專利名稱：一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，具體的說是涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
AMOLED(有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板)被稱為下一代顯示技術(shù)，目前的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路如圖I所示包括有機(jī)發(fā)光二極管、電容C、第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5和第六晶體管PTFT ;其中，第一晶體管TFTl的柵極連接第一掃描信號線、源極連接數(shù)據(jù)信號線、漏極連接電容C的一端和第二晶體管TFT2的源極，第二晶體管TFT2的柵極連接第二掃描信號線，第三晶體管TFT3的柵極連接第一掃描信號線、源極連接第四晶體管TFT4的漏極和第六晶體管PTFT的源極、漏極連接電容C的另一端和第六晶體管PTFT的柵極，第五晶體管TFT5的源極連接第六晶體管PTFT的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管的正極、柵極連接第一掃描信號線，第四晶體管TFT4的源極連接電源正極Vdd，第二晶體管TFT2的漏極、第五晶體管TFT5的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極均連接電源負(fù)極Vss。如圖2所示，目前的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路具體工作原理為在第一掃描信號線、第二掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線輸入T(I)階段，第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3和第四晶體管TFT4都導(dǎo)通，此時(shí)電容C充電，A點(diǎn)電壓將接近Vdd ;在T (2)階段，第一晶體管TFTl、第三晶體管TFT3和第五晶體管TFT5導(dǎo)通，第二晶體管TFT2和第四晶體管TFT4截止，此時(shí)A點(diǎn)電壓將通過第三晶體管TFT3、第六晶體管TFT6和第五晶體管TFT5放電，電壓變?yōu)榫w管的閥值電壓Vth(閥值電壓Vth是指晶體管導(dǎo)通時(shí)所需要的柵極對源極的偏置電壓)，B點(diǎn)電壓維持為數(shù)據(jù)信號線電壓Vdata;在T (3)階段，第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4和第五晶體管TFT5全部截止，此階段A、B兩點(diǎn)電壓保持不變；在T (4)階段，第一晶體管TFT1、第三晶體管TFT3和第五晶體管TFT5截止，第二晶體管TFT2和第四晶體管TFT4導(dǎo)通，此時(shí)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，B點(diǎn)電壓變?yōu)?，A點(diǎn)電壓跳變至Vth+1 Vdata |，從而實(shí)現(xiàn)閥值電壓Vth的補(bǔ)償。目前的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路雖然實(shí)現(xiàn)了閥值電壓Vth的補(bǔ)償，但是電源電壓Vdd隨著走線而會(huì)有電壓的損失，使得每個(gè)像素的Vth和Vdd大小不一致，造成AMOLED顯不品質(zhì)的下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，就是針對現(xiàn)有AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的不足，提出一種可同時(shí)實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償閥值電壓Vth和電源電壓Vdd的驅(qū)動(dòng)電路，提高AMOLED屏顯示品質(zhì)。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管、電容、第一 P型薄膜晶體管、第二 P型薄膜晶體管、第三P型薄膜晶體管、第四P型薄膜晶體管、第五P型薄膜晶體管、第六P型薄膜晶體管和第七P型薄膜晶體管；第一 P型薄膜晶體管的柵極連接第一掃描信號線、源極與第四P型薄膜晶體管的漏極和電容的一端連接，第二 P型薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)信號線、漏極與第三P型薄膜晶體管的源極連接、柵極與第三P型薄膜晶體管的漏極以及第六P型薄膜晶體管的柵極和電容的另一端連接，第三P型薄膜晶體管的柵極連接第二掃描信號線，第四P型薄膜晶體管和第五P型薄膜晶體管的柵極連接控制信號線，第四P型薄膜晶體管的源極與第五P型薄膜晶體管的漏極和第六P型薄膜晶體管的源極連接，第七P型薄膜晶體管的柵極連接第一掃描信號線、源極連接電容的另一端，第六P型薄膜晶體管的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管的正極連接，第一 P型薄膜晶體管的漏極、第七P型薄膜晶體管的源極和有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極均與電源負(fù)極連接，第五P型薄膜晶體管的源極與電源正極連接，第二 P型薄膜晶體管和第六P型薄膜晶體管具有相等的閥值電壓。本發(fā)明的有益效果為，實(shí)現(xiàn)對AMOLED驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)補(bǔ)償閥值電壓Vth和外部輸入電源電壓Vdd，能夠十分有效的提高AMOLED顯示效果。


圖I為傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；圖2為傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路工作原理示意圖；圖3為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；圖4為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路工作原理示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。本發(fā)明針對傳統(tǒng)技術(shù)的不足，提出一種新型的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，提高AMOLED面板的顯示品質(zhì)。相對于傳統(tǒng)技術(shù)，其改進(jìn)點(diǎn)在于全部采用P型薄膜晶體管，使整個(gè)電路更加穩(wěn)定；采用匹配DTFT的方法，實(shí)現(xiàn)同時(shí)補(bǔ)償閥值電壓Vth和外部輸入電壓Vdd，從而有效提聞AMOLED的顯不效果。如圖3所示，本發(fā)明中的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管0LED、電容C、第一 P型薄膜晶體管PTFTl、第二 P型薄膜晶體管PTFT2、第三P型薄膜晶體管PTFT3、第四P型薄膜晶體管PTFT4、第五P型薄膜晶體管PTFT5和第六P型薄膜晶體管PTFT6 ;第一P型薄膜晶體管PTFTl的柵極連接第一掃描信號線、源極與第四P型薄膜晶體管PTFT4的漏極和電容C的一端連接，第二 P型薄膜晶體管PTFT2的源極連接數(shù)據(jù)信號線、漏極與第三P型薄膜晶體管PTFT3的源極連接、柵極與第三P型薄膜晶體管PTFT3的漏極以及第六P型薄膜晶體管PTFT6的柵極和電容C的另一端連接，第三P型薄膜晶體管PTFT3的柵極連接第二掃描信號線，第四P型薄膜晶體管PTFT4和第五P型薄膜晶體管PTFT5的柵極連接控制信號線，第四P型薄膜晶體管PTFT4的源極與第五P型薄膜晶體管PTFT5的漏極和第六P型薄膜晶體管PTFT6的源極連接，第七P型薄膜晶體管PTFI7的柵極連接第一掃描信號線、源極連接電容C的另一端，第六P型薄膜晶體管PTFT6的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極連接，第一 P型薄膜晶體管PTFTl的漏極、第七P型薄膜晶體管PTFI7的源極和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極均與電源負(fù)極VSS連接，第五P型薄膜晶體管PTFT5的源極與電源正極VDD連接。、其中第二 P型薄膜晶體管PTFT2和第六P型薄膜晶體管PTFT6的參數(shù)相互匹配，具有相等的閥值電壓，在實(shí)際電路中它們的制作位置緊鄰。下面結(jié)合附圖4詳細(xì)說明本發(fā)明的工作原理在時(shí)序周期T (I)階段，第一掃描信號線為低電平、第二掃描信號線為高電平、數(shù)據(jù)信號線為低電平以及控制信號線為高電平，此時(shí)第一 P型薄膜晶體管PTFTl和第七P型薄膜晶體管PTFI7導(dǎo)通，第三P型薄膜晶體管PTFT3、第四P型薄膜晶體管PTFT4和第五P型薄膜晶體管PTFT5截止，電容C的兩頓均直接與電壓負(fù)極連通，因此電容C的B端電壓和A端電壓均為0 ;在T (2)階段，第一掃描信號線為高電平、第二掃描信號線為低電平、數(shù)據(jù)信號線為高電平以及控制信號線為高電平，此時(shí)第一 P型薄膜晶體管PTFTl和第七P型薄膜晶體管PTFI7截止，第二 P型薄膜晶體管PTFT2、第三P型薄膜晶體管PTFT3導(dǎo)通，第四P型薄膜晶體管PTFT4和第五P型薄膜晶體管PTFT5截止，此時(shí)Vdata通過第二 P型薄膜晶體管PTFT2和第三P型薄膜晶體管PTFT3對電容C輸入電壓，電容C的A端電壓為Va=Vdata+Vth ;在T (3)階段，第一掃描信號線為 高電平、第二掃描信號線為高電平、數(shù)據(jù)信號線為低電平以及控制信號線為低電平，此時(shí)第
一P型薄膜晶體管PTFTl、第三P型薄膜晶體管PTFT3和第七P型薄膜晶體管PTFI7截止，第二 P型薄膜晶體管PTFT2、第四P型薄膜晶體管PTFT4、第五P型薄膜晶體管PTFT5和第六P型薄膜晶體管PTFT6導(dǎo)通，此時(shí)電容C與電源電壓正極VDD連通，電源正極VDD通過第四P型薄膜晶體管PTFT4和第五P型薄膜晶體管PTFT5對電容C充電，電容C的B端的電壓跳變量為VDD，電容C的A端隨之電壓跳變量為VDD，電容C的A端電壓控制通過第六P型薄膜晶體管PTFT6驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流，此時(shí)電容C的A端電壓為Va=Vdata+Vth+Vdd，因?yàn)榈诙?P型薄膜晶體管PTFT2和第六P型薄膜晶體管PTFT6互為匹配管，它們的閥值電壓Vth相等，對第六P型薄膜晶體管PTFT6有Vgs-Vth=Vdata (Vgs為PTFT的柵極和源極之間的電壓)，從而消除了閥值電壓Vth和電源電壓Vdd對OLED的影響，根據(jù)流經(jīng)OLED電流公式I=K (Vgs-Vth)2可知，實(shí)現(xiàn)對閥值電壓Vth和電源電壓Vdd的同時(shí)補(bǔ)償后電流I將比較穩(wěn)定，從而有效提1 AMOLED顯不品質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管、電容、第一 P型薄膜晶體管、第二P型薄膜晶體管、第三P型薄膜晶體管、第四P型薄膜晶體管、第五P型薄膜晶體管、第六P型薄膜晶體管和第七P型薄膜晶體管； 第一 P型薄膜晶體管的柵極連接第一掃描信號線、源極與第四P型薄膜晶體管的漏極和電容的一端連接，第二 P型薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)信號線、漏極與第三P型薄膜晶體管的源極連接、柵極與第三P型薄膜晶體管的漏極以及第六P型薄膜晶體管的柵極和電容的另一端連接，第三P型薄膜晶體管的柵極連接第二掃描信號線，第四P型薄膜晶體管和第五P型薄膜晶體管的柵極連接控制信號線，第四P型薄膜晶體管的源極與第五P型薄膜晶體管的漏極和第六P型薄膜晶體管的源極連接，第七P型薄膜晶體管的柵極連接第一掃描信號線、源極連接電容的另一端，第六P型薄膜晶體管的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管的正極連接，第一 P型薄膜晶體管的漏極、第七P型薄膜晶體管的源極和有機(jī)發(fā)光二極管的負(fù)極均與電源負(fù)極連接，第五P型薄膜晶體管的源極與電源正極連接，第二 P型薄膜晶體管和第六P型薄膜晶體管具有相等的閥值電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)，具體的說是涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路。該電路采用7個(gè)P型薄膜晶體管和1個(gè)電容搭建，具備4個(gè)信號輸入線，分別為第一掃描信號線、第二掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線和控制信號線，通過對4個(gè)輸入信號的控制，可實(shí)現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)AMOLED的過程中補(bǔ)償閥值電壓Vth和外部輸入電壓Vdd。本發(fā)明的有益效果為，實(shí)現(xiàn)對AMOLED驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)補(bǔ)償閥值電壓Vth和外部輸入電源電壓Vdd，能夠十分有效的提高AMOLED顯示效果。本發(fā)明尤其適用于AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路。
文檔編號G09G3/32GK102682706SQ20121018394
公開日2012年9月19日 申請日期2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者何小祥 申請人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司