專利名稱:發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路及其相關(guān)的像素電路與應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)于一種平面顯示技術(shù),且特別是有關(guān)于一種具有自發(fā)光特性的發(fā)光元件(light-emitting component,例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),但并不限制于此)驅(qū)動(dòng)電路及其相關(guān)的像素電路與應(yīng)用。
背景技術(shù):
由于多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步,半導(dǎo)體元件及顯示裝置的技術(shù)也隨之具有飛躍性的進(jìn)步。就顯示器而言,由于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode, AMOLED)顯示器具有無(wú)視角限制、低制造成本、高應(yīng)答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發(fā)光、可使用于可攜式機(jī)器的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大以及重量輕且可隨硬件設(shè)備小型化及薄型化等等優(yōu)點(diǎn)以符合多媒體時(shí)代顯示器的特性要求。因此,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有極大的發(fā)展?jié)摿Γ赏蔀橄乱粫r(shí)代的新穎平面顯示器,從而取代液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)。目前有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板主要有兩種制作方式,其一是利用低溫多晶硅(LTPS)的薄膜晶體管(TFT)制程技術(shù)來制作,而另一則是利用非晶硅(a-Si)的薄膜晶體管(TFT)制程技術(shù)來制作。其中,由于低溫多晶硅的薄膜晶體管制程技術(shù)需要比較多道的光罩制程而導(dǎo)致成本上升。因此,目前低溫多晶硅的薄膜晶體管制程技術(shù)主要應(yīng)用在中小尺寸的面板上,而非晶硅的薄膜晶體管制程技術(shù)則主要應(yīng)用在大尺寸的面板上。一般來說,采用低溫多晶硅的薄膜晶體管制程技術(shù)所制作出來的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其像素電路中的薄膜晶體管的型態(tài)可以為P型或N型,但由于P型薄膜晶體管傳導(dǎo)正電壓有較好的驅(qū)動(dòng)能力,故而現(xiàn)今多以選擇P型薄膜晶體管來實(shí)施。然而,選擇P型薄膜晶體管來實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的條件下,流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不僅會(huì)隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變,而且還會(huì)隨著用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管的臨界電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來,將會(huì)連帶影響到有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻性。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,為了提升有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻性,本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其包括驅(qū)動(dòng)單元、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,以及發(fā)光控制單元。驅(qū)動(dòng)單元耦接于一電源電壓與發(fā)光元件之間,且包含驅(qū)動(dòng)晶體管。驅(qū)動(dòng)單元用以在一發(fā)光階段,控制流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元耦接驅(qū)動(dòng)單元,且包含漂移補(bǔ)償晶體管以及耦接于驅(qū)動(dòng)晶體管與一參考電位之間的儲(chǔ)存電容。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元用以在一數(shù)據(jù)寫入階段,通過儲(chǔ)存電容以對(duì)一數(shù)據(jù)電壓與關(guān)聯(lián)于漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓進(jìn)行儲(chǔ)存。發(fā)光控制單元耦接于驅(qū)動(dòng)單元與發(fā)光元件之間,用以在所述發(fā)光階段,傳導(dǎo)來自驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)電流至發(fā)光元件。在所述發(fā)光階段,驅(qū)動(dòng)單元反應(yīng)于儲(chǔ)存電容的跨壓而產(chǎn)生流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流,且流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流反應(yīng)于漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓的儲(chǔ)存而不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在所述數(shù)據(jù)寫入階段,通過儲(chǔ)存電容以對(duì)所述電源電壓進(jìn)行儲(chǔ)存。在此條件下,在所述發(fā)光階段,反應(yīng)于所述電源電壓的儲(chǔ)存,流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流還可以不受所述電源電壓的影響。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響的條件下,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接儲(chǔ)存電容的第一端以及漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,而驅(qū)動(dòng)晶體管的源極則耦接至所述電源電壓。基于此,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括寫入晶體管、傳輸晶體管,以及耦合晶體管。寫入晶體管的柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),寫入晶體管的源極用以接收所述數(shù)據(jù)電壓,而寫入晶體管的漏極則耦接至儲(chǔ)存電容的第二端。傳輸晶體管的柵極用以接收所述寫入掃描信號(hào),傳輸晶體管的源極耦接至所述電源電壓,而傳輸晶體管的漏極則耦接至漂移補(bǔ)償晶體管的漏極。耦合晶體管的柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),耦合晶體管的源極耦接儲(chǔ)存電容的第二端,而耦合晶體管的漏極則耦接至所述參考電位。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響的條件下,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化儲(chǔ)存電容的第一端電壓?;诖?,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元可以還包括復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收所述復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至儲(chǔ)存電容的第一端。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響的條件下,發(fā)光控制單元包括發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收所述發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響的條件下,發(fā)光元件的第一端耦接第一發(fā)光控制晶體管的漏極,而發(fā)光元件的第二端則耦接至所述參考電位。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響的條件下,驅(qū)動(dòng)晶體管、漂移補(bǔ)償晶體管、寫入晶體管、復(fù)位晶體管、傳輸晶體管、耦合晶體管,以及發(fā)光控制晶體管皆可以為P型晶體管。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中,在所述發(fā)光階段,反應(yīng)于與所述電源電壓相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)電壓,流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,且受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下,驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接儲(chǔ)存電容的第一端以及漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,驅(qū)動(dòng)晶體管的源極耦接至所述電源電壓,而儲(chǔ)存電容的第二端則可以直接耦接至所述參考電位?;诖?,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括寫入晶體管,其柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),其源極用以接收所述數(shù)據(jù)電壓,而其漏極則耦接至漂移補(bǔ)償晶體管的漏極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,且受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單兀還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化儲(chǔ)存電容的第一端電壓?;诖耍瑪?shù)據(jù)存儲(chǔ)單元可以還包括復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收所述復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至儲(chǔ)存電容的第一端。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,且受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下,發(fā)光控制單元包括發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,且受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下,發(fā)光元件的第一端耦接發(fā)光控制晶體管的漏極,而發(fā)光元件的第二端則耦接至所述參考電位。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,且受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩的條件下,驅(qū)動(dòng)晶體管、漂移補(bǔ)償晶體管、寫入晶體管、復(fù)位晶體管,以及發(fā)光控制晶體管皆可以為P型晶體管。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響(或者,受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩)的條件下,發(fā)光元件可以為有機(jī)發(fā)光二極管,且發(fā)光元件的第一端為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,而發(fā)光元件的第二端為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極?;诖?,發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路可以為有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,且有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路會(huì)先后進(jìn)入所述復(fù)位階段、所述數(shù)據(jù)寫入階段以及所述發(fā)光階段。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,在流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流不受驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響,而且也不受所述電源電壓的影響(或者,受所述電源電壓的影響的程度得以被有效地降低/減輕/趨緩)的條件下,在所述復(fù)位階段,所述復(fù)位掃描信號(hào)為致能,而所述寫入掃描信號(hào)與所述發(fā)光致能信號(hào)為禁能。在所述數(shù)據(jù)寫入階段,所述寫入掃描信號(hào)為致能,而所述復(fù)位掃描信號(hào)與所述發(fā)光致能信號(hào)為禁能。在所述發(fā)光階段,所述發(fā)光致能信號(hào)為致能,而所述復(fù)位掃描信號(hào)與所述寫入掃描信號(hào)為禁能。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種具有所提的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路的像素電路,且此像素電路可以為有機(jī)發(fā)光二極管像素電路,其包括發(fā)光元件、驅(qū)動(dòng)單元、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,以及發(fā)光控制單元。發(fā)光元件用以在一發(fā)光階段,反應(yīng)在一驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光;驅(qū)動(dòng)單元耦接于一電源電壓與該發(fā)光元件之間,且包含一驅(qū)動(dòng)晶體管,用以在該發(fā)光階段,控制流經(jīng)該發(fā)光元件的該驅(qū)動(dòng)電流;數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元耦接該驅(qū)動(dòng)單元,且包含一漂移補(bǔ)償晶體管以及耦接于該驅(qū)動(dòng)晶體管與一參考電位之間的一儲(chǔ)存電容,用以在一數(shù)據(jù)寫入階段,通過該儲(chǔ)存電容以對(duì)一數(shù)據(jù)電壓與關(guān)聯(lián)于該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓進(jìn)行儲(chǔ)存;發(fā)光控制單元耦接于該驅(qū)動(dòng)單元與該發(fā)光元件之間,用以在該發(fā)光階段,傳導(dǎo)來自該驅(qū)動(dòng)單元的該驅(qū)動(dòng)電流至該發(fā)光元件;其中,在該發(fā)光階段,該驅(qū)動(dòng)單元反應(yīng)于該儲(chǔ)存電容的跨壓而產(chǎn)生流經(jīng)該發(fā)光元件的該驅(qū)動(dòng)電流,且該驅(qū)動(dòng)電流反應(yīng)在該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓的儲(chǔ)存而不受該驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響。本發(fā)明的再一實(shí)施例提供一種具有所提的有機(jī)發(fā)光二極管像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。本發(fā)明的又一實(shí)施例提供一種具有所提的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的有機(jī)發(fā)光
二極管顯示器?;谏鲜觯景l(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管像素電路,且其電路結(jié)構(gòu)(7T1C或5T1C)在搭配適當(dāng)?shù)牟僮鞑ㄐ蜗?,可以使得流?jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不會(huì)隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變(或者,受電源電壓(Vdd)的影響的程度得以被減輕),而且也不會(huì)隨著用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管的臨界電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來,將可大大地提升所應(yīng)用的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻性。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉具體的實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說明如下。然而,應(yīng)了解的是,上述一般描述及以下具體實(shí)施方式
僅為舉例及闡釋性的,其并不能限制本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。
下面的附圖是本發(fā)明的說明書的一部分,示出了本發(fā)明的實(shí)施例,附圖與說明書的描述一起說明本發(fā)明的原理。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的示意圖;圖2為圖1的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的實(shí)施電路圖;圖3為圖1的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的操作波形圖;圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10’的示意圖;圖5為圖4的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10’的實(shí)施電路圖。附圖標(biāo)記說明10、10’ (有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路;101 :有機(jī)發(fā)光二極管;103、103’ 發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路(有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路);105 :驅(qū)動(dòng)單元;107、107’ 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元;109 :發(fā)光控制單元;Tl :驅(qū)動(dòng)晶體管;T2 :漂移補(bǔ)償晶體管;T3 :寫入晶體管;T4 :傳輸晶體管;T5 :復(fù)位晶體管;T6 :耦合晶體管;T7 :發(fā)光控制晶體管;Cst:儲(chǔ)存電容;1_:驅(qū)動(dòng)電流;Vin :數(shù)據(jù)電壓;
Vdd :電源電壓;Vss :參考電位;S[n_l]:復(fù)位掃描信號(hào);S [η]:寫入掃描信號(hào);LE :發(fā)光致能信號(hào);Pl :復(fù)位階段; P2 :數(shù)據(jù)寫入階段;P3 :發(fā)光階段;A、B:節(jié)點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例,在附圖中說明所述實(shí)施例的實(shí)例。另外,凡可能之處,在附圖及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件代表相同或類似部分。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的示意圖,而圖2為圖1的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的實(shí)施電路圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2,本實(shí)施例的像素電路10包括發(fā)光元件(light-emitting component,例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 101,但并不限制于此,故而像素電路10可以視為有機(jī)發(fā)光二極管像素電路)與發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路(light-emitting component driving circuit) 103。其中,發(fā)光兀件驅(qū)動(dòng)電路 103 包括驅(qū)動(dòng)單元(driving unit) 105、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元(data storage unit) 107,以及發(fā)光控制單元(light-emitting control unit)109。在本實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)單元105 f禹接于電源電壓(power supply voltage) Vdd與有機(jī)發(fā)光二極管101 (即,發(fā)光元件)之間,且包含驅(qū)動(dòng)晶體管(driving transistor)Tl。而且,驅(qū)動(dòng)單元105用以在發(fā)光階段(light enable phase),控制流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管101的驅(qū)動(dòng)電流(driving current) Ioled。另夕卜,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元107耦接驅(qū)動(dòng)單元105,且包含漂移補(bǔ)償晶體管(shift-compensation transistor)T2以及I禹接于驅(qū)動(dòng)晶體管Tl與參考電位(referencepotential)Vss之間的儲(chǔ)存電容(storage capacitor)Cst。而且,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元107會(huì)在數(shù)據(jù)寫入階段(data-writing phase),通過儲(chǔ)存電容Cst以對(duì)數(shù)據(jù)電壓(data voltage)Vin與關(guān)聯(lián)于漂移補(bǔ)償晶體管T2的臨界電壓(threshold voltage, Vth(T2))進(jìn)行儲(chǔ)存。此外,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元107會(huì)在復(fù)位階段(reset phase),反應(yīng)于復(fù)位掃描信號(hào)(reset scan signal) S[n_l]而初始化 / 復(fù)位(initialization/reset)儲(chǔ)存電容Cst 的第一端電壓(亦即,節(jié)點(diǎn)A的電壓)。其中,復(fù)位掃描信號(hào)S[η-1]可為前一掃描線上的信號(hào),且由第[η-1]級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路所提供,但并不限制于此。再者,發(fā)光控制單元109耦接于驅(qū)動(dòng)單元105與有機(jī)發(fā)光二極管(發(fā)光元件)101之間。而且,發(fā)光控制單元109用以在發(fā)光階段,傳導(dǎo)來自驅(qū)動(dòng)單元105的驅(qū)動(dòng)電流1_至有機(jī)發(fā)光二極管101。在本實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)單元105是在發(fā)光階段,反應(yīng)于儲(chǔ)存電容Cst的跨壓(cross-voltage)而產(chǎn)生流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管101的驅(qū)動(dòng)電流Iqu;d,且此驅(qū)動(dòng)電流1。 不受電源電壓Vdd與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的臨界電壓(Vth(Tl))的影響。換言之,流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管101的驅(qū)動(dòng)電流1_與電源電壓Vdd以及驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的臨界電壓(Vth(Tl)無(wú)關(guān)。除此之外,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元107還包括寫入晶體管(writing transistor)T3、傳輸晶體管(transmission transistor)T4、復(fù)位晶體管(reset transistor)T5,以及率禹合晶體管(coupling transistor) T6。另外,發(fā)光控制單元109包括發(fā)光控制晶體管(light-emitting control transistor)T7。在本實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、漂移補(bǔ)償晶體管Τ2、寫入晶體管Τ3、傳輸晶體管Τ4、復(fù)位晶體管Τ5、耦合晶體管Τ6以及發(fā)光控制晶體管Τ7皆可以為P型晶體管(P-typetransistor),例如 P 型薄膜晶體管(P-type thin-f ilm-transistor, P-type TFT)。而且,應(yīng)用圖2所示的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10在其中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板(0LEDdisplay panel)可以利用低溫多晶娃(LTPS)、非晶娃(a_Si)或非晶銦鎵錫金屬氧化物(a-1GZ0)的薄膜晶體管(TFT)制程技術(shù)制作而成,但并不限制于此。
另外,在圖2所示的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的電路結(jié)構(gòu)上(7T1 C),驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極(gate)耦接儲(chǔ)存電容Cst的第一端(亦即,節(jié)點(diǎn)A)以及漂移補(bǔ)償晶體管T2的柵極與源極(source),而驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極則耦接至電源電壓Vdd。寫入晶體管T3的柵極用以接收寫入掃描信號(hào)(write scan signal) S [η](寫入掃描信號(hào)S[n]可為當(dāng)下掃描線上的信號(hào),且由第[η]級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)電路所提供,但并不限制于此),寫入晶體管Τ3的源極用以接收數(shù)據(jù)電壓Vin,而寫入晶體管Τ3的漏極(drain)則耦接至儲(chǔ)存電容Cst的第二端(亦即,節(jié)點(diǎn)B)。傳輸晶體管T4的柵極用以接收寫入掃描信號(hào)S [η],傳輸晶體管Τ4的源極耦接至電源電壓Vdd,而傳輸晶體管T4的漏極則耦接至漂移補(bǔ)償晶體管T2的漏極。復(fù)位晶體管T5的柵極與源極耦接在一起以接收復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1],而復(fù)位晶體管T5的漏極則耦接至儲(chǔ)存電容Cst的第一端。稱合晶體管T6的柵極用以接收發(fā)光致能信號(hào)(light enable signal) LE, f禹合晶體管T6的源極耦接儲(chǔ)存電容Cst的第二端,而耦合晶體管T6的漏極則耦接至參考電位Vss0發(fā)光控制晶體管T7的柵極用以接收發(fā)光致能信號(hào)LE,而發(fā)光控制晶體管T7的源極則耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管101的陽(yáng)極(anode)耦接發(fā)光控制晶體管T7的漏極,而有機(jī)發(fā)光二極管101的陰極(cathode)則耦接至參考電位Vss。在以下的實(shí)施例中,為方便說明將假設(shè)參考電位Vss為零電位(即,接地電位),但并不限制于此。再者,圖3為圖1的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的操作波形圖。在圖2所示的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的工作過程中,發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路103 (即,有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路)會(huì)先后進(jìn)入復(fù)位階段、數(shù)據(jù)寫入階段與發(fā)光階段,分別如圖3所示的復(fù)位階段P1、數(shù)據(jù)寫入階段P2與發(fā)光階段P3。在本實(shí)施例中,在復(fù)位階段P1,僅有復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1]會(huì)致能;在數(shù)據(jù)寫入階段P2,僅有寫入掃描信號(hào)S [η]會(huì)致能;以及在發(fā)光階段Ρ3,僅有發(fā)光致能信號(hào)LE會(huì)致能。換言之,在復(fù)位階段Ρ1,復(fù)位掃描信號(hào)S[n_l]為致能,而寫入掃描信號(hào)S[n]與發(fā)光致能信號(hào)LE為禁能。在數(shù)據(jù)寫入階段P2,寫入掃描信號(hào)S[n]為致能,而復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1]與發(fā)光致能信號(hào)LE為禁能。在發(fā)光階段P3,發(fā)光致能信號(hào)LE為致能,而復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1]與寫入掃描信號(hào)S[n]為禁能。當(dāng)然,復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1]、寫入掃描信號(hào)S[n]與發(fā)光致能信號(hào)LE的高低電平(VH,VL)皆可視實(shí)際設(shè)計(jì)/應(yīng)用需求而決定。
在此值得解釋的是,由于圖2所示的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10中的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、漂移補(bǔ)償晶體管T2、寫入晶體管T3、傳輸晶體管T4、復(fù)位晶體管T5,耦合晶體管T6以及發(fā)光控制晶體管T7的型態(tài)皆為P型,故而可知的是,驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、漂移補(bǔ)償晶體管T2、寫入晶體管T3、傳輸晶體管T4、復(fù)位晶體管T5、耦合晶體管T6以及發(fā)光控制晶體管T7為低電平致能(low active)。由此,先前針對(duì)復(fù)位掃描信號(hào)S [n_l]、寫入掃描信號(hào)S [η]與發(fā)光致能信號(hào)LE會(huì)致能的表述,即表示復(fù)位掃描信號(hào)S [η-1]、寫入掃描信號(hào)S [η]與發(fā)光致能信號(hào)LE處于低電平(low level)?;诖耍趶?fù)位階段Pl,由于僅有復(fù)位掃描信號(hào)S[n_l]會(huì)致能,所以節(jié)點(diǎn)A的電壓(即,驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電壓(Vg))會(huì)反應(yīng)于呈現(xiàn)二極管連接(diode-connected)的復(fù)位晶體管T5的導(dǎo)通(turned-on)而等 于復(fù)位掃描信號(hào)S[n_l]的低電平(VLstl^)減去Vth(T5),即:VLs[n_irVth(T5)。其中,Vth(T5)為復(fù)位晶體管T5的臨界電壓。與此同時(shí),反應(yīng)于發(fā)光致能信號(hào)LE的禁能,耦合晶體管T6與發(fā)光控制晶體管T7會(huì)處于截止(turned-off)的狀態(tài),從而避免有機(jī)發(fā)光二極管101有突然亮起的誤動(dòng)作,從而得以維持顯示圖像的對(duì)比;另外,反應(yīng)于寫入掃描信號(hào)S[n]的禁能,寫入晶體管T3與傳輸晶體管T4亦會(huì)處于截止的狀態(tài)。緊接著,在數(shù)據(jù)寫入階段P2,由于僅有寫入掃描信號(hào)S[n]會(huì)致能,所以寫入晶體管T3與傳輸晶體管T4會(huì)同時(shí)處于導(dǎo)通的狀態(tài),且呈現(xiàn)二極管連接的漂移補(bǔ)償晶體管T2亦會(huì)導(dǎo)通。在此條件下,電源電壓Vdd會(huì)經(jīng)由傳輸晶體管T4與呈現(xiàn)二極管連接的漂移補(bǔ)償晶體管T2而傳遞至儲(chǔ)存電容Cst的第一端(S卩,節(jié)點(diǎn)A),從而使得節(jié)點(diǎn)A的電壓等于Vdd-Vth(T2),其中Vth(T2)為漂移補(bǔ)償晶體管T2的臨界電壓。與此同時(shí),數(shù)據(jù)電壓Vin(在此假設(shè)數(shù)據(jù)電壓Vin為Vdata,即Vin = Vdata,但并不限制于此,其中Vdata為對(duì)應(yīng)(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10的灰階顯示電壓值)會(huì)經(jīng)由寫入晶體管T3而傳遞至儲(chǔ)存電容Cst的第二端(即,節(jié)點(diǎn)B),從而使得節(jié)點(diǎn)B的電壓等于Vdata。由此可知,在數(shù)據(jù)寫入階段P2,儲(chǔ)存電容Cst上的電壓為Vdd-Vth(T2)_Vdata。換言之,在數(shù)據(jù)寫入階段P2,儲(chǔ)存電容Cst可以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)電壓Vra(Vdata)、漂移補(bǔ)償晶體管T2的臨界電壓Vth(T2)以及電源電壓Vdd的信息。而且,在數(shù)據(jù)寫入階段P2,反應(yīng)于復(fù)位掃描信號(hào)S[n-1]與發(fā)光致能信號(hào)LE的禁能,復(fù)位晶體管T5、耦合晶體管T6以及發(fā)光控制晶體管T7會(huì)同時(shí)處于截止的狀態(tài),故而有機(jī)發(fā)光二極管101也不會(huì)在數(shù)據(jù)寫入階段P2發(fā)生突然亮起的誤動(dòng)作。最后,在發(fā)光階段P3,由于僅有發(fā)光致能信號(hào)LE會(huì)致能,所以漂移補(bǔ)償晶體管T2、寫入晶體管T3、傳輸晶體管T4與復(fù)位晶體管T5皆處于截止的狀態(tài),而驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、耦合晶體管T6以及發(fā)光控制晶體管T7則處于導(dǎo)通的狀態(tài)。基于此,驅(qū)動(dòng)晶體管Tl將反應(yīng)于儲(chǔ)存電容Cst的跨壓(cross-voltage)而產(chǎn)生不受電源電壓Vdd與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的臨界電壓(Vth(Tl))影響的驅(qū)動(dòng)電流1_以流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管101。更清楚來說,在圖2所示的電路結(jié)構(gòu)下,驅(qū)動(dòng)晶體管Tl在發(fā)光階段P3所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流I_D可以表示為如下方程式1:
_2] /(驗(yàn)令 X(Vsg-VJTV)2 1其中,K為關(guān)聯(lián)于驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的電流常數(shù)。
另外,由于驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源柵極電壓(Vsg)為已知的,亦即驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源極電壓(Vs)等于電源電壓Vdd(即,Vs = Vdd);驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極電壓(Vg)等于節(jié)點(diǎn)A的電壓(S卩,Vg = Vdd-Vth (T2)-Vdata),此時(shí)節(jié)點(diǎn)B的電壓為接地的零電壓;以及Vsg=Vs-Vg = Vdd- (Vdd-Vth (T2) -Vdata)。因此,在圖2所示的(有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路10處于發(fā)光階段P3時(shí),若將已知的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源柵極電壓(Vsg)帶入方程式I的話,亦即如下方程式2
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括一驅(qū)動(dòng)單兀,稱接于一電源電壓與一發(fā)光兀件之間,且包含一驅(qū)動(dòng)晶體管,用以在一發(fā)光階段,控制流經(jīng)該發(fā)光元件的一驅(qū)動(dòng)電流;一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,耦接該驅(qū)動(dòng)單元,且包含一漂移補(bǔ)償晶體管以及耦接于該驅(qū)動(dòng)晶體管與一參考電位之間的一儲(chǔ)存電容,用以在一數(shù)據(jù)寫入階段,通過該儲(chǔ)存電容以對(duì)一數(shù)據(jù)電壓與關(guān)聯(lián)于該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓進(jìn)行儲(chǔ)存;以及一發(fā)光控制單元,耦接于該驅(qū)動(dòng)單元與該發(fā)光元件之間,用以在該發(fā)光階段,傳導(dǎo)來自該驅(qū)動(dòng)單元的該驅(qū)動(dòng)電流到該發(fā)光元件,其中,在該發(fā)光階段,該驅(qū)動(dòng)單元反應(yīng)于該儲(chǔ)存電容的跨壓而產(chǎn)生流經(jīng)該發(fā)光元件的該驅(qū)動(dòng)電流,且該驅(qū)動(dòng)電流反應(yīng)于該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓的儲(chǔ)存而不受該驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在該數(shù)據(jù)寫入階段,通過該儲(chǔ)存電容來對(duì)該電源電壓進(jìn)行儲(chǔ)存;其中,在該發(fā)光階段,反應(yīng)于該電源電壓的儲(chǔ)存,該驅(qū)動(dòng)電流還不受該電源電壓的影響。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接該儲(chǔ)存電容的第一端以及該漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,而該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極則耦接至該電源電壓;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一寫入晶體管,其柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),其源極用以接收該數(shù)據(jù)電壓,而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第二端;一傳輸晶體管,其柵極用以接收該寫入掃描信號(hào),其源極耦接至該電源電壓,而其漏極則耦接至該漂移補(bǔ)償晶體管的漏極;以及一耦合晶體管,其柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),其源極耦接該儲(chǔ)存電容的第二端,而其漏極則耦接至該參考電位;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化該儲(chǔ)存電容的第一端電壓,且該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收該復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該發(fā)光控制單元包括一發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收該發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極;其中,該發(fā)光元件的第一端耦接該發(fā)光控制晶體管的漏極,而該發(fā)光元件的第二端則耦接至該參考電位;其中,該驅(qū)動(dòng)晶體管、該漂移補(bǔ)償晶體管、該寫入晶體管、該復(fù)位晶體管、該傳輸晶體管、該耦合晶體管,以及該發(fā)光控制晶體管皆為P型晶體管;其中,該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管,且該發(fā)光元件的第一端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,而該發(fā)光元件的第二端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路為一有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,且該有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路先后進(jìn)入該復(fù)位階段、該數(shù)據(jù)寫入階段以及該發(fā)光階段;其中,在該復(fù)位階段,該復(fù)位掃描信號(hào)為致能,而該寫入掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為_倉(cāng)泛;其中,在該數(shù)據(jù)寫入階段,該寫入掃描信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為禁能;其中,在該發(fā)光階段,該發(fā)光致能信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該寫入掃描信號(hào)為禁能。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,在該發(fā)光階段,反應(yīng)于與該電源電壓相關(guān)聯(lián)的該數(shù)據(jù)電壓,該驅(qū)動(dòng)電流受該電源電壓的影響的程度得以被減輕。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接該儲(chǔ)存電容的第一端以及該漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極耦接至該電源電壓,而該儲(chǔ)存電容的第二端則耦接至該參考電位;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一寫入晶體管,其柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),其源極用以接收該數(shù)據(jù)電壓,而其漏極則耦接至該漂移補(bǔ)償晶體管的漏極;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化該儲(chǔ)存電容的第一端電壓,且該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收該復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第一端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該發(fā)光控制單元包括一發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極;其中,該發(fā)光元件的第一端耦接該發(fā)光控制晶體管的漏極,而該發(fā)光元件的第二端則耦接至該參考電位;其中,該驅(qū)動(dòng)晶體管、該漂移補(bǔ)償晶體管、該寫入晶體管、該復(fù)位晶體管,以及該發(fā)光控制晶體管皆為P型晶體管;其中,該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管,且該發(fā)光元件的第一端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,而該發(fā)光元件的第二端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,該發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路為一有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,且該有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路先后進(jìn)入該復(fù)位階段、該數(shù)據(jù)寫入階段以及該發(fā)光階段;其中,在該復(fù)位階段,該復(fù)位掃描信號(hào)為致能,而該寫入掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為_倉(cāng)泛;其中,在該數(shù)據(jù)寫入階段,該寫入掃描信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為禁能;其中,在該發(fā)光階段,該發(fā)光致能信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該寫入掃描信號(hào)為禁能。
10.一種像素電路,其特征在于,包括一發(fā)光兀件,用以在一發(fā)光階段,反應(yīng)在一驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光;一驅(qū)動(dòng)單元,耦接于一電源電壓與該發(fā)光元件之間,且包含一驅(qū)動(dòng)晶體管,用以在該發(fā)光階段,控制流經(jīng)該發(fā)光元件的該驅(qū)動(dòng)電流;一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,耦接該驅(qū)動(dòng)單元,且包含一漂移補(bǔ)償晶體管以及耦接于該驅(qū)動(dòng)晶體管與一參考電位之間的一儲(chǔ)存電容,用以在一數(shù)據(jù)寫入階段,通過該儲(chǔ)存電容以對(duì)一數(shù)據(jù)電壓與關(guān)聯(lián)于該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓進(jìn)行儲(chǔ)存;以及一發(fā)光控制單元,耦接于該驅(qū)動(dòng)單元與該發(fā)光元件之間,用以在該發(fā)光階段,傳導(dǎo)來自該驅(qū)動(dòng)單元的該驅(qū)動(dòng)電流至該發(fā)光元件;其中,在該發(fā)光階段,該驅(qū)動(dòng)單元反應(yīng)于該儲(chǔ)存電容的跨壓而產(chǎn)生流經(jīng)該發(fā)光元件的該驅(qū)動(dòng)電流,且該驅(qū)動(dòng)電流反應(yīng)在該漂移補(bǔ)償晶體管的臨界電壓的儲(chǔ)存而不受該驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的影響。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電路,其特征在于,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在該數(shù)據(jù)寫入階段,通過該儲(chǔ)存電容以對(duì)該電源電壓進(jìn)行儲(chǔ)存;其中,在該發(fā)光階段,反應(yīng)于該電源電壓的儲(chǔ)存,該驅(qū)動(dòng)電流還不受該電源電壓的影響。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素電路,其特征在于,該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接該儲(chǔ)存電容的第一端以及該漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,而該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極則耦接至該電源電壓;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一寫入晶體管,其柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),其源極用以接收該數(shù)據(jù)電壓,而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第二端;一傳輸晶體管,其柵極用以接收該寫入掃描信號(hào),其源極耦接至該電源電壓,而其漏極則耦接至該漂移補(bǔ)償晶體管的漏極;以及一耦合晶體管,其柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),其源極耦接該儲(chǔ)存電容的第二端,而其漏極則耦接至該參考電位;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化該儲(chǔ)存電容的第一端電壓,且該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收該復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第一端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路,其特征在于,該發(fā)光控制單元包括一發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收該發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極;其中,該發(fā)光元件的第一端耦接該發(fā)光控制晶體管的漏極,而該發(fā)光元件的第二端則耦接至該參考電位;其中,該驅(qū)動(dòng)晶體管、該漂移補(bǔ)償晶體管、該寫入晶體管、該復(fù)位晶體管、該傳輸晶體管、該耦合晶體管,以及該發(fā)光控制晶體管皆為P型晶體管;其中,該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管,且該發(fā)光元件的第一端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,而該發(fā)光元件的第二端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極;其中,該像素電路為一有機(jī)發(fā)光二極管像素電路;其中,該驅(qū)動(dòng)單元、該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元以及該發(fā)光控制單元組成一有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,且該有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路先后進(jìn)入該復(fù)位階段、該數(shù)據(jù)寫入階段以及該發(fā)光階段;其中,在該復(fù)位階段,該復(fù)位掃描信號(hào)為致能,而該寫入掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為_倉(cāng)泛;其中,在該數(shù)據(jù)寫入階段,該寫入掃描信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為禁能;其中,在該發(fā)光階段,該發(fā)光致能信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該寫入掃描信號(hào)為_倉(cāng)泛。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電路,其特征在于,在該發(fā)光階段,反應(yīng)于與該電源電壓相關(guān)聯(lián)的該數(shù)據(jù)電壓,該驅(qū)動(dòng)電流受該電源電壓的影響的程度得以被減輕。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素電路,其特征在于,該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極耦接該儲(chǔ)存電容的第一端以及該漂移補(bǔ)償晶體管的柵極與源極,該驅(qū)動(dòng)晶體管的源極耦接至該電源電壓,而該儲(chǔ)存電容的第二端則耦接至該參考電位;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一寫入晶體管,其柵極用以接收一寫入掃描信號(hào),其源極用以接收該數(shù)據(jù)電壓,而其漏極則耦接至該漂移補(bǔ)償晶體管的漏極;其中,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還用以在一復(fù)位階段,反應(yīng)于一復(fù)位掃描信號(hào)而初始化該儲(chǔ)存電容的第一端電壓,且該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元還包括一復(fù)位晶體管,其柵極與源極耦接在一起以接收該復(fù)位掃描信號(hào),而其漏極則耦接至該儲(chǔ)存電容的第一端。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的像素電路,其特征在于,該發(fā)光控制單元包括一發(fā)光控制晶體管,其柵極用以接收一發(fā)光致能信號(hào),而其源極則耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極;其中,該發(fā)光元件的第一端耦接該發(fā)光控制晶體管的漏極,而該發(fā)光元件的第二端則耦接至該參考電位;其中,該驅(qū)動(dòng)晶體管、該漂移補(bǔ)償晶體管、該寫入晶體管、該復(fù)位晶體管,以及該發(fā)光控制晶體管皆為P型晶體管;其中該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管,且該發(fā)光元件的第一端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,而該發(fā)光元件的第二端為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極;其中,該像素電路為一有機(jī)發(fā)光二極管像素電路;其中,該驅(qū)動(dòng)單元、該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元以及該發(fā)光控制單元組成一有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路,且該有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路先后進(jìn)入該復(fù)位階段、該數(shù)據(jù)寫入階段以及該發(fā)光階段;其中,在該復(fù)位階段,該復(fù)位掃描信號(hào)為致能,而該寫入掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為_倉(cāng)泛;其中,在該數(shù)據(jù)寫入階段,該寫入掃描信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該發(fā)光致能信號(hào)為禁能;其中,在該發(fā)光階段,該發(fā)光致能信號(hào)為致能,而該復(fù)位掃描信號(hào)與該寫入掃描信號(hào)為禁能。
17.一種具有根據(jù)權(quán)利要求13所述的像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。
18.一種具有根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
19.一種具有根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。
20.一種具有根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件驅(qū)動(dòng)電路及其相關(guān)的像素電路與應(yīng)用。該像素電路結(jié)構(gòu)(7T1C或5T1C)在搭配適當(dāng)?shù)牟僮鞑ㄐ蜗?,可以使得流?jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不會(huì)隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變(或者,受電源電壓(Vdd)的影響的程度得以被減輕),而且也不會(huì)隨著用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管的臨界電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來,將可大大地提升所應(yīng)用的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻性。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103000126SQ20121032235
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月19日
發(fā)明者廖文堆, 王文俊, 韓西容, 黃志鴻 申請(qǐng)人:勝華科技股份有限公司