配置示圖。有源矩陣有機(jī)EL顯示器件是通過與有機(jī)EL元件(其是電流驅(qū)動(dòng)電光元件)的像素相同的像素中提供的有源元件(例如，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)控制流過此有機(jī)EL元件的電流的顯示器件。作為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常使用薄膜晶體管(TFT)。如圖I中所示，根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示器件10具有多個(gè)像素20，其每一個(gè)均包括有機(jī)EL元件；像素陣列部分30，其中這些像素20以矩陣方式二維安置；驅(qū)動(dòng)電路部分，其布置在此像素陣列部分30周圍。驅(qū)動(dòng)電路部分由寫掃描電路40、電源掃描電路50、信號(hào)輸出電路60等構(gòu)成，并且其驅(qū)動(dòng)像素陣列部分30的各個(gè)像素20。如果有機(jī)EL顯示器件10用于色彩顯示，則用作形成彩色圖像的單元的一個(gè)像素(單元像素)由多個(gè)子像素構(gòu)成，并且每個(gè)子像素等效于圖I中的像素20。確切地，在用于色彩顯示的顯示器件中，一個(gè)像素例如由三個(gè)子像素(用于發(fā)出紅(R)光的子像素、用于發(fā)出綠(G)光的子像素和用于發(fā)出藍(lán)(B)光的子像素)構(gòu)成。然而，一個(gè)像素的配置不限于RGB三原色的子像素的組合，也可以通過進(jìn)一步將一種顏色或多種顏色的子像素添加至三原色的子像素來配置一個(gè)像素。確切地，例如，也可以通過添加用于發(fā)出供亮度增強(qiáng)的白(W)光的子像素來配置一個(gè)像素，并且也可以通過添加至少一個(gè)用于發(fā)出供拓寬色彩再現(xiàn)范圍的補(bǔ)色光的子像素來配置一個(gè)像素。在像素陣列部分30中，對(duì)于m行和η列的像素20的布置，掃描線Sl1 3U和電源線在每個(gè)像素行的基礎(chǔ)上沿著行方向(像素行上的各像素的布置方向)線接。再者，對(duì)于m行和η列的像素20的布置，信號(hào)線33i 33n在每個(gè)像素列的基礎(chǔ)上沿著列方向(像素列上的各像素的布置方向)線接。
掃描線 31m中的每一個(gè)均連接至相應(yīng)行的寫掃描電路40的輸出端。電源線32! 32m中的每一個(gè)均連接至相應(yīng)行的電源掃描電路50的輸出端。信號(hào)線33i 33n中的每一個(gè)均連接至相應(yīng)列的信號(hào)輸出電路60的輸出端。像素陣列部分30通常 形成在玻璃襯底之類的透明絕緣襯底上。由此，有機(jī)EL顯示器件10具有平面型(平板型)面板結(jié)構(gòu)。像素陣列部分30的各個(gè)像素20的驅(qū)動(dòng)電路可以通過使用無定形硅TFT或低溫多晶硅TFT而形成。如果使用低溫多晶硅TFT，則也可以如圖I中所示那樣將寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60安放在形成像素陣列部分30的顯示面板(基板)70上。寫掃描電路40利用與時(shí)鐘脈沖ck等同步地依次平移(傳輸)啟動(dòng)脈沖sp的移位寄存器電路加以配置。在將視頻信號(hào)的信號(hào)電壓寫入至像素陣列部分30的各個(gè)像素20時(shí)，此寫掃描電路40將寫掃描信號(hào)WS^S1 WSm)依次供給掃描線31 (31! 31m)，由此繼而在逐行的基礎(chǔ)上掃描像素陣列部分30的各個(gè)像素20 (線序掃描)。電源掃描電路50利用與時(shí)鐘脈沖ck等同步地依次平移啟動(dòng)脈沖sp的移位寄存器電路加以配置。此電源掃描電路50將能夠與寫掃描電路40的線序掃描同步地在第一供給電位Vcxp和低于第一供給電位Vrap的第二供給電位Vini之間切換的供給電位DS(DSl DSm)供給電源線。如稍后所述，像素20的發(fā)光/不發(fā)光由供給電位DS的vccp/vini的切換來控制。信號(hào)輸出電路60選擇性地輸出基準(zhǔn)電壓V-和與信號(hào)供給源(未示出)提供的亮度信息對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓vsig(下文通常只將其稱為“信號(hào)電壓”)。基準(zhǔn)電壓Vtjfs是用作視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的基礎(chǔ)的電位(例如，與視頻信號(hào)的黑電平等效的電位)，并且用于稍后描述的閾值校正處理。信號(hào)輸出電路60輸出的信號(hào)電壓Vsig/基準(zhǔn)電壓Vtjfs以寫掃描電路40的掃描所選擇的像素行為單位，經(jīng)由掃描線33(33i 33n)寫入至像素陣列部分30的各個(gè)像素20。即，信號(hào)輸出電路60采用以行(線)為單位寫入信號(hào)電壓Vsig的線序?qū)懭氲尿?qū)動(dòng)形式。(像素電路)圖2是示出像素(像素電路)20的特定電路配置的一個(gè)示例的電路示圖。像素20的發(fā)光器由作為電流驅(qū)動(dòng)電光元件(其發(fā)光亮度依據(jù)流經(jīng)該元件的電流的值而改變)的有機(jī)EL元件21形成。如圖2中所示，像素20利用有機(jī)EL元件21和通過將電流施加至有機(jī)EL元件21來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路加以配置。有機(jī)EL元件21的陰極電極連接至公共電源線34，該公共電源線34對(duì)于所有像素20公共地線接(所謂的地毯式互連(blanketinterconnect))。用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL兀件21的驅(qū)動(dòng)電路具有驅(qū)動(dòng)晶體管22、與晶體管23、保持電容24和輔助電容25。N溝道TFT可以用作驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫晶體管23。然而，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫晶體管23的導(dǎo)電類型的這種組合只是一個(gè)示例，導(dǎo)電類型的組合不限于此。驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極(源極/漏極電極)連接至電源線32，另一個(gè)電極(漏極/源極電極)連接至有機(jī)EL元件21的陽極電極。寫晶體管23的一個(gè)電極(源極/漏極電極)連接至掃描線33(33i 33n)，另一個(gè)電極(漏極/源極電極)連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。寫晶體管23的柵極電極連接至掃描線31(31-3m)在驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫晶體管23中，一個(gè)電極指的是與源極/漏極區(qū)電連接的金屬互連，另一個(gè)電極指的是與漏極/源極區(qū)電連接的金屬互連。依據(jù)一個(gè)電極和另一個(gè)電極之間的電位關(guān)系，有可能的是，一個(gè)電極用作源極電極或漏極電極，而另一個(gè)電極用作漏極電極或源極電極。保持電容24的一個(gè)電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，另一個(gè)電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一個(gè)電極和有機(jī)EL元件21的陽極電極。輔助電容25的一個(gè)電極連接至有機(jī)EL元件21的陽極電極，另一個(gè)電極連接至公共電源線34。輔助電容25根據(jù)需要加以提供，以便補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容的不足并且增強(qiáng)將視頻信號(hào)寫入至保持電容24的增益。即，輔助電容25不是絕對(duì)必要的組成元件，其在有機(jī)EL元件21的等效電容充分高的情況下可以予以省略。在此示例中，輔助電容25的另一個(gè)電極連接至公共電源線34。然而，另一個(gè)電極的連接對(duì)象不限于公共電源線34，只要連接對(duì)象是處于固定電位的節(jié)點(diǎn)即可。將輔助電容25的另一電極連接至固定電位的節(jié)點(diǎn)使得可以取得如下這樣的期望目標(biāo)補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容的不足并且增強(qiáng)將視頻信號(hào)寫入至保持電容24的增益。在具有上述配置的像素20中，寫晶體管23響應(yīng)于經(jīng)由掃描線31從寫掃描電路40施加至柵極電極的高有效寫掃描信號(hào)WS而變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。從而，寫晶體管23進(jìn)行經(jīng)由掃描線33從信號(hào)輸出電路60提供的與亮度信息對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig或基準(zhǔn)電壓Vofs的采樣，并且將其寫入在像素20中。這種寫入的信號(hào)電壓Vsig或基準(zhǔn)電壓Vtjfs施加至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極并且保持在保持電容24中。當(dāng)電源線32 (32! 32J的供給電位DS是第一供給電位Vcxp時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極用作漏極電極且另一個(gè)電極用作源極電極，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22工作在飽和區(qū)中。從而，驅(qū)動(dòng)晶體管22接收來自電源線32的電流的供給，并且基于電流驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的發(fā)光。確切地，驅(qū)動(dòng)晶體管22工作在飽區(qū)中，從而將具有基于保持電容24中保持的信號(hào)電壓Vsig的電壓值的電流值的驅(qū)動(dòng)電流供給有機(jī)EL元件21，并且通過其電流驅(qū)動(dòng)而使得有機(jī)EL元件21發(fā)光。當(dāng)供給電位DS從第一供給電位Vcxp切換至第二供給電位Vini時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極用作源極電極且另一個(gè)電極用作漏極電極，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22用作切換晶體管。從而，驅(qū)動(dòng)晶體管22停止驅(qū)動(dòng)電流至有機(jī)EL元件21的供給，并且將有機(jī)EL元件21轉(zhuǎn)到不發(fā)光狀態(tài)。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22還具有作為用以控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的功能。驅(qū)動(dòng)晶體管22的這種切換操作可以設(shè)定有機(jī)EL元件21處于不發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段(不發(fā)光時(shí)段)，并且控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段之比(占空)。通過這種占空控制，可以降低在一個(gè)顯示幀時(shí)段上伴隨著像素發(fā)光的殘余圖像模糊，由此尤其可以使得運(yùn)動(dòng)圖像的畫質(zhì)更棒。對(duì)于經(jīng)由電源線32從電源掃描電路50選擇性地提供的第一和第二供給電位Vccp和Vini，第一供給電位Vrap是用于將用以有機(jī)EL元件21的發(fā)光驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流供給驅(qū)動(dòng)晶體管22的供給電位。第二供給電位Vini是用于將反向偏置施加至有機(jī)EL元件21的供給電位。此第二供給電位Vini設(shè)為低于基準(zhǔn)電壓Vtjfs的電位(例如，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓為Vth時(shí)低于Vtxfs-Vth的電位),最好設(shè)為充分低于Vtxfs-Vth的電位。[1-2.基本電路操作]下面通過使用圖4A 的工作說明示圖,基于圖3的時(shí)序波形示圖描述具有上述配置的有機(jī)EL顯示器件10的基本電路操作。在圖4A 的工作說明示圖中，為了附圖的簡(jiǎn)化，通過開關(guān)符號(hào)示出寫晶體管23。再者，還示出了有機(jī)EL元件21的輔助電容25。 圖3的時(shí)序波形示圖示出掃描線31的電位(寫掃描信號(hào))WS、電源線32的電位(供給電位)DS、掃描線33的電位(VsigZXfs)和驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg與源極電位Vs中的每一個(gè)的變化。(先前顯示幀的發(fā)光時(shí)段)在圖3的時(shí)序波形示圖中，時(shí)間tn前的時(shí)段是先前顯示幀中有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段。在先前顯示幀的此發(fā)光時(shí)段中，電源線32的電位DS是第一供給電位(下文稱為“高電位IVcxp，并且寫晶體管23處于不導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)晶體管22設(shè)計(jì)為使得在此時(shí)工作在飽和區(qū)中。由此，如圖4Α中所示，基于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流(漏源電流)Ids經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管22從電源線32供給有機(jī)EL元件21。因此，有機(jī)EL元件21以基于驅(qū)動(dòng)電流Ids的電流值的亮度發(fā)光。(閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段)在時(shí)間tn，線序掃描的新顯示幀(當(dāng)前顯示幀)開始。此時(shí)，如圖4B中所示，電源線32的電位DS從高電位Veep切換到相對(duì)于信號(hào)線33的基準(zhǔn)電壓Vtjfs充分低于Vtjfs-Vth的第二供給電位(下文稱為“低電位”)Vini。這里，將有機(jī)EL元件21的閾值電壓定義為Vthel，并且將公共電源線34的電位(陰極電位)定義為VMth。如果將低電位Vini設(shè)定為使得滿足Vini < Vthel+Vcath的關(guān)系，則有機(jī)EL元件21變?yōu)榉聪蚱玫臓顟B(tài)，并且由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閹缀醯扔诘碗娢籚ini而停止其發(fā)光。接下來，掃描線31的電位WS在時(shí)間t12從低電位側(cè)轉(zhuǎn)變到高電位側(cè)。從而，寫晶體管23如圖4C中所示那樣變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，基準(zhǔn)電壓Vtjfs從信號(hào)輸出電路60供至掃描線33，因此驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg變?yōu)榛鶞?zhǔn)電壓V&。驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs是充分低于基準(zhǔn)電壓Vtjfs的電位(S卩，低電位Vini)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs是Vtjfs-Vil^除非Vtjfs-Vini高于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓vth，否則不能執(zhí)行稍后描述的閾值校正處理。因此，應(yīng)當(dāng)設(shè)定Vtjfs-Vini > Vth的電位關(guān)系。通過以此方式將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg固定到基準(zhǔn)電壓Vtjfs并且將源極電位入固定(安置)到低電位Vini來初始化電位的這種處理是稍后描述的閾值校正處理(閾值校正操作)之前的準(zhǔn)備(閾值校正準(zhǔn)備)處理。因此，基準(zhǔn)電壓v-和低電位Vini分別用作驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs的初始化電位。(閾值校正時(shí)段)接下來，在時(shí)間t13，電源線32的電位DS如圖4D中所示那樣從低電位Vini切換到高電位Vcxptl于是，開始閾值校正處理，其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg保持在基準(zhǔn)電壓V-。確切地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs開始朝著通過從柵極電位Vg中減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth所獲得的電位上升。
這里，出于方便，將把驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg的初始化電位Vtjfs用作基礎(chǔ)并且朝著通過從此初始化電位Vtjfs中減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth所獲得的電位改變?cè)礃O電位Vs的處理稱作閾值校正處理。隨同此閾值校正處理的進(jìn)展一起，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs在預(yù)定過程中會(huì)聚于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。與此閾值電壓Vth等效的電壓保持在保持電各24中。
為了電流在閾值校正處理的時(shí)段(閾值校正時(shí)段)中可以排它地流向保持電容24并且防止其流向有機(jī)EL元件21，公共電源線34的電位Veath設(shè)置為使得有機(jī)EL元件21在此時(shí)段中保持為截止?fàn)顟B(tài)。接下來，掃描線31的電位WS在時(shí)間t14轉(zhuǎn)變到低電位偵彳。從而，寫晶體管23如圖5A中所示那樣變?yōu)椴粚?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與掃描線33電隔離，從而變?yōu)楦】諣顟B(tài)。然而，由于柵源電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth，因此驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏源電流Ids不流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22。(信號(hào)寫入和遷移率校正時(shí)段)接下來，在時(shí)間t15，掃描線33的電位如圖5B中所示那樣從基準(zhǔn)電壓Vtjfs轉(zhuǎn)變?yōu)橐曨l信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。隨后，在時(shí)間t16，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娢粋?cè)。從而，如圖5C中所示，寫晶體管23變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)以進(jìn)行視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的采樣并且將其寫入在像素20中。由于寫晶體管23對(duì)于信號(hào)電壓Vsig的這種寫入，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg變?yōu)樾盘?hào)電壓vsig。在基于視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)該驅(qū)動(dòng)晶體管22時(shí)，通過與保持電容24中保持的閾值電壓Vth等效的電壓消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。這種閾值消除的原理的細(xì)節(jié)將在稍后加以描述。此時(shí)，有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))。因此，基于視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig從電源線32流向驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(漏源電流Ids)流入有機(jī)EL元件21的等效電容和輔助電容25。從而，開始有機(jī)EL元件21的等效電容和輔助電容25的充電。由于有機(jī)EL元件21的等效電容和輔助電容25的充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs隨著時(shí)間上升。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth在像素之間的變化已經(jīng)予以消除，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids取決于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ。驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ是配置驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率。這里，假設(shè)保持電容24的保持電壓Vgs與視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的比值(即，寫增益G)是I (理想值)。在此情況下，由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs朝著電位Vtjfs-Vth+ Δ V的上升，因此驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs變?yōu)閂sigUVth-AV0確切地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs的上升分量AV起作用以使得將其從保持電容24中保持的電壓(Vsig-Vtjf^Vth)中減去(S卩，以便使保持電容24中累積的電荷放電)。換言之，源極電位Vs的上升分量Λ V意味著對(duì)于保持電容24的負(fù)反饋。因此，源極電位Vs的上升分量AV等效于負(fù)反饋的反饋量。通過按此方式以基于流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的反饋量Λ V將負(fù)反饋施加至柵源電壓Vgs，可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids對(duì)于遷移率μ的依賴性。此消除處理是用以校正驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ在像素之間的變化的遷移率校正處理。確切地，當(dāng)向驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極寫入的視頻信號(hào)的信號(hào)幅值Vin(=Vsig-Vofs)更高時(shí)，漏源電流Ids更大，由此負(fù)反饋的反饋量Λν的絕對(duì)值也更大。因此，執(zhí)行基于發(fā)光亮度級(jí)別的遷移率校正處理。如果視頻信號(hào)的信號(hào)幅值Vin設(shè)為常數(shù)，則當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ更高時(shí)，負(fù)反饋的反饋量AV的絕對(duì)值也更大。由此，可以去除遷移率μ在像素之間的變化。因此，也可以將負(fù)反饋的反饋量AV視為遷移率校正處理的校正量。遷移率校正的原理的細(xì)節(jié)將在稍后加以描述。(發(fā)光時(shí)段)接下來，掃描線31的電位WS在時(shí)間t17轉(zhuǎn)變到低電位偵彳。從而，寫晶體管23如圖5D中所示那樣變?yōu)椴粚?dǎo)通狀態(tài)。由此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與掃描線33電隔離并因此變?yōu)楦】諣顟B(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極處于浮空狀態(tài)時(shí)，由于保持電容24連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間，因此柵極電位Vg也與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs的變化一起變化。與源極電位Vs的變化一起的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg的這種變化的操作是保持電容24的自舉操作。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極變?yōu)楦】諣顟B(tài)，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids同步地開始流向有機(jī)EL元件21。從而，有機(jī)EL元件21的陽極電位依據(jù)此電流Ids上升。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位超過Vthel+Veath時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流開始流向有機(jī)EL元件21,由此有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。有機(jī)EL元件21的陽極電位的上升或多或少地只不過是驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs的上升。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs上升時(shí)，由于保持電容24的自舉操作，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg也與此源極電位上升一起上升。此時(shí)，如果假設(shè)自舉增益為I (理想值)，則柵極電位Vg的上升量等于源極電位Vs的上升量。因此，在發(fā)光時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs保持恒定為Vsig-Vofs+Vth- Δ V。在時(shí)間t18，掃描線33的電位從視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig切換到基準(zhǔn)電壓
Vofs 在上述一系列電路操作中，在一個(gè)水平掃描時(shí)段(IH)中執(zhí)行閾值校正準(zhǔn)備、閾值校正、信號(hào)電壓Vsig的寫入(信號(hào)寫入)和遷移率校正的各個(gè)處理操作。再者，在從時(shí)間t16 時(shí)間t17的時(shí)段中，并行地執(zhí)行信號(hào)寫入和遷移率校正的各個(gè)處理操作。[分割閾值校正]以采用僅執(zhí)行閾值校正處理一次的驅(qū)動(dòng)方法的情況作為示例進(jìn)行以上描述。然而，此驅(qū)動(dòng)方法僅是一個(gè)示例，驅(qū)動(dòng)方法不限于此。例如，也可以采用進(jìn)行所謂的分割閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法，即，除了在連同遷移率校正和信號(hào)寫入處理一起執(zhí)行閾值校正處理的IH時(shí)段之外，還在此IH時(shí)段之前的多個(gè)水平掃描時(shí)段上以分割的方式多次執(zhí)行閾值校正處理。如果采用這種利用分割閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法，則即使作為一個(gè)水平掃描時(shí)段分配的時(shí)間由于與清晰度增強(qiáng)相關(guān)聯(lián)的像素?cái)?shù)目增加而變短時(shí)，在多個(gè)水平掃描時(shí)段上也可以確保充分的時(shí)間作為閾值校正時(shí)段。因此，即使作為一個(gè)水平掃描時(shí)段分配的時(shí)間變短，由于可以確保充分的時(shí)間作為閾值校正時(shí)段，因此也可以確信地執(zhí)行閾值校正處理。[閾值消除的原理]下面描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值消除(即，閾值校正)的原理。驅(qū)動(dòng)晶體管22設(shè)計(jì)為使得工作在飽和區(qū)中，并因此用作恒流源。由此，將下列等式(I)給出的恒定的漏源電流(驅(qū)動(dòng)電流)Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管22供給有機(jī)EL元件21。Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2 …(I)在此等式中，W是驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度。L是溝道長(zhǎng)度。Cm是每單位面積的柵電容。圖6Α示出驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids相對(duì)于柵源電壓Vgs的特性。如圖6Α的特性示圖中所示，除非執(zhí)行針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth在像素之間的變化的消除處理(校正處理)，否則在閾值電壓Vth為Vt hl時(shí)，與柵源電壓Vgs對(duì)應(yīng)的漏源電流Ids為Idsl。另一方面，當(dāng)閾值電壓Va Svth2 (Vth2 > Vthl)時(shí)，與同一柵源電壓Vgs對(duì)應(yīng)的漏源電流Ids為Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth變化，則即使在柵源電壓Vgs恒定的時(shí)候，漏源電流Ids也變化。在具有上述配置的像素(像素電路)20中，處于發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs如上所述那樣為VsigUVth-Λ V。因此，如果在等式⑴中替換此電壓Vgs，貝U用下列的等式⑵表示漏源電流Ids。Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-AV)2 …(2)S卩，消除了驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth項(xiàng)，從而從驅(qū)動(dòng)晶體管22供給有機(jī)EL元件21的漏源電流Ids不依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，即使當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的制造工藝的變化、隨著時(shí)間的改變等而在像素之間變化時(shí)，漏源電流Ids也不會(huì)變化，由此有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度可以保持恒定。[遷移率校正的原理]下面描述針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率校正的原理。圖6B示出對(duì)于像素A(其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ相對(duì)更高)和像素B (其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ相對(duì)更低)之間的比較的特征曲線。如果用多晶硅薄膜晶體管等配置驅(qū)動(dòng)晶體管22，則遷移率μ不可避免地在如像素A和像素B的像素之間變化。下面關(guān)于遷移率μ在像素A和B之間變化并且例如將處于相同電平的信號(hào)幅值Vin( = Vslg-V0J寫入至像素A和B兩者的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的情況進(jìn)行考慮。在此情況下，如果完全沒有進(jìn)行遷移率μ的校正，則在流入具有更高遷移率μ的漏源電流Idsl’和流入具有更低遷移率μ的像素B的漏源電流Ids2’之間出現(xiàn)大的差異。如果以此方式由于像素之間遷移率μ的變化而在像素之間出現(xiàn)漏源電流Ids的大的差異，則破壞了屏幕的均勻性(均衡性)。如根據(jù)上述等式(I)的晶體管特性表達(dá)式顯而易見的，更高的遷移率產(chǎn)生更大的漏源電流Ids。因此，遷移率μ越高，則負(fù)反饋的反饋量Δν越大。如圖6Β中所示,具有更高遷移率μ的像素A中的反饋量AV1大于具有更低遷移率μ的像素B中的反饋量Λν2。因此，如果通過遷移率校正處理以基于驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的反饋量Λ V將負(fù)反饋施加至柵源電壓Vgs，則當(dāng)遷移率μ更高時(shí)，這種負(fù)反饋的程度更大。結(jié)果，可以抑制像素之間遷移率μ的變化。確切地，當(dāng)在具有更高遷移率μ的像素A中進(jìn)行具有反饋量AV1的校正時(shí)，漏源電流IdsWidsl’很大程度地下降至idsl。相比之下，具有更低遷移率μ的像素B中的反饋量八^是小的。因此，漏源電流Ids不會(huì)如此很大程度地下降，即，從Ids2’下降到ids2。結(jié)果，像素A的漏源電流Idsl幾乎等于像素B的漏源電流Ids2，從而校正了像素之間遷移率μ的變化。總之，當(dāng)存在具有不同遷移率μ的像素A和像素B的時(shí)候，具有更高遷移率μ的像素A中的反饋量AV1大于具有更低遷移率μ的像素B中的反饋量AV2。S卩，在具有更高遷移率μ的像素中，反饋量Λ V更大并且漏源電流Ids的減小量更大。因此，通過以基于驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏源電流Ids的反饋量AV將負(fù)反饋應(yīng)用于柵源電壓Vgs，使得具有不同遷移率μ的像素的漏源電流Ids的電流值一致。結(jié)果，可以校正不同像素之間遷移率μ的變化。即，遷移率校正處理是以基于流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(漏源電流Ids)的反饋量(校正量)AV將負(fù)反饋施加至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵源電壓Vgs(即，保持電容24)的處理。[1-3.白色有機(jī)EL元件和濾色器的組合的系統(tǒng)] 在根據(jù)上述本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示器件10中，未使用RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)，而是采用如圖7中所示那樣通過白色有機(jī)EL元件21 和濾色器80的組合獲得RGB的各色光束的系統(tǒng)(system)。RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)是利用掩膜通過汽化(evaporation)單獨(dú)地應(yīng)用RGB的有機(jī)EL材料的系統(tǒng)。白色有機(jī)EL元件21w和濾色器80的組合的系統(tǒng)適合于顯示面板70的尺寸和清晰度的增大。(具有級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件)作為白色有機(jī)EL元件21w，具有級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件是廣泛已知的。例如，通過以連接層為媒介、以串聯(lián)(級(jí)聯(lián))方式耦接(堆疊)有機(jī)層(其包括RGB的各個(gè)發(fā)光層)的多個(gè)單元(發(fā)光單元)，形成級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。通過RGB的各個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光的疊加，從具有這種級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件獲得白光。圖8是示出具有典型級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的主要部分的剖面視圖。這里，以三級(jí)的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)作為一個(gè)示例，并且為了示圖的簡(jiǎn)化起見，以簡(jiǎn)化的方式示出基本結(jié)構(gòu)。再者，圖8示出RGB三個(gè)子像素之中的RG兩個(gè)子像素的像素結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D8，在逐像素的基礎(chǔ)上將陽極電極211(211K，211e，211B)提供在窗絕緣膜71的凹部714的底部。在對(duì)于所有像素公共地提供的陽極電極211和陰極電極212之間，對(duì)于所有像素公共地提供有機(jī)層213，從而配置白色有機(jī)EL元件21w。層間絕緣膜72堆疊在陰極電極212上，并且以片上(on-chip)的形式將濾色器80形成在此層間絕緣膜72上(片上濾色器)。在白色有機(jī)EL元件2 Iw中，作為一個(gè)示例，通過對(duì)于所有像素在陽極電極211上依次淀積電荷注入層214、R的發(fā)光層215κ、連接層216、G的發(fā)光層215e、連接層217和B的發(fā)光層215B，形成有機(jī)層213。在圖2中驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流驅(qū)動(dòng)下，電流經(jīng)由陽極電極211從驅(qū)動(dòng)晶體管22流向有機(jī)層213。從而，在有機(jī)層213中的各個(gè)發(fā)光層215K、215<^P 215Β中出現(xiàn)電子和空穴的復(fù)合。在此復(fù)合中，出現(xiàn)發(fā)光。此時(shí)，R、G和B的各個(gè)發(fā)光層215Κ、215<^Ρ215Β的發(fā)光顏色彼此疊加(彼此組合)以變?yōu)榘坠狻Ｔ谥鹣袼氐幕A(chǔ)上從白色有機(jī)EL元件21w發(fā)出的白光透射經(jīng)過濾色器80。通過以此方式將白色有機(jī)EL元件21w與濾色器80組合，可以從白光獲得R、G和B的各色光束。[1-4.由于公共層的存在所引起的泄露電流的問題]
在通過布置包括具有上述級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件21w的像素(子像素)所形成的有機(jī)EL顯示器件10中，存在對(duì)于各個(gè)像素公共地形成的公共層。確切地，尤其是如從圖8中顯而易見的，電荷注入層214、連接層216和連接層217是對(duì)于各個(gè)像素公共地形成的公共層將通過以圖8中僅R的像素(子像素)發(fā)光的情況作為示例，關(guān)于由于公共層的存在所引起的泄露電流(流經(jīng)公共層的泄露電流)的問題進(jìn)行考慮。圖9示出在采用白色有機(jī)EL元件21 和濾色器80的組合的系統(tǒng)的情況下的顯示面板70的等效電路。在采用白色有機(jī)EL元件21 和濾色器80的組合的系統(tǒng)的顯示面板70中，在諸如電荷注入層214和連接層216與217之類的具有相對(duì)低阻抗的層(公共層)中出現(xiàn)橫向上的泄露。橫向是指在把流入白色有機(jī)EL元件21w的電流的流動(dòng)方向定義為垂直方向時(shí)的泄露電流的流動(dòng)方向。由于此泄露電流，陽極電極211外部的區(qū)域也發(fā)光。如果相鄰像素之間的距離充分長(zhǎng)(分離)，則不引起問題。然而，如果相鄰像素之間的距離較短并且泄露電流流入相鄰像素，則伴隨著泄露電流的發(fā)光區(qū)域延伸至相鄰的像素。結(jié)果，相鄰像素也發(fā)光。在圖8中，表示發(fā)光顏色的箭頭的尺寸概念地指示這種光的強(qiáng)度。在本示例的情況下，與最初應(yīng)當(dāng)發(fā)光的像素R相鄰的像素G也發(fā)光。這使得色彩再現(xiàn)性(色彩純度)惡化。盡管發(fā)光層215K、215e和215B也是公共層，然而一般它們沒有泄露的問題，這是由于其阻抗相比于電荷注入層214、連接層216和217等較高?！?.實(shí)施例的描述〉在本實(shí)施例中，為了解決由于有機(jī)EL顯示器件(其包括對(duì)于各像素公共地在有機(jī)層中形成的至少一個(gè)公共層)中公共層的存在所引起的泄露電流的問題，將電連接至有機(jī)層的金屬互連形成為圍繞陽極電極的外圍。再者，本實(shí)施例采用將此金屬互連的電位設(shè)為比有機(jī)EL元件的不發(fā)光狀態(tài)下的陽極電極電位更低的電位。由于將電連接至有機(jī)層的金屬互連形成在陽極電極周圍的這種特性，因此即使在泄露電流在橫向上流經(jīng)有機(jī)層中的公共層時(shí)，此泄露電流也流向金屬互連側(cè)。這可以降低流入相鄰像素的泄露電流，由此可以抑制相鄰像素中的發(fā)光。結(jié)果，可以取得良好的色彩再現(xiàn)性(色彩純度)。[2-1.用以降低泄露電流的像素結(jié)構(gòu)]下面確切地描述用以降低流經(jīng)有機(jī)層中的公共層的泄露電流的像素結(jié)構(gòu)。圖10是示出包括具有根據(jù)實(shí)施例的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例的主要部分的剖面視圖。在圖10中，與圖8中的部分相同的部分供有相同的附圖標(biāo)記。圖11示出陽極電極和其外圍的平面圖案示圖。這里，以三級(jí)的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)作為一個(gè)示例，并且為了示圖的簡(jiǎn)化起見，以簡(jiǎn)化的方式示出基本結(jié)構(gòu)。再者，圖10示出RGB三個(gè)子像素之中的RG兩個(gè)子像素的像素結(jié)構(gòu)。關(guān)于基本結(jié)構(gòu)，具有根據(jù)本實(shí)施例的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件與具有典型級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的上述白色有機(jī)EL元件相同。確切地，如圖10中所示，在逐像素的基礎(chǔ)上將陽極電極211(211K，211e，211B)提供在窗絕緣膜71的凹部71A的底部。在對(duì)于所有像素公共地提供的陽極電極211和陰極電極212之間，對(duì)于所有像素公共地提供有機(jī)層213，從而配置白色有機(jī)EL元件2 Iw。在白色有機(jī)EL元件2 Iw中，作為一個(gè)示例，通過對(duì)于所有像素在陽極電極211上依次淀積電荷注入層214、R的發(fā)光層215κ、連接層216、G的發(fā)光層215e、連接層217和B的發(fā)光層215b，形成有機(jī)層213。將層間絕緣膜72堆疊在陰極電極212上，并且以片上的形式將濾色器80形成在此層間絕緣膜72上。在包括具有 利用上述配置的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的白色有機(jī)EL元件21w的像素結(jié)構(gòu)中，本實(shí)施例具有下列特性。首先，金屬互連90形成為圍繞在逐像素的基礎(chǔ)上形成的陽極電極211(211e,211g,211b)的外圍，確切地在與陽極電極211的層相同的層處。再者，對(duì)于此金屬互連90，給予比陽極電極211在白色有機(jī)EL元件21w的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位(例如，陰極電極212的電位(陰極電位VMth))。使用陰極電位Vcath作為金屬互連90的電位提供了無需準(zhǔn)備專用于金屬互連90的電位的優(yōu)點(diǎn)。最好將與陽極電極211的材料相同的材料用作金屬互連90的材料，例如，諸如鋁(Al)或銀(Ag)之類的互連材料。這是由于使用與陽極電極211的材料相同的材料作為金屬互連90的材料提供了這樣的優(yōu)點(diǎn)可以以與陽極電極211的步驟相同的步驟形成金屬互連90，由此無需增加步驟的數(shù)目。在與陽極電極211的層相同的層形成金屬互連90也是由于相同的原因。接觸孔71B形成在窗口絕緣膜71中像素之間的部位(即，形成金屬互連90的部位)。經(jīng)由此接觸孔71B，金屬互連90電連接至有機(jī)層213(確切地，在本示例中，作為有機(jī)層213的最下層的電荷注入層214)。[2-2.實(shí)施例的操作和效果]通過如上所述那樣以金屬互連90圍繞陽極電極211的外圍的這種方式形成電連接至有機(jī)層213的金屬互連90并且將金屬互連90的電位設(shè)為陰極電位Veath，可以取得下列操作和效果。確切地，當(dāng)泄露電流在橫向上流經(jīng)有機(jī)層213中的公共層(確切地，在本示例中，流經(jīng)電荷注入層214和連接層216和217)時(shí)，泄露電流如圖12中所示那樣通過接觸孔71B (下文稱為“接觸部分71b”)的部位流入金屬互連90。由此，由于電荷注入層214電連接至金屬互連90，因此流經(jīng)此電荷注入層214的泄露電流完全流入金屬互連90。即，通過接觸部分7^完全阻止了在橫向上流經(jīng)電荷注入層214的泄露電流流向相鄰像素側(cè)。在橫向上流經(jīng)連接層216和217的泄露電流被分割為流入接觸部分71B的分量、流入相鄰像素側(cè)的分量和幫助發(fā)光的分量。因此，相比于未提供金屬互連90的情況，可以降低流經(jīng)連接層216和217的泄露電流。在圖12中，表示發(fā)光顏色的箭頭的尺寸概念地指示這種光的強(qiáng)度。圖13示出具有根據(jù)該實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的等效電路。以此方式，即使泄露電流在橫向上流經(jīng)電荷注入層214和連接層216和217的時(shí)候，也可以減小流入相鄰像素側(cè)的泄露電流。這可以抑制由于泄露電流引起的相鄰像素中的發(fā)光，由此可以取得良好的色彩再現(xiàn)性(色彩純度)。在本實(shí)施例中，圍繞陽極電極211的外圍的金屬互連90與陽極電極211 —起形成在公共層處。然而，配置不限于此。確切地，形成金屬互連90的層可以是任何層，只要其是可以電連接至白色有機(jī)EL元件2Iw的有機(jī)層213的層即可。再者，在本實(shí)施例中，將圍繞陽極電極211的外圍的金屬互連90的電位設(shè)為陰極電位Vcatht5然而，電位不限于陰極電位Vcath，而是可以為任何電位，只要其是比陽極電極211在白色有機(jī)EL元件2Iw的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位即可。
<3.變型示例>以采用通過白色有機(jī)EL元件21 和濾色器80的組合獲得RGB的各色光束的系統(tǒng)并且將該系統(tǒng)應(yīng)用于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)(顯示面板)的情況作為示例，說明上述實(shí)施例。然而，本公開不限于此應(yīng)用示例。確切地，本公開的實(shí)施例可以應(yīng)用于如下這樣的全部有機(jī)EL顯示器件其不采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的配置，而是具有包括對(duì)于各像素公共地在有機(jī)層中形成的至少一個(gè)公共層的像素結(jié)構(gòu)。然而，在級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)的情況下，存在用以耦合包括各色光束的發(fā)光元件的發(fā)光單元的連接層216和217，并且泄露電流流經(jīng)這些連接層216和217。由此，與泄露電流相關(guān)聯(lián)的問題是重大的。因此，可以認(rèn)為，尤其是在將本公開實(shí)施例應(yīng)用于級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，本公開技術(shù)的有益效果是非常大的。
在有機(jī)層中包括至少一個(gè)公共層的其它像素結(jié)構(gòu)的示例包括采用RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)，其中利用掩膜通過汽化單獨(dú)地應(yīng)用RGB的有機(jī)EL材料。將通過使用圖14描述這種像素結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D14，在逐像素的基礎(chǔ)上形成的陽極電極211K、211e和211BJ，形成電荷注入層214作為公共層，并且在電荷注入層214上形成窗口絕緣膜71以及R、G和B的有機(jī)EL元件21K、21e和21b。再者，對(duì)于所有像素公共地在有機(jī)EL元件21K、21e和2Ib上形成陰極電極212，并且以層間絕緣膜72為媒介，以片上的形式在陰極電極212上形成濾色器80。在采用RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)的情況下，R、G和B它們的有機(jī)EL元件21K、21e和21B發(fā)出各自色彩的光束。因此,最初不需要濾色器80。然而,組合地使用濾色器80提供了可以增強(qiáng)色彩純度的優(yōu)點(diǎn)。此外，在采用上述RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)中，由于對(duì)于各像素公共的公共層(確切地，在本示例中，電荷注入層214)的存在，與通過此電荷注入層214流入相鄰像素的泄露電流相關(guān)聯(lián)的問題的發(fā)生是不可避免的。因此，上述實(shí)施例也可以類似地應(yīng)用于采用RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)并且在像素之間具有公共層的像素結(jié)構(gòu)。確切地，在采用圖14中所示的RGB掩膜分離應(yīng)用系統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)中，電連接至有機(jī)層(電荷注入層214)的金屬互連形成為圍繞陽極電極211K、211e和211B的外圍。另外，此金屬互連的電位設(shè)為比陽極電極211K、211<^P 211β在有機(jī)EL元件21K、21e和21β的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。從而，可以取得類似于上述實(shí)施例的操作和效果。<4.電子裝置〉根據(jù)本公開上述實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件可以應(yīng)用于每個(gè)領(lǐng)域中的將輸入至電子裝置的視頻信號(hào)或電子裝置中生成的視頻信號(hào)顯示為圖像或視頻的電子裝置的顯示部分(顯示器件)。作為一個(gè)示例，可以將本公開實(shí)施例應(yīng)用于圖15 圖19中所示的各種電子裝置(確切地，例如數(shù)碼相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、蜂窩電話之類的便攜式終端、視頻攝像機(jī))的顯示部分。通過以此方式將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作每個(gè)領(lǐng)域中的電子裝置的顯示部分，可以增強(qiáng)各種電子裝置的顯示質(zhì)量。確切地，如從上述實(shí)施例的說明顯而易見的，即使泄露電流在橫向上流經(jīng)有機(jī)層中的公共層時(shí)，根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件也可以抑制相鄰像素中的發(fā)光，由此可以取得良好的色彩再現(xiàn)性(色彩純度)。結(jié)果，可以在各種電子裝置中取得具有高質(zhì)量的良好顯示的圖像。
根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的顯示器件還包括具有基于密封配置的模塊形狀的顯示器件。作為一個(gè)示例，通過將透明玻璃之類的對(duì)向部分應(yīng)用于像素陣列部分所形成的顯示模塊對(duì)應(yīng)于這種顯示器件。顯示模塊可以供有電路部分、柔性印刷電路(FPC)等，用于來自外部的信號(hào)等至像素陣列部分的輸入/輸出。下面描述應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的電子裝置的特定示例。圖15是出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用不例的電視機(jī)包括由前面板102、濾色鏡103等構(gòu)成的視頻 顯示屏幕部分101，并且其通過將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作視頻顯示屏幕部分101而加以制造。圖16是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的外觀的透視圖。圖16A是前側(cè)的透視圖，圖16B是后側(cè)的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的數(shù)碼相機(jī)包括用于閃光的發(fā)光器111、顯示部分112、菜單開關(guān)113、快門按鈕114等，并且其通過將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作顯示部分112而加以制造。圖17是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)在其主機(jī)身121中包括當(dāng)輸入字符等時(shí)操作的鍵盤122、顯示圖像的顯示部分123等，并且其通過將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作顯示部分123而加以制造。圖18是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的視頻攝像機(jī)的外觀的透視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的視頻攝像機(jī)包括主機(jī)身部分131、存在于前側(cè)并且用于被攝體拍攝的鏡頭132、拍攝時(shí)操作的開始/停止開關(guān)133、顯示部分134等，并且其通過將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作顯示部分134而加以制造。圖19A 19G是示出應(yīng)用本公開一個(gè)實(shí)施例的作為便攜式終端設(shè)備的示例的蜂窩電話的外觀示圖圖19A是打開狀態(tài)的前視圖，圖19B是打開狀態(tài)的側(cè)視圖，圖19C是閉合狀態(tài)的前視圖，圖19D是左側(cè)視圖，圖19E是右側(cè)視圖，圖19F是頂部視圖，圖19G是底部視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的蜂窩電話包括上殼141、下殼142、連接部分(在此示例中，鉸鏈部分)143、顯示器144、子顯示器145、畫面燈146、相機(jī)147等。根據(jù)本應(yīng)用示例的蜂窩電話通過將根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器件用作顯示器144和子顯示器145而加以制造。本公開包含與2011年I月25日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP2011-013049中公開的主題有關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容通過引用的方式合并在此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素可出現(xiàn)各種變型、組合、部分組合和替換，只要其在所附權(quán)利要求或其等同體的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，在該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，每一個(gè)均包括通過在陽極電極和陰極電極之間插入有機(jī)層所形成的有機(jī)電致發(fā)光元件的像素布置成矩陣方式，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包含 公共層，其配置為包括在有機(jī)電致發(fā)光元件中，并且對(duì)于各像素公共地形成在有機(jī)層中；以及 金屬互連，其配置為圍繞所述陽極電極的外圍，并且電連接至有機(jī)層， 其中，所述金屬互連的電位設(shè)為比所述陽極電極在有機(jī)電致發(fā)光元件的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 有機(jī)電致發(fā)光元件是發(fā)出白光的白色有機(jī)電致發(fā)光元件，并且 通過白色有機(jī)電致發(fā)光元件和濾色器的組合獲得各個(gè)顏色的光束。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 白色有機(jī)電致發(fā)光元件具有通過以連接層為媒介、以串聯(lián)方式耦合各個(gè)顏色的光束的多個(gè)發(fā)光單元所形成的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 公共層是對(duì)于各像素公共地形成的并且將電荷注入至有機(jī)層中包括的發(fā)光層的電荷注入層。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 所述金屬互連經(jīng)由接觸孔電連接至電荷注入層，所述接觸孔形成在其上提供了所述有機(jī)電致發(fā)光元件的窗口絕緣膜中。
6.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 所述公共層是所述連接層。
7.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 所述金屬互連形成在與所述陽極電極的層相同的層上。
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 所述金屬互連由與所述陽極電極的材料相同的材料形成。
9.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 所述金屬互連的電位設(shè)為所述陰極電極的電位。
10.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其中 通過利用掩膜借助于汽化單獨(dú)地應(yīng)用各個(gè)顏色的 有機(jī)電致發(fā)光材料來形成所述有機(jī)電致發(fā)光元件，并且 將把電荷注入至有機(jī)層中包括的發(fā)光層的電荷注入層作為所述公共層形成在各個(gè)顏色的光束的有機(jī)電致發(fā)光元件中。
11.一種具有有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的電子裝置，在該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，每一個(gè)均包括通過在陽極電極和陰極電極之間插入有機(jī)層所形成的有機(jī)電致發(fā)光元件的像素布置成矩陣方式，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包含 公共層，其配置為包括在有機(jī)電致發(fā)光元件中，并且對(duì)于各像素公共地形成在有機(jī)層中；以及 金屬互連，其配置為圍繞所述陽極電極的外圍，并且電連接至有機(jī)層，其中，所述金屬互連的電位設(shè)為比所述陽極電極在有機(jī)電致發(fā)光元件的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。
12.—種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，在該有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，每一個(gè)均包括通過在陽極電極和陰極電極之間插入有機(jī)層所形成的有機(jī)電致發(fā)光元件的像素布置成矩陣方式，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包含 公共層，其配置為包括在有機(jī)電致發(fā)光元件中，并且對(duì)于各像素公共地形成在有機(jī)層中；以及 金屬互連，其配置為圍繞所述陽極電極的外圍，并且與所述公共層接觸， 其中，所述金屬互連的電位設(shè)為比所述陽極電極在有機(jī)電致發(fā)光元件的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。
全文摘要
在此公開的是有機(jī)EL顯示器件和電子裝置。在所述有機(jī)EL顯示器件中，每一個(gè)均包括通過在陽極電極和陰極電極之間插入有機(jī)層所形成的有機(jī)EL元件的像素布置成矩陣方式，所述有機(jī)EL顯示器件包含公共層，其配置為包括在有機(jī)EL元件中，并且對(duì)于各像素公共地形成在有機(jī)層中；以及金屬互連，其配置為圍繞所述陽極電極的外圍，并且電連接至有機(jī)層，其中，所述金屬互連的電位設(shè)為比所述陽極電極在有機(jī)EL元件的不發(fā)光狀態(tài)下的電位更低的電位。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102623485SQ20121002024
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月25日
發(fā)明者尾本啟介 申請(qǐng)人:索尼公司