專(zhuān)利名稱(chēng)：電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái),提出了各種使用了有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱(chēng)為“OLED”)等發(fā)光元件的電光學(xué)裝置。在這種電光學(xué)裝置中，與掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉相對(duì)應(yīng)地設(shè)置像素電路。該像素電路一般構(gòu)成為包含上述發(fā)光元件、開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。這里，開(kāi)關(guān)晶體管在數(shù)據(jù)線(xiàn)和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間，在掃描線(xiàn) 的選擇期間導(dǎo)通，由此，在柵極保持向數(shù)據(jù)線(xiàn)供給的電位。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成為，使與該柵極的保持電位對(duì)應(yīng)的電流流過(guò)發(fā)光元件。專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2007-310311號(hào)公報(bào)然而，在要求顯示尺寸的小型化、顯示的高精細(xì)化的用途中，被指出了以下問(wèn)題。數(shù)據(jù)線(xiàn)和驅(qū)動(dòng)晶體管相互接近，電容耦合的程度變高。因此，若數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行電位變動(dòng)，則該電位變動(dòng)作為一種噪聲經(jīng)由寄生電容向驅(qū)動(dòng)晶體管的各部，特別向柵極傳播，從而使該柵極的保持電位變動(dòng)。因此，不能使目標(biāo)電流流過(guò)發(fā)光元件，而使顯示品質(zhì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的之一在于防止顯示品質(zhì)因起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位變動(dòng)的噪聲而降低。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置，其特征在于，具有相互交叉的掃描線(xiàn)以及數(shù)據(jù)線(xiàn)；與上述掃描線(xiàn)和上述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置的像素電路；屏蔽配線(xiàn)，上述像素電路具備發(fā)光元件；對(duì)流過(guò)上述發(fā)光元件的電流進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi)關(guān)晶體管，其連接于上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和上述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，根據(jù)供給至上述掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)，控制其導(dǎo)通狀態(tài)，上述屏蔽配線(xiàn)俯視時(shí)設(shè)置于上述數(shù)據(jù)線(xiàn)和上述驅(qū)動(dòng)晶體管之間。根據(jù)本發(fā)明，以數(shù)據(jù)線(xiàn)作為發(fā)生源的噪聲在到達(dá)像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管之前被屏蔽配線(xiàn)吸收。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管不易受噪聲等的影響，因此能夠防止顯示品質(zhì)的降低。在本發(fā)明中，優(yōu)選上述屏蔽配線(xiàn)和上述數(shù)據(jù)線(xiàn)的距離比上述屏蔽配線(xiàn)和上述驅(qū)動(dòng)晶體管的距離短的方式。根據(jù)該方式，能夠更加可靠地抑制噪聲等的影響。在本發(fā)明中，即便上述屏蔽配線(xiàn)處于未與任何部分電連接的高阻抗(懸浮)狀態(tài)，例如若與時(shí)間上恒定電位的供電線(xiàn)電容耦合，則也能夠吸收噪聲，但優(yōu)選與時(shí)間上恒定的電位直接連接的結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，若為在上述像素電路中，在高位側(cè)的電源線(xiàn)和低位側(cè)的電源線(xiàn)之間的路徑上，上述發(fā)光元件和上述驅(qū)動(dòng)晶體管被串聯(lián)連接，上述屏蔽配線(xiàn)與上述高位側(cè)的電源線(xiàn)或者上述低位側(cè)的電源線(xiàn)連接的方式，則與已經(jīng)存在的電源線(xiàn)連接即可。并且，在這種方式中，若為在上述像素電路中，上述屏蔽配線(xiàn)具有與上述高位側(cè)的電源線(xiàn)或者上述低位側(cè)的電源線(xiàn)連接的部分的結(jié)構(gòu)，則能夠?qū)崿F(xiàn)屏蔽配線(xiàn)的低阻抗化，因此能夠更加可靠地吸收噪聲。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選具有一端與上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接的保持電容的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，若上述屏蔽配線(xiàn)在俯視時(shí)覆蓋上述保持電容，則基于保持電容的保持電壓也能夠不易受到噪聲的影響。另外，上述目的通過(guò)下述結(jié)構(gòu)也能達(dá)成，即，具有相互交叉的掃描線(xiàn)以及數(shù)據(jù)線(xiàn)；與上述掃描線(xiàn)和上述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置的像素電路；屏蔽配線(xiàn)，上述像素電路具備發(fā)光元件；對(duì)流過(guò)上述發(fā)光元件的電流進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi)關(guān)晶體管，其在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和上述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，根據(jù)供給至上述掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)，控制其導(dǎo)通狀態(tài)，上述屏蔽配線(xiàn)在剖視時(shí)設(shè)置于上述數(shù)據(jù)線(xiàn)和上述驅(qū)動(dòng)晶體管之間，俯視時(shí)與上述數(shù)據(jù)線(xiàn)或者上述驅(qū)動(dòng)晶體管的至少一部分重疊。此外，本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置能夠適用于各種的電子設(shè)備。典型的是顯示裝置，作為電子設(shè)備列舉個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)等。特別是本申請(qǐng)發(fā)明，即便在不能充分確保保持 電容時(shí)，來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的噪聲在到達(dá)像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管之前也能被屏蔽配線(xiàn)吸收，由此能夠防止顯示品質(zhì)的降低，例如適于像頭置式顯示器用、投影儀一樣，形成縮小圖像的顯示裝置。不過(guò)，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的用途不限于顯示裝置。例如，也能夠適用于用于通過(guò)光線(xiàn)的照射使?jié)撓裥纬捎诟泄夤牡鹊膱D像載體的曝光裝置(光學(xué)頭)。


圖I是表示第I實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示電光學(xué)裝置的像素電路的等價(jià)電路的圖。圖3是表示電光學(xué)裝置的顯示動(dòng)作的圖。圖4是表示像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是表示以圖4中的E-e線(xiàn)切開(kāi)的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖6是表示像素電路中吸收來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的噪聲的圖。圖7是表示像素電路中的各種寄生電容的圖。圖8是將像素電路中的各種寄生電容模型化的圖。圖9是表示串?dāng)_的一個(gè)例子的圖。圖10是表示第2實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖11是表示以圖10中的F_f線(xiàn)切開(kāi)的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖12是表示第3實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖13是表示以圖12中的H_h線(xiàn)切開(kāi)的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖14是表示第4實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖15是表示第5實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖16是表示第6實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖17是表示以圖16中的J_j線(xiàn)切開(kāi)的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖18是表示第7實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖19是表不其他例子所涉及的像素電路的等價(jià)電路的圖。圖20是表示適用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其I)的圖。圖21是表示適用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其2)的圖。
圖22是表示適用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其3)的圖。
具體實(shí)施例方式第I實(shí)施方式圖I是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。電光學(xué)裝置I是利用多個(gè)像素電路HO來(lái)顯示圖像的裝置。如該圖所示，電光學(xué)裝置I為包含元件部100、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210以及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220的構(gòu)成。其中，在元件部100，沿圖中行⑴方向設(shè)置有m行的掃描線(xiàn)112，沿列(Y)方向且以與各掃描線(xiàn)112相互保持電絕緣的方式設(shè)置有n列的數(shù)據(jù)線(xiàn) 114。像素電路110分別與m行的掃描線(xiàn)112和n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的各交叉對(duì)應(yīng)地排列。因此，在本實(shí)施方式中，像素電路110以縱m行X橫n列排列成矩陣狀。其中，m、n均為自然數(shù)。電源線(xiàn)116分別共同連接在各像素電路110，向其供給元件電源的高位側(cè)的電位Vel。此外，雖在圖I中省略，但如后述，在各像素電路110設(shè)置有共用電極，來(lái)供給元件電源的低位側(cè)的電位Vet。這些電位Vel、Vct由省略圖示的電源電路生成。另外，為了便于區(qū)分掃描線(xiàn)112以及像素電路110的行，在圖I中有時(shí)從上起按順
序稱(chēng)為I行、2行、3行.....(m-1)行、m行。同樣，為了便于區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)線(xiàn)114以及像素電路
110的列，在圖I中有時(shí)從左起按順序稱(chēng)為I列、2列、3列.....(n-1)列、n列。在電光學(xué)裝置I中，在像素電路110以矩陣狀排列的區(qū)域的周邊配置有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210以及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220。掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210以及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220的動(dòng)作被省略圖示的控制器控制。另外，從上述控制器向數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220供給指定在各像素電路110應(yīng)顯示的灰度(亮度)的灰度數(shù)據(jù)。掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210在各幀中依次選擇第I m行。作為一個(gè)例子，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路 210 是將掃描信號(hào) Gwr(I)、Gwr(2)、Gwr(3)、. . .、Gwr(m_l)、Gwr(m)分別供給至第 1、2、3、. . .、(m-1)、m行的掃描線(xiàn)112的電路，在幀中，使各掃描信號(hào)依次排他地成為H電平。此夕卜，在本說(shuō)明中，幀是指使I個(gè)鏡頭(畫(huà)面)的量的圖像顯示在電光學(xué)裝置I所需的期間，若垂直掃描頻率為60Hz，則指其I個(gè)周期的量的16. 67毫秒的期間。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220將與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)，經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)114供給至位于通過(guò)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210選擇出的行的像素電路110。為方便起
見(jiàn)，將分別供給至第1、2、3.....(n-1)、n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的數(shù)據(jù)信號(hào)記為Vd(I)、Vd(2)、
Vd (3),.. . ,Vd (n-1) ,Vd (n)。接下來(lái)，參照?qǐng)D2，對(duì)像素電路110的等價(jià)電路進(jìn)行說(shuō)明。此外，圖2示出與第i行以及相對(duì)該第i行在下側(cè)相鄰的第(i+1)行的掃描線(xiàn)112、和第j列以及相對(duì)該第j列在右側(cè)相鄰的第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的交叉對(duì)應(yīng)的2X2共計(jì)4個(gè)像素的量的像素電路110。此處，i、(i+1)是一般表示像素電路110排列的行的符號(hào)，為I以上m以下的整數(shù)。同樣，j、(j+1)是一般表示像素電路110排列的列的符號(hào)，為I以上n以下的整數(shù)。如圖2所示，各像素電路110具有N溝道型的晶體管130、140、保持電容135和發(fā)光元件150。各像素電路110的結(jié)構(gòu)彼此相同，因此以位于第i行j列的像素電路為代表進(jìn)行說(shuō)明。在第i行j列的像素電路110中，晶體管130作為開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用，其柵極結(jié)點(diǎn)與第i行的掃描線(xiàn)112連接，而其漏極結(jié)點(diǎn)與第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114連接，其源極結(jié)點(diǎn)分別與保持電容135的一端和晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)連接。保持電容135的另一端分別與晶體管140的源極結(jié)點(diǎn)以及發(fā)光元件150的陽(yáng)極連接。另一方面，晶體管140的漏極結(jié)點(diǎn)與電源線(xiàn)116連接。為方便起見(jiàn)，在第i行j列的像素電路110中，將晶體管130的漏極結(jié)點(diǎn)記作大寫(xiě)的D，將晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)(晶體管130的源極結(jié)點(diǎn)以及保持電容135的一端)記作小寫(xiě)的g。特別是將第i行j列的晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)記作g(i，j)。而且，將晶體管140的漏極結(jié)點(diǎn)(電源線(xiàn)116)記作小寫(xiě)的d，將晶體管140的源極結(jié)點(diǎn)(發(fā)光元件150的陽(yáng)極)記作小寫(xiě)的S。發(fā)光元件150的陰極在各像素電路100中與共用電極118連接。該共用電極118在各像素電路110的發(fā)光元件150中通用。發(fā)光元件150是在相互對(duì)置的陽(yáng)極和陰極之間 夾持由有機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層的0LED，以與從陽(yáng)極向陰極流動(dòng)的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。此外，在圖2中，Gwr⑴，Gwr (i+1)分別表示向第i、(i+l)行的掃描線(xiàn)112供給的掃描信號(hào)。另外，Vd(j)、Vd(j+l)分別表示向第j、(j+l)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114供給的數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，在本實(shí)施方式中，在數(shù)據(jù)線(xiàn)114的附近設(shè)置有屏蔽配線(xiàn)，后面敘述屏蔽配線(xiàn)的詳細(xì)內(nèi)容。接下來(lái)，參照?qǐng)D3對(duì)電光學(xué)裝置I的顯示動(dòng)作進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。圖3是表示掃描信號(hào)以及數(shù)據(jù)信號(hào)的波形的一個(gè)例子的圖。如該圖所示，掃描信號(hào)Gwr (I)、Gwr ⑵、Gwr (3)、. . .、Gwr (m-1)、Gwr (m)通過(guò)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路210在各幀中按每個(gè)水平掃描期間(H)依次排他地成為H電平。此處，第i行的掃描線(xiàn)112被選擇從而掃描信號(hào)GwHi)成為H電平時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路220向第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114供給與第i行j列的像素電路110的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd (j)。在第i行j列的像素電路110中，若掃描信號(hào)Gwr⑴成為H電平，則晶體管130導(dǎo)通，因此，柵極結(jié)點(diǎn)g(i，j)成為與第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114電連接的狀態(tài)。因此，柵極結(jié)點(diǎn)g(i，j)的電位如圖3中的向上箭頭所示，成為數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)的電位。此時(shí)，晶體管140使與柵極結(jié)點(diǎn)g(i，j)的電位對(duì)應(yīng)的電流流過(guò)發(fā)光元件150，保持電容135保持此時(shí)的晶體管140的柵極、源極間的電壓。在第i行的掃描線(xiàn)112的選擇結(jié)束而掃描信號(hào)Gwr⑴變?yōu)長(zhǎng)電平時(shí)，晶體管130截止。即便晶體管130從導(dǎo)通切換至截止，也通過(guò)保持電容135保持著該晶體管130導(dǎo)通時(shí)的、晶體管140的柵極、源極間的電壓。因此，即便晶體管130截止，晶體管140也使與基于保持電容135的保持電壓對(duì)應(yīng)的電流持續(xù)流過(guò)發(fā)光元件150，直至下次第i行的掃描線(xiàn)112再次被選擇。因此，第i行j列的像素電路110中的發(fā)光元件150以對(duì)應(yīng)于選擇出第i行時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)的電位的亮度，即，以對(duì)應(yīng)于第i行j列的灰度數(shù)據(jù)的亮度，在相當(dāng)于I巾貞的期間持續(xù)發(fā)光。此外，在第i行中，即便為第j列以外的像素電路110，也以與供給至對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。另外，此處，對(duì)與第i行的掃描線(xiàn)112對(duì)應(yīng)的像素
電路110進(jìn)行了說(shuō)明，但掃描線(xiàn)112以第1、2、3.....(m-1)、m行的順序被選擇的結(jié)果，各
像素電路110分別以與灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。該動(dòng)作按每幀反復(fù)進(jìn)行。
另外，在圖3中，與掃描信號(hào)的電位比例(scale)相比，為方便起見(jiàn)使數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)、柵極結(jié)點(diǎn)g(i，j)的電位比例放大。然而，數(shù)據(jù)信號(hào)為與位于所選擇出的行的像素的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位，因此數(shù)據(jù)線(xiàn)114根據(jù)顯示內(nèi)容時(shí)時(shí)刻刻進(jìn)行電位變動(dòng)。例如向第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114供給圖3所示的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(j)，因此在每個(gè)水平掃描期間(H)進(jìn)行電位變動(dòng)。若數(shù)據(jù)線(xiàn)114與像素電路110的各部電容耦合，則數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)會(huì)給像素電路110的各部的電位造成負(fù)面影響。特別是在要求顯示尺寸的小型化和顯示的高精細(xì)化的用途中，例如，在顯示尺寸按對(duì)角不足I英寸且具有1280 X 720像素以上的分辨率的微顯示器等中，與保持電容135比較，各部的寄生電容相對(duì)變大，因此其影響顯著地顯現(xiàn)。特別是，晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g以及源極結(jié)點(diǎn)s的電位對(duì)流過(guò)發(fā)光元件150的電流進(jìn)行規(guī)定，因此，該部分的電位變動(dòng)引起顯示亂碼和后述的串?dāng)_等的產(chǎn)生，成為使顯示品質(zhì)大幅降低的重要因素。因此，在本實(shí)施方式中，使像素電路110以下述那樣地構(gòu)成，而不易受到起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位變動(dòng)的噪聲的影響。參照?qǐng)D4以及圖5對(duì)該像素電路110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示在縱、橫方向彼此相鄰的4個(gè)像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5是沿圖4中的E-e線(xiàn)切開(kāi)的局部剖視圖。此外，圖4是表示從觀察側(cè)俯視頂部發(fā)光的像素電路110時(shí)的配線(xiàn)結(jié)構(gòu)，但為了簡(jiǎn)單化，省略在發(fā)光元件150的像素電極(陽(yáng)極)以后形成的結(jié)構(gòu)體。在圖5中，表示至發(fā)光元件150的像素電極，省略以后的結(jié)構(gòu)體。另外，在以下各圖中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等成為能夠識(shí)別的大小，使比例尺不同。首先，如圖5所示，在作為基礎(chǔ)的基板2上分別設(shè)置有將多晶硅膜島狀地圖案成形的半導(dǎo)體層130a、140a。半導(dǎo)體層130a構(gòu)成晶體管130，半導(dǎo)體層140a構(gòu)成晶體管140。此處，半導(dǎo)體層130a在俯視時(shí)如圖4所示，形成為長(zhǎng)邊在沿后面形成的掃描線(xiàn)112的橫向延伸的矩形。另一方面，半導(dǎo)體層140a在俯視時(shí)形成為長(zhǎng)邊在沿后面形成的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的縱向延伸的矩形。如圖5所示，以覆蓋半導(dǎo)體層130a、140b的幾乎整個(gè)面的方式設(shè)置有柵極絕緣膜10。在柵極絕緣膜10的表面設(shè)置鋁、鉭等柵極配線(xiàn)層，并且，通過(guò)將該柵極配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形，而分別設(shè)置有掃描線(xiàn)112以及柵極電極層21。掃描線(xiàn)112在圖4中沿橫向延伸，并且，在每個(gè)像素電路110上具有朝向下方分支的部分，該分支部分在半導(dǎo)體層130a的中央部分重疊。半導(dǎo)體層130a中的與掃描線(xiàn)112的分支部分重疊的區(qū)域成為溝道區(qū)域130c(參照?qǐng)D5)。此外，在半導(dǎo)體層130a中，相對(duì)溝道區(qū)域130c在圖5中左方向?yàn)槁O區(qū)域130d，右方向?yàn)樵礃O區(qū)域130s。另一方面，柵極電極層21在俯視時(shí)如圖4所示，呈在四角框中沒(méi)有左邊且上邊、右邊以及下邊為一體的形狀。其中，下邊在半導(dǎo)體層140a的中央部分重疊。半導(dǎo)體層140a中的與柵極電極層21的下邊重疊的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)域140c(參照?qǐng)D5)。半導(dǎo)體層140a中，相對(duì)溝道區(qū)域140c區(qū)域在圖5中左方向?yàn)樵礃O區(qū)域140s，右方向?yàn)槁O區(qū)域140d。
在圖5中，以覆蓋掃描線(xiàn)112、柵極電極層21或者柵極絕緣膜10的方式形成有第I層間絕緣膜U。在第I層間絕緣膜11的表面形成有導(dǎo)電性的配線(xiàn)層，并且，通過(guò)該配線(xiàn)層的圖案成形而分別形成有中繼電極41、42、43、44。其中，中繼電極41經(jīng)由分別對(duì)第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔(通孔)31與漏極區(qū)域130d連接。此外，在圖4中，在不同種類(lèi)的配線(xiàn)層彼此重疊的部分，在“□”標(biāo)記中標(biāo)記有“ X ”標(biāo)記的部分為接觸孔。在圖5中，中繼電極42的一端經(jīng)由分別對(duì)第I層間絕緣膜1 1以及柵極絕緣膜10進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔32與源極區(qū)域130s連接，而中繼電極42的另一端經(jīng)由對(duì)第I層間絕緣膜11進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔33與柵極電極層21連接。中繼電極43經(jīng)由分別對(duì)第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔34與源極區(qū)域140s連接。此處，中繼電極43的俯視時(shí)的形狀如圖4所示，為覆蓋柵極電極層21的上邊那樣的長(zhǎng)方形。因此，保持電容135如圖5所示，成為以柵極電極層21和中繼電極43夾持第I層間絕緣膜11的構(gòu)成。中繼電極44經(jīng)由分別對(duì)第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔35與漏極區(qū)域140d連接。以覆蓋中繼電極41、42、43、44或者第I層間絕緣膜11的方式形成有第2層間絕緣膜12。在第2層間絕緣膜12的表面形成有導(dǎo)電性的配線(xiàn)層，并且，通過(guò)該配線(xiàn)層的圖案成形而分別形成有中繼電極61、62以及電源線(xiàn)116。其中，中繼電極61經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜12進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔51與中繼電極41連接。中繼電極62也經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜12進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔52與中繼電極43連接。電源線(xiàn)116經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜12進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔53與中繼電極44連接。因此，電源線(xiàn)116經(jīng)由中繼電極44與漏極區(qū)域140d連接。電源線(xiàn)116在俯視時(shí)如圖4所示沿著掃描線(xiàn)112延伸的橫向形成。此外，也可以通過(guò)在接觸孔51、52、53中填充由鎢等高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的柱狀的連接塞來(lái)分別連接中繼電極41和61彼此、中繼電極43和62彼此、以及中繼電極44和電源線(xiàn)116彼此。以覆蓋中繼電極61、62或者第2層間絕緣膜12的方式形成有第3層間絕緣膜13。在第3層間絕緣膜13的表面形成有導(dǎo)電性的配線(xiàn)層，并且，通過(guò)該配線(xiàn)層的圖案成形而分別形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)114、屏蔽配線(xiàn)81a、81b (在圖5中省略)以及中繼電極82。其中，數(shù)據(jù)線(xiàn)114經(jīng)由對(duì)第3層間絕緣膜13進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔71與中繼電極61連接。因此，數(shù)據(jù)線(xiàn)114按照中繼電極61、中繼電極41這樣的路徑與漏極區(qū)域130d連接。此處，數(shù)據(jù)線(xiàn)114在俯視時(shí)如圖4所示，沿與掃描線(xiàn)112的延伸方向正交的縱向形成。中繼電極82經(jīng)由對(duì)第3層間絕緣膜13進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔72與中繼電極62連接。此外，還可以通過(guò)在接觸孔71、72中填充由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的柱狀的連接塞來(lái)分別連接中繼電極61和數(shù)據(jù)線(xiàn)114彼此，以及中繼電極62、82彼此。各屏蔽配線(xiàn)81a、81b在俯視時(shí)如圖4所示，分別與各列對(duì)應(yīng)地形成。具體地說(shuō)，某列的屏蔽配線(xiàn)81a以位于該列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114和該列的像素電路110中的晶體管140之間的方式在數(shù)據(jù)線(xiàn)114的右側(cè)沿縱向形成。此時(shí)，在比較數(shù)據(jù)線(xiàn)114和晶體管140時(shí)，屏蔽配線(xiàn)81a設(shè)置在更靠近數(shù)據(jù)線(xiàn)114側(cè)。S卩，屏蔽配線(xiàn)81a和數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的距離比屏蔽配線(xiàn)81a和晶體管140之間的距離短。因此，與晶體管140相比屏蔽配線(xiàn)81a更容易與數(shù)據(jù)線(xiàn)114電容耦合。另一方面，某列的屏蔽配線(xiàn)81b以位于相對(duì)該列在右側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)114和該列的像素電路110中的晶體管140之間的方式，在數(shù)據(jù)線(xiàn)114的左側(cè)沿縱向形成。此時(shí)，在比較數(shù)據(jù)線(xiàn)114合晶體管140時(shí)，屏蔽配線(xiàn)81b設(shè)置在更靠近數(shù)據(jù)線(xiàn)114側(cè)。S卩，屏蔽配線(xiàn)81b和數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的距離比屏蔽配線(xiàn)81b和晶體管140之間的距離短。因此，與晶體管140相比，屏蔽配線(xiàn)81b更容易與數(shù)據(jù)線(xiàn)114電容耦合。俯視時(shí)若從晶體管140觀察，則其被左側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114和右側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114夾持地配設(shè)，但在左側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的跟前配設(shè)有屏蔽配線(xiàn)81a，在右側(cè)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的跟前配設(shè)有屏蔽配線(xiàn)81b。此外，屏蔽配線(xiàn)81a、81b在圖4中形成為縱向，并且，延伸至像素電路110排列的區(qū)域的外側(cè)，被施加時(shí)間上恒定的電位，例如電位VeI。
另外，屏蔽配線(xiàn)81a、81b也可以每隔I行或者幾行在俯視時(shí)與電源線(xiàn)116交叉的部分經(jīng)由接觸孔連接。以覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)114、屏蔽配線(xiàn)81a、81b、中繼電極82或者第3層間絕緣膜13的方式形成第4層間絕緣膜14。在第4層間絕緣膜14的表面形成具有導(dǎo)電性以及反射性的配線(xiàn)層，并且，通過(guò)該配線(xiàn)層的圖案成形而形成發(fā)光元件150的陽(yáng)極。該陽(yáng)極為按每個(gè)像素電路110單獨(dú)的像素電極，經(jīng)由對(duì)第4層間絕緣膜14進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔92與中繼電極82連接。因此陽(yáng)極(像素電極)按照中繼電極82、中繼電極62、以及兼作保持電容135的另一個(gè)電極的中繼電極43這樣的路徑與源極區(qū)域140s連接。此外，也可以在接觸孔92中填充由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的柱狀的連接塞，來(lái)連接中繼電極82以及像素電極彼此。圖示省略了作為電光學(xué)裝置I的以后的結(jié)構(gòu)，但在陽(yáng)極上按每個(gè)像素電路110層疊由有機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層，而且，在各像素電路110將共用的透明電極作為兼作陰極的共用電極118而設(shè)置。由此，發(fā)光元件150成為在相互對(duì)置的陽(yáng)極和陰極之間夾持發(fā)光層的0LED，以與從陽(yáng)極朝向陰極流動(dòng)的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，被從與基板2相反方向觀察(頂部發(fā)光結(jié)構(gòu))。除此以外，設(shè)置用于從大氣隔離發(fā)光層的密封玻璃等，但省略說(shuō)明。另外，在圖4中，省略了作為發(fā)光元件150的陽(yáng)極的像素電極的圖示，因此接觸孔92上只標(biāo)注表示位置的“ 口 ”標(biāo)記。接下來(lái)，參照?qǐng)D6對(duì)基于屏蔽配線(xiàn)81a，81b的屏蔽功能進(jìn)行說(shuō)明。圖6是將圖4所示的像素電路110的平面結(jié)構(gòu)置換成電路表示的圖。如上所述，各列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114進(jìn)行電位變動(dòng)，因此起因于其電位變動(dòng)的噪聲傳播至像素電路110的各部。在第I實(shí)施方式中，從第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114觀察，屏蔽配線(xiàn)81a位于與第i行j列的晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g、源極結(jié)點(diǎn)s相比靠跟前側(cè)。因此，從第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114產(chǎn)生的噪聲被屏蔽配線(xiàn)81a和第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的耦合電容Ca吸收。另外，從第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114觀察，屏蔽配線(xiàn)81b也位于與第i行j列的晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g、源極結(jié)點(diǎn)s相比靠跟前側(cè)。因此，從第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114產(chǎn)生的噪聲被屏蔽配線(xiàn)81b和該第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的耦合電容Cb吸收。因此，根據(jù)該電光學(xué)裝置1，晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g、源極結(jié)點(diǎn)s不易受到起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)的噪聲的影響，因此，能夠穩(wěn)定的顯示。另外，在第I實(shí)施方式中，屏蔽配線(xiàn)81a、81b是對(duì)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114、中繼電極82相同的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形而形成，因此無(wú)需在制造工序中追加工序。圖7是將像素電路110的等價(jià)電路與各部的寄生電容一起表示的圖。
在該圖中，CDg表示在晶體管130的漏極結(jié)點(diǎn)D(數(shù)據(jù)線(xiàn)114)和晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g之間產(chǎn)生的寄生電容，Cds表示在晶體管130的漏極結(jié)點(diǎn)D和晶體管140的源極結(jié)點(diǎn)s之間產(chǎn)生的寄生電容。Chold表示保持電容135的電容。Cgd表示在晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g和漏極結(jié)點(diǎn)d(電源線(xiàn)116)之間產(chǎn)生的寄生電容，Cds表示在晶體管140的漏極結(jié)點(diǎn)d和源極結(jié)點(diǎn)s之間產(chǎn)生的寄生電容，Coled表示發(fā)光兀件150的電容成分。在對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)為非選擇期間時(shí)，像素電路110的晶體管130為截止?fàn)顟B(tài)。而且，電源線(xiàn)116以及共用電極118的電位恒定。因此，非選擇期間的像素電路110能夠簡(jiǎn)化為圖8所示的模型。此外，在圖中，Vamp為非選擇期間的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位振幅。該模型中，保持電容135的保持電壓Vgs所施加的變動(dòng)量AVgs能夠如圖8的式
(I)那樣表示。應(yīng)予說(shuō)明，式(I)中的系數(shù)!^如式⑵那樣表示，而系數(shù)K2如式(3)那樣表不。在本實(shí)施方式中，由于具有屏蔽配線(xiàn)81a、81b，因此與沒(méi)有屏蔽配線(xiàn)81a、81b的構(gòu)成相比，寄生電容CDg、Cds分別變小。因此，由于式⑵中(a)項(xiàng)的成分變大，分母成分整體變大，因此，系數(shù)K1變小。另一方面，由于式(3)中(b)項(xiàng)的成分變大，分母成分整體變大，因此，系數(shù)K2也變小。因此，在本實(shí)施方式中，相對(duì)電位振幅Vamp的變動(dòng)量AVgs與沒(méi)有屏蔽配線(xiàn)81a、81b的構(gòu)成相比變小，因此，能夠進(jìn)行不易受到數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)和噪聲等影響的穩(wěn)定的顯示。這里，柵極結(jié)點(diǎn)g、源極結(jié)點(diǎn)s的電位因起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)的噪聲而變動(dòng)時(shí)，具體而言，以下述的串?dāng)_這樣的形式顯著化，使顯示品質(zhì)降低。圖9是表示在不具有本實(shí)施方式這樣的屏蔽配線(xiàn)81a、81b的電光學(xué)裝置中發(fā)生的串?dāng)_的一個(gè)例子的圖。這里所說(shuō)的串?dāng)_是指如圖9(A)所示，例如在將灰色作為背景區(qū)域使黑色的矩形區(qū)域窗口顯示時(shí)，實(shí)際上如圖9(B)所示，相對(duì)于黑色的區(qū)域(b2)，上側(cè)的區(qū)域(a2)以及下側(cè)的區(qū)域(c2)以與其他灰色的區(qū)域(al、a3、bl、b3、cl、c3)不同的較暗的灰度顯示的現(xiàn)象。應(yīng)予說(shuō)明，在圖9中，以斜線(xiàn)的密度表示區(qū)域的亮度。另外，該串?dāng)_在使區(qū)域(b2)為白色時(shí)也產(chǎn)生。不管哪一種，由于以不同的灰度顯示的區(qū)域均出現(xiàn)在區(qū)域(b2)的上下方向，因此特別有時(shí)也稱(chēng)作縱串?dāng)_?？梢哉J(rèn)為該縱串?dāng)_是由于下述原因產(chǎn)生的。即，在某個(gè)幀中，跨區(qū)域(al、bl、Cl)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114在從第I行至最終第m行的選擇中維持與灰色的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位。因此，屬于區(qū)域(al、bl、cl)的像素電路110分別保持通過(guò)與自身對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)的選擇而在柵極結(jié)點(diǎn)g保持的電位，而不受來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的噪聲的影響?？鐓^(qū)域(a3、b3、c3)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114以及屬于該區(qū)域(a3、b3、c3)的像素電路110也相同。因此，屬于區(qū)域(al、a3、bl、b3、cl、c3)的像素電路110分別在相當(dāng)于I幀的期間的整個(gè)范圍，以與柵極結(jié)點(diǎn)g的保持電位對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。與此相對(duì)，跨區(qū)域(a2、b2、c2)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114在區(qū)域(a2)的選擇中成為與灰色的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位，在區(qū)域(b2)的選擇中下降至與黑色的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位，在區(qū)域(c2)的選擇中再次成為與灰色的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位。因此，在屬于區(qū)域(a2)的像素電路110中，即便通過(guò)與自身對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)的選擇，柵極結(jié)點(diǎn)g保持與灰色相當(dāng)?shù)碾娢唬矔?huì)因起因于選擇區(qū)域(b2)時(shí)的數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)的噪聲而變化。此外，選擇區(qū)域(c2)時(shí)數(shù)據(jù)線(xiàn)114再次返回至與灰色相當(dāng)?shù)碾娢?，因此，通過(guò)該返回，柵極結(jié)點(diǎn)g有可能恢復(fù)為或接近與灰色相當(dāng)?shù)碾娢?
然而，即便柵極結(jié)點(diǎn)g恢復(fù)為與灰色相當(dāng)?shù)碾娢唬瑢儆趨^(qū)域(a2)的像素電路110分別在寫(xiě)入后，在相當(dāng)于I幀的期間中，至少在選擇區(qū)域(b2)時(shí)，以對(duì)應(yīng)于從與灰色相當(dāng)?shù)碾娢唤档偷碾娢坏牧炼劝l(fā)光。區(qū)域(c2)也相同。S卩，在屬于區(qū)域(c2)的像素電路110中，即便根據(jù)與自身對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)的選擇，柵極結(jié)點(diǎn)g保持與灰色相當(dāng)?shù)碾娢?，也在下一幀中，在選擇區(qū)域(b2)時(shí)受到數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)而變化。因此，以相當(dāng)于I幀的期間的平均值來(lái)看，屬于區(qū)域(a2、c2)的像素電路110的每一個(gè)與屬于其他的區(qū)域(al、a3、bl、b3、cl、c3)的像素電路110的每一個(gè)不同，觀察出較暗的灰度?？梢哉J(rèn)為其為縱串?dāng)_產(chǎn)生的機(jī)理。根據(jù)第I實(shí)施方式，為柵極結(jié)點(diǎn)g以及源極結(jié)點(diǎn)s的每一個(gè)因屏蔽配線(xiàn)81a、82，不易受到起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)114的電位變動(dòng)的噪聲的影響的結(jié)構(gòu)，因此，能夠抑制這樣的縱串?dāng)_，進(jìn)行聞品質(zhì)顯不。此外，在第I實(shí)施方式中，使屏蔽配線(xiàn)81a、81b為與電源線(xiàn)116相同的電位Vel，但可以使其保持其他的電位，例如電位Vet。第2實(shí)施方式在第I實(shí)施方式中，對(duì)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114相同的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形而形成屏蔽配線(xiàn)81a、81b，但也可以由與數(shù)據(jù)線(xiàn)114不同的配線(xiàn)層形成。因此，接下來(lái)，作為第2實(shí)施方式，以由與比數(shù)據(jù)線(xiàn)114靠下層側(cè)的中繼電極61、62以及電源線(xiàn)116相同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)8la、8Ib的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示第2實(shí)施方式的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖11是以圖10中的F-f線(xiàn)切開(kāi)的局部剖視圖。在由與中繼電極61、62以及電源線(xiàn)116相同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)81a、81b的情況下，需要避免屏蔽配線(xiàn)81a和中繼電極61的干擾(電接觸)。具體而言，需要將接觸孔51設(shè)置在俯視時(shí)與屏蔽配線(xiàn)81a相比靠外側(cè)(在圖10、圖11中為左側(cè))。因此，在第2實(shí)施方式中，如圖10所示，使接觸孔51、71配置為，俯視時(shí)在同一地點(diǎn)重疊，并使中繼電極41延伸至該地點(diǎn)。當(dāng)然，例如也可以將中繼電極61延伸配置至其他地點(diǎn)等，使接觸孔51、71配置成在俯視時(shí)為不同地點(diǎn)(省略圖示)。
即便在第2實(shí)施方式中，從第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114觀察，在俯視時(shí)屏蔽配線(xiàn)81a也位于第i行j列的晶體管140的各結(jié)點(diǎn)的跟前，因此從第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114產(chǎn)生的噪聲被屏蔽配線(xiàn)81a和第j列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的耦合電容吸收。另外，從第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114觀察，俯視時(shí)屏蔽配線(xiàn)81b也位于第i行j列的晶體管140的各結(jié)點(diǎn)的跟前，因此從第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114產(chǎn)生的噪聲被屏蔽配線(xiàn)81b和該第(j+1)列的數(shù)據(jù)線(xiàn)114之間的耦合電容吸收。因此，即便在第2實(shí)施方式中，由于不易受到噪聲等影響，因此，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行顯不。另外，在第2實(shí)施方式中，屏蔽配線(xiàn)81a、81b是對(duì)與中繼電極61、62以及電源線(xiàn)116相同的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形而形成的，因此，與第I實(shí)施方式相同，無(wú)需在制造工序中追加工序。
另外，在第2實(shí)施方式中，使用與數(shù)據(jù)線(xiàn)114不同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)81a、81b。所以，能夠避免屏蔽配線(xiàn)81a、81b和數(shù)據(jù)線(xiàn)114的接觸，因此，像素電路的窄間距化變得容易。即，在第I實(shí)施方式中，由與數(shù)據(jù)線(xiàn)114相同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)81a、81b，因此為了確保屏蔽功能，需要使屏蔽配線(xiàn)81a、81b與數(shù)據(jù)線(xiàn)114分離。與此相對(duì)，在第2實(shí)施方式中，沒(méi)有這樣的必要，即便俯視時(shí)屏蔽配線(xiàn)81a、81b與數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊，只要在中繼電極61的部分分離，就能夠確保電絕緣，因此，窄間距化變得容易。然而，若俯視時(shí)屏蔽配線(xiàn)形成為與晶體管140的各結(jié)點(diǎn)交叉，則能夠期待更強(qiáng)的屏蔽功能。因此，在第3實(shí)施方式、第5實(shí)施方式中說(shuō)明由與數(shù)據(jù)線(xiàn)相同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)，而實(shí)現(xiàn)屏蔽功能的強(qiáng)化的例子。另外，在第6實(shí)施方式、第7實(shí)施方式中后述說(shuō)明由與數(shù)據(jù)線(xiàn)不同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)，而實(shí)現(xiàn)屏蔽功能的強(qiáng)化的例子。第3實(shí)施方式圖12是表示第3實(shí)施方式的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖13是表示以圖12中的H-h線(xiàn)切開(kāi)的局部剖視圖。如圖12所示，在第3實(shí)施方式中，屏蔽配線(xiàn)81a的一部分以朝向右側(cè)延伸，且俯視時(shí)覆蓋中繼電極43的方式形成。保持電容135為俯視時(shí)中繼電極43和柵極電極層21重疊的區(qū)域，中繼電極43為保持電容135中的另一個(gè)電極，也是晶體管140的源極結(jié)點(diǎn)S。因此，在第3實(shí)施方式中，屏蔽功能與第I實(shí)施方式相比進(jìn)一步強(qiáng)化。第4實(shí)施方式圖14是表示第4實(shí)施方式的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖。如該圖所示，屏蔽配線(xiàn)81a、81b分別按每個(gè)像素電路110，沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)114形成為長(zhǎng)條狀，并且，分別與電源線(xiàn)116連接。此外，在第4實(shí)施方式中，屏蔽配線(xiàn)81a、81b由與數(shù)據(jù)線(xiàn)114相同的配線(xiàn)層形成。因此，屏蔽配線(xiàn)81a經(jīng)由對(duì)第3層間絕緣膜13進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔73與電源線(xiàn)116連接，屏蔽配線(xiàn)81b也同樣經(jīng)由對(duì)第3層間絕緣膜13進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔74與電源線(xiàn)116連接。此外，省略剖視圖。如第I實(shí)施方式所示，在使屏蔽配線(xiàn)81a、81b沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)114分別形成為I根的情況下，若電阻率較大，或與固定電位的連接點(diǎn)相隔，則屏蔽配線(xiàn)81a、81b的阻抗變得較高，有時(shí)不能充分吸收噪聲。與此相對(duì)，根據(jù)第4實(shí)施方式，按每個(gè)像素電路110設(shè)置屏蔽配線(xiàn)81a、81b，并且與電源線(xiàn)116連接，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)低阻抗化，提高噪聲的吸收能力。
第5實(shí)施方式圖15是表示第5實(shí)施方式的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖。該第5實(shí)施方式中是對(duì)第3實(shí)施方式和第4實(shí)施方式進(jìn)行組合而成的結(jié)構(gòu)，改變圖14所示的屏蔽配線(xiàn)81a的形狀，而形成為俯視時(shí)覆蓋中繼電極43。因此，根據(jù)第5實(shí)施方式，能夠強(qiáng)化屏蔽功能，提高噪聲的吸收能力。第6實(shí)施方式如第2實(shí)施方式所示，在由與數(shù)據(jù)線(xiàn)114不同的配線(xiàn)層形成屏蔽配線(xiàn)的情況下，也可以將屏蔽配線(xiàn)以不與數(shù)據(jù)線(xiàn)114左右相鄰，而在俯視時(shí)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊的方式設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)114的下層側(cè)。 另一方面，若將屏蔽配線(xiàn)按每個(gè)像素電路110與例如電源線(xiàn)116連接，則能夠提高噪聲的吸收能力這一點(diǎn)已經(jīng)在第4(第5)實(shí)施方式中敘述。因此，接下來(lái)，說(shuō)明對(duì)兩者進(jìn)行組合，將屏蔽配線(xiàn)由與數(shù)據(jù)線(xiàn)114不同的配線(xiàn)層形成，以俯視時(shí)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊的方式設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)114的下層側(cè)，并且與電源線(xiàn)116 —體化的第6實(shí)施方式。圖16是表示第6實(shí)施方式中的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖17是以圖16中的J-j線(xiàn)切開(kāi)的局部剖視圖。從第I實(shí)施方式至第5實(shí)施方式，每I列設(shè)置有屏蔽配線(xiàn)81a、81b，但在第6實(shí)施方式中，統(tǒng)一成屏蔽配線(xiàn)81，并且，兼作電源線(xiàn)116。如圖17所示，兼作電源線(xiàn)116的屏蔽配線(xiàn)81與中繼電極61、62—起，是對(duì)形成在第2層間絕緣膜12上的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形的配線(xiàn)。俯視屏蔽配線(xiàn)81時(shí)的形狀如圖16所示，為與縱向的數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊且比數(shù)據(jù)線(xiàn)114的寬度寬，并且與橫向的電源線(xiàn)116為一體呈格子狀。數(shù)據(jù)線(xiàn)114依次經(jīng)由中繼電極61、41與漏極區(qū)域130d連接，但屏蔽配線(xiàn)81由與中繼電極61相同的配線(xiàn)層形成，因此需要避免干擾。因此，數(shù)據(jù)線(xiàn)114在圖16中向右方分支，并且，延伸至未形成屏蔽配線(xiàn)81的部分。在該延伸部分形成有接觸孔51，使數(shù)據(jù)線(xiàn)114與中繼電極61連接。由此，屏蔽配線(xiàn)81和中繼電極61不相互干擾地電分離。此外,在該例中，使接觸孔51、71配置為俯視時(shí)在相同地點(diǎn)重疊,但也可以配置為成為不同地點(diǎn)(省略圖示)。另外，在第6實(shí)施方式中，由于使數(shù)據(jù)線(xiàn)114向右側(cè)分支延伸，因此會(huì)有噪聲從該延伸部分進(jìn)入到晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g、源極結(jié)點(diǎn)s的可能性。因此，在第6實(shí)施方式中，在俯視時(shí)數(shù)據(jù)線(xiàn)114的分支部分和中繼電極43/柵極電極層21之間設(shè)置有使屏蔽配線(xiàn)81向右側(cè)延伸的分支配線(xiàn)81d。由此，來(lái)自向數(shù)據(jù)線(xiàn)114的右側(cè)延伸的部分，即來(lái)自接觸孔71附近的噪聲在到達(dá)晶體管140的各結(jié)點(diǎn)前被分支配線(xiàn)81d吸收。根據(jù)第6實(shí)施方式，屏蔽配線(xiàn)81被設(shè)置為俯視時(shí)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊，并且，兼作電源線(xiàn)116而電位被固定化，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)屏蔽功能的強(qiáng)化。第7實(shí)施方式圖18是表示第7實(shí)施方式的電光學(xué)裝置的像素電路110的結(jié)構(gòu)的俯視圖。如該圖所示，第7實(shí)施方式中，使兼作電源線(xiàn)116的屏蔽配線(xiàn)81在俯視時(shí)覆蓋保持電容135 (柵極電極層21)以及晶體管140。
如上所述，屏蔽配線(xiàn)81(電源線(xiàn)116)對(duì)與中繼電極61、62相同的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形而形成，因此，需要避免與中繼電極61、62的干擾。在該第7實(shí)施方式中，兼作電源線(xiàn)116的屏蔽配線(xiàn)81在中繼電極61、62的附近區(qū)域呈開(kāi)孔的形狀。此外，第7實(shí)施方式的像素電路110中的主要部分剖視圖是圖17中，追加以虛線(xiàn)表不的部分的內(nèi)容。根據(jù)第7實(shí)施方式，屏蔽配線(xiàn)81被設(shè)置為在俯視時(shí)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114重疊，并且覆蓋保持電容135以及晶體管140，并且，通過(guò)兼作電源線(xiàn)116而電位被固定化，因此，實(shí)現(xiàn)屏蔽功能的進(jìn)一步的強(qiáng)化。 此外，在第7實(shí)施方式中，只要不與中繼電極61、62干擾，可以使屏蔽配線(xiàn)81的開(kāi)孔面積更窄。另外，在第7實(shí)施方式中，屏蔽配線(xiàn)81在俯視時(shí)覆蓋保持電容135以及晶體管140的整個(gè)區(qū)域，但也可以?xún)H覆蓋一部分。應(yīng)用例 變形例本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可進(jìn)行以下應(yīng)用、變形。例如對(duì)于保持電容135的結(jié)構(gòu)而言，以柵極電極層21和中繼電極43夾持第I層間絕緣膜11，但也可以例如以在俯視時(shí)與柵極電極層21重疊的方式設(shè)置半導(dǎo)體層，用該半導(dǎo)體層和柵極電極層21夾持柵極絕緣膜10。作為半導(dǎo)體層，可以使用使源極區(qū)域140s延伸的結(jié)構(gòu)，也可以使用另外圖案成形的結(jié)構(gòu)。除此之外，也可以為以由不同種類(lèi)配線(xiàn)層構(gòu)成的電極、配線(xiàn)彼此夾持層間絕緣膜、柵極絕緣膜的構(gòu)成，還可以將多個(gè)并列連接的結(jié)構(gòu)作為整體而作為保持電容135使用。另外，對(duì)于電插入保持電容135的位置而言，除了晶體管140的柵極結(jié)點(diǎn)g和源極結(jié)點(diǎn)s之間以外，例如如圖19所示，還可以位于柵極結(jié)點(diǎn)g和共用電極118之間，雖未特別圖示，還可以位于柵極結(jié)點(diǎn)g和被固定在其他電位的配線(xiàn)之間。對(duì)于像素電路110的驅(qū)動(dòng)而言，不限于在晶體管130為導(dǎo)通狀態(tài)的選擇期間，僅使柵極結(jié)點(diǎn)g保持與灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)的方法。例如，可以以如下方式驅(qū)動(dòng)，在晶體管130為導(dǎo)通狀態(tài)的選擇期間，使數(shù)據(jù)線(xiàn)114為基準(zhǔn)電位，并且，以第I電位和第2電位切換基于電源線(xiàn)116以及共用電極118的電源，使保持電容135保持與晶體管140的閾值電壓相當(dāng)?shù)碾妷海?，使?shù)據(jù)線(xiàn)114成為與灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位。另外，還可以以在選擇期間使數(shù)據(jù)信號(hào)的電位變化，并且使選擇期間結(jié)束時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)間變化率為與灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的值的方式驅(qū)動(dòng)，還可以以經(jīng)由電容元件按每行向源極結(jié)點(diǎn)s供給燈信號(hào)向晶體管140流入規(guī)定(set)電流的方式驅(qū)動(dòng)。無(wú)論哪種驅(qū)動(dòng)，均能夠通過(guò)將各實(shí)施方式的屏蔽配線(xiàn)設(shè)置于像素電路110，抑制使電流流過(guò)發(fā)光元件150的晶體管140的各結(jié)點(diǎn)的電位因來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)114的噪聲而變動(dòng)。對(duì)于屏蔽配線(xiàn)而言，可以使用對(duì)不同的兩層以上的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形的配線(xiàn)。例如在第6(第7)實(shí)施方式中，也可以對(duì)與數(shù)據(jù)線(xiàn)114以及中繼電極82相同的配線(xiàn)層進(jìn)行圖案成形，成為屏蔽配線(xiàn)81 (電源線(xiàn)116)和另形成的屏蔽配線(xiàn)的二重構(gòu)造。此外，對(duì)于另形成的屏蔽配線(xiàn)而言，只要能夠避免數(shù)據(jù)線(xiàn)114以及中繼電極82的干擾即可。作為發(fā)光元件150,除OLED外，能夠適用無(wú)機(jī)EL元件、LED (LightEmitting Diode)元件等以對(duì)應(yīng)于電流的亮度發(fā)光的元件。電子設(shè)備
接下來(lái)，對(duì)適用了本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置的幾個(gè)電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖20是表示將上述的實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置I作為顯示裝置而采用的個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備作為顯示裝置的電光學(xué)裝置I和主體部2010。主體部2010設(shè)置有電源開(kāi)關(guān)2001以及鍵盤(pán)2002。在電光學(xué)裝置I中，作為發(fā)光元件150使用OLED的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)視角廣闊，容易觀察的畫(huà)面顯示。圖21是表示將實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置I作為顯示裝置而采用的手機(jī)的外觀的圖。手機(jī)3000除了多個(gè)操作按鈕3001、方向鍵3002等外，還具備耳承(ear piece)3003、送話(huà)口(mouthpiece) 3004、上述的電光學(xué)裝置I。通過(guò)操作方向鍵3002，顯示在電光學(xué)裝置I的畫(huà)面滾動(dòng)。圖22是表示將實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置I作為顯示裝置而采用的移動(dòng)信息終端(PDA :Personal Digital Assistants)的外觀的圖。移動(dòng)信息終端4000除了多個(gè)操作按鈕4001、方向鍵4002等外，還具備上述的電光學(xué)裝置I。在移動(dòng)信息終端4000中，通過(guò)規(guī)定的操作使通信簿、日程表等各種的信息顯示于電光學(xué)裝置1，并且，顯示的信息通過(guò)方向鍵4002的操作被滾動(dòng)。此外，作為適用了本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，除了圖20至圖22表示的例子外，還能夠列舉電視機(jī)、車(chē)輛導(dǎo)航裝置、呼叫器、電子記事本、電子書(shū)，計(jì)算機(jī)、文字處理器、工作站，可視電話(huà)，POS終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、視頻播放器、具備觸摸面板的設(shè)備等。特別是作為微顯示器，能夠列舉頭戴式可視設(shè)備、數(shù)碼照相機(jī)或者攝像機(jī)的電子取景本發(fā)明也覆蓋如下進(jìn)一步的方面“A” Al. —種電光學(xué)裝置，包括掃描線(xiàn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)相交；像素電路，所述像素電路被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述掃描線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉點(diǎn)；以及配線(xiàn)，所述配線(xiàn)被施加恒定電位，所述像素電路包含發(fā)光元件；驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管控制流向所述發(fā)光元件的電流，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包含柵極，所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間；以及開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，并且根據(jù)提供給所述掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。A2.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，在所述像素電路中，在俯視圖中所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間。A3.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，在所述像素電路中，在橫截面圖中所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，在俯視圖中所述配線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)或與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的至少一部分重疊。A4.根據(jù)技術(shù)方案A2所述的電光學(xué)裝置，
所述配線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的距離短于所述配線(xiàn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的距離。A5.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，還包括第一電源線(xiàn)和第二電源線(xiàn)，在所述像素電路中，所述發(fā)光元件和所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之間的路徑中彼此串聯(lián)連接，以及所述配線(xiàn)連接至所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之一。A6.根據(jù)技術(shù)方案A5所述的電光學(xué)裝置，在所述像素電路中，所述配線(xiàn)具有與所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之一連接的部分。
A7.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，所述像素電路還包括保持電容器，所述保持電容器的一端電連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。AS.根據(jù)技術(shù)方案A7所述的電光學(xué)裝置，在所述像素電路中，當(dāng)在俯視圖中觀看時(shí)所述配線(xiàn)覆蓋所述保持電容器。A9.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，所述配線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行。A10.根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置，還包括另一配線(xiàn)以及與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)緊鄰的另一數(shù)據(jù)線(xiàn)，在俯視圖中，所述另一配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述另一數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述另一數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的相反兩側(cè)。All —種電光學(xué)裝置，包括掃描線(xiàn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)相交；像素電路，所述像素電路被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述掃描線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉點(diǎn)；以及配線(xiàn)，所述配線(xiàn)被施加恒定電位，所述像素電路包含發(fā)光元件；驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管控制流向所述發(fā)光元件的電流，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包含柵極，在俯視圖中所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間；以及開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，并且根據(jù)提供給所述掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。A12. —種電光學(xué)裝置，包括掃描線(xiàn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)相交；像素電路，所述像素電路被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述掃描線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉點(diǎn)；以及配線(xiàn)，所述配線(xiàn)被施加恒定電位，所述像素電路包含發(fā)光元件；驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管控制流向所述發(fā)光元件的電流，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包含柵極，當(dāng)在橫截面圖中觀看時(shí)所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，而當(dāng)在俯視圖中觀看時(shí)所述配線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)或與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的至少一部分重疊；以及開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，并且根據(jù)提供給所述掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)。A13. 一種電子設(shè)備，包括根據(jù)技術(shù)方案Al所述的電光學(xué)裝置。符號(hào)說(shuō)明I...電光學(xué)裝置，81、81a、81b.屏蔽配線(xiàn)，110...像素電路，112...掃描線(xiàn)，114...數(shù)據(jù)線(xiàn)，116...電源線(xiàn)，118...共用電極，130...晶體管，135...保持電容，
140...晶體管，150...發(fā)光元件，210...掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路，220...數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路， 2000...個(gè)人計(jì)算機(jī)，3000...手機(jī)，4000...移動(dòng)信息終端。
權(quán)利要求
1.一種電光學(xué)裝置，包括 掃描線(xiàn)； 數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)相交； 配線(xiàn)，所述配線(xiàn)被施加恒定電位； 發(fā)光兀件； 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管控制流過(guò)所述發(fā)光元件的電流，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有第一端和第二端，所述第一端連接至所述發(fā)光元件； 開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，并且根據(jù)通過(guò)所述掃描線(xiàn)提供的掃描信號(hào)來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)；以及 保持電容器，所述保持電容器具有連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端的第一電極， 在俯視圖中所述配線(xiàn)與所述保持電容器的第一電極的至少一部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管是N溝道型晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述保持電容器連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置，在橫截面圖中所述配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述配線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的距離短于所述配線(xiàn)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管之間的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置，還包括第一電源線(xiàn)和第二電源線(xiàn)， 所述發(fā)光元件和所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之間的路徑中彼此串聯(lián)連接，以及 所述配線(xiàn)連接至所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學(xué)裝置， 所述配線(xiàn)具有與所述第一電源線(xiàn)和所述第二電源線(xiàn)之一連接的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述配線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置，還包括另一配線(xiàn)以及與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)緊鄰的另一數(shù)據(jù)線(xiàn)， 在俯視圖中，所述另一配線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述另一數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述另一數(shù)據(jù)線(xiàn)被設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的相反兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 在俯視圖中所述配線(xiàn)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述配線(xiàn)含有屏蔽功能。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置， 所述配線(xiàn)減少噪聲對(duì)所述保持電容器的第一電極的電位的影響，所述噪聲是由所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位波動(dòng)導(dǎo)致的。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置，還包括連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端和所述發(fā)光元件的中繼電極， 所述配線(xiàn)具有開(kāi)口， 所述中繼電極被設(shè)置在所述配線(xiàn)的開(kāi)口之中。
14.一種電光學(xué)裝置，包括 掃描線(xiàn)； 數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述掃描線(xiàn)相交； 配線(xiàn)，所述配線(xiàn)被施加恒定電位； 發(fā)光兀件； 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管控制流過(guò)所述發(fā)光元件的電流，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有第一端和第二端，所述第一端連接至所述發(fā)光元件； 開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)之間，并且根據(jù)通過(guò)所述掃描線(xiàn)提供的掃描信號(hào)來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)；以及在俯視圖中所述配線(xiàn)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端重疊。
15.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光學(xué)裝置。
16.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的電光學(xué)裝置。
全文摘要
一種電光學(xué)裝置，使不易受到起因于數(shù)據(jù)線(xiàn)(114)的電位變動(dòng)的噪聲的影響，而對(duì)流過(guò)發(fā)光元件(150)的電流進(jìn)行控制。具有相互交叉的掃描線(xiàn)(112)以及數(shù)據(jù)線(xiàn)(114)、與上述交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置的像素電路(110)以及屏蔽配線(xiàn)(81a、81b)。像素電路(110)具備發(fā)光元件(150)；對(duì)流過(guò)發(fā)光元件(150)的電流進(jìn)行控制的晶體管(140)；以及在晶體管(140)的柵極結(jié)點(diǎn)(g)和數(shù)據(jù)線(xiàn)(114)之間，根據(jù)供給至掃描線(xiàn)(112)的掃描信號(hào)被控制導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管(130)，屏蔽配線(xiàn)(81a、81b)在俯視時(shí)設(shè)置于數(shù)據(jù)線(xiàn)(114)和晶體管(140)之間。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102682697SQ20121005967
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月10日
發(fā)明者藤田伸 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社