專利名稱：一種像素電路及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。OLED按驅(qū)動(dòng)方式可分為PMOLED (Passive Matrix Driving0LED，無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED (Active Matrix DrivingOLED，有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)兩種。傳統(tǒng)的PMOLED隨著顯示裝置尺寸的增大，通常需要降低單個(gè)像·素的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，從而導(dǎo)致功耗的大幅上升。而在AMOLED技術(shù)中，每個(gè)OLED均通過(guò)TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關(guān)電路逐行掃描輸入電流,可以很好地解決這些問(wèn)題。在現(xiàn)有的AMOLED面板中，TFT開關(guān)電路多采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)。與一般的非晶硅薄膜晶體管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝和制作水平的限制，導(dǎo)致在大面積玻璃基板上制作的TFT開關(guān)電路常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上出現(xiàn)非均勻性，從而使得各個(gè)TFT的閾值電壓偏移不一致，這將導(dǎo)致OLED顯示器件的電流差異和亮度差異，并被人眼所感知；另外，在長(zhǎng)時(shí)間加壓和高溫下也會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分TFT的閾值漂移量不同，從而造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種像素電路及顯示裝置，可以有效地補(bǔ)償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，提升顯示效果。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本實(shí)用新型實(shí)施例的一方面，提供一種像素電路，包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件；所述第一晶體管的第一極連接所述發(fā)光器件的一端，其第二極連接第一電源電壓；所述第二晶體管的柵極連接第一控制線，其第一極連接重置電壓，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第三晶體管的柵極連接第二控制線，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其第二極連接所述第一晶體管的柵極；所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制線，其第一極連接數(shù)據(jù)線；[0012]所述第五晶體管的柵極連接第三控制線，其第一極連接所述第一晶體管的第一極，其第二極連接所述重置電壓；所述存儲(chǔ)電容位于所述第一晶體管的第一極與所述第三晶體管的第一極之間；所述發(fā)光器件的另一端連接第二電源電壓。其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為N型晶體管；或，所述第一晶體管為N型晶體管，所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為P型晶體管；所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管的第一極均為源極，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的第二極均為漏極。進(jìn)一步地，所述重置電壓小于所述發(fā)光器件最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓。所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。本實(shí)用新型實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的像素電路。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路及顯示裝置，通過(guò)多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過(guò)第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過(guò)發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素電路的連接結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為驅(qū)動(dòng)圖1所示像素電路時(shí)各信號(hào)線的時(shí)序圖；圖3為圖1所示像素電路在預(yù)充階段的等效電路示意圖；圖4為圖1所示像素電路在補(bǔ)償階段的等效電路示意圖；圖5為圖1所示像素電路在發(fā)光階段的等效電路示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路1，如圖1所示，包括第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、存儲(chǔ)電容C以及發(fā)光器件L。第一晶體管Tl的第一極連接發(fā)光器件L的一端，其第二極連接第一電源電壓(Vdd)。第二晶體管T2的柵極連接第一控制線G1，其第一極連接重置電壓，其第二極連接第一晶體管Tl的柵極。第三晶體管T3的柵極連接第二控制線G2，其第一極連接第四晶體管T4的第二極，其第二極連接第一晶體管Tl的柵極。第四晶體管T4的柵極連接第一控制線Gl，其第一極連接數(shù)據(jù)線DATA。第五晶體管T5的柵極連接第三控制線G3，其第一極連接第一晶體管Tl的第一極，其第二極連接重置電壓。存儲(chǔ)電容C位于第一晶體管Tl的第一極與第三晶體管T3的第一極之間。發(fā)光器件L的另一端連接第二電源電壓(Vss)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的發(fā)光器件L可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)或 OLED (OrganicLight Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)在內(nèi)的多種電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，是以O(shè)LED為例進(jìn)行的說(shuō)明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路，通過(guò)多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過(guò)第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過(guò)發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。其中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均可以為N型晶體管；或者第一晶體管Tl為N型晶體管，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均為P型晶體管。當(dāng)采用不同類型的晶體管時(shí)，像素電路的外部控制信號(hào)也各不相同。例如，以N型晶體管為例，在本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的像素電路中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均可以為N型增強(qiáng)型TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)或N型耗盡型TFT。其中，第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5的第一極均可以指的是源極，第二極則均可以指的是漏極。以下以第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4和第五晶體管T5均為N型增強(qiáng)型TFT為例，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路的工作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在圖1所示的像素電路的工作時(shí)，其工作過(guò)程具體可以分為三個(gè)階段，分別為預(yù)充階段、補(bǔ)償階段和發(fā)光階段。圖2是圖1所示像素電路工作過(guò)程中各信號(hào)線的時(shí)序圖。如圖2所示，在圖中分別用1、II和III來(lái)相應(yīng)地表示預(yù)充階段、補(bǔ)償階段和發(fā)光階段。第一階段為預(yù)充階段，該階段的等效電路如圖3所示。在預(yù)充階段中，第一控制線Gl和第二控制線G2均為低電平，第三控制線G3為高電平，數(shù)據(jù)線DATA輸出的為當(dāng)前幀的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)此時(shí)為高電平。此時(shí)第五晶體管T5導(dǎo)通，其它晶體管關(guān)斷，如圖3所示，重置電壓(Vref)可以通過(guò)第五晶體管T5使得位于OLED—端的S點(diǎn)電位重置為重置電壓。需要說(shuō)明的是，在像素電路的實(shí)際設(shè)計(jì)中，通常需要保證重置電壓低于OLED的最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓，這樣一來(lái)，可以使得OLED零時(shí)刻電壓VO不會(huì)驅(qū)動(dòng)OLED進(jìn)行發(fā)光，從而確保了顯示裝置在暗態(tài)時(shí)不發(fā)光，保證了顯示裝置的對(duì)比度。第二階段為補(bǔ)償階段，該階段的等效電路如圖4所示。在補(bǔ)償階段中，數(shù)據(jù)線DATA輸出的當(dāng)前幀的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)同樣保持高電平，第一控制線Gl為高電平，第二控制線G2和第三控制線G3均為低電平。此時(shí)第一晶體管Tl、第二晶體管T2和第四晶體管T4導(dǎo)通，第三晶體管T3和第五晶體管T5關(guān)斷。在這個(gè)階段，第二晶體管T2的漏極G點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第二晶體管T2充電至重置電壓(Vref)，第四晶體管T4的漏極A點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第四晶體管T4被充電至數(shù)據(jù)電壓(Vdata),位于OLED —端的S點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第一晶體管Tl被第一電源電壓(Vdd)充電，直到電壓等于V,rf-Vth，其中Vth為第一晶體管Tl的閾值電壓。在補(bǔ)償階段結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容C兩端的電荷為(VMf+Vth-VMf) Cst，其中Cst為存儲(chǔ)電容C的電容·值。第三階段為發(fā)光階段，該階段的等效電路如圖5所示。在這個(gè)階段，第一控制線Gl和第三控制線G3均為低電平，第二控制線G2為高電平，此時(shí)第一晶體管Tl和第三晶體管T3導(dǎo)通，第二晶體管T2、第四晶體管T4和第五晶體管T5均處于關(guān)斷狀態(tài)，存儲(chǔ)電容C連接在第一晶體管Tl的柵源極之間以保持第一晶體管Tl的柵源電壓Vffi，其存儲(chǔ)的電荷保持不變，隨著OLED電流趨于穩(wěn)定，OLED 一端的S點(diǎn)電壓變?yōu)閂_，由于存儲(chǔ)電容C的自舉效應(yīng)，A點(diǎn)和G點(diǎn)的電壓均變?yōu)閂DATA+V_-VMf+Vth。第一晶體管Tl的柵源電壓Ves保持為VDATA_VMf+Vth，此時(shí)流過(guò)第一晶體管T I的電流用于驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，該電流Imd為
IWr!0i,D 二丁 ；；,/7.； - Vrcf + Vth - Vih ]" (I)- Pn Cox — [Fdata - Vref J
2L其中，U n為載流子遷移率，Cox為柵氧化層電容，W/L為晶體管寬長(zhǎng)比，Vdata為數(shù)據(jù)電壓，Vref為重置電壓，Vth為晶體管的閾值電壓。現(xiàn)有技術(shù)中，不同像素單元之間的Vth不盡相同，且同一像素中的Vth還有可能隨時(shí)間發(fā)生漂移，這將造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象。由以上式⑴可知，用于驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流1_與第一晶體管Tl的閾值電壓Vth無(wú)關(guān)，因此消除了晶體管閾值電壓非均勻性對(duì)顯示的影響。通過(guò)多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過(guò)第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過(guò)發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。需要說(shuō)明的是，在上述實(shí)施例中，晶體管均是以增強(qiáng)型N型TFT為例進(jìn)行的說(shuō)明?；蛘撸瑯涌梢圆捎煤谋M型N型TFT，其不同之處在于，對(duì)于增強(qiáng)型TFT，閾值電壓Vth為正值，而對(duì)于耗盡型TFT，閾值電壓Vth為負(fù)值。此外，第一晶體管Tl還可以采用N型晶體管，第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4以及第五晶體管T5均可以為P型晶體管，驅(qū)動(dòng)這樣一種結(jié)構(gòu)的像素電路的外部信號(hào)的時(shí)序，即第一控制線G1、第二控制線G2以及第三控制線G3的時(shí)序與圖2中所示的相應(yīng)的信號(hào)時(shí)序相反(即二者的相位差為180度)。[0053]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種像素電路。所述顯示裝置可以包括多個(gè)像素單元陣列，每一個(gè)像素單元包括如上所述的任意一個(gè)像素電路。具有與本實(shí)用新型前述實(shí)施例提供的像素電路相同的有益效果，由于像素電路在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，此處不再贅述。具體的，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的顯示裝置可以是包括LED顯示器或OLED顯示器在內(nèi)的具有電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的顯示裝置。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置，包括像素電路，通過(guò)多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過(guò)第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過(guò)發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)方法，可以應(yīng)用于前述實(shí)施例中所提供的像素電路，如圖6所示,包括S601、導(dǎo)通第五晶體管，其他晶體管均處于關(guān)閉狀態(tài)，通過(guò)該第五晶體管將發(fā)光器件的一端電位重置為重置電壓，該發(fā)光器件處于關(guān)閉狀態(tài)。S602、導(dǎo)通第一晶體管、第二晶體管和第四晶體管，關(guān)閉第三晶體管和第五晶體管，以使存儲(chǔ)電容的兩端存儲(chǔ)電荷。具體的，在導(dǎo)通第一晶體管、第二晶體管和第四晶體管，關(guān)閉第三晶體管和第五晶體管時(shí)，該第一晶體管連接發(fā)光器件的一端通過(guò)導(dǎo)通的第一晶體管被第一電源(Vdd)電壓充電，直到電壓等于重置電壓(VMf)減去第一晶體管的閾值電壓(Vth)的差值。S603、保持第一晶體管導(dǎo)通，同時(shí)導(dǎo)通第三晶體管，關(guān)閉第二晶體管、第四晶體管和第五晶體管，存儲(chǔ)電容保持該第一晶體管的柵源電壓，通過(guò)該第一晶體管的電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的像素電路驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)多個(gè)晶體管和電容對(duì)電路進(jìn)行開關(guān)和充放電控制，可以使得存儲(chǔ)電容保持第一晶體管柵極和源極之間的柵源電壓不變，從而使得通過(guò)第一晶體管的電流與該第一晶體管的閾值電壓無(wú)關(guān)，補(bǔ)償了由于第一晶體管的閾值電壓的不一致或偏移所造成的流過(guò)發(fā)光器件的電流差異，提高了顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，顯著提升了顯示效果。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的發(fā)光器件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED或OLED在內(nèi)的多種電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件。其中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管以及第五晶體管均可以為N型晶體管；或者第一晶體管為N型晶體管，第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管以及第五晶體管均為P型晶體管。當(dāng)采用不同類型的晶體管時(shí)，像素電路的外部控制信號(hào)也各不相同。例如，以N型晶體管為例，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管以及第五晶體管均可以為N型增強(qiáng)型薄膜晶體管或N型耗盡型薄膜晶體管。需要說(shuō)明的是，當(dāng)?shù)谝痪w管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管以及第五晶體管均為N型增強(qiáng)型晶體管時(shí)，控制信號(hào)的時(shí)序可以如圖2所示，包括[0066]第一階段數(shù)據(jù)線和第三控制線輸入高電平，第一控制線和第二控制線輸入低電平;第二階段數(shù)據(jù)線和第一控制線輸入高電平，第二控制線和第三控制線輸入低電平;第三階段數(shù)據(jù)線、第一控制線以及第三控制線均輸入低電平，第三控制線輸入高電平。例如，當(dāng)該第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管以及第五晶體管均·為N型增強(qiáng)型薄膜晶體管時(shí)，步驟S601具體可以包括第一控制線和第二控制線輸入低電平以關(guān)閉除第五晶體管外的其他晶體管，第三控制線輸入高電平以導(dǎo)通第五晶體管，數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)為高電平，重置電壓(Vref)通過(guò)第五晶體管使得發(fā)光器件的一端電位重置為重置電壓，該重置電壓小于發(fā)光器件最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓。該步驟即為預(yù)充階段，參照?qǐng)D2所示，在預(yù)充階段中，第一控制線Gl和第二控制線G2均為低電平，第三控制線G3為高電平，數(shù)據(jù)線DATA輸出的當(dāng)前幀的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)此時(shí)為高電平。此時(shí)第五晶體管T5導(dǎo)通，其它TFT管關(guān)斷，如圖3所示，重置電壓(Vref)可以通過(guò)第五晶體管T5使得位于OLED —端的S點(diǎn)電位重置為重置電壓。需要說(shuō)明的是，在像素電路的實(shí)際設(shè)計(jì)中，通常需要保證重置電壓低于OLED的最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓，這樣一來(lái)，可以使得OLED零時(shí)刻電壓VO不會(huì)驅(qū)動(dòng)OLED進(jìn)行發(fā)光，從而確保了顯示裝置在暗態(tài)時(shí)不發(fā)光，保證了顯示裝置的對(duì)比度。相應(yīng)的，步驟S602具體可以包括第一控制線輸入高電平以導(dǎo)通第一晶體管、第二晶體管和第四晶體管，第二控制線和第三控制線輸入低電平以關(guān)閉第三晶體管和第五晶體管，保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓(Vdata)為高電平，以使存儲(chǔ)電容的兩端存儲(chǔ)電荷。該步驟為補(bǔ)償階段，在補(bǔ)償階段中，數(shù)據(jù)線DATA輸出的當(dāng)前幀的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)同樣為高電平，第一控制線Gl為高電平，第二控制線G2和第三控制線G3均為低電平。此時(shí)第一晶體管Tl、第二晶體管T2和第四晶體管T4導(dǎo)通，第三晶體管T3和第五晶體管T5關(guān)斷。在這個(gè)階段，第二晶體管T2的漏極G點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第二晶體管T2充電至重置電壓，第四晶體管T4的漏極A點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第四晶體管T4被充電至數(shù)據(jù)電壓，位于OLED —端的S點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)通的第一晶體管Tl被第一電源電壓(Vdd)充電，直到電壓等于VMf-Vth，其中Vth為第一晶體管Tl的閾值電壓。在補(bǔ)償階段結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容C兩端的電荷為(Vref+Vth-Vref) Cst，其中Cst為存儲(chǔ)電容C的電容值。步驟S603具體可以包括第一控制線和第三控制線輸入低電平以關(guān)閉第二晶體管、第四晶體管和第五晶體管，第二控制線輸入高電平以導(dǎo)通第一晶體管和第三晶體管，數(shù)據(jù)電壓Vdata為低電平，存儲(chǔ)電容保持該第一晶體管的柵源電壓，通過(guò)該第一晶體管的電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。該步驟為發(fā)光階段，在這個(gè)階段，第一控制線Gl和第三控制線G3均為低電平，第二控制線G2為高電平，此時(shí)第一晶體管Tl和第三晶體管T3導(dǎo)通，第二晶體管T2、第四晶體管T4和第五晶體管T5均處于關(guān)斷狀態(tài)，存儲(chǔ)電容C連接在第一晶體管Tl的柵源極之間以保持第一晶體管Tl的柵源電壓Vffi，其存儲(chǔ)的電荷保持不變，隨著OLED電流趨于穩(wěn)定，OLED 一端的S點(diǎn)電壓變?yōu)閂_，由于存儲(chǔ)電容C的自舉效應(yīng)，A點(diǎn)和G點(diǎn)電壓變?yōu)閂DATA+V0LED-Vref+Vtho第一晶體管Tl的柵源電壓Ves保持為VDATA_VMf+Vth，此時(shí)流過(guò)第一晶體管T I的電流用于驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，該電流1_與第一晶體管Tl的閾值電壓Vth無(wú)關(guān)，因此消除了晶體管閾值電壓非均勻性對(duì)顯示的影響。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種像素電路，其特征在于，包括 第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件； 所述第一晶體管的第一極連接所述發(fā)光器件的一端，其第二極連接第一電源電壓；所述第二晶體管的柵極連接第一控制線，其第一極連接重置電壓，其第二極連接所述第一晶體管的柵極； 所述第三晶體管的柵極連接第二控制線，其第一極連接所述第四晶體管的第二極，其第二極連接所述第一晶體管的柵極； 所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制線，其第一極連接數(shù)據(jù)線； 所述第五晶體管的柵極連接第三控制線，其第一極連接所述第一晶體管的第一極，其第二極連接所述重置電壓； 所述存儲(chǔ)電容位于所述第一晶體管的第一極與所述第三晶體管的第一極之間； 所述發(fā)光器件的另一端連接第二電源電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為N型晶體管；或， 所述第一晶體管為N型晶體管，所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管均為P型晶體管； 所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管以及所述第五晶體管的第一極均為源極，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的第二極均為漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述重置電壓小于所述發(fā)光器件最低灰階的驅(qū)動(dòng)電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4中任一所述的像素電路。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素電路及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以有效地補(bǔ)償TFT的閾值電壓漂移，提高顯示裝置發(fā)光亮度的均勻性，提升顯示效果。包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、存儲(chǔ)電容以及發(fā)光器件，本實(shí)用新型實(shí)施例用于制造顯示面板。
文檔編號(hào)G09G3/32GK202855270SQ20122059140
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月9日
發(fā)明者蓋翠麗, 吳仲遠(yuǎn), 段立業(yè) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司