專利名稱：恒流mosfet電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種LED背光驅(qū)動電路，尤其是涉及一種恒流MOSFET電路。
背景技術(shù)：
隨著LED技術(shù)的發(fā)展，目前市場上使用LED作為背光源的液晶模組越來越多，背光驅(qū)動電路種類也較多。目前，絕大多數(shù)背光驅(qū)動電路是通過使用外部PWM信號控制LED燈條電流來實現(xiàn)背光亮度調(diào)節(jié)，其結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示，恒流MOSFET電路包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，恒流MOSFET可以外置于恒流控制芯片，也可以內(nèi)置于恒流控制芯片上；背光驅(qū)動電路的輸出電壓Ul或U2與LED燈條的正極相連，且與一個電容Cl或C2串聯(lián)接地；恒流MOSFET的柵極和恒流控制芯片相連，所述恒流MOSFET的源極通過一個電阻Rl或R2與地相接，恒流MOSFET的漏極與LED燈條的負極相連。調(diào)光過程中，背光驅(qū)動電路以一定頻率控制恒流MOSFET導通和關(guān)斷以調(diào)節(jié)LED燈條的工作電流。當恒流MOSFET關(guān)斷時，由于電容的存在，提供給LED燈條正極的輸出電壓幾乎保持不變，而LED燈條負極(即恒流MOSFET的漏極)會出現(xiàn)一個漏極電壓VD。由于LED燈條的規(guī)格不同和恒流MOSFET的源極與漏極間的電阻阻值的不確定性，不同產(chǎn)品中漏極電壓VD的值會有較大的變化。由于后級LED燈條恒流驅(qū)動電路中的恒流MOSFET僅靠自身的漏極電壓VD耐壓值保護，如果VD超過了恒流MOSFET漏極能夠承受的最大電壓，將會造成恒流MOSFET工作隱患而出現(xiàn)損壞，使電路無法正常工作。穩(wěn)壓二極管的特點是反向通電尚未擊穿前，其兩端的電壓基本保持不變，即穩(wěn)壓值。這樣，當把穩(wěn)壓二極管接入電路后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其他原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種將MOSFET管漏極電壓控制在安全范圍內(nèi)的恒流MOSFET電路。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:恒流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，其特征在于，還包括穩(wěn)壓二極管；所述穩(wěn)壓二極管的負極與恒流MOSFET的漏極相連，其正極接地；穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓。具體的，穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值不低于LED燈條正常工作電壓值的1/2。優(yōu)選的，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片。優(yōu)選的，恒流MOSFET內(nèi)置在恒流控制芯片上。本實用新型的有益效果是:將恒流MOSFET漏極電壓控制在安全范圍內(nèi)，保證恒流MOSFET在PWM調(diào)光過程中不被擊穿損壞，本實用新型的成本低、實施簡便、性能可靠，可起到保護內(nèi)置恒流MOSFET驅(qū)動芯片或外置恒流MOSFET的作用。本實用新型適用于LED液晶模組中。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中恒流MOSFET外置時恒流MOSFET電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中恒流MOSFET內(nèi)置時恒流MOSFET電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實用新型另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，Rl和R2為電阻，Ul和U2為輸出電壓，Cl和C2為電容，ZDl和ZD2為穩(wěn)壓
二極管。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。恒流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，恒流MOSFET的漏極對地并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓。實施例1如圖3的恒流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片，恒流MOSFET的漏極對地并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管ZDl ;穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓，且不低于LED燈條正常工作電壓值的1/2，這樣既可以保證電路能夠正常工作，又可以對恒流MOSFET電路形成保護。實施例2 如圖4的恒流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，恒流MOSFET內(nèi)置在恒流控制芯片上，恒流MOSFET的漏極對地并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管ZD2 ;穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓，且不低于LED燈條正常工作電壓值的1/2，這樣既可以保證電路能夠正常工作，又可以對恒流MOSFET電路形成保護。
權(quán)利要求1.流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流M0SFET，其特征在于，還包括穩(wěn)壓二極管；所述穩(wěn)壓二極管的負極與恒流MOSFET的漏極相連，其正極接地；穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓。
2.按權(quán)利要求1所述的恒流MOSFET電路，其特征在于，穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值不低于LED燈條正常工作電壓值的1/2。
3.按權(quán)利要求1或2所述的恒流MOSFET電路，其特征在于，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片。
4.按權(quán)利要求1或2所述的恒流MOSFET電路，其特征在于，恒流MOSFET內(nèi)置在恒流控制芯片上。
專利摘要本實用新型涉及LED背光驅(qū)動電路。本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供將MOSFET管漏極電壓控制在安全范圍內(nèi)的恒流MOSFET電路。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是恒流MOSFET電路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，還包括穩(wěn)壓二極管；所述穩(wěn)壓二極管的負極與恒流MOSFET的漏極相連，其正極接地；穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值低于恒流MOSFET的最大漏極電壓。本實用新型的有益效果是將恒流MOSFET漏極電壓控制在安全范圍內(nèi)，保證恒流MOSFET在PWM調(diào)光過程中不被擊穿損壞，成本低、實施簡便、性能可靠，適用于LED液晶模組中。
文檔編號G09G3/36GK202930012SQ20122064467
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者伍強, 楊偉茂 申請人:四川長虹光電有限公司