專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步，平面顯示器成為近年來最受矚目的顯示技術(shù)。其中，有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode, OLED)顯示器因其自發(fā)光、廣視角、省電、制程簡易、低成本、低溫度操作范圍、高應(yīng)答速度以及全彩化等優(yōu)點(diǎn)而具有極大的應(yīng)用潛力，可望成為下一代的平面顯示器之主流。為了控制有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，有機(jī)發(fā)光二極管通常會(huì)串接一晶體管。透過控制晶體管的導(dǎo)通程度，可控制流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流，進(jìn)而控制有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。一般而言，在對(duì)畫素進(jìn)行程序化時(shí)，會(huì)希望將與有機(jī)發(fā)光二極管耦接的晶體管的閘極與源極間的電壓控制為等于臨界電壓，以便后序進(jìn)行編碼補(bǔ)償。因此，如何透過電路設(shè)計(jì)或調(diào)整驅(qū)動(dòng)方式使與有機(jī)發(fā)光二極管耦接的晶體管的閘極與源極間的電壓等于臨界電壓成為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的一個(gè)重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，可提升其顯示質(zhì)量。本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括一電源電路及一畫素。電源電路用以提供一第一電壓。畫素包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第五晶體管、一電容及一有機(jī)發(fā)光二極管。第一晶體管的第一端接收一資料電壓，第一晶體管的控制端接收一掃描信號(hào)。電容的第一端耦接第一晶體管的第二端。第二晶體管的第一端接收第一電壓，第二晶體管的控制端耦接電容的第二端。第三晶體管的第一端耦接第二晶體管的控制端，第三晶體管的控制端接收掃描信號(hào)，第三晶體管的第二端耦接第二晶體管的第二端。第四晶體管的第一端耦接第二晶體管的第二端，第四晶體管的控制端接收一發(fā)光信號(hào)。有機(jī)發(fā)光二極管，與第二晶體管及第四晶體管串聯(lián)耦接于第一電壓與一第二電壓之間。第五晶體管的第一端接收一初始電壓，第五晶體管的控制端接收發(fā)光信號(hào)，第五晶體管的第二端耦接電容的第一端。在一程序化期間，致能掃描信號(hào)且禁能發(fā)光信號(hào)，并且電源電路調(diào)整第一電壓的電壓準(zhǔn)位或電流以加速第二晶體管的控制端的電壓準(zhǔn)位達(dá)到一目標(biāo)電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，調(diào)整第一電壓的一調(diào)整期間小于程序化期間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝痪w管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管及第五晶體管分別為一 P型晶體管時(shí)，第一電壓為一系統(tǒng)高電壓，第二電壓為一接地電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，目標(biāo)電壓為系統(tǒng)高電壓減去第二晶體管的一臨界電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，電源電路包括一第一電源供應(yīng)單元及一第一多工器。第一電源供應(yīng)單兀用以提供一第一參考電壓及一第二參考電壓，第二參考電壓高于第一參考電壓。第一多工器耦接第一電源供應(yīng)單元以接收第一參考電壓及第二參考電壓，且接收一調(diào)整信號(hào)。當(dāng)調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，第一多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出第二參考電壓以作為系統(tǒng)高電壓；當(dāng)調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，第一多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出第一參考電壓以作為系統(tǒng)高電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整系統(tǒng)高電壓的一調(diào)整期間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第一多工器包括一第六晶體管及一第七晶體管。第六晶體管的第一端接收第一參考電壓，第六晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第六晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。第七晶體管的第一端接收第二參考電壓，第七晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第七晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。其中，第六晶體管及第七晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝痪w管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管及第五晶體管分別為一 N型晶體管時(shí),第一電壓為一系統(tǒng)低電壓,第二電壓為一系統(tǒng)高電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，目標(biāo)電壓為系統(tǒng)低電壓與第二晶體管的一臨界電壓的總和。在本發(fā)明一實(shí)施例中，電源電路包括一第二電源供應(yīng)單元及一第二多工器。第二電源供應(yīng)單元用以提供一第三參考電壓及一第四參考電壓，第四參考電壓低于第三參考電壓。第二多工器耦接第二電源供應(yīng)單元以接收第三參考電壓及第四參考電壓，且接收一調(diào)整信號(hào)。當(dāng)調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，第二多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出第四參考電壓以作為系統(tǒng)低電壓；當(dāng)調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，第二多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出第三參考電壓以作為系統(tǒng)低電壓。在本發(fā)明一實(shí)施例中，調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整系統(tǒng)低電壓的一調(diào)整期間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第二多工器包括一第八晶體管及一第九晶體管。第八晶體管的第一端接收第三參考電壓，第八晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第八晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。第九晶體管的第一端接收第四參考電壓，第九晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第九晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。其中，第八晶體管及第九晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中，電源電路包括一第三電源供應(yīng)單元及一第三多工器。第三電源供應(yīng)單元用以提供第一電壓及一參考電流，且參考電流為一固定電流。第三多工器，耦接第三電源供應(yīng)單元以接收第一電壓及參考電流，且接收一調(diào)整信號(hào)。當(dāng)調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，第二多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出參考電流至第二晶體管的第一端；當(dāng)調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，第二多工器依據(jù)調(diào)整信號(hào)輸出第一電壓至第二晶體管的第一端。在本發(fā)明一實(shí)施例中，調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整第一電壓的一調(diào)整期間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第三多工器包括一第十晶體管及一第十一晶體管。第十晶體管的第一端接收第一電壓，第十晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第十晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。第十一晶體管的第一端接收參考電流，第十一晶體管的控制端接收調(diào)整信號(hào)，第十一晶體管的第二端耦接第二晶體管的第一端。其中，第十晶體管及第十一晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。在本發(fā)明一實(shí)施例中，在一發(fā)光期間，禁能掃描信號(hào)且致能發(fā)光信號(hào)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，更包括一資料驅(qū)動(dòng)器，用以提供資料電壓。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，更包括一掃描驅(qū)動(dòng)器，用以提供
掃描信號(hào)及發(fā)光信號(hào)?；谏鲜觯景l(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，在程序化期間，調(diào)整第一電
壓的電壓準(zhǔn)位或電流，以加速第二晶體管的控制端的電壓準(zhǔn)位達(dá)到目標(biāo)電壓。藉此，可降低
每一畫素的取樣錯(cuò)誤率，進(jìn)而提升有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示質(zhì)量。其中，取樣錯(cuò)誤率
為發(fā)光期間中第二晶體管的閘極的實(shí)際電壓準(zhǔn)位與預(yù)期的電壓準(zhǔn)位的誤差值。


圖I為本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的系統(tǒng)示意圖。圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。圖2B為本發(fā)明第一實(shí)施例的畫素于程序化期間的等效示意圖。圖2C為本發(fā)明第一實(shí)施例的系統(tǒng)高電壓提升及未提高時(shí)晶體管的閘極電壓曲線
對(duì)比示意圖。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的電源電路的電路示意圖。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的畫素的電路示意圖。圖5A為本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的系統(tǒng)示意圖。圖5B為本發(fā)明第三實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的電源電路的電路示意圖。圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的畫素的電路示意圖。圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一電源電路的電路示意圖。圖9為本發(fā)明第五實(shí)施例的畫素的電路示意圖。注
100,500 :有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置
110,510 :時(shí)序控制器
120、520 :掃描驅(qū)動(dòng)器
130,530 :資料驅(qū)動(dòng)器
140、140a、140b、540、540a :電源電路
150、550 :顯不面板
210,220 :曲線
310 :第一電源供應(yīng)單元
320 :第一多工器
610 :第二電源供應(yīng)單元
620 :第二多工器
810 :第三電源供應(yīng)單元
820 :第三多工器
C1、C2 :電容
GND :接地電壓
Ic、Idl 電流
IRl :參考電流0LD1、0LD2 :有機(jī)發(fā)光二極管
PA1、PA2 :調(diào)整期間
PE1、PE2 :發(fā)光期間
PP1、PP2 :程序化期間
ΡΧΓΡΧ5 :畫素
SA1、SA2、SA3 :調(diào)整信號(hào)
SC1、SC2 :掃描信號(hào)
SEM1、SEM2 :發(fā)光信號(hào)
ΤΓΤ16 :晶體管
VDD 電壓準(zhǔn)位
VDDU VDD2 :系統(tǒng)高電壓
VDTU VDT2 :資料電壓
VintU Vint2 :初始電壓
VRl 第一參考電壓
VR2 :第二參考電壓
VR3 :第三參考電壓
VR4 :第四參考電壓
VSS :系統(tǒng)低電壓
Vth :臨界電壓。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。圖I為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的系統(tǒng)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DI，在本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置100包括時(shí)序控制器110、掃描驅(qū)動(dòng)器120、資料驅(qū)動(dòng)器130、電源電路140及顯示面板150。掃描驅(qū)動(dòng)器120耦接時(shí)序控制器110及顯示面板150，且受控于時(shí)序控制器110提供多個(gè)掃描信號(hào)SCl及多個(gè)發(fā)光信號(hào)SEMl至顯示面板150。資料驅(qū)動(dòng)器130耦接時(shí)序控制器110及顯示面板150，且受控于時(shí)序控制器110提供多個(gè)資料電壓VDTl至顯示面板150。電源電路140耦接顯示面板150，且提供系統(tǒng)高電壓VDDl (對(duì)應(yīng)第一電壓)及接地電壓GND (對(duì)應(yīng)第二電壓)至顯示面板150。顯示面板150具有多個(gè)畫素PX1，且每一畫素PXl接收系統(tǒng)高電壓VDD1、接地電壓GND、對(duì)應(yīng)的資料電壓VDT1、對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl及對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMI。每一畫素PXl包括多個(gè)晶體管Tf T5 (對(duì)應(yīng)第一晶體管至第五晶體管)、電容Cl及有機(jī)發(fā)光二極管0LD1，其中晶體管Tf T5皆為P型晶體管。晶體管Tl的源極(對(duì)應(yīng)第一端)接收對(duì)應(yīng)的資料電壓VDT1，晶體管Tl的閘極(對(duì)應(yīng)控制端)接收對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCI。電容Cl的第一端耦接晶體管Tl的汲極(對(duì)應(yīng)第二端)。晶體管T2的源極(對(duì)應(yīng)第一端)接收系統(tǒng)高電壓VDD1，晶體管T2的閘極(對(duì)應(yīng)控制端)耦接電容Cl的第二端。晶體管T3的源極(對(duì)應(yīng)第一端)耦接晶體管T2的閘極，晶體管T3的閘極(對(duì)應(yīng)控制端)接收對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl,晶體管T3的汲極(對(duì)應(yīng)第二端)耦接晶體管T2的汲極(對(duì)應(yīng)第二端)。晶體管T4的源極(對(duì)應(yīng)第一端)耦接晶體管T2的汲極，晶體管T4的閘極(對(duì)應(yīng)控制端)接收對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMI。有機(jī)發(fā)光二極管OLDl的陽極耦接晶體管T4的汲極，有機(jī)發(fā)光二極管OLDl的陰極耦接接地電壓GND。晶體管T5的源極(對(duì)應(yīng)第一端)接收初始電壓Vintl，晶體管T5的閘極(對(duì)應(yīng)控制端)接收對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMl，晶體管T5的源極(對(duì)應(yīng)第二端)耦接電容Cl的第一端。在本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管OLDl順向耦接于晶體管T4的汲極與接地電壓GND之間，但在其他實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管OLDl可順向耦接于系統(tǒng)高電壓VDDl與晶體管T2的源極之間，亦即有機(jī)發(fā)光二極管OLDl與晶體管T2及T4串聯(lián)耦接于系統(tǒng)高電壓VDDl與接地電壓GND之間即可。圖2A為圖I依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形示意圖。圖2B為圖2A的畫素于程序化期間的等效示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DI、圖2A及圖2B，在此以單一畫素PXl為例，并且，其中每一發(fā)光信號(hào)SEMl的電壓準(zhǔn)位設(shè)定為相反于對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCI。在程序化期間PPl中，掃描驅(qū)動(dòng)器120會(huì)致能對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl (在此掃描信號(hào)SCl的致能準(zhǔn)位以低電壓準(zhǔn)位為例)且禁能對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMl (在此發(fā)光信號(hào)SEMl的禁能準(zhǔn)位以高電壓準(zhǔn)位為例)，并且資料驅(qū)動(dòng)器130會(huì)設(shè)定對(duì)應(yīng)的資料電壓VDTl的電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，晶體管Tl及T3會(huì)受控于對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl而導(dǎo)通(on)，晶體管T4及T5會(huì)受控于對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMl而不導(dǎo)通(off)。其中，晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位會(huì)低于系統(tǒng)高電壓VDD1，晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位與系統(tǒng)高電壓VDDl之間的壓差會(huì)大于等于晶體管T2的臨界電壓，因此晶體管T2會(huì)導(dǎo)通，并且晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位會(huì)受經(jīng)由導(dǎo)通的晶體管T2及T3所傳送的電流Idl開始充電而升高，以致于影響了晶體管T2的導(dǎo)通狀態(tài)，但晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位與系統(tǒng)高電壓VDDl之間的壓差仍會(huì)大于等于晶體管T2的臨界電壓。在發(fā)光期間PEl中，掃描驅(qū)動(dòng)器120會(huì)禁能對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl (在此掃描信號(hào)SCl的禁能準(zhǔn)位以高電壓準(zhǔn)位為例)且致能對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMl (在此發(fā)光信號(hào)SEMl的致能準(zhǔn)位以低電壓準(zhǔn)位為例)，并且資料驅(qū)動(dòng)器130會(huì)重置對(duì)應(yīng)的資料電壓VDTl的電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，晶體管Tl及T3會(huì)受控于對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)SCl而不導(dǎo)通(off)，晶體管T4及T5會(huì)受控于對(duì)應(yīng)的發(fā)光信號(hào)SEMl而導(dǎo)通(on)，其中晶體管T2的導(dǎo)通程度會(huì)對(duì)應(yīng)于晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位，而晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位決定于初始電壓Vintl及電容Cl的跨壓。如圖2B所示，在程序化期間PP1，流經(jīng)電容Cl的電流Ic會(huì)等于流經(jīng)晶體管T2的電流Idl，并且電流Idl會(huì)受制于晶體管T2的閘極的電壓準(zhǔn)位，其關(guān)系式的推演可參照下述
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括一電源電路，用以提供一第一電壓；以及一畫素，包括一第一晶體管，所述第一晶體管的第一端接收一資料電壓，所述第一晶體管的控制端接收一掃描信號(hào)；一電容，所述電容的第一端耦接所述第一晶體管的第二端；一第二晶體管，所述第二晶體管的第一端接收所述第一電壓，所述第二晶體管的控制端耦接所述電容的第二端；一第三晶體管，所述第三晶體管的第一端耦接所述第二晶體管的控制端，所述第三晶體管的控制端接收所述掃描信號(hào)，所述第三晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第二端;一第四晶體管，所述第四晶體管的第一端耦接所述第二晶體管的第二端，所述第四晶體管的控制端接收一發(fā)光信號(hào)；一有機(jī)發(fā)光二極管，與所述第二晶體管及所述第四晶體管串聯(lián)耦接于所述第一電壓與一第二電壓之間；以及一第五晶體管，所述第五晶體管的第一端接收一初始電壓，所述第五晶體管的控制端接收所述發(fā)光信號(hào)，所述第五晶體管的第二端耦接所述電容的第一端；其中，在一程序化期間，致能所述掃描信號(hào)且禁能所述發(fā)光信號(hào)，并且所述電源電路調(diào)整所述第一電壓的電壓準(zhǔn)位或電流以加速所述第二晶體管的控制端的電壓準(zhǔn)位達(dá)到一目標(biāo)電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述電源電路調(diào)整所述第一電壓的一調(diào)整期間小于所述程序化期間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于當(dāng)所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管及所述第五晶體管分別為一 P型晶體管時(shí)，所述第一電壓為一系統(tǒng)高電壓，所述第二電壓為一接地電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述目標(biāo)電壓為所述系統(tǒng)高電壓減去所述第二晶體管的一臨界電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述電源電路包括一第一電源供應(yīng)單兀，用以提供一第一參考電壓及一第二參考電壓，所述第二參考電壓高于所述第一參考電壓；一第一多工器，耦接所述第一電源供應(yīng)單元以接收所述第一參考電壓及所述第二參考電壓，且接收一調(diào)整信號(hào)，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，所述第一多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述第二參考電壓以作為所述系統(tǒng)高電壓，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，所述第一多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述第一參考電壓以作為所述系統(tǒng)高電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整所述系統(tǒng)高電壓的一調(diào)整期間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于第一多工器包括一第六晶體管，所述第六晶體管的第一端接收所述第一參考電壓，所述第六晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第六晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；以及一第七晶體管，所述第七晶體管的第一端接收所述第二參考電壓，所述第七晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第七晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；其中，所述第六晶體管及第七晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于當(dāng)所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管及所述第五晶體管分別為一 N型晶體管時(shí)，所述第一電壓為一系統(tǒng)低電壓，所述第二電壓為一系統(tǒng)高電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述目標(biāo)電壓為所述系統(tǒng)低電壓與所述第二晶體管的一臨界電壓的總和。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述電源電路包括一第二電源供應(yīng)單元，用以提供一第三參考電壓及一第四參考電壓，所述第四參考電壓低于所述第三參考電壓；一第二多工器，耦接所述第二電源供應(yīng)單元以接收所述第三參考電壓及所述第四參考電壓，且接收一調(diào)整信號(hào)，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，所述第二多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述第四參考電壓以作為所述系統(tǒng)低電壓，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，所述第二多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述第三參考電壓以作為所述系統(tǒng)低電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整所述系統(tǒng)低電壓的一調(diào)整期間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于第二多工器包括一第八晶體管，所述第八晶體管的第一端接收所述第三參考電壓，所述第八晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第八晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；以及一第九晶體管，所述第九晶體管的第一端接收所述第四參考電壓，所述第九晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第九晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；其中，所述第八晶體管及第九晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述電源電路包括一第三電源供應(yīng)單元，用以提供所述第一電壓及一參考電流，所述參考電流為一固定電流；一第三多工器，耦接所述第三電源供應(yīng)單元以接收所述第一電壓及所述參考電流，且接收一調(diào)整信號(hào)，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為致能時(shí)，所述第二多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述參考電流至所述第二晶體管的第一端，當(dāng)所述調(diào)整信號(hào)為禁能時(shí)，所述第二多工器依據(jù)所述調(diào)整信號(hào)輸出所述第一電壓至所述第二晶體管的第一端。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于所述調(diào)整信號(hào)致能于調(diào)整所述第一電壓的一調(diào)整期間。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于第三多工器包括一第十晶體管，所述第十晶體管的第一端接收所述第一電壓，所述第十晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第十晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；以及一第十一晶體管，所述第十一晶體管的第一端接收所述參考電流，所述第十一晶體管的控制端接收所述調(diào)整信號(hào)，所述第十一晶體管的第二端耦接所述第二晶體管的第一端；其中，所述第十晶體管及第十一晶體管分別為一 P型晶體管及一 N型晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于在一發(fā)光期間，禁能所述掃描信號(hào)且致能所述發(fā)光信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于還包括一資料驅(qū)動(dòng)器，用以提供所述資料電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不裝置，其特征在于還包括一掃描驅(qū)動(dòng)器，用以提供所述掃描信號(hào)及所述發(fā)光信號(hào)。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括一電源電路及一畫素。電源電路用以提供一第一電壓。畫素包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第五晶體管、一電容及一有機(jī)發(fā)光二極管。在一程序化期間，電容的第一端透過導(dǎo)通的第一晶體管接收一資料電壓，第二晶體管的第一端接收第一電壓，第二晶體管的控制端耦接電容的第二端且透過導(dǎo)通的第三晶體管耦接第二晶體管的第二端，并且電源電路調(diào)整第一電壓的電壓準(zhǔn)位或電流以加速第二晶體管的控制端的電壓準(zhǔn)位達(dá)到一目標(biāo)電壓。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102938241SQ20121044818
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者孫伯彰, 黃金海, 黃思齊 申請(qǐng)人:華映光電股份有限公司, 中華映管股份有限公司