專利名稱:陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù):
在液晶顯示領(lǐng)域,目前隨著技術(shù)的不斷更新,液晶顯示面板正向大型化、高質(zhì)量化發(fā)展,但液晶面板的大型化容易造成陣列基板的布線電阻增加,尤其當(dāng)公共電極線布線電阻太大時(shí),容易造成顯示屏偏綠、閃爍及殘像等顯示不良。如圖1所示,為一種典型的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。公共電極線11與柵線12相互平行排列,經(jīng)同一工序制備而成。由于在垂直基板方向存在柵線,為了實(shí)現(xiàn)公共電極線11垂直方向的導(dǎo)通從而形成圖中所示的矩陣結(jié)構(gòu),就需設(shè)置過孔,公共電極線11在垂直方向經(jīng)過孔,經(jīng)透明導(dǎo)電(ITO)層14與各公共電極161相連接?,F(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)存在如下問題現(xiàn)有公共電極線布線繁瑣,一方面降低了像素開口率,影響顯示效果,另一方面布線電阻大,增加了液晶面板,尤其是大尺寸的液晶面板的功耗。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板和顯示裝置,不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗。為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面,本實(shí)用新型提供一種陣列基板,包括第一柵線和與所述第一柵線相連的像素單元,還包括正溫度系數(shù)熱敏電阻,所述像素單元的公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至第二柵線,所述第二柵線為任一不與所述第一柵線同線同時(shí)輸出開啟電壓的柵線。優(yōu)選地,所述第二柵線與所述第一柵線相鄰,為所述第一柵線的上一行柵線或下一行柵線??蛇x地,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在所述公共電極上;所述第二柵線設(shè)置在所述正溫度系數(shù)熱敏電阻之上,所述公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述第二柵線相連接??蛇x地,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻設(shè)置在所述第二柵線上;所述公共電極至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在所述正溫度系數(shù)熱敏電阻之上,所述公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述第二柵線相連接。優(yōu)選地,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述柵線具有相同的圖形。本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置,包括所述的任一陣列基板。本實(shí)用新型提供的陣列基板和顯示裝置中,任一行像素單元的公共電極均通過正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至另一行柵線,當(dāng)某一行像素單元打開時(shí),與該行像素單元的公共電極相連的另一行柵線處于低壓狀態(tài)(輸出關(guān)閉電壓),正溫度系數(shù)熱敏電阻導(dǎo)通,另一行柵線輸出的關(guān)閉電壓作為公共電壓輸入該行像素單元的公共電極;當(dāng)另一行柵線處于高壓狀態(tài)(輸出開啟電壓)時(shí),正溫度系數(shù)熱敏電阻隨溫度劇增,使第二柵線與像素單元的公共電極斷開,所以無需公共電極線布線,也不需要公共電壓輸入信號,從而不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗。
圖1為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖;圖2本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)正視示意圖;圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板沿a-a’方向的一結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一陣列基板沿a-a’方向的另一結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二陣列基板制造方法流程圖;圖6(a)和(b)為本實(shí)用新型實(shí)施例二中公共電極的正視示意圖和截面結(jié)構(gòu)示意圖;圖7(a)和(b)為本實(shí)用新型實(shí)施例二中正溫度系數(shù)熱敏電阻的正視示意圖和截面結(jié)構(gòu)示意圖;圖8(a)和(b)為本實(shí)用新型實(shí)施例二中柵線的正視示意圖和截面結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例二中另一陣列基板制造方法的示意圖;圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例三中陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法的示意圖。附圖標(biāo)記說明11-公共電極線,12-柵線,122-第二柵線,121-第一柵線,13-數(shù)據(jù)線層,14-透明導(dǎo)電層,15-正溫度系數(shù)熱敏電阻,16-像素單元,161-公共電極,17-柵絕緣層,18-半導(dǎo)體層,19-像素電極層,20-表面保護(hù)層。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法,不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗?,F(xiàn)有顯示裝置大多采用逐行掃描的方式,以下以薄膜晶體管顯示器(TFT-1XD)為例進(jìn)行說明。在一幀的時(shí)間內(nèi),驅(qū)動(dòng)電路向第一行柵線輸出高壓(即開啟電壓,為便于理解以下敘述中也稱高壓),向其它行則輸出低壓(即關(guān)閉電壓),從而控制第一行TFT打開,通過數(shù)據(jù)線向第一行像素單元加載顯示數(shù)據(jù);隨后,關(guān)閉第一行,向第二行柵線輸出高壓打開第二行TFT,此時(shí)包括第一行在內(nèi)的其它行則輸入低壓,處于關(guān)閉狀態(tài),數(shù)據(jù)線向第二行像素單元加載顯示數(shù)據(jù);以此類推,逐行打開并加載顯示數(shù)據(jù)完成一幀圖像的顯示,這個(gè)過程時(shí)間很短,由于視覺暫留特性,人眼看到的是完整圖像。每一行TFT只有在打開以便向像素單元加載顯示數(shù)據(jù)時(shí),該行柵線才輸出高壓,而其余時(shí)間處于低壓狀態(tài),因此,本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想是當(dāng)柵線輸出關(guān)閉電壓時(shí),將關(guān)閉電壓作為公共電壓輸入像素單元中的公共電極。這樣,即可省去公共電極線,也不再需要公共電壓輸入信號。[0035]
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。此處所描述的具體實(shí)施方式
僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。實(shí)施例一本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板,該陣列基板包括多個(gè)像素單元,像素單元與第一柵線相連,還包括正溫度系數(shù)熱敏電阻,像素單元的公共電極通過正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至第二柵線,第二柵線為任一不與第一柵線同時(shí)輸出開啟電壓的柵線。本實(shí)施例中的第一柵線,用于泛指陣列基板上的某條柵線,并不用于限定;所述像素單元為與第一柵線相連,受第一柵線控制的所有像素單元;而所述第二柵線特指不與第一柵線同時(shí)輸出開啟電壓的任一柵線。具體地,本實(shí)用新型在柵線與公共電極之間沉積正溫度系數(shù)熱敏電阻(PositiveTemperature Coefficient, PTC),作為控制柵線與公共電極接通或斷開的介質(zhì)。本實(shí)用新型實(shí)施例中的正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC),泛指正溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件(以下簡稱PTC熱敏電阻),是一種典型具有溫度敏感性的半導(dǎo)體電阻,超過一定的溫度(居里溫度)時(shí),它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的增高。PTC熱敏電阻的可設(shè)計(jì)性好,具體實(shí)施中可通過改變自身的開關(guān)溫度(Ts)來調(diào)節(jié)其對溫度的敏感程度,從而控制柵線與公共電極低壓時(shí)接通,高壓時(shí)斷開。第二柵線輸出關(guān)閉電壓(低壓)時(shí),熱敏電阻溫度與室溫相近,PTC熱敏電阻阻值很小,串聯(lián)在電路中不會阻礙電流通過,第二柵線通過PTC熱敏電阻與像素單元的公共電極導(dǎo)通;當(dāng)?shù)诙啪€輸出開啟電壓(高壓)時(shí),PTC熱敏電阻由于發(fā)熱功率增加導(dǎo)致溫度上升,當(dāng)溫度超過開關(guān)溫度(居里溫度)時(shí),PTC熱敏電阻的電阻隨溫度瞬間劇增,使得第二柵線與像素單元的公共電極斷開。具體實(shí)施中,根據(jù)柵線輸出的開啟電壓和關(guān)閉電壓的具體大小,選擇合適的PTC熱敏電阻,開啟電壓和關(guān)閉電壓一般相差二十伏左右,現(xiàn)有正溫度系數(shù)熱敏導(dǎo)電材料即可滿足低壓時(shí)接通,高壓時(shí)斷開的要求。例如,可選地,具體實(shí)施中可選擇自恢復(fù)保險(xiǎn)絲的材料制備本實(shí)用新型實(shí)施例中的PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻的材料一般有有機(jī)高分子正溫度系數(shù)導(dǎo)電材料和無機(jī)陶瓷鈦酸鋇導(dǎo)電材料,但優(yōu)選地,采用便于成膜的有機(jī)高分子正溫度系數(shù)導(dǎo)電材料。本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板,當(dāng)柵線處于低壓時(shí),柵線與公共電極之間的PTC熱敏電阻阻值較小,可以實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通;當(dāng)柵線處于高壓時(shí),柵線與公共電極之間的PTC熱敏電阻阻值較大,可以阻止柵線的高壓信號對公共電極的輸入,合理利用同一幀時(shí)間內(nèi)處于非導(dǎo)通狀態(tài)柵線輸出的關(guān)閉電壓作為公共電壓,因此,本實(shí)施例所述陣列基板,無需公共電極線布線,也不需要公共電壓輸入信號,因此不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗。優(yōu)選地,第二柵線與第一柵線相鄰,為第一柵線的上一行柵線或下一行柵線。對于采用逐行掃描方式的顯示裝置,某一時(shí)刻,只有一條柵線輸出開啟電壓,其余柵線均輸出關(guān)閉電壓,但出于制備工藝方面的考慮,第一柵線控制的像素單元的公共電極,通過正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至與第一柵線相鄰的柵線,即第二柵線為與第一柵線相鄰的,第一柵線的上一行柵線或下一行柵線。這樣,只要將現(xiàn)有制備工藝稍作改動(dòng)即可制備本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板,具體見實(shí)施例二中所述。如圖2和圖3所示,為符合本實(shí)施例陣列基板的第一種具體結(jié)構(gòu),其中,正溫度系數(shù)熱敏電阻15至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在公共電極161上,第二柵線122設(shè)置在正溫度系數(shù)熱敏電阻15之上,公共電極161通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與第二柵線122相連接。除此之外,還包括柵絕緣層17、半導(dǎo)體層18、數(shù)據(jù)線層13、像素電極層19及表面保護(hù)層20。需要說明的是,圖3所示為平面場模式的陣列基板,僅為符合本實(shí)施例的一種示例性具體實(shí)施方式
,并不用于限定本實(shí)施例。其中,圖中所示的第一柵線121用于泛指陣列基板上的某條柵線,而第二柵線122特指與第一柵線121相鄰的下一行柵線。具體實(shí)施中,第一條柵線不設(shè)置正溫度系數(shù)熱敏電阻15,也不與任何公共電極161相連,最下端還需要增加一條設(shè)置有熱敏電阻的冗余柵線;每一行像素單元16的公共電極161都通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與下一行柵線相連,最后一行像素單元16的公共電極161通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與冗余柵線相連。當(dāng)然,第二柵線122也可為與第一柵線121相鄰的上一行柵線,這時(shí),最上端需增加一條設(shè)置有熱敏電阻的冗余柵線;每一行像素單元16的公共電極161都通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與上一行柵線相連,第一行像素單元的公共電極161都通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與冗余柵線相連,最后一行柵線不設(shè)置正溫度系數(shù)熱敏電阻15。優(yōu)選地,正溫度系數(shù)熱敏電阻與柵線具有相同的圖形,制備時(shí)可通過一次光刻過程完成,無需額外增加制備工藝步驟。如圖4所示,為符合本實(shí)施例陣列基板的第二種具體結(jié)構(gòu),與圖3所示第一種具體結(jié)構(gòu)的不同之處在于正溫度系數(shù)熱敏電阻15設(shè)置在第二柵線122上;公共電極161至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在正溫度系數(shù)熱敏電阻15之上,公共電極161同樣可通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與第二柵線122相連接。本實(shí)施例所述陣列基板,無需設(shè)置公共電極線布線,也不需要公共電壓輸入信號,因而不僅可增加像素開口率,還可大大降低面板功耗;并且正溫度系數(shù)熱敏電阻與柵線具有相同的圖形,制備時(shí)可通過一次光刻過程完成,不會增加現(xiàn)有的制備工藝步驟。本實(shí)用新型實(shí)施例敘述中以多維電場(Advanced Super DimensionSwitch,AD-SDS,簡稱ADS)模式陣列基板為例,多維電場技術(shù)根據(jù)改進(jìn)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。其中,1-ADS模式和S-ADS模式的陣列基板如本實(shí)用新型實(shí)施例中所述,而H-ADS模式的陣列基板與本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板的不同之處在于本實(shí)用新型的陣列基板的公共電極是做在玻璃基板上,而HADS模式的陣列基板的公共電極做在像素電極上,因此,對于HADS模式陣列基板中,正溫度系數(shù)熱敏電阻設(shè)置在柵線上,公共電極通過過孔連接至正溫度系數(shù)熱敏電阻上,除此之外陣列基板的具體結(jié)構(gòu)、制備工藝大致相同。但實(shí)際上本實(shí)用新型的應(yīng)用不限于此,本實(shí)用新型同樣可應(yīng)用于IPS(In-PlaneSwitching,平面轉(zhuǎn)換)模式的陣列基板。對于IPS模式的陣列基板中,其公共電極和像素電極是同層設(shè)置,除此之外陣列基板的具體結(jié)構(gòu)、制備工藝也大致相同,在此不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。[0058]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置,采用了無需設(shè)置公共電壓線的陣列基板,因而具有更高的透過率,更低的功耗,同時(shí)還可避免公共電壓線布線電阻太大導(dǎo)致的顯示屏偏綠、閃爍及殘像等顯示不良,提高顯示效果。實(shí)施例二本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法,適用于平面場模式的陣列基板,如圖5所示,該方法包括步驟101、在玻璃基板上沉積透明導(dǎo)電層,采用構(gòu)圖工藝形成公共電極161,其剖面和正面俯視圖分別如圖6(a)和(b)所示。本步驟與現(xiàn)有制備過程一樣,在此不再詳述。步驟102、沉積正溫度系數(shù)熱敏電阻層,采用構(gòu)圖工藝在公共電極161上形成正溫度系數(shù)熱敏電阻15,且保證正溫度系數(shù)熱敏電阻15至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在對應(yīng)的公共電極161上,具體圖形如圖7(a)和(b)所示。步驟103、沉積柵金屬層,采用構(gòu)圖工藝形成柵線12,且保證每一行柵線12通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15與一相鄰行的公共電極161相連接,具體圖形如圖8(a)和(b)所示?,F(xiàn)有技術(shù)中,柵線直接位于陣列基板的任意兩個(gè)公共電極間的基板上,而本實(shí)用新型實(shí)施例中,先在任一公共電極161的邊緣形成一正溫度系數(shù)熱敏電阻15,且保證每一正溫度系數(shù)熱敏電阻15至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在對應(yīng)的公共電極161上;再在正溫度系數(shù)熱敏電阻15上形成柵線12,柵線12的位置向下一行(或上一行)柵線偏移。如圖7所示,柵線12隔著正溫度系數(shù)熱敏電阻15設(shè)置在公共電極161的邊緣,最終使某一柵線12控制的像素單元16中的公共電極161,通過正溫度系數(shù)熱敏電阻15,與該柵線的下一行(或上一行)柵線12相連。其中,優(yōu)選地,正溫度系數(shù)熱敏電阻15與柵線12具有相同的圖形,制備時(shí)可通過一次光刻過程完成,不會因此額外增加制備工藝步驟。或者,如圖9所示,上述過程也可以先形成柵線12,再制備正溫度系數(shù)熱敏電阻15,最后形成公共電極161,具體如下步驟201、沉積柵金屬層,采用構(gòu)圖工藝形成柵線12 ;步驟202、沉積正溫度系數(shù)熱敏電阻層,采用構(gòu)圖工藝在柵線12上形成正溫度系數(shù)熱敏電阻15 ;步驟203、沉積透明導(dǎo)電層,采用構(gòu)圖工藝在預(yù)設(shè)位置形成公共電極161,且保證每一行所述公共電極161至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在所述正溫度系數(shù)熱敏電阻15之上,所述公共電極161通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻15與一相鄰行柵線12相連接。其中,優(yōu)選地,正溫度系數(shù)熱敏電阻15與柵線12具有相同的圖形,制備時(shí)可通過一次光刻過程完成,無需另外增加額外的制備工序。然后按制造平面場模式的陣列基板的常規(guī)流程,形成柵絕緣層17、半導(dǎo)體層18、數(shù)據(jù)線層13、像素電極層19及表面保護(hù)層20,完成陣列基板的制造。本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板制造方法,在柵線與公共電極之間沉積正溫度系數(shù)熱敏電阻,作為控制柵線與公共電極接通或斷開的介質(zhì)。當(dāng)柵線處于低壓時(shí),柵線與公共電極之間的PTC阻值較小,可以實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通;當(dāng)柵線處于高壓時(shí),柵線與公共電極之間的PTC阻值較大,可以阻止柵線的高壓信號對公共電極的輸入,合理利用同一幀時(shí)間內(nèi)處于非導(dǎo)通狀態(tài)柵線輸出的關(guān)閉電壓作為公共電壓,因此,本實(shí)施例所述陣列基板制造方法,無需公共電極線布線,也不需要公共電壓輸入信號,因此不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗,并且不會因此增加額外工序。實(shí)施例三本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法,適用于實(shí)施例一所述的任一陣列基板,如圖10所示,該驅(qū)動(dòng)方法包括步驟301、第一柵線輸出開啟電壓時(shí),與第一柵線相連的像素單元打開,同時(shí)第二柵線輸出關(guān)閉電壓,第二柵線通過正溫度系數(shù)熱敏電阻,向公共電極提供關(guān)閉電壓作為公共電極的公共電壓;步驟302、第一柵線輸出關(guān)閉電壓時(shí),與第一柵線相連的像素單元關(guān)閉,同時(shí)第二柵線輸出開啟電壓,正溫度系數(shù)熱敏電阻隨溫度劇增,使第二柵線和公共電極斷開。具體地,以采用逐行掃描方式,且第二柵線為第一柵線的下一行柵線的陣列基板為例,則具體的所述陣列基板驅(qū)動(dòng)方法如下第一行柵線輸出開啟電壓控制第一行像素單元打開時(shí),第二行的柵線處于關(guān)閉狀態(tài),第二行柵線與第一行的公共電極通過PCT熱敏電阻相接觸,由于PCT熱敏電阻在低壓時(shí)電阻較小,第二行柵線和第一行公共電極導(dǎo)通,此時(shí)由第二行柵線的低壓(關(guān)閉電壓)為第一行的公共電極提供公共電壓,數(shù)據(jù)線為第一行像素單元加載顯示數(shù)據(jù);當(dāng)?shù)诙袞啪€打開時(shí),由于PCT熱敏電阻在高壓時(shí)電阻較大,處于高壓狀態(tài)的柵線和與公共電極斷開,不影響上一行的正常顯示,同時(shí)由第三行柵線的低壓(關(guān)閉電壓)為第二行的公共電極提供公共電壓,數(shù)據(jù)線為第二行像素單元加載顯示數(shù)據(jù);以此類推依次進(jìn)行直至最后一行,完成一幀的掃描畫面。需要說明的是,數(shù)據(jù)線上的代表顯示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線電壓是相對公共電壓而言的,由于本實(shí)用新型實(shí)施例利用柵線輸出的關(guān)閉電壓作為公共電壓,因此數(shù)據(jù)線電壓與現(xiàn)有技術(shù)相比較也需要調(diào)整。假設(shè)柵線輸出的關(guān)閉電壓為-8V,公共電極電壓也為8V,數(shù)據(jù)線電壓為O 16V,則采用本實(shí)用新型所述的驅(qū)動(dòng)方法,公共電壓相應(yīng)的變?yōu)?8V,數(shù)據(jù)線電壓需相應(yīng)的調(diào)整為O -16V。另外,對于圖2中第N行而言,當(dāng)該行掃描完畢,處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),此時(shí)柵線處于低壓狀態(tài),通過PTC熱敏電阻與公共電極接通,為公共電極提供電壓。但對于TFT而言,按上述假設(shè),由于此時(shí)數(shù)據(jù)線電壓為O -16V之間,所以TFT的源極為O -16V之間的某一值,柵極為-8V,則柵極與源漏極之間的電壓差為+8V -8V之間,而現(xiàn)有技術(shù)使用的TFT開啟電壓Vth在O 3V之間,所以此時(shí)的TFT可能處于打開狀態(tài),影響正常顯示。因此,在上述假設(shè)電壓下,本實(shí)用新型實(shí)施例中應(yīng)選用開啟電壓Vth大于8V的TFT,才能保證正常顯示。綜上所述,本實(shí)用新型實(shí)施例中的TFT開啟電壓Vth必須大于數(shù)據(jù)線電壓的最高電壓和柵極的低壓之差,而TFT開啟電壓Vth的大小可以通過TFT的制備工藝和材料來調(diào)整。本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板驅(qū)動(dòng)方法,合理利用同一幀時(shí)間內(nèi)處于非導(dǎo)通狀態(tài)柵線輸出的關(guān)閉電壓作為公共電壓,無需公共電壓輸入信號,因而也無需公共電極線布線,所以不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗。本實(shí)用新型實(shí)施例中雖然以LCD顯示屏為例,但實(shí)際上本實(shí)用新型的應(yīng)用不限于此,本實(shí)用新型同樣可應(yīng)用于LED顯示屏,這時(shí)柵線應(yīng)理解為控制像素單元打開的線路,公共電極理解為LED燈的不輸入顯示數(shù)據(jù)的另一端,一般為低壓端或接地端。[0083]本實(shí)用新型實(shí)施例所述的技術(shù)特征,在不沖突的情況下,可任意相互組合使用。以上所述,僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板,包括多個(gè)像素單元,所述像素單元與第一柵線相連,其特征在于, 還包括正溫度系數(shù)熱敏電阻,所述像素單元的公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至第二柵線,所述第二柵線為任一不與所述第一柵線同時(shí)輸出開啟電壓的柵線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二柵線與所述第一柵線相鄰,為所述第一柵線的上一行柵線或下一行柵線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在所述公共電極上;所述第二柵線設(shè)置在所述正溫度系數(shù)熱敏電阻之上,所述公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述第二柵線相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻設(shè)置在所述第二柵線上;所述公共電極至少有部分區(qū)域重疊設(shè)置在所述正溫度系數(shù)熱敏電阻之上,所述公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述第二柵線相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述正溫度系數(shù)熱敏電阻與所述第二柵線具有相同的圖形。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板和顯示裝置,涉及顯示領(lǐng)域,無需公共電極線布線,也不需要公共電壓輸入信號,因此不僅可增加像素開口率,提高顯示效果,還可大大降低面板功耗。本實(shí)用新型所述陣列基板,包括第一柵線和與所述第一柵線相連的像素單元,還包括正溫度系數(shù)熱敏電阻,所述像素單元的公共電極通過所述正溫度系數(shù)熱敏電阻連接至第二柵線,所述第二柵線為任一不與所述第一柵線同時(shí)輸出開啟電壓的柵線。
文檔編號G09G3/36GK202837762SQ20122053233
公開日2013年3月27日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者郤玉生, 胡海琛, 劉家榮 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司