具有最小邊框的液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種具有最小邊框的液晶顯示裝置。一種液晶顯示（LCD）裝置包括：上面安裝有柵極驅(qū)動(dòng)器的虛設(shè)區(qū)域；包括用于實(shí)現(xiàn)實(shí)際圖像的多個(gè)像素區(qū)域的有效區(qū)域；以及設(shè)置在虛設(shè)區(qū)域中第一線和第二線，其中第一線形成在一基板上，第二線形成在絕緣層上，以便第一線的一部分與第二線的一部分交疊，在第一線與第二線之間夾有絕緣層。
【專利說明】具有最小邊框的液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，在所述液晶顯示裝置中，通過在外部邊緣區(qū)域中將電路線交疊并在電路線之間夾有絕緣層，從而使邊框最小。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，液晶顯示(LCD)裝置通過使用電場調(diào)整具有介電各向異性的液晶的光透射比來顯示圖像。為此，LCD裝置包括液晶面板以及用于驅(qū)動(dòng)該液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路，在該液晶面板上像素區(qū)域以矩陣形式設(shè)置。
[0003]通過將第一基板與第二基板貼合并在第一基板與第二基板之間形成液晶層來形成液晶面板。多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線被設(shè)置成垂直交叉以在第一基板上限定像素區(qū)域。像素電極形成在每個(gè)像素區(qū)域中，薄膜晶體管(TFT)形成在每條柵極線與每條數(shù)據(jù)線的每個(gè)交叉處。TFT根據(jù)每條柵極線的掃描信號(hào)而導(dǎo)通，從而將每條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)施加至每個(gè)像素電極，以驅(qū)動(dòng)液晶層。
[0004]此外，黑矩陣和濾色器層設(shè)置在第二基板上，所述黑矩陣用于阻擋光向像素區(qū)域之外的部分傳播，所述濾色器層形成在各個(gè)像素區(qū)域中以實(shí)現(xiàn)實(shí)際顏色。
[0005]驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)多條柵極線的柵極驅(qū)動(dòng)器、用于驅(qū)動(dòng)多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、用于提供控制信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)等的時(shí)序控制器，所述控制信號(hào)用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
[0006]柵極驅(qū)動(dòng)器包括用于按順序?qū)呙杳}沖輸出至各條柵極線的移位寄存器。移位寄存器包括從屬性地彼此連接的多個(gè)級(jí)。所述多個(gè)級(jí)按順序輸出掃描脈沖，以按順序掃描液晶面板的柵極線。
[0007]具體而言，在多個(gè)級(jí)中的第一級(jí)接收來自時(shí)序控制器的起始信號(hào)作為觸發(fā)信號(hào)，并且除了第一級(jí)以外的其它剩余的級(jí)接收來自前級(jí)的輸出信號(hào)作為觸發(fā)信號(hào)。此外，多個(gè)級(jí)中的每個(gè)級(jí)均接收每個(gè)均具有相互連續(xù)的相位差的多個(gè)時(shí)鐘脈沖中的至少一個(gè)時(shí)鐘脈沖。因而，第一級(jí)至最后級(jí)按順序輸出掃描脈沖。
[0008]在現(xiàn)有技術(shù)中，包括移位寄存器的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)用作柵極驅(qū)動(dòng)器，通過使用TCP (載帶封裝(Taped Carrier Package))工藝等將柵極驅(qū)動(dòng)器IC與液晶面板的柵極線焊盤連接。
[0009]然而，近來，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器集成電路已被用作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，然而在柵極驅(qū)動(dòng)器的情形中，用于在液晶顯示面板上形成移位寄存器的面板內(nèi)柵極(gate in panel，GIP)技術(shù)被用來降低材料成本、減少工藝數(shù)量并縮短工藝時(shí)間。
[0010]將描述具有GIP結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的IXD裝置。
[0011]圖1是具有GIP結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的IXD裝置的平面圖，圖2是圖1中的區(qū)域‘A’的放大平面圖。
[0012]如圖1中所示，在具有GIP結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的IXD裝置中，第一基板I與第二基板2由密封劑10而貼合，并且在第一基板I與第二基板2之間具有預(yù)定的空間。這里，第一基板I被形成為大于第二基板2并且具有內(nèi)部安裝有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器等的非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域形成在第一基板I和第二基板2中的密封劑10的內(nèi)側(cè)中。
[0013]所貼合的第一基板I和第二基板2的顯示區(qū)域被劃分為有效區(qū)域A/A和虛設(shè)區(qū)域(dummy region)D。柵極線、數(shù)據(jù)線、像素電極和TFT形成在第一基板I的有效區(qū)域A/A中，黑矩陣層和濾色器層形成在第二基板2的有效區(qū)域A/A中。
[0014]GIP柵極驅(qū)動(dòng)器3、GIP虛設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)器(GIP dummy gate driver) 4、地線(ground) 11、控制信號(hào)線12、GIP電路13和公共線14形成在第一基板I的虛設(shè)區(qū)域D中，其中控制信號(hào)線12是用于把從時(shí)序控制器輸出的諸如時(shí)鐘信號(hào)、使能信號(hào)、起始信號(hào)、公共電壓等這樣的各種信號(hào)施加至GIP柵極驅(qū)動(dòng)器3和GIP虛設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)器4，所述GIP電路13被構(gòu)造作為移位寄存器。黑矩陣(未示出)形成在第二基板2的虛設(shè)區(qū)域D中，以便阻擋光向所述區(qū)域傳播。
[0015]然而,具有前述結(jié)構(gòu)的IXD裝置具有如下問題。
[0016]近來，已經(jīng)對(duì)使包括虛設(shè)區(qū)域的邊框的尺寸最小開展了持續(xù)的研究，以便在保持相同尺寸屏幕的同時(shí)減少顯示裝置的尺寸并獲得顯示裝置良好的外觀。
[0017]然而，如圖2中所示，由于地線11、控制信號(hào)線12、GIP電路13、公共線14等設(shè)置在具有GIP結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置的虛設(shè)區(qū)域D中，所以虛設(shè)區(qū)域D的寬度dl應(yīng)被保持為具有特定的尺寸或者更大。從而，在減少虛設(shè)區(qū)域D的面積方面具有局限，造成了減小邊框方面的局限，因而無法制造具有小邊框的LCD裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種通過對(duì)虛設(shè)區(qū)域的線進(jìn)行設(shè)置以便所述線中的一些線交疊并在所述線之間夾有絕緣層而具有最小邊框的液晶顯示(LCD)裝置。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種液晶顯示(IXD)裝置，所述液晶顯示裝置包括:虛設(shè)區(qū)域，在所述虛設(shè)區(qū)域上安裝有柵極驅(qū)動(dòng)器；有效區(qū)域，所述有效區(qū)域包括多個(gè)像素區(qū)域并且實(shí)現(xiàn)實(shí)際圖像；以及第一線和第二線，所述第一線和所述第二線設(shè)置在所述虛設(shè)區(qū)域中，其中所述第一線形成在基板上，所述第二線形成在絕緣層上，以便所述第一線的一部分與所述第二線的一部分交疊，并且在所述第一線與所述第二線之間夾有所述絕緣層。
[0020]所述第一線可包括移位寄存器，所述第二線可以為地線、控制信號(hào)線和公共線中的至少一者，所述絕緣層可包括柵極絕緣層和鈍化層。
[0021]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，所述控制信號(hào)線的一部分、所述地線的一部分以及所述公共線的一部分形成在GIP電路區(qū)域中的GIP電路的上側(cè)，其間夾有所述絕緣層，由此相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置而言，內(nèi)部形成線的區(qū)域被減小，因而，能夠減小所述虛設(shè)區(qū)域的寬度，由此可制造具有最小邊框的LCD裝置。
[0022]當(dāng)結(jié)合附圖通過下面對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的前述及其它目標(biāo)、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清晰。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示(IXD)裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0024]圖2是圖1中的部分‘A’的局部放大平面圖。[0025]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的液晶顯示(LCD)裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0026]圖4A是圖3中的部分‘B，的局部放大平面圖。
[0027]圖4B是圖3中的部分‘B’的示意性截面圖。
[0028]圖5是具體示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的LCD裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0029]圖6是具體示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的LCD裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0030]圖7A至圖7D是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的用于制造IXD裝置的方法的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的液晶顯示裝置。
[0032]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有面板內(nèi)柵極(GIP)結(jié)構(gòu)的液晶顯示(IXD)裝置的平面圖。
[0033]如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有GIP結(jié)構(gòu)的IXD裝置是通過使用密封劑110將第一基板101與第二基板102貼合而形成，所述第一基板101和第二基板102是由諸如玻璃或塑料之類的透明材料制成的。這里，第一基板101形成為大于第二基板102，以包括上面安裝有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器等的非顯示區(qū)域，而顯示區(qū)域形成在由密封劑110貼合的第一基板101和第二基板102的內(nèi)部。
[0034]此外，所貼合的第一基板101和第二基板102的顯示區(qū)域被劃分為有效區(qū)域A/A和虛設(shè)區(qū)域D。
[0035]有效區(qū)域A/A是在上面實(shí)際實(shí)現(xiàn)圖像的區(qū)域。盡管未示出，有效區(qū)域A/A包括多個(gè)像素區(qū)域、TFT、像素電極、公共電極、黑矩陣和濾色器層，其中所述多個(gè)像素區(qū)域由設(shè)置在第一基板101上的多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線限定，所述TFT作為開關(guān)元件形成在各個(gè)像素區(qū)域中，并且所述TFT—接收到施加給其的信號(hào)就被驅(qū)動(dòng)，以將圖像信號(hào)施加給圖像區(qū)域，所述像素電極和所述公共電極形成在像素區(qū)域中，并且所述像素電極和所述公共電極一接收到根據(jù)所述TFT的操作的圖像信號(hào)就驅(qū)動(dòng)液晶層的液晶分子，以控制透過液晶層的光的透射比從而實(shí)現(xiàn)圖像，所述黑矩陣形成在第二基板102上，以阻擋光向?qū)崿F(xiàn)圖像的區(qū)域之外的區(qū)域傳播，所述濾色器層包括R、G和B濾色器，以實(shí)現(xiàn)實(shí)際顏色。
[0036]GIP柵極驅(qū)動(dòng)器103、GIP虛設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)器104、地線111、控制信號(hào)線112、GIP電路113和公共線114形成在第一基板101的虛設(shè)區(qū)域D中，其中控制信號(hào)線112是用于把從時(shí)序控制器輸出的諸如時(shí)鐘信號(hào)、使能信號(hào)、起始信號(hào)和公共電壓等這樣的各種信號(hào)施加給GIP柵極驅(qū)動(dòng)器103和GIP虛設(shè)柵極驅(qū)動(dòng)器104，所述GIP電路113被構(gòu)造作為移位寄存器。黑矩陣(未示出)形成在第二基板102的虛設(shè)區(qū)域D中，以便阻擋光向所述區(qū)域傳播。
[0037]控制信號(hào)線112包括時(shí)鐘信號(hào)線、使能信號(hào)線和起始信號(hào)線等。
[0038]圖4A和圖4B是圖3中的區(qū)域‘B’的局部放大圖，其中，圖4A是示出在虛設(shè)區(qū)域D中的線的設(shè)置的平面圖，而圖4B是示意性示出層結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0039]如圖4A中所示，在虛設(shè)區(qū)域D中，從有效區(qū)域A/A的邊緣至第一基板101的端部按順序設(shè)置公共線114、GIP電路113、控制信號(hào)線112和地線111。這里，已示出，形成有特定數(shù)量的公共線114和控制信號(hào)線112，然而這是出于說明的目的并且本發(fā)明的線并不限于特定的數(shù)量。實(shí)質(zhì)上，線的數(shù)量可由已制造的液晶面板的尺寸、像素的數(shù)量和安裝在液晶面板上的GIP柵極驅(qū)動(dòng)器103的數(shù)量等所確定。
[0040]如圖4A和圖4B中所示，GIP電路113設(shè)置在第一基板101上，地線111和公共線114設(shè)置在GIP電路113的兩側(cè)?？刂菩盘?hào)線112設(shè)置在GIP電路113上。這里，控制信號(hào)線112形成為全部與GIP電路113交疊，并且地線111和公共線114被如此形成，即，地線111的一部分和公共線114的一部分形成在第一基板101上，而地線111的其它部分和公共線114的其它部分形成在GIP電路113上，以與GIP電路113交疊。這里，僅控制信號(hào)線的一部分可與GIP電路113交疊。
[0041]以這種方式，控制信號(hào)線112形成在GIP電路113上，地線111的一部分和公共線114的一部分形成在GIP電路113上，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的IXD裝置而言能夠減小虛設(shè)區(qū)域的覽度。
[0042]就圖2中所示的現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置的結(jié)構(gòu)以及圖4A中所示的根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的IXD裝置的結(jié)構(gòu)而言，在現(xiàn)有技術(shù)中，地線11、控制信號(hào)線12、GIP電路13和公共線14設(shè)置在第一基板I上，寬度分別為al、a2、a3和a4。相比之下，在本發(fā)明一實(shí)施方式中，地線111、GIP電路113和公共線114設(shè)置在第一基板101上，寬度分別為al’、a3’和a4，。
[0043]由于控制信號(hào)線112形成在GIP電路113上,所以控制信號(hào)線112并未占據(jù)第一基板101的任何區(qū)域。此外，由于地線111的一部分與GIP電路113交疊，所以al’小于al(al’〈al)，并且由于公共線114的一部分與GIP電路交疊，所以a4’小于a4 (a4’〈a4)。這里，地線111的全部面積的50%至100%與GIP電路113交疊，公共線114的全部面積的50%至100%與GIP電路113交疊。結(jié)果，在本發(fā)明一實(shí)施方式中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，虛設(shè)區(qū)域的寬度可減少 a2+ (al_al，) + (a3_a3，) + (a4_a4，)(即，dl〉d2)。
[0044]將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明一實(shí)施方式。
[0045]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的LCD裝置的結(jié)構(gòu)，其中僅示出了虛設(shè)區(qū)域。
[0046]如圖5中所示，第一基板101的虛設(shè)區(qū)域D包括地線區(qū)域、GIP電路區(qū)域和公共線區(qū)域。第一地線111a、形成GIP電路用作移位寄存器的TFT的柵極113a、和第一公共線114a形成在第一基板101的地線區(qū)域、GIP電路區(qū)域和公共線區(qū)域中。
[0047]第一地線111a、用作移位寄存器的TFT的柵極113a和第一公共線114a可由不同的金屬通過不同的工藝而形成，然而優(yōu)選地，它們由同一金屬通過同一工藝形成。這里，第一地線111a、用作移位寄存器的TFT的柵極113a和第一公共線114a可被分別形成為由諸如鋁(Al)或Al合金這樣的具有良好導(dǎo)電性的金屬制成的單層。此外，第一地線111a、用作移位寄存器的TFT的柵極113a和第一公共線114a可被形成為諸如AlNd/Mo這樣的多層。
[0048]由諸如SiOx或SiNx這樣的無機(jī)絕緣材料制成的柵極絕緣層142形成在上面形成有第一地線11 la、用作移位寄存器的TFT的柵極113a和第一公共線114a的第一基板101上。
[0049]半導(dǎo)體層113b形成在GIP電路區(qū)域中的柵極絕緣層142上。半導(dǎo)體層113b可大部分由非晶硅(a-Si)制成，然而也可使用晶體硅或氧化物半導(dǎo)體。
[0050]源極113c和漏極113d形成在半導(dǎo)體層113b上，完成用作移位寄存器的TFT。這里，源極113c和漏極113d可由諸如鋁(Al)、Al合金、鑰(Mo)等這樣的具有良好導(dǎo)電性的金屬制成。盡管未示出，各種線和用作移位寄存器的TFT可形成在GIP電路區(qū)域中。
[0051]鈍化層144形成在上面形成有用作移位寄存器的TFT的第一基板101上。鈍化層114可由諸如光丙烯酸(感光亞克力)這樣的有機(jī)材料制成，或者可由諸如SiOx或SiNx這樣的無機(jī)材料制成。此外，鈍化層144可形成為包括無機(jī)鈍化層和有機(jī)鈍化層的雙層。
[0052]第一接觸孔119a、第二接觸孔119b和第三接觸孔119c形成在地線區(qū)域、GIP電路區(qū)域和公共線區(qū)域中。這里，第二接觸孔11%僅形成在鈍化層144中，以允許用作移位寄存器的TFT通過第二接觸孔119b暴露。第一接觸孔119a和第三接觸孔119c形成在柵極絕緣層142和鈍化層144中，以允許第一地線Illa和第一公共線114a分別通過第一接觸孔119a和第三接觸孔119c暴露。
[0053]第二地線Illb形成在地線區(qū)域中并且在鈍化層144之上，控制電路線112形成在GIP電路區(qū)域中，第二公共線114b形成在公共線區(qū)域中。第二地線Illb通過第一接觸孔119a與第一地線Illa電連接，控制電路線112通過第二接觸孔11%與用作移位寄存器卿GIP電路)的TFT的漏極113d電連接，第二公共線114b通過第三接觸孔119c與第一公共線114a電連接。
[0054]這里，第二地線Illb的一部分和第二公共線114b的一部分延伸至GIP電路區(qū)域。因而，由于第二地線Illb的一部分和第二公共線114b的一部分和控制電路線112形成在GIP電路區(qū)域，所以GIP電路(即移位寄存器)與控制線電路112以及第二地線Illb的一部分和第二公共線114b的一部分交疊，其間夾有絕緣層(柵極絕緣層)142和/或鈍化層144。
[0055]以這種方式，在本發(fā)明第一實(shí)施方式中，由于控制電路線112、第二地線Illb的一部分和第二公共線114b的一部分形成在GIP電路的上側(cè)中并且在GIP電路區(qū)域中的控制電路線112、第二地線Illb以及第二公共線114b與GIP電路之間夾有絕緣層，所以相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置而言能夠減小虛設(shè)區(qū)域的寬度。
[0056]這里，雖然在附圖中已示出了，第二地線Illb的一部分和第二公共線114b的一部分與Gip電路交疊，然而可僅控制電路線112形成為與GIP電路交疊，第二地線Illb和第二公共線114b不與GIP電路交疊，或者第二地線Illb和第二公共線114b之一的一部分可與GIP電路交疊。
[0057]換言之，本發(fā)明一實(shí)施方式包括如下任意結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中，第二地線Illb和第二公共線114b的全部或一部分以及控制電路線112與GIP電路交疊并在第二地線Illb和第二公共線114以及控制電路線112與GIP電路之間夾有絕緣層。
[0058]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的IXD裝置的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0059]如圖6中所示，虛設(shè)區(qū)域D包括地線區(qū)域、GIP電路區(qū)域和公共線區(qū)域。第一地線Illa和第一公共線114a形成在第一基板101的地線區(qū)域和公共線區(qū)域中。此外，包括由柵極113a、半導(dǎo)體層113b、源極113c和漏極113d所組成的用作移位寄存器的TFT的GIP電路形成在GIP電路區(qū)域中。
[0060]這里，柵極絕緣層142形成在第一地線111a、第一公共線114a和用作移位寄存器的TFT的柵極113a上。
[0061]由無機(jī)層、有機(jī)層、或有機(jī)層/無機(jī)層形成的鈍化層144形成在上面形成有用作移位寄存器的TFT的第一基板101上。
[0062]濾色器層146形成在鈍化層144上。即，具有前述結(jié)構(gòu)的IXD裝置是具有TFT上濾色器(COT)結(jié)構(gòu)的IXD裝置，其中濾色器層146形成在第一基板101上。在該結(jié)構(gòu)中，與圖4中所示的濾色器層形成在第二基板(即上基板)上的IXD裝置的結(jié)構(gòu)相比，濾色器層146形成在第一基板上。
[0063]在具有COT結(jié)構(gòu)的IXD裝置中，R、G和B濾色器直接形成在相應(yīng)的像素上，不需要考慮當(dāng)濾色器層形成在第二基板或粘合裕度(attachment margin)上時(shí)所產(chǎn)生的、由于第一基板與第二基板的偏移(misalignment)的緣故所導(dǎo)致的缺陷。
[0064]盡管未示出，濾色器層146可以是R濾色器層、G濾色器層和B濾色器層中的一種顏色的單層，或者可通過疊置R濾色器層、G濾色器層和B濾色器層將濾色器層146形成為三層，或者濾色器層146可形成為包括兩種不同顏色的雙層。
[0065]第一接觸孔119a、第二接觸孔119b和第三接觸孔119c形成在地線區(qū)域、GIP電路區(qū)域和公共線區(qū)域中。這里，第二接觸孔11%僅形成在鈍化層144和濾色器層146中，以允許用作移位寄存器的TFT通過第二接觸孔11%暴露。第一接觸孔119a和第三接觸孔119c形成在柵極絕緣層142、鈍化層144和濾色器層中，以允許第一地線Illa和第一公共線114a分別通過第一接觸孔119a和第三接觸孔119c暴露。
[0066]第二地線Illb形成在地線區(qū)域中并且在濾色器層146之上，控制電路線112形成在GIP電路區(qū)域中，第二公共線114b形成在公共線區(qū)域中。第二地線Illb通過第一接觸孔119a與第一地線Illa電連接，控制電路線112通過第二接觸孔11%與用作移位寄存器(即GIP電路)的TFT的漏極113d電連接，第二公共線114b通過第三接觸孔119c與第一公共線114a電連接。
[0067]盡管未示出，由無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料制成的緩沖層可形成在濾色器層146上。當(dāng)?shù)诙鼐€Illb與第二公共線114b形成時(shí)，緩沖層用于改善與濾色器層146的界面特性。當(dāng)然，在該結(jié)構(gòu)中，第一接觸孔119a、第二接觸孔119b和第三接觸孔119c形成在緩沖層上。
[0068]盡管未示出，黑矩陣可形成在第二基板的虛設(shè)區(qū)域中，以阻擋光向所述虛設(shè)區(qū)域傳播，因而防止光被透射以降低圖像質(zhì)量。
[0069]在下文中，將描述制造具有前述結(jié)構(gòu)的LCD裝置的方法。這里，描述了用于制造具有圖5中所示的結(jié)構(gòu)的LCD裝置的方法，然而通過同樣的方法還可制造具有圖6中所示的結(jié)構(gòu)的IXD裝置。
[0070]此外，在下文中，描述了用于制造具有特定像素結(jié)構(gòu)的IXD裝置的方法，然而本發(fā)明并不僅限于所述特定像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可被應(yīng)用于諸如面內(nèi)切換(IPS)模式LCD裝置、扭曲向列(TN)模式IXD裝置、垂直定向(VA)模式IXD裝置等這樣的各種模式的IXD裝置。此外，在下面的描述中，各種電極和絕緣層具有特定的結(jié)構(gòu)，然而本發(fā)明并不限于此。只要在任一結(jié)構(gòu)中的虛設(shè)區(qū)域的線以交疊方式形成，就可將本發(fā)明應(yīng)用于具有這種結(jié)構(gòu)的LCD
>J-U裝直。
[0071]圖7A至圖7D是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的用于制造IXD裝置的方法的示圖。
[0072]首先，如圖7A中所示，通過濺射方法依次將AlNd和Mo疊置在由透明玻璃或塑料制成的并且包括虛設(shè)區(qū)域D和有效區(qū)域A/A的第一基板101上，然后通過光刻對(duì)AlNd和Mo進(jìn)行蝕刻，以形成位于虛設(shè)區(qū)域D中的第一地線111a、第一公共線114a和用作移位寄存器的TFT的柵極113a、以及形成位于有效區(qū)域A/A中的像素的用于開關(guān)TFT的柵極151。接下來，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)將諸如SiOx或SiNx這樣的無機(jī)絕緣材料疊置在整個(gè)第一基板上，以形成柵極絕緣層142。
[0073]然后，如圖7B中所示，將諸如非晶硅這樣的非晶半導(dǎo)體材料疊置在第一基板101上，然后蝕刻所述非晶半導(dǎo)體材料以在用作移位寄存器的TFT的柵極113a之上的柵極絕緣層142上形成用作移位寄存器的TFT的半導(dǎo)體層113b，并且在用于開關(guān)的TFT的柵極151之上的柵極絕緣層142上形成用于開關(guān)的TFT的半導(dǎo)體層152。
[0074]然后，通過濺射方法疊置諸如鑰(Mo)等這樣的金屬，然后通過光刻對(duì)所述金屬進(jìn)行蝕刻，以分別在半導(dǎo)體層113b和152上形成用作移位寄存器的TFT的源極113c和漏極113d以及用于開關(guān)的TFT的源極153和漏極154，以形成包括虛設(shè)區(qū)域中的移位寄存器和有效區(qū)域A/A的每個(gè)像素區(qū)域中的用于開關(guān)的TFT的GIP電路線。
[0075]然后，將諸如光丙烯酸這樣的有機(jī)材料或者諸如SiOx或SiNx這樣的無機(jī)材料疊置在上面形成有TFT的第一基板101上，以形成鈍化層144。這里，被形成為雙層的鈍化層144可通過依次疊置無機(jī)材料和有機(jī)材料而形成。
[0076]然后，如圖7C中所示，將鈍化層的一部分蝕刻，以在虛設(shè)區(qū)域D中形成第一接觸孔119a、第二接觸孔119b和第三接觸孔119c，以允許第一地線111a、用作移位寄存器的TFT的漏極113d、和第一公共線114a通過第一接觸孔119a、第二接觸孔19b和第三接觸孔119c暴露，并且將鈍化層的一部分蝕刻以在有效區(qū)域A/A中形成第四接觸孔119d，以允許用于開關(guān)的TFT的漏極154暴露。
[0077]然后，如圖7D中所示，將諸如氧化銦錫(ITO)這樣的透明導(dǎo)電材料疊置在鈍化層144上，并蝕刻所述透明導(dǎo)電材料以在有效區(qū)域A/A中形成至少一對(duì)公共電極156和像素電極158。這里，公共電極156和像素電極158具有擁有預(yù)定寬度的帶狀條紋并被設(shè)置成彼此平行。像素電極158通過第四接觸孔119d與用于開關(guān)TFT的漏極154電連接，并且通過用于開關(guān)的TFT應(yīng)用來自外部圖像信號(hào)。
[0078]然后，依次將鑰(Mo)、鋁(Al)、鑰(Mo)疊置在鈍化層144上并進(jìn)行蝕刻，以在虛設(shè)區(qū)域D中形成第二地線111b、控制信號(hào)線112和第二公共線114b。第二地線Illb通過第一接觸孔119a與第一地線Illa電連接，控制信號(hào)線112通過第二接觸孔119b與GIP電路(即用作移位寄存器的TFT的漏極113d)連接，第二公共線114b通過第三接觸孔119c與第一公共線114a電連接。
[0079]這里，第二地線111b、控制信號(hào)線112和第二公共線114b可通過同一工藝由同一金屬層(例如Mo/Al/Mo)形成，或者可通過不同的工藝由不同的金屬形成。
[0080]盡管未明確示出，形成在鈍化層144上的第二地線Illb的一部分可與GIP電路交疊，也可以不交疊。此外，第二公共線114b的一部分也可與GIP電路交疊，也可以不交疊。
[0081]然后，盡管未示出，在濾色器層和黑矩陣形成在第二基板上之后，可通過密封劑將第一基板和第二基板貼合并在第一基板與第二基板之間形成液晶層，從而完成LCD裝置。
[0082]如上所述，在本發(fā)明一實(shí)施方式中，通過將在虛設(shè)區(qū)域中形成的一些線與一不同的線交疊并在它們之間夾有絕緣層，能夠使虛設(shè)區(qū)域的面積最小，因此，能夠使LCD裝置的邊框面積最小，因而減小LCD裝置的尺寸并且獲得良好的外觀。
[0083]同時(shí)，雖然已經(jīng)描述了具有特定結(jié)構(gòu)的IXD裝置，然而這僅是出于說明的目的，本發(fā)明并不限于此。[0084]只要在任一結(jié)構(gòu)中各種線的至少一部分在虛設(shè)區(qū)域中交疊并在線之間夾有絕緣層，那么就可將本發(fā)明應(yīng)用于具有這種結(jié)構(gòu)的IXD裝置，從而減小虛設(shè)區(qū)域的面積。
[0085]因?yàn)楫?dāng)前特征在不脫離其特性的情況下可以以多種形式實(shí)施，所以還應(yīng)當(dāng)理解，除非特別說明，上述實(shí)施方式并不限于前面描述的任何細(xì)節(jié)，而應(yīng)當(dāng)在所附權(quán)利要求書限定的范圍內(nèi)進(jìn)行寬泛地解釋，因此意在通過所附權(quán)利要求書涵蓋落入權(quán)利要求書的界限和范圍，或者這些界限和范圍的等同物內(nèi)的所有變化和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括: 第一基板，所述第一基板包括具有用以顯示圖像的多個(gè)像素區(qū)域的有效區(qū)域以及在所述有效區(qū)域外側(cè)形成的虛設(shè)區(qū)域；和 位于所述虛設(shè)區(qū)域中的面板內(nèi)柵極電路、控制信號(hào)線、地線和公共線， 其中所述面板內(nèi)柵極電路與所述控制信號(hào)線、所述地線、和所述公共線的至少一部分交疊，在所述GIP電路與所述控制信號(hào)線、所述地線、和所述公共線之間夾有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制信號(hào)線包括時(shí)鐘信號(hào)線、使能信號(hào)線和起始信號(hào)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制信號(hào)線全部與所述面板內(nèi)柵極電路交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括: 多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線形成在所述有效區(qū)域中以限定多個(gè)像素區(qū)域； 位于每個(gè)像素區(qū)域中用于開關(guān)的薄膜晶體管；和 鈍化層，所述鈍化層位于上面形成有所述薄膜晶體管的所述第一基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述鈍化層由光丙烯酸制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述鈍化層由無機(jī)絕緣材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述鈍化層包括: 無機(jī)鈍化層；和 形成在所述無機(jī)鈍化層上的有機(jī)鈍化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述用于開關(guān)的薄膜晶體管包括: 柵極，所述柵極形成在所述第一基板上； 柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述第一基板上并且覆蓋所述柵極； 半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層形成在所述柵極絕緣層上；和 源極和漏極，所述源極和漏極形成在所述半導(dǎo)體層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述地線包括: 第一地線，所述第一地線形成在所述第一基板上；和 第二地線，所述第二地線形成在所述鈍化層上并且通過形成在所述鈍化層中的第一接觸孔與所述第一地線電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述公共線包括: 第一公共線，所述第一公共線形成在所述第一基板上；和 第二公共線，所述第二公共線形成在所述鈍化層上并且通過形成在所述鈍化層中的第二接觸孔與所述第一公共線電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述控制信號(hào)線形成在所述鈍化層上并且通過形成在所述鈍化層中的第三接觸孔與所述面板內(nèi)柵極電路電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述面板內(nèi)柵極電路包括移位寄存器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括: 形成在所述絕緣層上的濾色器層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述控制信號(hào)線、所述第二地線和所述第二公共線形成在所述濾色器層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括: 第二基板，所述第二基板與所述第一基板貼合； 黑矩陣，所述黑矩陣形成在所述第二基板上；和 液晶層，所述液晶層形成在所述第一基板與所述第二基板之間。
16.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括: 虛設(shè)區(qū)域，在所述虛設(shè)區(qū)域上安裝有柵極驅(qū)動(dòng)器； 有效區(qū)域，所述有效區(qū)域包括多個(gè)像素區(qū)域并且實(shí)現(xiàn)實(shí)際圖像；和 第一線和第二線，所述第一線和所述第二線設(shè)置在所述虛設(shè)區(qū)域上， 其中所述第一線形成在基板上，所述第二線形成在絕緣層上，以便所述第一線的一部分與所述第二線的一部分交疊，在所述第一線與所述第二線之間夾有所述絕緣層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述第一線包括移位寄存器。
18.根據(jù)權(quán)利要求16 所述的裝置，其中所述第二線為地線、控制信號(hào)線和公共線中的至少一者。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述控制信號(hào)線包括時(shí)鐘信號(hào)線、使能信號(hào)線和起始信號(hào)線。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述鈍化層為無機(jī)鈍化層、有機(jī)鈍化層、或者有機(jī)鈍化層/無機(jī)鈍化層。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK103728799SQ201210580009
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】李瑛長, 鄭浩永, 李福永 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司