專利名稱：顯示設備和電子裝置的制作方法
技術領域：
本公開涉及顯示設備和電子裝置。
背景技術：
近年來，作為由液晶顯示器為代表的顯示設備，使用有機電致發(fā)光元件(下文中，簡稱為“有機EL元件”)的有機電致發(fā)光顯示設備(下文中，簡稱為“有機EL顯示設備”)正在吸引注意。有機EL顯示設備屬于自發(fā)光類型，并且具有低功耗的特性?？紤]到有機EL顯示器具有對高分辨率和高速視頻信號的充分響應性，并且對于實踐應用和商業(yè)化的開發(fā)正在緊密地進行。有機EL顯示設備具有多個發(fā)光元件，每個元件包括發(fā)光單元ELP和用于驅動該發(fā)光單元ELP的驅動電路。例如，圖23A是發(fā)光元件的等效電路圖,該發(fā)光元件包括具有兩個晶體管和ー個電容單元的驅動電路(例如，參見JP-A-2007-310311 )。驅動電路具有包括源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的驅動晶體管Tltev,包括源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū) 域和柵電極的視頻信號寫入晶體管TSig，以及電容單元(^。參考數(shù)字Ca表示發(fā)光單元C1的寄生電容。在驅動晶體管Tltev中，源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到電流供應線CSL，并且源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元ELP，還連接到電容單元C1的一端以構成第二節(jié)點ND2。驅動晶體管Tltev的柵電極連接到視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且還連接到電容單元C1的另一端以構成第一節(jié)點NDltj在視頻信號寫入晶體管Tsig中，源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到數(shù)據線DTL，并且柵電極連接到掃描線SCL。電流供應線CSL連接到電流供應單元100，數(shù)據線DTL連接到視頻信號輸出電路102，并且掃描線SCL連接到掃描電路101。在發(fā)光單元ELP發(fā)光時(也就是說，發(fā)光單元ELP發(fā)光之前和之后)，電流從電流供應單元100通過電流供應線CSL和驅動晶體管Tltev流到發(fā)光單元ELP，并且發(fā)光單元ELP的陽極電極(對應于第二節(jié)點ND2)的電勢升高直到達到對應于電流值的操作點。

發(fā)明內容
另ー方面，當在硅半導體基底中提供的p型阱內形成具有n溝道驅動晶體管!'tav的驅動電路時，對于穩(wěn)定的操作，考慮其中P型阱處于固定電勢(例如，P型阱接地)的配置。換句話說，當將驅動晶體管!'tav當作四端晶體管時，考慮其中背柵極端接地的配置。然而，當使用該配置吋，以下問題可能出現(xiàn)。也就是說，在使用該驅動電路的發(fā)光元件ELP發(fā)光時，如上所述第二節(jié)點ND2的電勢升高。附帯地，由于p型阱的電勢中不存在變化，所以p型阱和驅動晶體管Tltev的源極之間的電勢Vbs升高，并且驅動晶體管Tltev中流過的電流Ids由于所謂背柵極效應降低。結果，發(fā)光單元ELP的亮度變得比期望亮度低。因此，為了解決該現(xiàn)象，必需在背柵極效應的前景中増大從視頻信號輸出電路102輸出的信號的值，導致了有機EL顯示設備的功耗增大的問題。當發(fā)光單元ELP劣化時，如圖23B的示意性視圖中所示，發(fā)光単元ELP的I-V特性劣化。因此，為了與劣化之前相同的電流在發(fā)光單元ELP中流過，必需進ー步增大陽極電極的電勢。附帶地，當陽極電極(對應于第二節(jié)點ND2)的電勢進ー步增大時，由于背柵極效應與如上所述相同的問題出現(xiàn)。因此期望提供ー種具有能夠抑制背柵極效應的出現(xiàn)的配置或結構的顯示設備，并且期望提供包括該顯示設備的電子裝置。本公開的實施例指向包括多個發(fā)光元件的顯示設備，每個發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅動該發(fā)光単元的驅動電路。該驅動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅動晶體管，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號寫入晶體管，以及(C)電容單元。在驅動晶體管中，(A-I)源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到對應的電流供應線，(A-2)源扱/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到電容單元的一端，并且形成第二節(jié)點，以及(A-3)柵電極連接到視頻信號寫入晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，并且連接到電容單元的另 一端，并且形成第一節(jié)點。在視頻信號寫入晶體管中，(B-I)源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到對應的數(shù)據線，并且(B-2)柵電極連接到對應的掃描線。驅動晶體管形成在第一導電型硅半導體基底中的第二導電型第一阱內形成的第一導電型第二阱中，視頻信號寫入晶體管形成在第一導電型硅半導體基底中，并且驅動晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第ニ阱電連接在一起。本公開的另一實施例指向包括根據本公開的實施例的上述顯示設備的電子裝置。在根據本公開實施例的顯示設備或根據本公開的另一實施例的電子裝置的顯示設備中，驅動晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第二阱電連接在一起。由于該原因，當驅動晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域的電勢升高或電壓增大時，第二阱的電勢也升高或電壓増大。因此，可能抑制背柵極效應(也稱為基底偏置效應)的出現(xiàn)，以取得驅動電路的穩(wěn)定操作，并且抑制顯示設備或電子裝置的功耗的増大。


圖I是包括示例I的顯示設備或電子裝置的顯示設備中的驅動電路的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖2A和2B分別是構成示例I和2的顯示設備或電子裝置的顯示設備中的驅動電路的驅動晶體管和視頻信號寫入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。圖3是包括示例I的顯示設備或電子裝置的顯示設備中的驅動電路的修改的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖4是構成示例3的顯示設備或電子裝置的顯示設備的電路的概念圖。圖5是示例3的5Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖6是示例3的5Tr/lC驅動電路的示意性驅動時序圖。圖7A-7D是示意性示出構成示例3的5Tr/lC驅動電路的姆個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖8A-8E是在圖7D之后示意性示出構成示例3的5Tr/lC驅動電路的姆個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖9是構成示例4的顯示設備或電子裝置的顯示設備的電路的概念圖。
圖10是示例 4的4Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖11是示例4的4Tr/lC驅動電路的示意性驅動時序圖。圖12A-12D是示意性示出構成示例4的4Tr/lC驅動電路的姆個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖13A-13D是在圖12D之后示意性示出構成示例4的4Tr/lC驅動電路的每個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖14是構成示例5的顯示設備或電子裝置的顯示設備的電路的概念圖。圖15是示例5的3Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖16是示例5的3Tr/lC驅動電路的示意性驅動時序圖。圖17A-17D是示意性示出構成示例5的3Tr/lC驅動電路的姆個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖18A-18E是在圖17D之后示意性示出構成示例5的3Tr/lC驅動電路的每個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖19是構成示例I和6的顯示設備或電子裝置的顯示設備的電路的概念圖。圖20是示例I和6的2Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖21是示例I和6的2Tr/lC驅動電路的示意性驅動時序圖。圖22A-22F是示意性示出構成示例I和6的2Tr/lC驅動電路的每個晶體管的通/斷狀態(tài)等的圖。圖23A是現(xiàn)有有機EL顯示設備的驅動電路的電路圖，圖23B是示意性示出當發(fā)光単元劣化時發(fā)光単元的I-V特性的劣化的圖。
具體實施例方式雖然以下將參考附圖與示例有關的描述本公開，但是本公開不限于示例，并且示例中的各種數(shù)值和材料用于圖示。將按以下順序提供描述。I.根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置的總體描述2.示例I (根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置)3.示例2 (示例I的修改)4.示例3 (示例I的另ー修改.5Tr/lC驅動電路)5.示例4 (示例I的另ー修改.4Tr/lC驅動電路)6.示例5 (示例I的另ー修改.3Tr/lC驅動電路)7.示例6 (示例I的另ー修改.2Tr/lC驅動電路)[根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置的總體描述]在根據本公開實施例的顯示設備或電子裝置的顯示設備中，可以制造這樣的形式，其中在形成在第一導電型硅半導體基底中形成的第一導電型第三阱中形成視頻信號寫入晶體管，并且第三阱在所有發(fā)光元件中處于相同電勢。在包括該形式的據本公開實施例的顯示設備或電子裝置的顯示設備中，可以制造在每個發(fā)光元件中電隔離第一阱的形式。雖然p型用作第一導電型并且n型用作第二導電型，但是形式不限于此。第一導電型可以是n型并且第二導電型可以是p型。在根據本公開實施例的顯示設備或電子裝置的顯示設備中，電流供應線連接到電流供應單元，數(shù)據線連接到視頻信號輸出電路，并且掃描線連接到掃描電路。電流供應單元、視頻信號輸出電路和掃描電路通常包含在顯示設備中。例如，驅動電路可以是具有兩個驅動晶體管(驅動晶體管和視頻"[目號與入晶體管)和一個電容単元的驅動電路(稱為“2Tr/lC”驅動電路)的驅動電路，具有兩個驅動晶體管(驅動晶體管、視頻信號寫入晶體管和一個晶體管)和一個電容単元的驅動電路(稱為“3Tr/lC”驅動電路)的驅動電路，具有兩個驅動晶體管(驅動晶體管、視頻信號寫入晶體管和兩個晶體管)和一個電容単元的驅動電路(稱為“4Tr/lC”驅動電路)的驅動電路，或者具有兩個驅動晶體管(驅動晶體管、視頻信號寫入晶體管和三個晶體管)和一個電容単元的驅動電路(稱為“5Tr/lC”驅動電路)的驅動電路。具體地，發(fā)光單元可以具有有機電致發(fā)光發(fā)光單元(有機EL發(fā)光單元)。驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起。具體地，例如，第一導電型的連接區(qū)域提供在第二阱的表面區(qū)域中，驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的連接和另一區(qū)域相互直接或通過導電材料層電連接在一起?？商娲?， 驅動晶體管的源扱/漏極區(qū)域的連接區(qū)域和另一區(qū)域可以通過接觸孔、布線等電連接在一起。根據本公開實施例的顯示設備或電子裝置的顯示設備可以具有其中執(zhí)行所謂單色顯示的配置或者這樣的配置，其中一個像素具有多個子像素，具體地，一個像素具有紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素三個子像素。每個像素可以具有包括這些三種子像素和一種子像素或多種子像素的一組子像素(例如，一組子像素包括發(fā)射用于改進亮度的白光的子像素，一組子像素包括發(fā)射用于擴展色彩再現(xiàn)范圍的補色光的子像素，一組子像素包括發(fā)射用于擴展色彩再現(xiàn)范圍的黃光的子像素，或者一組子像素包括發(fā)射用于擴展色彩再現(xiàn)范圍的黃色和青色光的子像素)。根據本公開實施例的顯示設備或電子裝置的顯示設備中，各種電路(諸如電流供應單元、視頻信號輸出電路和掃描電路)、各種布線(諸如電流供應線、數(shù)據線和掃描線)和發(fā)光單元的配置或結構可以是已知的配置或結構。具體地，例如，由有機EL發(fā)光單元構成的發(fā)光單元可以具有例如陽極電極、有機材料層(例如，具有其中空穴傳送層、發(fā)光層和電子傳送層層壓的結構)、陰極電極等。構成驅動電路的電容單元可以具有一個電極、另ー電極和插入這些電極之間的電介質層(絕緣層)。構成驅動電路的晶體管和電容單元形成在硅半導體基底中，并且例如發(fā)光單元形成在通過絕緣夾層構成驅動電路的晶體管和電容單元之上。驅動晶體管的源扱/漏極區(qū)域的另ー個例如通過接觸孔連接到發(fā)光單元的陽極電扱。[示例 I]示例I涉及根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置，具體地涉及有機EL顯示設備和包括有機EL顯示設備的電子裝置。下文中，每個示例的顯示設備和電子裝置的顯示設備統(tǒng)一地簡稱為“示例的顯示設備”。圖I是包括示例I的顯示設備中的驅動電路的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖。圖2A是構成驅動電路的驅動晶體管和視頻信號寫入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。圖20是包括示例I (其中驅動電路是具有兩個晶體管Tltev和Tsig與一個電容単元C1的驅動電路(2Tr/lC驅動電路)的示例)的顯示設備中的驅動電路的發(fā)光元件的等效電路圖。圖19是構成顯示設備的電路的概念圖。在圖I的示意性局部剖視圖中，為了簡化附圖，還包括沿不同的垂直虛擬平面得到的顯示設備的剖視圖。
示例I的顯示設備是具有多個發(fā)光元件I的顯示設備。姆個發(fā)光元件I包括發(fā)光単元(具體地，有機EL發(fā)光單元)ELP和用于驅動發(fā)光單元ELP的驅動電路。顯示設備具有按ニ維矩陣排列的NXM個像素。一個像素具有三個子像素(發(fā)射紅光的紅色發(fā)光子像素、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光子像素和發(fā)射藍光的藍色發(fā)光子像素)。如圖19的電路的概念圖中所示,示例I的顯示設備包括(a)電流供應單元100、(b)掃描電路101、(C)視頻信號輸出電路102、Cd)按ニ維矩陣排列的、在第一方向的N個發(fā)光兀件I和在不同于第一方向的第二方向(具體地，垂直于第一方向的方向)的M個發(fā)光元件I的總共NXM個發(fā)光元件I、(e)連接到電流供應單元100并且在第一方向延伸的M個電流供應線CSL、Cf)連接到掃描電路101并 且在第一方向延伸的M個掃描線SCL、以及(g)連接到視頻信號輸出電路102并且在第二方向延伸的N個數(shù)據線DTL。雖然在圖19中示出3X3個發(fā)光元件1，但是這僅僅用于圖示。電流供應單元100或掃描電路101可以在掃描線SCL的一端排列，或者可以在兩端排列。驅動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的驅動晶體管Ttav，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域和柵電極的視頻信號寫入晶體管Tsig,以及
(C)電容單元Q。具體地，驅動晶體管Tltev和視頻信號寫入晶體管Tsig是MOSFET。在驅動晶體管Tltev中，(A-I)源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域24連接到對應的電流供應線CSL、(A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域25連接到發(fā)光單元ELP以及連接到電容單元C1的一端，并且形成第二節(jié)點ND2,以及(A-3)柵電極21連接到視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域35，以及連接到電容單元C1的另一端，并且形成第一節(jié)點ND115在視頻信號寫入晶體管Tsig中，(B-I)源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域34連接到對應的數(shù)據線DTL，以及(B-2)柵電極31連接到對應的掃描線SCL。電容單元C1 (在圖I中由畫圈部分指示)具有一個電極41、另ー電極42、在這些電極41和42之間插入的電介質層(絕緣層)43。在驅動晶體管Itev中，源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域(在該示例中，具體地，在發(fā)光單元發(fā)光時用作漏極區(qū)域24的源扱/漏極區(qū)域。同樣應用于以下描述)連接到電流供應單元100。源扱/漏極區(qū)域的另ー個(在該示例中，具體地，在發(fā)光單元發(fā)光時用作源極區(qū)域25的源扱/漏極區(qū)域。同樣應用于以下描述)連接到發(fā)光単元(有機EL發(fā)光單元)ELP的陽極電極51，以及連接到電容單元C1的另ー電極42。柵電極連接到視頻信號寫入晶體管Tsig的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(在該示例中，具體地，在視頻信號寫入時用作源極區(qū)域35的源極/漏極區(qū)域。同樣應用于以下描述)，以及連接到電容單元C1的一個電極41，并且形成第一節(jié)點ND115在視頻信號寫入晶體管Tsig中，源扱/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域(在該示例中，具體地，在視頻信號寫入時用作漏極區(qū)域34的源極/漏極區(qū)域。同樣應用于以下描述)連接到數(shù)據線DTL，并且柵電極31連接到掃描線SCL。注意參考標號15表不隔離區(qū)域，參考標號22和32表不柵極絕緣層，并且參考標號23和33表示柵極側壁。驅動晶體管Itev的漏極區(qū)域24通過接觸孔、接觸點70和電源供應線CSL連接到電源供應單元100。視頻信號寫入晶體管Tsig的漏極區(qū)域34通過另ー接觸孔、另ー接觸點70和數(shù)據線DTL連接到視頻信號輸出電路102。視頻信號寫入晶體管Tsig的柵電極31通過另ー接觸孔、另ー接觸點70和掃描線SCL連接到掃描電路101。電容單元C1的另ー電極42通過另ー接觸孔和另一接觸點70連接到發(fā)光單元ELP的陽極電極51。提供接觸孔和接觸點70以便不與在第一方向延伸的掃描線SCL或電流供應線CSL短路。圖I示出這樣的狀態(tài)。驅動晶體管Tltev形成在第一導電型(p型)第二阱12內，該第一導電型第二阱形成在第一導電型(在該示例中，具體地P型)硅半導體基底10中形成的第二導電型(在該示例中，具體地n型)第一阱11內。視頻信號寫入晶體管Tsig形成在第一導電型(p型)硅半導體基底10中形成的第一導電型(p型)第三阱13內。驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(漏極區(qū)域25)和第二阱12電連接在一起。具體地，第一導電型(p+)的連接區(qū)域26形成在第二阱12的表面區(qū)域中。驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的連接區(qū)域26和另一區(qū)域25通過接觸孔17、布線等(具體地，電容單元C1的另ー電極42)電連接。第三阱13在所有發(fā)光元件中處于相同的電勢。具體地，第三阱13通過硅半導體基底10處于第一預定電勢(例如，地電勢)。第一阱11在每個發(fā)光元件I中電隔離。具體地，構成每個發(fā)光元件I的驅動晶體管Tltev由隔離區(qū)域15包圍，并且第一阱11由通過P型硅半導體基底10構成的p型半導體層包圍。第一阱11用作關于第二阱12的保護環(huán)。第 ー阱11通過布線(未示出)處于第二預定電勢(例如，電源電勢)。如作為包括示例I的顯示設備中的驅動電路的修改的發(fā)光元件的示意性局部剖視圖的圖3所示，作為與第三阱13相同的第一導電型(p型)的阱(第四阱14)可以形成在硅半導體基底10的區(qū)域中，其中驅動晶體管Tltev要與第三阱13的形成同時形成，并且第一阱11和第二阱12可以提供在第一導電型(p型)第四阱14內?？商娲?，換句話說，示例I的顯示設備具有多個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件具有發(fā)光単元和用于驅動該發(fā)光単元的驅動電路。驅動電路至少包括發(fā)光單元ELP、電容單元C1.由MOSFET構成并且保持電容單元C1中的驅動信號(亮度信號)Vsig的視頻信號寫入晶體管TSig、以及由MOSFET構成并且基于電容單元C1中保持的驅動信號(亮度信號)Vsig驅動發(fā)光單元ELP的驅動晶體管Tfcv。驅動晶體管！'tav形成在第一導電型第二阱12內，該第一導電型第二阱12形成在第一導電型硅半導體基底10中形成的第二導電型第一阱11內，視頻信號寫入晶體管Tsig形成在第一導電型硅半導體基底10中，并且驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱12電連接在一起。硅半導體基底10中提供的驅動晶體管Tltev和視頻信號寫入晶體管Tsig用絕緣夾層61覆蓋。電容單元C1的另ー電極42和電介質層(絕緣層)43形成在絕緣夾層61上，并且電容單元C1的一個電極41形成在電介質層(絕緣層)43上。絕緣夾層61形成在電介質層(絕緣層)43和電容單元C1的一個電極41上，并且掃描線SCL形成在絕緣夾層62上。絕緣夾層63形成在絕緣夾層62和掃描SCL上，并且數(shù)據線DTL形成在絕緣夾層63上。絕緣夾層64形成在絕緣夾層63和數(shù)據線DTL上，并且電流供應線CSL形成在絕緣夾層64上。絕緣夾層65形成在絕緣夾層64和電流供應線CSL上，并且構成發(fā)光單元ELP的陽極電極51形成在絕緣夾層65上。陽極電極51暴露在其底部的具有開ロ的絕緣夾層66形成在絕緣夾層65和陽極電極51上,構成發(fā)光單兀ELP的空穴傳送層、發(fā)光層、電子傳送層(具有這些層的層疊結構的有機材料層52)和陰極電極53形成在絕緣夾層66和陽極電極51上，并且絕緣夾層67形成在陰極電極53上。玻璃板(未示出)通過粘合劑層(未示出)粘貼到絕緣夾層67上。在一些情況下，不必執(zhí)行有機材料層52和陰極電極53的圖案形成。掃描線SCL、數(shù)據線DTL和電流供應線CSL的層疊順序不限于上述層疊順序，并且是固有地任意的。上面描述的發(fā)光元件I可以通過已知方法制造，并且制造發(fā)光元件I時使用的各種材料可以是已知材料。將在以下描述的示例6中描述示例I的驅動電路的操作。在示例I的顯示設備中，由于構成驅動電路的驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起，當驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域的電勢升高或電壓增大時，第二阱的電勢也升高或電壓増大。相應地，可能抑制背柵極效應的出現(xiàn)，以獲得驅動電路的穩(wěn)定操作，并且抑制顯示設備的功耗的增加。雖然在現(xiàn)有技術中，必需排序用于控制以下描述的發(fā)光単元ELP中的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig的寬信號動態(tài)范圍，但是在根據本公開實施例的驅動電路中，變得可能設置窄信號動態(tài)范圍和抑制數(shù)據線的充電/放電電流，從而對顯示設備的低功耗做出貢獻。因為驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域和第二阱電連接在一起，所以當發(fā)光單元ELP劣化時發(fā)光単元ELP的I-V特性劣化。因此即使當陽極電極的電勢較高時，也不出現(xiàn)問題。 [示例2]示例2是示例I的修改。圖2B是構成示例2的顯示設備中的驅動電路的驅動晶體管和視頻信號寫入晶體管的提取部分的示意性局部剖視圖。在示例2中，第一導電型(p+)的連接區(qū)域26提供在第二阱12的表面區(qū)域。與第一示例的不同在于導電材料層27(具體地，金屬硅化物層)形成在連接區(qū)域26和源極區(qū)域25的表面上。利用該配置，可能可靠地將驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域(源極區(qū)域25)和第二阱電連接在一起。具體地，導電材料層27可以通過SALICADE (自對準硅化物(self-alignedsilicide))處理形成。也就是說，在驅動晶體管Tltev的柵極絕緣層22的形成、柵電極21的形成、用于形成LDD結構的離子注入、柵極側壁23的形成、基于離子注入的源扱/漏極區(qū)域24和25的形成、以及基于離子注入的連接區(qū)域26的形成之后，在整個表面上形成金屬層(例如，鈷層)。執(zhí)行熱處理，并且硅半導體基底10中的硅原子與金屬層中的金屬原子反應以形成金屬硅化物層。因此，形成導電材料層27。此時，金屬硅化物層可以形成在柵電極21的頂部表面上。其后，移除不與硅原子反應的金屬層，并且退火金屬硅化物層以穩(wěn)定金屬硅化物層。以該方式，可能獲得穩(wěn)定地將驅動晶體管Tltev的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域(源極區(qū)域25)和第二阱電連接在一起的導電材料層27。[示例3]在以下描述的示例3或示例4-6中，執(zhí)行根據本公開實施例的驅動電路的操作。例如，以下描述的示例3或示例4-6中的驅動驅動電路的方法的概述如下。也就是說，驅動驅動電路的方法包括以下步驟Ca)執(zhí)行用于施加第一節(jié)點初始化電壓到第一節(jié)點ND1并且施加第二節(jié)點初始化電壓到第二節(jié)點ND2的預處理，以便第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差超過驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth，并且第二節(jié)點ND2和發(fā)光單元ELP的陰極電極之間的電勢差不超過發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_EP，(b)在保持第一節(jié)點ND1的電勢以増大第二節(jié)點ND2的電勢的狀態(tài)下，設置驅動晶體管Tltev的漏極區(qū)域的電勢高于在步驟(a)中的第二節(jié)點ND2的電勢，并且執(zhí)行用于使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差接近于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的閾值電壓取消處理，(c)執(zhí)行用于通過響應于來自掃描線SCL的信號變?yōu)閷顟B(tài)的視頻信號寫入晶體管Tsig施加來自數(shù)據線DTL的視頻信號電壓到第一節(jié)點ND1的寫入處理，并且將驅動晶體管Tltev置入導通狀態(tài)，Cd)響應于來自掃描線SCL的信號將視頻信號寫入晶體管Tsig置入截止狀態(tài)，以將第一節(jié)點ND1置入浮置狀態(tài)，以及(e)允許基于第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差的值的電流通過驅動晶體管Tnrv從電流供應單元100流入到發(fā)光單元ELP，以驅動發(fā)光單元ELP。如上所述，在步驟(b)中，執(zhí)行其中使第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的電勢差接近驅動晶體管的閾值電壓的閾值電壓取消處理。質量上的，在閾值電壓取消處理中，使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差(換句話說，驅動晶體管Itev的柵電極22和源極區(qū)域25之間的電勢差Vsg)如何接近驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth取決于閾值電壓取消處理的時間。相應地，例如，在確保閾值電壓取消處理的充足時間的形式中，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差達到驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth，并且驅動晶體管Tltev置入截止狀態(tài)。在閾值電壓取消處理的時間僅必需設置短的形式下，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差大于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅動晶體管Tltev可以不置入截止狀態(tài)。作為閾 值電壓取消處理的結果，驅動晶體管Tltev置入截止狀態(tài)不是必需的。假設線順序驅動構成每個像素的發(fā)光元件，并且顯示幀速率是FR (次/秒)。也就是說，同時驅動構成在第m (其中m=l，2，3， ，和M)行中排列的N個像素(3XN個子像素)的發(fā)光元件。換句話說，在構成一行的發(fā)光元件的每個中，按照這些發(fā)光元件所屬的行控制發(fā)光/不發(fā)光定吋。用于將視頻信號寫入到構成一行的每個像素的處理可以是用于同時寫入視頻信號到所有像素的處理(同時寫入處理)，或者用于順序寫入視頻信號到每個像素的處理(順序寫入處理)?？梢愿鶕l(fā)光元件或驅動電路的配置適當?shù)剡x擇這些寫入處理。下文中，將描述構成第m行和第n (其中n=l，2，3， ，和N)列中的像素的ー個子像素的發(fā)光元件的驅動或操作。相關子像素或發(fā)光元件下文中稱為第(n，m)個子像素或第(n，m)個發(fā)光元件。執(zhí)行各種處理(閾值電壓取消處理、寫入處理、以及以下描述的遷移率校正處理)，直到在第m行中排列的每個發(fā)光元件的水平掃描時段(第m個水平掃描時段)結束。在第m個水平掃描時段中執(zhí)行寫入處理或遷移率校正處理是必須的。取決于發(fā)光元件或驅動電路的類型，閾值電壓取消處理或相關的處理可以在第m個水平掃描時段之前執(zhí)行。在上述各種處理結束之后，構成第m行中排列的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元發(fā)光。發(fā)光單元可以立刻或在上述各種處理結束之后過去預定時段(例如，用于預定數(shù)量的行的水平掃描時段)時發(fā)光?？梢愿鶕@示設備的規(guī)格、發(fā)光元件或驅動電路的配置等，適當?shù)卦O置預定時段。在以下的描述中，為了描述方便，假設發(fā)光単元在各種處理結束之后立刻發(fā)光。構成第m行中排列的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元的發(fā)光在緊接第(m+m’)行中排列的每個發(fā)光元件的水平掃描時段的開始之前持續(xù)。顯示設備的設計規(guī)范確定“m’”。也就是說，在某一顯不巾貞中構成第m行中排列的姆個發(fā)光兀件的發(fā)光單兀的發(fā)光持續(xù)直到第(m+m’ -I)個水平掃描時段。構成第m行中排列的每個發(fā)光元件的發(fā)光單元從第(m+m’)個水平掃描時段的開始維持在不發(fā)光狀態(tài)，直到在下一顯示幀中的第m個水平掃描時段內完成寫入處理或遷移率校正處理。如果提供上述不發(fā)光狀態(tài)的時段(下文中，簡稱為不發(fā)光時段)，可以減少由于主動矩陣驅動導致的余像模糊，并且可以獲得優(yōu)秀的運動圖像質量。每個子像素(發(fā)光元件)的發(fā)光狀態(tài)/不發(fā)光狀態(tài)不限于以上描述的狀態(tài)。水平掃描時段的時間長度是小于(1/FR)X (1/M)的時間長度。當(m+m’)的值超過M時，在下一顯示幀中處理超出的水平掃描時段。在以下的描述中，一個晶體管的兩個源極/漏極區(qū)域中，術語“源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域”意味著連接到電流供應單元或電源單元的源扱/漏極區(qū)域。當晶體管處于導通狀態(tài)時，這意味著在源扱/漏極區(qū)域之間形成溝道的狀態(tài)。電流是否從某一晶體管的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域流到源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域無關緊要。當晶體管處于截止狀態(tài)時，這意味著在源極/漏極區(qū)域之間不形成溝道。當某一晶體管的源極/漏極區(qū)域連接到另一晶體管的源極/漏極區(qū)域時，這包括其中某一晶體管的源極/漏極區(qū)域和另一晶體管的源扱/漏極區(qū)域占據相同的區(qū)域的形式。源扱/漏極區(qū)域可以由導電材料(諸如包含雜質的多晶硅和非晶硅)形成，或者可以由金屬、合金、導電粒子、其層疊結構或有機材料(導電聚合物)制造的層形成。在以下描述中使用的時序圖中，示意性地示出表示每個時段的水平軸的長度(時間長度)，并且該水平軸的長度不意圖表示每個時段的時間長度的比率。具體地，示例3的驅動電路是具有五個晶體管和一個電容単元C1的驅動電路(5Tr/lC驅動電路)。圖4是構成示例3的顯示設備的電路概念圖。圖5是5Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖6是不意性驅動時序圖。圖7A-7D和8A-8E不意性不出甸個晶體管的·導通/截止狀態(tài)等。在以下描述的圖7A-7D、8A-8E和12A-12D、13A-13D、17A-17D、18A-18E以及22A-22F中，驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱的電連接未示出。5Tr/lC驅動電路具有不例I或2中描述的視頻イ目號與入晶體管Tsig和驅動晶體管Ttov、發(fā)光控制晶體管Ta—。、第一節(jié)點初始化晶體管Tndi、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2五個晶體管和一個電容単元Q。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)域之一連接到電流供應單元(ん)100，并且發(fā)光控制晶體管Ta c的源極/漏極區(qū)域另ー區(qū)域連接到驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。發(fā)光控制晶體管Ta e的導通/截止操作由連接到發(fā)光控制晶體管Ta e的柵電極的發(fā)光控制晶體管控制線CLa e控制。[驅動晶體管Tllrv]如上所述，驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到發(fā)光控制晶體管Tel c的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域。即，驅動晶體管Tltev通過發(fā)光控制晶體管Ta e連接到電流供應單元100。源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的另ー個連接到(I)發(fā)光單元ELP的陽極電扱，(2)第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源扱/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，以及(3)電容單元C1的一個電極，并且形成第二節(jié)點ND2。驅動晶體管Tltev的柵電極連接到(I)視頻信號寫入晶體管Tsig的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，(2)第一節(jié)點初始化晶體管Tnm的源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域，以及(3)電容單元C1的另ー電極，并且形成第一節(jié)點ND115在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，這樣驅動驅動晶體管Itev,以便漏極電流Ids根據表達式I流動。在發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)下，驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域操作為漏極區(qū)域，并且源扱/漏極區(qū)域的另ー區(qū)域操作為源極區(qū)域。如示例I中所述，下文中驅動晶體管Tltev的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域簡稱為漏極區(qū)域，源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域簡稱為源極區(qū)域。U :有效遷移率
L :溝道長度W :溝道寬度Vgs :柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vth:閾值電壓Cox (柵極絕緣層的相對介電常數(shù))X (真空介電常數(shù))/ (柵極絕緣層的厚度)k = (1/2) (W/L) Cox Ids=k * U (Vgs-Vth)2... (I)如果漏極電流Ids在發(fā)光單元ELP中流過，發(fā)光單元ELP發(fā)光。取決于漏極電流Ids值的量值控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)(亮度)。[視頻信號寫入晶體管Tsig]如示例I中所述，視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅動晶體管Tltev的柵電扱。用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig從視頻信號輸出電路102通過數(shù)據線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。不同于Vsig的各種信號/電壓(用于預充電驅動的信號、各種參考電壓等)可以通過數(shù)據線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。視頻信號寫入晶體管Tsig的導通/截止操作通過連接到視頻信號寫入晶體管Tsig的柵電極的掃描線SCL控制。[第一節(jié)點初始化晶體管Tndi]如上所述，第一節(jié)點初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅動晶體管Tltev的柵電扱。用于初始化第一節(jié)點ND1的電勢的電壓Vms (即驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢)提供到第一節(jié)點初始化晶體管Tnm的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。第一節(jié)點初始化晶體管Tndi的導通/截止操作通過連接到第一節(jié)點初始化晶體管Tndi的柵電極的第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi控制。第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi連接到第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104。[第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2]如上所述，第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域。用于初始化第二節(jié)點ND2的電勢的電壓Vss (即驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢)提供到第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的導通/截止操作通過連接到第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的柵電極的第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2控制。第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2連接到第ニ節(jié)點初始化晶體管控制電路105。[發(fā)光單元ELP]如上所述，發(fā)光單元ELP的陽極電極連接到驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域。電壓Vcat施加到發(fā)光單元ELP的陰極電扱。發(fā)光單元ELP的寄生電容由參考標號Ca表示。假設發(fā)光單元ELP的發(fā)光要求的閾值電壓是Vth_a。也就是說，如果等于或高于Vthi的電壓施加在發(fā)光單元ELP的陽極電極和陰極電極之間，發(fā)光単元ELP發(fā)光。雖然在以下的描述中，電壓或電勢的值如下，但是這些值僅僅用于說明，并且電壓或電勢不限于這些值。Vsig :用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)…OV到IOVVcc :用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電流供應單元的電壓…20V
V0fs :用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢的電壓(第一節(jié)點ND1的電勢)…OVVss :用于初始化驅動晶體管Itev的漏極區(qū)域的電勢的電壓(第二節(jié)點ND2的電勢)…-IOVVth=驅動晶體管Tltev的閾值電壓…3VVcat :施加到發(fā)光單元ELP的陰極電極的電壓…OVVthi :發(fā)光單元ELP的閾值電壓…3V下文中，將描述5Tr/lC驅動電路。如上所述，雖然將描述在各種處理(閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理)完成之后發(fā)光狀態(tài)立刻開始的情況，但是形式不限于 此。同樣適用于以下描述的4Tr/lC驅動電路、3Tr/lC驅動電路和2Tr/lC驅動電路。[時段-TP(5) _J (參見圖6和圖7)[時段-TP(5) _J是例如在先前的顯示幀中的操作，以及在各種先前的處理完成之后是第(n，m)個發(fā)光単元ELP處于發(fā)光狀態(tài)的時段。也就是說，基于表達式(5)的漏極電流I’ ds在構成第(n, m)個子像素的發(fā)光單元ELP中流動,并且構成第(n, m)個發(fā)光單元ELP的亮度具有對應于相關漏極電流I’ds的值。視頻信號寫入晶體管Tsig、第一節(jié)點初始化晶體管Tm、以及第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2處于截止狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管Ta c和驅動晶體管!'DCT處于導通狀態(tài)。緊接第(m+m’)行中排列的發(fā)光單元ELP的水平掃描時段的開始之前，第(n，m)個發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)。圖6中示出的[時段-TP (5)。]到[時段-TP (5)4]是從發(fā)光狀態(tài)結束時起在完成各種先前的處理之后緊接執(zhí)行下一寫入處理之前的操作時段。也就是說，[時段-TP (5)0]到[時段-TP(5)4]是從先前的顯示幀中的第(m+m’)個水平掃描時段開始直到在當前顯示幀中第(m-1)個水平掃描時段的結束的某一時間長度的時段。[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5) J可以包括在當前顯示幀中的第m個水平掃描時段內。在[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5)4]中，第(n，m)個發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。也就是說，在[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5) J和[時段-TP (5)3]到[時段-TP (5)4]中，由于發(fā)光控制晶體管Tac處于截止狀態(tài)，所以發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP (5)2]中，發(fā)光控制晶體管Tae處于導通狀態(tài)。然而，在該時段中，執(zhí)行以下描述的閾值電壓取消處理。雖然以下將詳細描述閾值電壓取消處理，但是如果假設滿足表達式(2)，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。下文中，將首先描述[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5)4]的每個時段。注意可以根據顯示設備的設計適當?shù)卦O置[時段-TP (5)J的開始的長度或[時段-TP (5)J到[時段-TP (5)4]的每個時段。[時段-TP(5) 0]如上所述，在[時段-TP (5)J，第(n，m)個發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。視頻信號寫入晶體管Tsig、第一節(jié)點初始化晶體管Tndi、以及第ニ節(jié)點初始化晶體管Tnd2處于截止狀態(tài)。在從[時段-TP (5)_J到[時段-TP (5)0]變化的時間，因為發(fā)光控制晶體管Tel。置入截止狀態(tài)，所以第二節(jié)點ND2 (驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域或發(fā)光單元ELP的陽極電扱)的電勢下降到(Vthi+Veat)，并且發(fā)光単元ELP置入不發(fā)光狀態(tài)。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電勢下降，在浮置狀態(tài)下的第一節(jié)點ND1 (驅動晶體管Tltev的柵電極)的電勢也下降。
[時段-TP(5)J (參見圖 7B 和 7C)在[時段-TP (5)J中執(zhí)行以下描述的用于執(zhí)行閾值電壓取消處理的預處理。也就是說，在[時段-TP (5) J的開始的時間，如果第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi和第ニ節(jié)點初始化晶體管控 制線AZnd2基于第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104和第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處于高電平，第一節(jié)點初始化晶體管Tndi和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2置入導通狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點ND2的電勢變?yōu)閂ss (例如-10V)。在完成[時段-TP (5) J之前，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105處于低電平，第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2置入截止狀態(tài)。第一節(jié)點初始化晶體管Tndi和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2可以同時置入導通狀態(tài)，第一節(jié)點初始化晶體管Tndi可以提前置入導通狀態(tài)，或者第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2可以提前置入導通狀態(tài)。利用上述處理，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差等于或大于Vth,并且驅動晶體管Tltev變?yōu)閷顟B(tài)。[時段-TP(5)2](參見圖 7D)接下來，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLae基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時第一節(jié)點初始化晶體管Tndi維持在導通狀態(tài)，發(fā)光控制晶體管Tae置入導通狀態(tài)。結果，當?shù)谝还?jié)點ND1的電勢不改變(維持在Vms=OV)時，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢升高，并且使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差接近驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差達到Vth，驅動晶體管Tltev置入截止狀態(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢接近(VQfs-Vth=-3V>Vss)，并且最終變?yōu)?VQfs-Vth)。如果確保表達式(2)，換句話說，如果選擇并確定電勢以便滿足表達式(2)，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。質量上，在閾值電壓取消處理中，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差(換句話說，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差)如何接近驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth取決于閾值電壓取消處理的時間。相應地，例如，當保證用于閾值電壓取消處理的足夠時間時，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差達到驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅動晶體管Tltev置入截止狀態(tài)。例如，當閾值電壓取消處理的時間設置短時，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差大于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth，并且驅動晶體管Tltev可以不置入截止狀態(tài)。也就是說，作為閾值電壓取消處理的結果，驅動晶體管Itev置入截止狀態(tài)不是必需的。(V0fs-Vth) <(Vth_EL+VCat)- (2)在[時段-TP (5)2]中，第二節(jié)點ND2的電勢例如最終變?yōu)?Vws-Vth)。也就是說，僅取決于驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓Vms確定第二節(jié)點ND2的電勢。換句話說，第二節(jié)點ND2的電勢不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電
壓 Vth-EL。[時段-TP(5)3](參見圖 8A)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線Cl。基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時第一節(jié)點初始化晶體管Tnm維持在導通狀態(tài)，發(fā)光控制晶體管Ta e置入截止狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢不改變(維持在Vms=OV),并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢也不改變，并且保持在(VWs-Vth=-3V)。
[時段-TP(5)4](參見圖 8B)接下來，如果第一節(jié)點初始化晶體管控制線AZndi基于第一節(jié)點初始化晶體管控制電路104處于低電平，第一節(jié)點初始化晶體管Tndi置入截止狀態(tài)。第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2的電勢實質上不改變(實際上，電勢的變化由于靜電耦合出現(xiàn)，諸如寄生電容，但是該變化通?？珊雎?。接下來，將描述[時段-TP (5)5]到[時段-TP (5)7]的每個時段。如下面描述的，在[時段-TP (5)5]執(zhí)行寫入處理，并且在[時段-TP (5)6]執(zhí)行遷移率校正處理。如以上描述的，在第m個水平掃描時段內執(zhí)行這些處理是必需的。為了描述的方便，將假設[時段-TP (5)5]的開始和[時段-TP (5)6]的結束分別匹配第m個水平掃描時段的開始和結束來提供描述。[時段-TP(5)5](參見圖 8C)
其后，執(zhí)行對驅動晶體管Tltev的寫入處理。具體地，當?shù)谝还?jié)點初始化晶體管Tm、第二節(jié)點初始化晶體管TND2、以及發(fā)光控制晶體管Ta。維持在截止狀態(tài)時，如果數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作，設置為用于控制發(fā)光單元ELP亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig,并且然后掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入導通狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢升高到VSig。電容單元C1的電容具有值C1，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容具有值ca。假設驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容的值是cgs。當驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢從Vws改變到Vsig吋，原理上，在電容單元C1的兩端的電勢(第一節(jié)點ND1和第ニ節(jié)點ND2的電勢)改變。也就是說，基于驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢(=第一節(jié)點NDi的電勢)的改變(Vsig-Vws)的電荷劃分到電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、以及驅動晶體管Ttov的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容中。順帶地，如果值Ca充分大于值C1和值cgs，則基于驅動晶體管Tltev的柵極的電勢的改變(Vsig-Vws)的驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢的改變小。一般，發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca的電容值Ca大于電容單元C1的電容值C1以及驅動晶體管Tltev的寄生電容的值cgs。為了描述的方便，除非特別要求，將不考慮由于第一節(jié)點ND1的電勢的變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化來提供描述。同樣適用于其他驅動電路。不考慮由于第一節(jié)點ND1的電勢變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化來示出圖6的驅動時序圖。當驅動晶體管Tltev的柵電極(第一節(jié)點ND1)的電勢是Vg，并且驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢是Vs吋，Vg的值和Vs的值如下。因此，第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差，也就是說，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vgs的電勢差可以通過表達式(3)表示。Vg=VsigVs=V0fe-VthVgs=￥sig-(Vofs-Vth) ... (3)也就是說，對驅動晶體管!'DCT的寫入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光単元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig、驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth、以及用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光単元ELP的閾值電壓Vth_a。[時段-TP(5)6](參見圖 8D)其后，驅動晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢基于驅動晶體管Itev的遷移率y的量值校正(遷移率校正處理)。一般，當使用多晶硅薄膜晶體管等制造驅動晶體管Tltev時，遷移率U的變化不可避免地在各晶體管之間生成。相應地，即使當相同值的驅動信號Vsig施加到遷移率y不同的多個驅動晶體管Tltev的柵電極時，也存在流入具有大遷移率y的驅動晶體管Tltev的漏極電流Ids和流入具有小遷移率U的驅動晶體管Tltev的漏極電流Ids之間的差別。如果生成該差別，顯示設備的屏幕均勻性受到破壞。相應地，具體地，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時驅動晶體管Tltev維持在導通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Ta e置入導通狀態(tài)。接下來，如果當預定時間Utl)已經過去時掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于低電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入截止狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND1 (驅動晶體管Tltev的柵電極)置入浮置狀態(tài)。結果，當驅動晶體管Tltev的遷移率y的值大時，驅動晶體管！'DCT的源極區(qū)域的電勢的升高量AV (電勢校正值)増大。當驅動晶體管Tltev的遷移率y的值·小吋，驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢的升高量AV(電勢校正值)減小。驅動晶體管！^的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vgs從表達式(3)到表達式(4)修改。Vgs三VSig-(Vofs-Vth)-AV ... (4)用于執(zhí)行遷移率校正處理的預定時間([時段-TP (5)6]的完整時間可以預先確定為在顯示設備設計時的設計值。確定[時段-TP(5)6]的完整時間b，以便此時的驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢(Vws-Vth+AV)滿足表達式(2’)。相應地，在[時段-TP (5)6]中，發(fā)光單元ELP不發(fā)光。利用遷移率校正處理，同時校正系數(shù)k( = (1/2) (ff/L) -CJ的變化。(V0fs-Vth+ A V) < (Vth_EL+VCat)…(2，)[時段-TP(5)7](參見圖 8E)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫入處理和遷移率校正處理。另ー方面，如果掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于低電平，結果，視頻信號寫入晶體管Tsig置入截止狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND1,即，驅動晶體管Tltev的柵電極置入浮置狀態(tài)。發(fā)光控制晶體管Tel c維持在導通狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管Ta e的漏極區(qū)域連接到用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電流供應單元100 (電壓V。。，例如20V)。結果，第二節(jié)點ND2的電勢升高。如上所述，由于驅動晶體管Tltev的柵電極處于浮置狀態(tài)，并且提供電容單元C1，所以驅動晶體管Tltev的柵電極經歷與所謂自舉(bootstrap)電路相同的現(xiàn)象，并且第一節(jié)點ND1的電勢也升高。結果，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vgs保持在表達式(4)的值。因為第二節(jié)點ND2的電勢升高并且超過(Vthi+Veat)，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，因為發(fā)光単元ELP中流動的電流是從驅動晶體管Tltev的漏極區(qū)域到源極區(qū)域流動的漏極電流Ids，所以該電流可以通過表達式(I)表達。根據表達式(I)和(4)，表達式(I)可以修改為表達式(5)。Ids=k * U (Vsig-V0fs-AV)2- (5)相應地，當Vws設置到OV時，發(fā)光單元ELP中流動的電流Ids與這樣的值的平方成比例，通過從用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig減去由于驅動晶體管的遷移率U導致的第二節(jié)點ND2 (驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域)的電勢校正值A V獲得該值。換句話說，發(fā)光單元ELP中流動的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光単元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光単元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。第(n，m)個發(fā)光單元ELP的売度具有對應于相關電流Ids的值。隨著驅動晶體管Tltev具有較大的遷移率U ,電勢校正值AV増大，以便表達式(4)的左側的Vgs的值減小。相應地，在表達式(5)中，即使當遷移率ii的值大吋，(Vsig-Vws-AV)2的值也減小，從而校正漏極電流Ids。也就是說，在具有不同遷移率U的驅動晶體管Itev中，如果驅動信號(亮度信號)Vsig的值相同，并且漏極電流Ids實質上相同。結果，發(fā)光單元ELP中流動的并且控制發(fā)光單元ELP的亮度的電流Ids被均勻化。也就是說，可以校正由于遷移率U的變化(也稱為k的變化)導致的發(fā)光單元的亮度的變化。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ -I)個水平掃描時段。該時間對應于[時段-TP (5)_J的結束。 利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個子像素)的發(fā)光的操作。在[時段-TP (5)7](參見圖8E)，如果第二節(jié)點ND2的電勢升高并且超過(Vth_EL+VCat),發(fā)光單元ELP的發(fā)光開始。同時，當由于第二節(jié)點ND2的電勢升高導致背柵極效應出現(xiàn)時，驅動晶體管Itev中流動的電流Ids減少。順帶地，在根據本公開實施例的驅動電路中，因為驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起，隨著第二節(jié)點ND2的電勢升高第二阱的電勢也升高，并且不存在第二阱和驅動晶體管!'tav的源極區(qū)域之間的電勢Vbs的變化。相應地，不存在由于背柵極效應導致驅動晶體管Tltev中流動的電流Ids減少的問題。同樣適用于以下描述的示例4到6。[示例4]示例4涉及4Tr/lC驅動電路。圖9是示例4的驅動電路的概念圖。圖10是4Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖11是示意性驅動時序圖。圖12A到12D和13A到13D示意性示出每個晶體管的導通/截止狀態(tài)等。在4Tr/lC驅動電路中，第一節(jié)點初始化晶體管Tnm從以上描述的5Tr/lC驅動電路中移除。也就是說，4Tr/lC驅動電路具有視頻信號寫入晶體管Tsig、驅動晶體管!'tav、發(fā)光控制晶體管Ta e和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2四個晶體管，以及ー個電容単元も。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的發(fā)光控制晶體管Ta。相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[驅動晶體管Tllrv]驅動晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的驅動晶體管Tltev相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2]第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復其詳細的描述。雖然視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到數(shù)據線DTL，但是不僅用于控制發(fā)光単元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig而且用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓Vms從視頻信號輸出電路102提供。該點不同于5Tr/lC驅動電路中描述的視頻信號寫入晶體管Tsig的操作。不同于Vsig或Vms的信號/電壓(例如，用于預充電驅動的信號)可以從視頻信號輸出電路102通過數(shù)據線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的發(fā)光単元ELP相同，并且因此將不重復其詳細的描述。下文中，將描述4Tr/lC驅動電路的操作。[時段-TP(4) _J (圖 11 和 12A)
[時段-TP(4XJ例如是先前顯示幀中的操作，并且與5Tr/lC驅動電路中的[時段-TP (5) _J相同的操作。圖11中示出的[時段-TP (4)0]到[時段-TP (4)4]是對應于圖6中示出的[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5) J的時段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫入處理之前的操作時段。類似于5Tr/lC驅動電路，在[時段-TP (4)0]到[時段-TP (4)J中，第(n，m)個發(fā)光単元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。4Tr/lC驅動電路的操作不同于5Tr/lC驅動電路的操作在干，除了圖6中所示的[時段-TP (4)5]到[時段-TP (4)6]之外，[時段-TP (4)2]到[時段-TP (4)J也包括在第m個水平掃描時段中。為了描述的方便，將假設[時段-TP (4)2]的開始和[時段-TP (4)6]的結束分別匹配第m個水平掃描時段的開始和結束來提供描述。下文中，將描述[時段-TP (4)0]到[時段-TP (4)J的每個時段。如5Tr/lC驅動電路中所描述的，[時段-TP (4)J的開始的長度或[時段-TP (4)J到[時段-TP (4)4]的每個時段可以根據顯示設備的設計適當?shù)卦O置。[時段-TP(4)0][時段-TP(4)J例如是從先前顯示幀到當前顯示幀的操作，并且實質上是與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)0]相同的操作。[時段-TP(4) J (參見圖 1 )[時段-TP(4) J對應于5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5) J0在[時段-TP (4)J中，執(zhí)行以下描述的用于執(zhí)行閾值電壓取消處理的預處理。在[時段-TP (4)J的開始吋，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105處于高電平，則第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2置入導通狀態(tài)。結果，第二節(jié)點ND2的電勢變?yōu)閂ss (例如-10V)。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電勢下降，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點ND1 (驅動晶體管Tltev的柵電極)的電勢也下降。因為在[時段-TP (4) J中第一節(jié)點ND1的電勢取決于在[時段-TP (4)_J中的第一節(jié)點ND1的電勢(根據先前幀中的Vsig的值定義)，所以第一節(jié)點ND1的電勢不具有恒定值。[時段-TP(4)2](參見圖 12C)其后，如果數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作設置到VMs，并且掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入導通狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點ND2的電勢保持在Vss (例如-10V)。其后，如果第二節(jié)點初始化晶體管控制線AZnd2基于第二節(jié)點初始化晶體管控制電路105的操作處于低電平，則第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2置入截止狀態(tài)。與[時段-TP (4) J的開始或[時段-TP (4) J的半程同時地，驅動晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差等于或大于vth，并且驅動晶體管Tltev置入導通狀態(tài)。[時段-TP(4)3](參見圖 12D)接下來，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Ta c置入導通狀態(tài)。結果，當?shù)谝还?jié)點ND1的電勢不改變(維持在Vms=OV)時，處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢升高，并且使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差接近于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅動晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差達到Vth，則驅動晶體管Itev置入截止狀態(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢接近于(VWs-Vth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs-Vth)。如果保證表達式(2)，換句話說，如果選擇并且確定電勢以便滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。·在[時段-TP (4)3]中，第二節(jié)點ND2的電勢最終變?yōu)槔?VQfs_Vth)。也就是說，僅取決于驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅動晶體管Itev的柵電極的電壓Vms確定第二節(jié)點ND2的電勢。第二節(jié)點ND2的電勢不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時段-TP(4)J (參見圖 13A)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Tl。置入截止狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢不改變(維持在Vms=OV),并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢實質上不改變(實際上，電勢的改變由于靜電耦合出現(xiàn)，諸如寄生電容，但是該改變通常可忽略)，并且保持在(VQfs-Vth=-3V)。接下來，將描述[時段-TP (4)5]到[時段-TP (4)7]的每個時段。這些時段實質上是與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)5]到[時段-TP (5)7]相同的操作。[時段-TP(4)5](參見圖 13B)接下來，執(zhí)行對驅動晶體管Itev的寫入處理。具體地，當視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，并且第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止狀態(tài)時，數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作從Vms切換到用于抑制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)VSig。結果，第一節(jié)點ND1的電勢升高到VSig。視頻信號寫入晶體管Tsig置入截止狀態(tài)一次，并且在視頻信號寫入晶體管Tsig、第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止狀態(tài)時，數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)VSig。其后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說，通過減慢的掃描信號)，同時第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2和發(fā)光控制晶體管維持在截止狀態(tài)，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入導通狀態(tài)。相應地，如5Tr/lC驅動電路中所描述的，表達式(3)中描述的值可以獲得為第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差，也就是說，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vgs。也就是說，在4Tr/lC驅動電路中在對驅動晶體管Itev的寫入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig、驅動晶體管Tltev的閾值電壓vth、以及用于初始化驅動晶體管Itev的柵電極的電壓VMs。Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓V
th-EL °[時段-TP(4)6](參見圖 13C)其后，驅動晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢基于驅動晶體管Itev的遷移率μ的量值校正(遷移率校正處理)。具體地，可以執(zhí)行與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)6]相同的操作。用于執(zhí)行遷移率校正處理的預定時間([時段-TP (4)6]的完整時間h)可以預先確定為在顯示設備設計時的設計值。[時段-TP(4)7](參見圖 13D)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫入處理、以及遷移率校正處理。因為執(zhí) 行與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點ND2的電勢升高并且超過(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，因為可以通過表達式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅動晶體管Tltev的遷移率μ的變化導致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個水平掃描時段。該時間對應于[時段-TP (4)-J的結束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個子像素)的發(fā)光的操作。[示例5]示例5涉及3Tr/lC驅動電路。圖14是示例5的驅動電路的概念圖。圖15是3Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖16是示意性驅動時序圖。圖17A到17D和18A到18E示意性示出每個晶體管的導通/截止狀態(tài)等。在3Tr/lC驅動電路中，第一節(jié)點初始化晶體管Tnm和第二節(jié)點初始化晶體管Tm2從以上描述的5Tr/IC驅動電路中移除。也就是說，3Tr/lC驅動電路具有視頻信號寫入晶體管Tsig、發(fā)光控制晶體管和驅動晶體管Tltev三個晶體管，以及一個電容單元Q。[發(fā)光控制晶體管TaJ發(fā)光控制晶體管Ta。的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的發(fā)光控制晶體管Ta c相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[驅動晶體管TDrv]驅動晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的驅動晶體管Tltev相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復其詳細的描述。雖然視頻信號寫入晶體管Tsig的源極/漏極區(qū)域的一個區(qū)域連接到數(shù)據線DTL，但是不僅用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)VSig而且用于初始化驅動晶體管Itev的柵電極的電壓VMs_H和電壓VMs<從視頻信號輸出電路102提供。該點不同于5Tr/lC驅動電路中描述的視頻信號寫入晶體管Tsig的操作。不同于Vsig或VMs_H/VMs<的信號/電壓(例如，用于預充電驅動的信號)可以從視頻信號輸出電路102通過數(shù)據線DTL提供到源極/漏極區(qū)域的一個區(qū)域。
電壓VMs_H和電壓VMs<的值例如是，但不限于如下。V0fs_H=約 30VV0fs-L=約 OV[值CEl和C1之間的關系]如以下描述的，在3Tr/lC驅動電路中，必需使用數(shù)據線DTL改變第二節(jié)點ND2的電勢。在以上描述的5Tr/lC驅動電路或4Tr/lC驅動電路中，已經假設值Ca充分大于值C1和值cgs，并且考慮基于驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢中的變化(Vsig-Vws)的驅動晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢的變化(同樣適用 于以下描述的2Tr/lC驅動電路)，來提供描述。在3Tr/lC驅動電路中，為了設計，值C1設置為大于其他驅動電路(例如，值C1是值cEL的1/4到1/3)。相應地，相較于其他驅動電路由于第一節(jié)點ND1的電勢的變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化大。為此，在3Tr/lC的情況下，將考慮由于第一節(jié)點ND1的電勢的變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化來提供描述?？紤]由于第一節(jié)點ND1的電勢的變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化示出圖16的驅動時序圖。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的發(fā)光單元ELP相同，并且因此將不重復其詳細的描述。下文中，將描述3Tr/lC驅動電路的操作。[時段-TP(3) _J (參見圖 16 和 17A)[時段-TP(3X1]例如是先前顯示幀中的操作，并且實質上是與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)_J相同的操作。圖16中示出的[時段-TP (3)0]到[時段-TP (3)4]是對應于圖6中示出的[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5) J的時段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫入處理之前的操作時段。類似于5Tr/lC驅動電路，在[時段-TP (3)0]到[時段-TP (3)4]中，第(n，m)個發(fā)光單元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖16中所示，3Tr/lC驅動電路的操作不同于5Tr/lC驅動電路的操作在于，除了 [時段-TP (3)5]到[時段-TP (3)6]之外，[時段-TP (3) J到[時段-TP (3)4]也包括在第m個水平掃描時段中。為了描述的方便，將假設[時段-TP (3)J的開始和[時段-TP (3)6]的結束分別匹配第m個水平掃描時段的開始和結束來提供描述。下文中，將描述[時段-TP (3)0]到[時段-TP (3)4]的每個時段。如5Tr/lC驅動電路中所描述的，可以根據用于顯示設備的設計適當?shù)卦O置[時段-TP (3) J到[時段-TP (3) J的每個時段的長度。[時段-TP(3)。](參見圖 17B)[時段-TP(3)J例如是從先前顯示幀到當前顯示幀的操作，并且是實質上與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)0]相同的操作。[時段-TP(3) J (參見圖 17C)在當前顯示幀中的第m行的水平掃描時段開始。在[時段_TP(3)J的開始時，如果數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作設置到用于初始化驅動晶體管Itev的柵電極的電SVMs_H，并且隨后如果基于掃描電路101的操作掃描線SCL處于高電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入導通狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢變?yōu)閂Ms_H。如上所述，為了設計，因為電容單元C1的值C1大于驅動電路，所以源極區(qū)域的電勢(第二節(jié)點ND2的電勢)升高。因為發(fā)光單元ELP的兩端之間的電勢差超過閾值電壓Vthi，所以發(fā)光單元ELP置入導通狀態(tài)，但是驅動晶體管!'DCT的源極區(qū)域的電勢再次 直接下降到(Vthi+V&t)。其間，雖然發(fā)光單元ELP可以發(fā)光，但是發(fā)光是瞬時的，并且不存在實踐使用的問題。驅動晶體管Itev的柵電極保持在電壓VMs_H。[時段-TP(3)2](參見圖 17C)其后，如果數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作從用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs_H變化到電壓V^，則第一節(jié)點ND1的電勢變?yōu)閂Ms_p在第一節(jié)點ND1的電勢下降的情況下，第二節(jié)點ND2的電勢也下降。也就是說，基于驅動晶體管Tltev的柵電極的電勢的變化(VMs-L-VMs_h)的電荷劃分到電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca、以及驅動晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的寄生電容中。作為以下描述的[時段-TP (3)3]中的操作的假設，在[時段-TP (3)2]的結束時，必需第二節(jié)點ND2的電勢低于VMs_fVth。設置VMs_H等的值以便滿足各條件。也就是說，利用上述處理，驅動晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差等于或大于Vth，并且驅動晶體管Tltev置入導通狀態(tài)。[時段-TP(3)3](參見圖 18A)接下來，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa?；诎l(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于高電平，同時視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管置入導通狀態(tài)。結果，雖然第一節(jié)點ND1的電勢不改變(維持在VMs<=0V)，但是處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢升高，并且使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差接近于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。如果驅動晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差達到Vth，則驅動晶體管Itev置入截止狀態(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢接近于(VWs_fVth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs_fVth)。如果保證表達式(2)，換句話說，如果選擇并且確定電勢以便滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP (3)3]中，第二節(jié)點ND2的電勢變?yōu)槔?VQfs_L_Vth)。也就是說，僅取決于驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth和用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs<確定第二節(jié)點ND2的電勢。第二節(jié)點ND2的電勢不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi。[時段-TP(3)4](參見圖 18B)其后，如果發(fā)光控制晶體管控制線CLa。基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作處于低電平，同時視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，則發(fā)光控制晶體管Tl。置入截止狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢不改變(維持在￥%<=0￥)，并且處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢不改變并且保持在(VQfs_「Vth=-3V)。接下來，將描述[時段-TP (3)5]到[時段-TP (3)7]的每個時段。這些時段實質上是與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)5]到[時段-TP (5)7]相同的操作。[時段-TP(3)5](參見圖 18C)接下來，執(zhí)行對驅動晶體管Tltev的寫入處理。具體地，雖然視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管維持在截止狀態(tài)時，但是數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作設置到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig0結果，第一節(jié)點ND1的電勢升高到VSig。視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入截止狀態(tài)一次，并且在視頻信號寫入晶體管Tsig和發(fā)光控制晶體管維持在截止狀態(tài)時，數(shù)據線DTL的電勢可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)VSig。其后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說，通過減慢的掃描信號)，同時發(fā)光控制晶體管Ta。維持在截止狀態(tài)，則視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入導通狀態(tài)。在[時段-TP (3) 5]中第一節(jié)點ND1的電勢從VMs_l升高到VSig。由此，如果考慮由于第一節(jié)點ND1的電勢的變化導致的第二節(jié)點ND2的電勢的變化，則第二節(jié)點NDs的
電勢稍微升高。也就是說，.··.可以通過VQfs_fVth+α · (VSig-VQfs_J表示。建
立0〈 α〈I的關系，并且α的值通過電容單元C1、發(fā)光單元ELP的寄生電容Ca等定義。相應地，如5Tr/lC驅動電路中所描述的，表達式(3’)中描述的值可以獲得為第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差，也就是說，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差Vgs。
Vgs-Vsig-(￥ofe-L-Vt,O-W-(Vsig-Vof8-L) - · - (3丨)也就是說，在3Tr/lC驅動電路中在對驅動晶體管Itev的寫入處理中獲得的Vgs僅取決于用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig、驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth、以及用于初始化驅動晶體管Tltev的柵電極的電壓VMs_p Vgs不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓V
th-EL °[時段-TP(3)6](參見圖 18D)其后，驅動晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢基于驅動晶體管Itev的遷移率μ的量值校正(遷移率校正處理)。具體地，可以執(zhí)行與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)6]相同的操作。用于執(zhí)行遷移率校正處理的預定時間([時段-TP (3)6]的完整時間h)可以預先確定為在顯示設備設計時的設計值。[時段-TP(3)7](參見圖 18E)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫入處理、以及遷移率校正處理。因為執(zhí)行與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點ND2的電勢升高并且超過(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，因為可以通過表達式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅動晶體管Tltev的遷移率μ的變化導致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個水平掃描時段。該時間對應于[時段-TP (3)-J的結束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個子像素)的發(fā)光的操作。[示例6]示例6涉及2Tr/lC驅動電路。圖19是構成示例6的顯示設備的電路的概念圖。圖20示出2Tr/lC驅動電路的等效電路圖。圖21是示意性驅動時序圖。圖22A到22F示意性示出每個晶體管的導通/截止狀態(tài)等。在2Tr/lC驅動電路中，第一節(jié)點初始化晶體管Tndi、發(fā)光控制晶體管Ta。和第二節(jié)點初始化晶體管Tnd2三個晶體管從以上描述的5Tr/lC驅動電路中移除。也就是說，2Tr/lC驅動電路具有視頻信號寫入晶體管Tsig和驅動晶體管Tltev兩個晶體管，以及一個電容單元C1O[驅動晶體管TDrv]驅動晶體管Tltev的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的驅動晶體管Tltev相同，并且因此將不重復其詳細的描述。驅動晶體管Tltev的漏極區(qū)域連接到電流供應單元100。用于控制發(fā)光單元ELP的發(fā)光的電壓用于控制驅動晶體管Itev的源極區(qū)域的電勢的電壓VCC_L從電流供應單元100提供。電壓Vcmi和的值可以如下。Vcc_h=20VVcc-L=-IOV
然而，電壓Vcxh^P Vcl不限于這些值。[視頻信號寫入晶體管Tsig]視頻信號寫入晶體管Tsig的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的視頻信號寫入晶體管Tsig相同，并且因此將不重復其詳細的描述。[發(fā)光單元ELP]發(fā)光單元ELP的配置與5Tr/lC驅動電路中描述的發(fā)光單元ELP相同，并且因此將不重復其詳細的描述。 下文中，將描述2Tr/lC驅動電路的操作。[時段-TP(2) _J (參見圖 21 和 22A)[時段-TP(2X1]例如是先前顯示幀中的操作，并且實質上是與5Tr/lC驅動電路中的[時段-TP (5)_J相同的操作。圖21中示出的[時段-TP (2)0]到[時段-TP (2)2]是對應于圖6中示出的[時段-TP (5)0]到[時段-TP (5) J的時段，并且是緊接在執(zhí)行下一寫入處理之前的操作時段。類似于5Tr/lC驅動電路，在[時段-TP (2)0]到[時段-TP (2)2]中，第(11，m)個發(fā)光單元ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖21中所示，2Tr/lC驅動電路的操作不同于5Tr/lC驅動電路的操作在于，除了 [時段-TP (2)3]之外，[時段-TP (2) J到[時段-TP (2)2]也包括在第m個水平掃描時段中。為了描述的方便，將假設[時段-TP (2) J的開始和[時段-TP (2)3]的結束分別匹配第m個水平掃描時段的開始和結束來提供描述。下文中，將描述[時段-TP (2)0]到[時段-TP (2)2]的每個時段。如5Tr/lC驅動電路中所描述的，可以根據用于顯示設備的設計適當?shù)剡x擇[時段-TP (2) J到[時段-TP (2)3]的每個時段的長度。[時段-TP(2)。](參見圖 22B)[時段-TPGX1]例如是從先前顯示幀到當前顯示幀的操作。也就是說，[時段-TP
(2)0]是從先前顯示幀中的第(m+m’)個水平掃描時段到當前顯示幀中的第(m-Ι)個水平掃描時段的時段。在[時段-TP (2)J中，第(n, m)個發(fā)光單兀ELP處于不發(fā)光狀態(tài)。在從[時段-TP (2) 到[時段-TP (2) 0]的變化時，從電流供應單元100提供的電壓從VCC_H切換到V。。+。結果，第二節(jié)點ND2(驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域或發(fā)光單元ELP的陽極電極)的電勢下降到并且發(fā)光單元ELP置入不發(fā)光狀態(tài)。為了跟隨第二節(jié)點ND2的電勢下降，處于浮置狀態(tài)的第一節(jié)點ND1 (驅動晶體管Tltev的柵電極)的電勢也下降。[時段-TP(2) J (參見圖 22C)
在當前顯示幀中的第m行的水平掃描時段開始。在[時段-TP (2) J的開始時，如果掃描線SCL基于掃描電路101的操作處于高電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入導通狀態(tài)。結果，第一節(jié)點ND1的電勢變?yōu)閂ms (例如0V)。第二節(jié)點ND2的電勢保持在V。。+(例如-10V)。利用以上處理，驅動晶體管Tltev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差等于或大于Vth,并且驅動晶體管Itev置入導通狀態(tài)。[時段-TP(2)2](參見圖 22D)接下來，執(zhí)行閾值電壓取消處理。也就是說，雖然視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，但是從電流供應單元100提供的電壓從電壓V。。+切換到電壓V^H。結果，雖然第一節(jié)點ND1的電勢不改變(維持在VQfs=0V)，但是處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢升高，·并且使第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2之間的電勢差接近于驅動晶體管Itev的閾值電壓Vth。如果驅動晶體管Itev的柵電極和源極區(qū)域之間的電勢差達到Vth，則驅動晶體管Tltev置入截止狀態(tài)。具體地，使處于浮置狀態(tài)的第二節(jié)點ND2的電勢接近于(VMs-Vth=-3V)并且最終變?yōu)?VMs_Vth)。如果保證表達式(2)，換句話說，如果選擇并且確定電勢以便滿足表達式(2)，則發(fā)光單元ELP不發(fā)光。在[時段-TP (2)2]中，第二節(jié)點ND2的電勢最終變?yōu)槔?VQfs_Vth)。也就是說，第二節(jié)點ND2的電勢僅取決于驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth和用于初始化驅動晶體管Itev的柵電極的電壓VMs。第二節(jié)點ND2的電勢不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vth_a。[時段-TP(2)3](參見圖 22E)接下來，執(zhí)行對驅動晶體管Itev的寫入處理，并且基于驅動晶體管Itev的遷移率μ的量值校正驅動晶體管Itev的源極區(qū)域(第二節(jié)點ND2)的電勢(遷移率校正處理)。具體地，雖然視頻信號寫入晶體管Tsig維持在導通狀態(tài)，但是數(shù)據線DTL的電勢基于視頻信號輸出電路102的操作設置到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)VSig。結果，第一節(jié)點ND1的電勢升高到VSig。視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入截止狀態(tài)一次，數(shù)據線DTL的電勢可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的驅動信號(亮度信號)Vsig，然后，如果掃描線SCL處于高電平(也就是說，通過減慢的掃描信號)，則視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入導通狀態(tài)，以便驅動晶體管Tltev置入導通狀態(tài)。不同于5Tr/lC驅動電路的描述，因為電勢Vrc_H從電流供應單元100施加到驅動晶體管Tltev的漏極區(qū)域，所以驅動晶體管Tltev的源極區(qū)域的電勢升高。當預定時間Utl)已經過去時，如果掃描線SCL處于低電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig置入截止狀態(tài)，并且第一節(jié)點ND1 (驅動晶體管Tltev的柵電極)置入浮置狀態(tài)。[時段-TP (2)3]的完整時間h可以預先確定為顯示設備設計時的設計值，以便第二節(jié)點ND2的電勢變?yōu)?Vws-Vth+Λ V)。在[時段-TP (2)3]中，當驅動晶體管Itev的遷移率μ的值大時，驅動晶體管Itev的源極區(qū)域的電勢的上升量AV大。當驅動晶體管Itev的遷移率μ的值小時，驅動晶體管Ttov的源極區(qū)域的電勢的上升量AV小。[時段-TP(2)4](參見圖 22F)利用上述操作，完成閾值電壓取消處理、寫入處理、以及遷移率校正處理。因為執(zhí)行與5Tr/lC驅動電路中描述的[時段-TP (5)7]相同的處理，并且第二節(jié)點ND2的電勢升高并且超過(Vthi+VCat)，所以發(fā)光單元ELP開始發(fā)光。此時，因為可以通過表達式(5)獲得發(fā)光單元ELP中流過的電流，所以發(fā)光單元ELP中流過的電流Ids不取決于發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth。也就是說，發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受發(fā)光單元ELP的閾值電壓Vthi和驅動晶體管Tltev的閾值電壓Vth的影響。還可能抑制由于驅動晶體管Tltev的遷移率μ的變化導致的漏極電流Ids的變化的出現(xiàn)。發(fā)光單元ELP的發(fā)光狀態(tài)持續(xù)直到第(m+m’ _1)個水平掃描時段。該時間對應于[時段-TP (2)-J的結束。利用上述，完成發(fā)光單元ELP (第(n，m)個子像素)的發(fā)光的操作。盡管已經基于優(yōu)選示例描述了根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置，但是根據本公開實施例的顯示設備和電子裝置不限于這些示例。示例中的顯示設備或驅動電路的配置或結構用于說明，并且可以適當?shù)馗淖儭ｒ寗臃椒ㄓ糜谡f明，并且可以適當?shù)馗淖儭＠?，?Tr/lC驅動電路的操作中，[時段-TP (2)3]可以劃分為[時段-TP (2)3]和[時段-TP (2)’ 3]兩個時段。在[時段-TP (2)3]中，如上所述，視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入截止狀態(tài)一次，并且數(shù)據線DTL的電勢可以改變到用于控制發(fā)光單元ELP的亮度的·驅動信號(亮度信號)VSig。其后，在[時段-TP (2)’3]中，如果掃描線SCL處于高電平，則視頻信號寫入晶體管Tsig可以置入導通狀態(tài)，以便驅動晶體管Itev可以置入導通狀態(tài)。盡管在示例中，已經描述了各種晶體管是η溝道型的情況，但是在一些情況下，驅動電路的部分或全部可以由P溝道型晶體管構成。根據本公開實施例的顯示設備可以應用于例如電視接收機、構成數(shù)字相機的監(jiān)視器、構成視頻相機的監(jiān)視器、構成個人計算機的監(jiān)視器、個人數(shù)字助理(PDA)中的各種顯示器、移動電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書和電子字典、電子取錄器(EVF)和頭戴顯示器(HMD)。也就是說，根據本公開實施例的電子裝置的示例包括電視接收機、數(shù)字相機、視頻相機、個人計算機、PDA、移動電話、智能電話、便攜式音樂播放器、游戲機、電子書、電子字典、電子取錄器、和頭戴顯示器。根據本公開實施例的顯示設備提供在這些電子裝置中。盡管在示例中，已經描述了由有機電致發(fā)光發(fā)光單元專有地構成的顯示器單元的情況，但是發(fā)光單元可以由自發(fā)光發(fā)光單元(諸如，無機電致發(fā)光單元、LED發(fā)光單元或半導體激光發(fā)光單元)構成。本公開包含涉及于2011年8月23日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權專利申請JP2011-181797中公開的主題，在此通過引用并入其全部內容。本領域的技術人員應當理解，依賴于設計需求和其他因素，可以出現(xiàn)各種修改、組合、子組合和更改，只要它們在權利要求或其等效的范圍內。
權利要求
1.ー種顯示設備，包括 多個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅動所述發(fā)光単元的驅動電路， 其中所述驅動電路至少包括 (A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅動晶體管， (B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號寫入晶體管，以及 (C)電容單元， 在所述驅動晶體管中， (A-I)源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到對應的電流供應線， (A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到所述電容単元的一端，并且形成第二節(jié)點，以及 (A-3)柵電極連接到所述視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且連接到電容單元的另一端，并且形成第一節(jié)點， 在所述視頻信號寫入晶體管中， (B-I)源極/漏極區(qū)域的ー個區(qū)域連接到對應的數(shù)據線，并且 (B-2)柵電極連接到對應的掃描線， 所述驅動晶體管形成在在第一導電型硅半導體基底中的第二導電型第一阱內形成的第一導電型第二阱內， 所述視頻信號寫入晶體管形成在第一導電型硅半導體基底中，并且 所述驅動晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域和第二阱電連接在一起。
2.根據權利要求I的顯示設備， 其中所述視頻信號寫入晶體管形成在在第一導電型硅半導體基底中形成的第一導電型第三阱內，以及 所述第三阱在所有發(fā)光元件中處于相同的電勢。
3.根據權利要求I的顯示設備， 其中第一阱在每個發(fā)光元件中被電隔離。
4.一種電子裝置，包括 根據權利要求I的顯示設備。
全文摘要
一種顯示設備包括多個發(fā)光元件，每個發(fā)光元件具有發(fā)光單元和用于驅動該發(fā)光單元的驅動電路。該驅動電路至少包括(A)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的驅動晶體管，(B)具有源極/漏極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及柵電極的視頻信號寫入晶體管，以及(C)電容單元。在驅動晶體管中，(A-1)源極/漏極區(qū)域的一個連接到對應的電流供應線，(A-2)源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域連接到發(fā)光單元并且連接到電容單元的一端，并且形成第二節(jié)點，以及(A-3)柵電極連接到視頻信號寫入晶體管的源極/漏極區(qū)域的另一區(qū)域，并且連接到電容單元的另一端，并且形成第一節(jié)點。
文檔編號G09G3/32GK102956193SQ20121029232
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月16日 優(yōu)先權日2011年8月23日
發(fā)明者山下淳一, 小野山有亮, 三并徹雄, 豐村直史, 山本哲郎, 內野勝秀 申請人:索尼公司