專利名稱：驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的像素單元驅(qū)動(dòng)電路如圖I所示，該驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容，其中一個(gè)晶體管為開關(guān)管Tl，由掃描線輸出的掃描信號(hào)Vscan所控制，目的是為了控制數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的輸入，另一個(gè)晶體管為驅(qū)動(dòng)管T2，控制OLED (有機(jī)發(fā)光二極管，Organic Light-Emitting Diode)發(fā)光；Cs為存儲(chǔ)電容,用于在非掃描期間維持對(duì)驅(qū)動(dòng)管T2所施加的電壓，上述電路被稱為2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路。AMOLED能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，因?yàn)檩斎胂嗤⒌幕译A電壓時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的不同的閾值電壓會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，造成電流的不一致性。而LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶娃技術(shù))制程上閾值電壓Vth的均勻性非常差，同時(shí)Vth也有漂移，因此傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路的亮度均
勻性一直很差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器，以提高有機(jī)發(fā)光顯示器的亮度均勻度。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，與OLED的陰極連接；所述存儲(chǔ)電容的第二端還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述第一開關(guān)元件串聯(lián)于所述OLED的陽極和驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為η型薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開關(guān)元件、第三開關(guān)元件、第四開關(guān)元件、第五開關(guān)元件和第六開關(guān)元件；所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第二開關(guān)元件；
所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和漏極之間連接有第三開關(guān)元件；所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第四開關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述數(shù)據(jù)線之間連接有第五開關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第六開關(guān)元件。實(shí)施時(shí)，所述第一開關(guān)元件是第一薄膜晶體管，所述第二開關(guān)元件是第二薄膜晶體管，所述第三開關(guān)元件是第三薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件是第四薄膜晶體管，所述第五開關(guān)元件是第五薄膜晶體管，所述第六開關(guān)元件是第六薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，源極與所述第六薄膜晶體管的漏極連接；
所述第一薄膜晶體管，柵極與第一柵極控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接；所述第二薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極分別與所述第四薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，漏極與所述第三薄膜晶體管的源極連接；所述第三薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接；所述第四薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極接地；所述第五薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接；所述第六薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極接地；所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管為η型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管和所述第五薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括OLED和上述的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明還提供了一種驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極，通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，通過所述第一開關(guān)元件與OLED的陽極連接；所述存儲(chǔ)電容的第二端通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接。所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開關(guān)元件、第三開關(guān)元件、第四開關(guān)元件、第五開關(guān)元件和第六開關(guān)元件，其中，所述存儲(chǔ)電容的第二端與地線之間連接有第二開關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第三開關(guān)元件；所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間連接有第四開關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述數(shù)據(jù)線之間連接有第五開關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間連接有第六開關(guān)元件。實(shí)施時(shí)，所述第一開關(guān)元件是第一薄膜晶體管，所述第二開關(guān)元件是第二薄膜晶 體管，所述第三開關(guān)元件是第三薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件是第四薄膜晶體管，所述第五開關(guān)元件是第五薄膜晶體管，所述第六開關(guān)元件是第六薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極和所述第六薄膜晶體管的源極連接，漏極與所述第一薄膜晶體管的漏極連接；所述第一薄膜晶體管，柵極與第一柵極控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與所述第三薄膜晶體管的漏極連接；所述第二薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極接地，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；所述第三薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接；所述第四薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；所述第五薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接；所述第六薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接；所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管為η型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管和所述第五薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括OLED和上述的驅(qū)動(dòng)電路；所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器，通過驅(qū)動(dòng)控制單元控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)OLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，從而解決AMOLED面板亮度不均勻和亮度衰減的問題。


圖I是現(xiàn)有的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖4A是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在預(yù)充電階段的等效電路圖；圖4B是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在放電階段的等效電路圖；圖4C是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)電顯示階段的等效電路圖；圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路中的第一柵極控制線Gl輸出的信號(hào)、第二柵極控制線G2輸出的信號(hào)和數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata的時(shí)序圖；圖6是本發(fā)明第四實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖7是本發(fā)明第五實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖8是本發(fā)明第六實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖； 圖9A是本發(fā)明第六實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在預(yù)充電階段的等效電路圖；圖9B是本發(fā)明第六實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在放電階段的等效電路圖；圖9C是本發(fā)明第六實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)電顯示階段的等效電路圖；圖10是本發(fā)明第六實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路中的第一柵極控制線Gl輸出的信號(hào)、第二柵極控制線G2輸出的信號(hào)和數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式為使得本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)表達(dá)得更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明再做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明提供了一種驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器，利用二極管接法(DiodeConnection)并通過控制存儲(chǔ)電容放電以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，從而解決有機(jī)發(fā)光顯示器亮度不均勻和亮度衰減的問題。下面根據(jù)具體實(shí)施例來介紹本發(fā)明所述的驅(qū)動(dòng)電路。需要說明的是，在本發(fā)明的附圖中，如果沒有特殊說明，G代表柵極，S代表源極，D代表漏極。如圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)0LED，該驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT、第一開關(guān)元件11、存儲(chǔ)電容Cs和驅(qū)動(dòng)控制單元21 ；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極，與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元21分別與數(shù)據(jù)線Data和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極，與OLED的陰極連接；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元21分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極和驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述第一開關(guān)元件11串聯(lián)于所述OLED的陽極和驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT為η型薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)控制單元21，用于通過控制所述存儲(chǔ)電容Cs充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓；所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端的輸出電壓為VDD，所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的輸出電壓為VSS。本發(fā)明第一實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在工作時(shí)，在第一時(shí)間段，即預(yù)充電階段，所述第一開關(guān)元件11導(dǎo)通所述OLED的陽極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間的連接，所述驅(qū)動(dòng)控制單元21導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極與漏極之間的連接，導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間的連接，并導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與數(shù)據(jù)線Data之間的連接，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入，所述存儲(chǔ)電容Cs被充電，DTFT的柵極電壓和漏極電壓都為VDD, DTFT實(shí)為一個(gè)二極管進(jìn)入飽和狀態(tài)；在第二時(shí)間段，即放電階段，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata為高電平，所述第一開關(guān)元件11斷開所述OLED的陽極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間的連接，所述驅(qū)動(dòng)控制單元21控制斷開驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端的連接，·存儲(chǔ)電容Cs經(jīng)驅(qū)動(dòng)控制單元21、DTFT開始放電，直到DTFT的柵源電壓為Vth，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓，此時(shí)，所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端與第二端之間的電壓差值為 Vdata+Vth ；在第三時(shí)間段，即驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)電顯示階段，所述驅(qū)動(dòng)控制單元21控制斷開所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極與漏極之間的連接，斷開所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，并斷開所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與數(shù)據(jù)線Data之間的連接，控制導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端之間的連接，并導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間的連接；此時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs的第二端電壓即VDD，如此存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極電壓將發(fā)生突變，以使得存儲(chǔ)電容Cs的兩端電壓差值恒定，存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓變?yōu)閂DD+Vth+Vdata-Vth_oled，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓Vgs也為VDD+Vth+Vdata-Vth_oIed0其中，Vth_oled是指OLED的閾值電壓。此時(shí)流過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的電流I為I = K (Vgs-Vth)2= K(VDD+Vth+Vdata-Vth_oled-Vth)2= K (VDD+Vdata-Vth_oled)2其中，K為DTFT的電流系數(shù)；
WΚ = 0οχ·μ·—；μ、Cox, W、L分別為DTFT的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，柵絕緣層單位面積電容、溝道寬度、長度；如此消除了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的Vth的影響，這樣就可以改善電容的均勻性，達(dá)到亮度的均勻。如圖3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。本發(fā)明第二實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路基于本發(fā)明第一實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明第二實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路中，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開關(guān)元件12、第三開關(guān)元件13、第四開關(guān)元件14、第五開關(guān)元件15和第六開關(guān)元件16 ；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極之間連接有第二開關(guān)元件12 ；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和漏極之間連接有第三開關(guān)元件13 ；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第四開關(guān)元件14 ；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和所述數(shù)據(jù)線Data之間連接有第五開關(guān)元件15 ； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第六開關(guān)元件16。如圖4所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路基于本發(fā)明第二實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一開關(guān)元件11是標(biāo)號(hào)為Tl的第一薄膜晶體管，所述第二開關(guān)元件12是標(biāo)號(hào)為T2的第二薄膜晶體管，所述第三開關(guān)元件13是標(biāo)號(hào)為T3的第三薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件14是標(biāo)號(hào)為T4的第四薄膜晶體管，所述第五開關(guān)元件15是標(biāo)號(hào)為T5的第五薄膜晶體管，所述第六開關(guān)元件16是標(biāo)號(hào)為T6的第六薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT，柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端連接，源極與所述第六薄膜晶體管T6的漏極連接，漏極與所述OLED的陰極連接；所述第一薄膜晶體管Tl，柵極與第一柵極控制線Gl連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接；所述第二薄膜晶體管T2，柵極與第二柵極控制線G2連接，源極與所述第四薄膜晶體管T4的源極連接，漏極與所述第三薄膜晶體管T3的源極連接；所述第三薄膜晶體管T3，柵極與第二柵極控制線G2連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極連接；所述第四薄膜晶體管T4，柵極與第二柵極控制線G2連接，漏極接地；所述第五薄膜晶體管T5，柵極與第二柵極控制線G2連接，源極與數(shù)據(jù)線Data連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極連接；所述第六薄膜晶體管T6，柵極與第二柵極控制線G2連接，源極接地；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與所述第二薄膜晶體管T2的源極連接；所述第一薄膜晶體管Tl、所述第二薄膜晶體管T2、所述第六薄膜晶體管T6和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT為η型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管Τ3、所述第四薄膜晶體管Τ4和所述第五薄膜晶體管Τ5為P型薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端為地線GND。如圖4Α所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第一時(shí)間段，即預(yù)充電階段，所述第一柵極控制線Gl輸出高電平，所述第二柵極控制線G2輸出低電平，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata為高電平，此時(shí)，T2、T6關(guān)閉，Tl、T3、T4、T5均打開；所述OLED的陽極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和漏極導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與數(shù)據(jù)線Data連接，存儲(chǔ)電容Cs的第二端接地；數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入，存儲(chǔ)電容Cs被充電，DTFT的柵極電壓和漏極電壓都為VDD，DTFT實(shí)為一個(gè)二極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。如圖4B所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第二時(shí)間段，即放電階段，所述第一柵極控制線Gl輸出低電平，所述第二柵極控制線G2輸出低電平，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata為高電平，Tl關(guān)閉，所述OLED的陽極斷開與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端的連接，存儲(chǔ)電容Cs經(jīng)T3、DTFT開始放電，直到DTFT的柵源電壓為Vth，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓，此時(shí)，所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端與第二端之間的電壓差值為Vdata+Vth。如圖4C所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第三時(shí)間段，即驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)電顯示階段，所述第一柵極控制線Gl輸出低電平，所述第二柵極控制線G2輸出高電平，T3、T4、T5關(guān)閉，Tl、T2、T6打開，所述OLED的陽極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平 輸出端連接，所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端斷開與地線GND的連接而與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極斷開與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極的連接而通過OLED與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極斷開與數(shù)據(jù)線Data的連接而與地線GND連接；此時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs的第二端電壓即VDD，此時(shí)存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極電壓將發(fā)生突變，以使得存儲(chǔ)電容Cs的兩端電壓差值恒定，存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓變?yōu)閂DD+Vth+Vdata-Vth_oled，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓Vgs也為VDD+Vth+Vdata-Vth_oled。其中，Vth_oled是指OLED的閾值電壓。此時(shí)流過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的電流I為I = K (Vgs-Vth)2= K(VDD+Vth+Vdata-Vth_oled-Vth)2= K (VDD+Vdata-Vth_oled)2其中，K為DTFT的電流系數(shù)；
WK = Cox ·μ · —；μ、Cox, W、L分別為DTFT的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，柵絕緣層單位面積電容、溝道寬度、長度；如此消除了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的Vth的影響，這樣就可以改善電容的均勻性，達(dá)到亮度的均勻。圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路中的第一柵極控制線Gl輸出的信號(hào)、所述第二柵極控制線G2輸出的信號(hào)和數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata的時(shí)序圖。作為本發(fā)明第三實(shí)施例可以替代的實(shí)施例，第一薄膜晶體管還可以為P型，其相應(yīng)的第一柵極控制線Gl輸出的信號(hào)也變成與現(xiàn)在圖5中的Gl信號(hào)電平彼此反相的信號(hào)；第五薄膜晶體管還可以為N型，第六薄膜晶體管還可以為P型，其相應(yīng)的第二柵極控制線G2輸出的信號(hào)也變成與現(xiàn)在圖5中的G2信號(hào)電平彼此反相的信號(hào)，也可以實(shí)現(xiàn)同樣的功能。本發(fā)明可以替代的實(shí)施例中，薄膜晶體管還可以由三極管，MOS管(M0SFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)等來代替，可以實(shí)現(xiàn)相同的功倉泛。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括OLED和如本發(fā)明第一實(shí)施例、第二實(shí)施例或第三實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路；所述驅(qū)動(dòng)電路包括的第一開關(guān)元件與所述OLED的陽極連接；所述驅(qū)動(dòng)電路包括的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的陰極連接；所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括多個(gè)像素單元組成的顯示區(qū)域，每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)一個(gè)像素單元，用于驅(qū)動(dòng)OLED。如圖6所示，本發(fā)明第四實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT、第一開關(guān)元件61、存儲(chǔ)電容Cs和驅(qū)動(dòng)控制單元62 ； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極，與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元62與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極，通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元62分別與數(shù)據(jù)線Data和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極，通過所述第一開關(guān)元件61與OLED的陽極連接；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元62分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT為P型薄膜晶體管；所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端的輸出電壓為VDD，所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的輸出電壓為VSS。本發(fā)明第四實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)電路在工作時(shí)，在第一時(shí)間段，即預(yù)充電階段，所述第一柵極控制線Gl輸出高電平，所述第二柵極控制線G2輸出低電平，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata為高電平，此時(shí)，所述第一開關(guān)元件61導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述OLED的陽極之間的連接，所述驅(qū)動(dòng)控制單元62控制導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極與漏極之間的連接，導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間的連接，并導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與數(shù)據(jù)線Data之間的連接；數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata輸入，存儲(chǔ)電容Cs被充電，DTFT的柵極電壓和漏極電壓都與地線GND連接，DTFT實(shí)為一個(gè)二極管進(jìn)入飽和狀態(tài)；在第二時(shí)間段，即放電階段，所述第一柵極控制線Gl輸出低電平，所述第二柵極控制線G2輸出低電平，數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)電壓Vdata為高電平，所述第一開關(guān)元件61斷開所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與地線GND的連接，存儲(chǔ)電容Cs經(jīng)驅(qū)動(dòng)控制單元62、DTFT開始放電，直到DTFT的柵源電壓為Vth，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓，此時(shí)，所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與第一端之間的電壓差值為VDD-Vdata+Vth ；在第三時(shí)間段，即驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)電顯示階段，所述第一柵極控制線Gl輸出低電平，所述第二柵極控制線G2輸出高電平；所述第一開關(guān)元件61導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與地線GND的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元62控制斷開所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極與漏極之間的連接，斷開所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間的連接，并斷開所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與數(shù)據(jù)線Data之間的連接，控制導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與地線GND之間的連接，并導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間的連接；此時(shí)，存儲(chǔ)電容Cs的第二端即OLED的陰極接地線GND，如此存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極電壓將發(fā)生突變，以使得存儲(chǔ)電容Cs的兩端電壓差值恒定，存儲(chǔ)電容Cs的第一端電壓變?yōu)閂data-Vth-VDD，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓Vgs為Vdata-VDD-Vth_Vth_oled。其中，Vth_oled是指OLED的閾值電壓。此時(shí)流過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的電流I為I = K (Vgs+Vth)2= K(Vdata-VDD-Vth-Vth_oled+Vth)2= K (Vdata-VDD-Vth_oled)權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單兀； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，與OLED的陰極連接； 所述存儲(chǔ)電容的第二端還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接； 所述第一開關(guān)元件串聯(lián)于所述OLED的陽極和驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為η型薄膜晶體管； 所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。
2.如權(quán)利要求I所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開關(guān)元件、第三開關(guān)元件、第四開關(guān)元件、第五開關(guān)元件和第六開關(guān)元件； 所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第二開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和漏極之間連接有第三開關(guān)元件； 所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第四開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述數(shù)據(jù)線之間連接有第五開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第六開關(guān)元件。
3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述第一開關(guān)元件是第一薄膜晶體管，所述第二開關(guān)元件是第二薄膜晶體管，所述第三開關(guān)元件是第三薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件是第四薄膜晶體管，所述第五開關(guān)元件是第五薄膜晶體管，所述第六開關(guān)元件是第六薄膜晶體管； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，源極與所述第六薄膜晶體管的漏極連接； 所述第一薄膜晶體管，柵極與第一柵極控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接； 所述第二薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極分別與所述第四薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，漏極與所述第三薄膜晶體管的源極連接； 所述第三薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接； 所述第四薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極接地； 所述第五薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接； 所述第六薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極接地； 所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管為η型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管和所述第五薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
4.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括OLED和如權(quán)利要求I至3中任一權(quán)利要求所述的驅(qū)動(dòng)電路。
5.一種驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單兀； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極，與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極，通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極，通過所述第一開關(guān)元件與OLED的陽極連接； 所述存儲(chǔ)電容的第二端通過所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接； 所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接； 所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開關(guān)元件、第三開關(guān)元件、第四開關(guān)元件、第五開關(guān)元件和第六開關(guān)元件，其中， 所述存儲(chǔ)電容的第二端與地線之間連接有第二開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第三開關(guān)元件； 所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間連接有第四開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述數(shù)據(jù)線之間連接有第五開關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間連接有第六開關(guān)元件。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)元件是第一薄膜晶體管，所述第二開關(guān)元件是第二薄膜晶體管，所述第三開關(guān)元件是第三薄膜晶體管，所述第四開關(guān)元件是第四薄膜晶體管，所述第五開關(guān)元件是第五薄膜晶體管，所述第六開關(guān)元件是第六薄膜晶體管； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極分別與所述第五薄膜晶體管的漏極和所述第六薄膜晶體管的源極連接，漏極與所述第一薄膜晶體管的漏極連接； 所述第一薄膜晶體管，柵極與第一柵極控制線連接，源極與所述OLED的陽極連接，漏極與所述第三薄膜晶體管的漏極連接； 所述第二薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極接地，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接； 所述第三薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接； 所述第四薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端 連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；所述第五薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接； 所述第六薄膜晶體管，柵極與第二柵極控制線連接，漏極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接； 所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第六薄膜晶體管為η型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管和所述第五薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
8.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其特征在于，包括OLED和如權(quán)利要求5至7中任一權(quán)利要求所述的驅(qū)動(dòng)電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光顯示器。所述驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與存儲(chǔ)電容的第一端連接，還通過驅(qū)動(dòng)控制單元與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極通過驅(qū)動(dòng)控制單元與數(shù)據(jù)線連接；存儲(chǔ)電容的第二端還通過驅(qū)動(dòng)控制單元與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；第一開關(guān)元件串聯(lián)于OLED的陽極和驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端之間；驅(qū)動(dòng)控制單元通過控制存儲(chǔ)電容充放電，控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)并通過存儲(chǔ)電容給所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。本發(fā)明可以解決有機(jī)發(fā)光顯示器亮度不均勻和亮度衰減的問題。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102708797SQ20121009360
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者李天馬, 祁小敬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司