薄膜晶體管器件及其制造方法、有機(jī)el顯示元件和有機(jī)el顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管器件及其制造方法、有機(jī)EL顯示元件和有機(jī)EL顯示裝置。在通過隔壁的圍繞構(gòu)成的第1開口部和第2開口部內(nèi)分別形成有薄膜晶體管元件。在此，在俯視第1開口部的底部的情況下，其底部的源電極與漏電極的表面積之和的中心位置與該底部的面積的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另外，在俯視第2開口部的底部的情況下，其底部的源電極與漏電極的表面積之和的中心位置與該底部的面積的中心位置相比向與第1開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
【專利說明】薄膜晶體管器件及其制造方法、有機(jī)EL顯示元件和有機(jī)EL
顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管器件及其制造方法、有機(jī)EL顯示元件和有機(jī)EL顯示裝置。【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示面板、有機(jī)EL顯示面板中，為了以子像素為單位控制發(fā)光，采用了在每個(gè)子像素中形成有薄膜晶體管(TFT (Thin Film Transistor))元件的薄膜晶體管器件(裝置)。并且，特別是使用了有機(jī)半導(dǎo)體材料來作為半導(dǎo)體層的薄膜晶體管器件的開發(fā)得到不斷進(jìn)展。
[0003]如圖12的(a)所示，現(xiàn)有技術(shù)涉及的有機(jī)TFT器件例如在基板9011上依次層疊形成有柵電極9012a、9012b、絕緣層9013、源電極9014a、9014b、漏電極(省略圖示)以及有機(jī)半導(dǎo)體層9017a、9017b。有機(jī)半導(dǎo)體層9017a、9017b通過在絕緣層9013上涂敷有機(jī)半導(dǎo)體墨并使之干燥而形成，形成為將源電極9014a、9014b與漏電極之間填埋并且將它們之上覆蓋。
[0004]另外，如圖12的(a)所示，在絕緣層9013上設(shè)有用于對(duì)相鄰的元件之間進(jìn)行區(qū)劃的隔壁9016。在隔壁9016開設(shè)有多個(gè)開口部9016a?9016c，在開口部9016a的底部，與漏電極連接的連接布線9015露出，不形成有機(jī)半導(dǎo)體層。連接布線9015是用于對(duì)形成于該TFT元件上方的發(fā)光元件的電極進(jìn)行連接的電極。而且，在隔壁9016的開口部9016b、9016c形成有被相互區(qū)劃的有機(jī)半導(dǎo)體層9017a、9017b。
[0005]液晶顯示面板、有機(jī)EL顯示面板中使用的有機(jī)TFT器件的各薄膜晶體管元件通過向柵電極9012a、9012b輸入信號(hào)進(jìn)行發(fā)光兀件的發(fā)光控制。
[0006]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-76791號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]然而，在現(xiàn)有技術(shù)涉及的有機(jī)TFT器件中，在有機(jī)半導(dǎo)體層9017a、9017b的形成涉及的墨涂敷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生如下情況:對(duì)開口部9016b滴下的墨和對(duì)相鄰的開口部9016c滴下的墨會(huì)混合。具體而言，如圖12的(b)所示，向開設(shè)于隔壁9016的開口部9016b、9016c滴下有機(jī)半導(dǎo)體墨90170、90171時(shí)，如箭頭所示，有機(jī)半導(dǎo)體墨90170、90171有時(shí)會(huì)相互混合。在該情況下，有機(jī)半導(dǎo)體層9017a、9017b的層厚會(huì)成為不希望的厚度，另外，在要形成成分相互不同的半導(dǎo)體層的情況下，由于墨的混合，會(huì)造成晶體管性能的降低。
[0010]尤其在液晶顯示面板、有機(jī)EL顯示面板中，從精細(xì)化的希望，到還有將各子像素小型化的希望，伴隨著各子像素小型化，開口部9016b與開口部9016c之間的距離變短，墨90170與墨90171變得容易混合，可認(rèn)為容易產(chǎn)生如上所述的問題。
[0011]此外，如上所述的問題在使用涂敷法形成無機(jī)半導(dǎo)體層的情況下也同樣存在。[0012]本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的發(fā)明，目的在于提供一種在向相鄰的開口部滴下半導(dǎo)體墨時(shí)抑制彼此的墨的混合、并且質(zhì)量(品質(zhì))高的薄膜晶體管器件及其制造方法、有機(jī)EL顯示元件以及有機(jī)EL顯示裝置。
[0013]用于解決問題的手段
[0014]于是，本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件具有如下特征。
[0015]本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件具備在相互隔開間隔的狀態(tài)下相鄰配置的第I薄膜晶體管元件和第2薄膜晶體管元件，各薄膜晶體管元件具備柵電極、源電極及漏電極、絕緣層以及半導(dǎo)體層。
[0016]源電極和漏電極層疊形成在柵電極的上方，在與疊層方向交叉的方向上相互隔開間隔而排列設(shè)置。
[0017]絕緣層插置于柵電極與源電極及漏電極之間。
[0018]半導(dǎo)體層形成在源電極與漏電極之間的間隙以及源電極和漏電極上，與源電極和漏電極緊密接觸。
[0019]另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，在第I薄膜晶體管元件中的半導(dǎo)體層與第2薄膜晶體管元件中的半導(dǎo)體層之間形成有對(duì)彼此之間進(jìn)行區(qū)劃的隔壁，隔壁分別圍繞第I薄膜晶體管元件中的源電極及漏電極各自的至少一部分、和第2薄膜晶體管元件中的源電極及漏電極各自的至少一部分，并且，表面具有撥液性。
[0020]在上述結(jié)構(gòu)中，在將通過圍繞第I薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第I開口部，將通過圍繞第2薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第2開口部時(shí)，具有如下特征。
[0021]本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的特征在于，在俯視第I開口部的底部的情況下，在該第I開口部的底部露出的源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第I開口部底部的面積的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另外，在俯視第2開口部的底部的情況下，在該第2開口部的底部露出的源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第2開口部底部的面積的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
[0022]發(fā)明的效果
[0023]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，在第I開口部的底部，源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第I開口部底部的中心位置相比配置成向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另外，在第2開口部的底部，源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第2開口部底部的中心位置相比配置成向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。因此，在制造薄膜晶體管器件時(shí)涂敷(滴下)用于形成半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體墨時(shí)，涂敷到第I開口部內(nèi)部的墨與涂敷到第2開口部內(nèi)部的墨彼此的表面輪廓的最高的部分相對(duì)于各自的開口部的中心存在于相互遠(yuǎn)離的位置。
[0024]通過使源電極和漏電極的潤濕性比絕緣層的表面的潤濕性高，并使源電極和漏電極在各個(gè)開口部偏置配置，涂敷到第I開口部內(nèi)部的墨的表面輪廓偏向遠(yuǎn)離第2開口部的一側(cè)，同樣地，涂敷到第2開口部的內(nèi)部的墨的表面輪廓偏向遠(yuǎn)離第I開口部的一側(cè)。由此，本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件能夠在其制造時(shí)對(duì)如下狀況進(jìn)行抑制:對(duì)第I開口部和第2開口部分別涂敷(滴下)的半導(dǎo)體墨不希望地發(fā)生混合。[0025]因此，本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件能夠在向相鄰的開口部分別涂敷(滴下)了半導(dǎo)體墨時(shí)抑制半導(dǎo)體墨彼此的混合，能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量(品質(zhì))。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示裝置I的概略結(jié)構(gòu)的示意框圖。
[0027]圖2是表示有機(jī)EL顯示面板10的結(jié)構(gòu)的一部分的示意剖視圖。
[0028]圖3的(a)是表不TFT基板101的一部分結(jié)構(gòu)的不意俯視圖，圖3的(b)是其不意首1J視圖。
[0029]圖4的(a)是表示有機(jī)EL顯示面板10的制造方法的概略的工序流程圖，圖4的(b)是表示TFT基板101的形成方法的概略的工序流程圖。
[0030]圖5是表示TFT基板101的制造過程中的一部分工序的示意工序圖。
[0031]圖6是表示TFT基板101的制造過程中的一部分工序的示意工序圖。
[0032]圖7是表示TFT基板101的制造過程中的一部分工序的示意工序圖。
[0033]圖8是表示TFT基板101的制造過程中的一部分工序的示意工序圖。
[0034]圖9的(a)是表示本發(fā)明實(shí)施方式2涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖9的(b)是表示本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖9的(b)是表示本發(fā)明實(shí)施方式4涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0035]圖10的(a)是表示本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖10的(b)是表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖10的(c)是表示本發(fā)明實(shí)施方式7涉及的有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)中的、TFT基板的一部分結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0036]圖11的(a)是表示由變形例I涉及的TFT基板的隔壁規(guī)定的開口部的開口形狀的示意俯視圖，圖11的(b)是表示由變形例2涉及的TFT基板的隔壁規(guī)定的開口部的開口形狀的示意俯視圖，圖11的(c)是表示由變形例3涉及的TFT基板的隔壁規(guī)定的開口部的開口形狀的示意俯視圖。
[0037]圖12的(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)涉及的有機(jī)TFT器件的結(jié)構(gòu)的一部分的剖視圖，圖12的(b)是表示現(xiàn)有技術(shù)涉及的有機(jī)TFT器件的制造過程中的、半導(dǎo)體墨的涂敷涉及的工序的剖視圖。
[0038]標(biāo)號(hào)說明
[0039]1:有機(jī)EL顯示裝置；10:有機(jī)EL顯示面板；20:驅(qū)動(dòng)控制電路單元；21?24:驅(qū)動(dòng)電路；25:控制電路；101 =TFT基板；102:平坦化膜；102a:接觸孔；103:陽極；104:透明導(dǎo)電膜；105:空穴注入層；106:堤；107:空穴輸送層；108:有機(jī)發(fā)光層；109:電子輸送層；110:陰極；111:封止層；112:粘接層；113:CF 基板；501:掩模;1011、1131:基板;1012a、1012b:柵電極；1013:絕緣層;1014a、1014b、2014a、2014b、3014a、3014b、4014a、4014b、5014a、5014b、6014a、6014b、7014a、7014b:源電極；1014c、1014d、2014c、2014d、3014c、3014d、4014c、4014d、5014c、5014d、6014c、6014d、7014c、7014d:漏電極；1015、2015、3015、4015、5015、6015、7015:連接布線；1016、2016、3016、4016、5016、6016、7016:隔壁;1016a、1016b、1016c、2016b、2016c、3016b、3016c、4016b、4016c、5016b、5016c、6016b、6016c、7016b,7016c:開口部;1017a、1017b:有機(jī)半導(dǎo)體層；1018:鈍化膜；1132:濾色器(濾色片)；1133:黑底；10160:感光性抗蝕劑材料膜;10170、10171:有機(jī)半導(dǎo)體墨。
【具體實(shí)施方式】
[0040][本發(fā)明的方式的概要]
[0041]本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件具備在相互隔開間隔的狀態(tài)下相鄰配置的第I薄膜晶體管元件和第2薄膜晶體管元件，各薄膜晶體管元件具備柵電極、源電極及漏電極、絕緣層以及半導(dǎo)體層。
[0042]源電極和漏電極層疊形成在柵電極的上方，在與疊層方向交叉的方向上相互隔開間隔而排列設(shè)置。
[0043]絕緣層插置于柵電極與源電極及漏電極之間。
[0044]半導(dǎo)體層形成在源電極與漏電極之間的間隙以及源電極和漏電極上，與源電極和漏電極緊密接觸。
[0045]另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，在第I薄膜晶體管元件中的半導(dǎo)體層與第2薄膜晶體管元件中的半導(dǎo)體層之間形成有對(duì)彼此之間進(jìn)行區(qū)劃的隔壁，隔壁分別圍繞第I薄膜晶體管元件中的源電極及漏電極各自的至少一部分、和第2薄膜晶體管元件中的源電極及漏電極各自的至少一部分，并且，表面具有撥液性。
[0046]在上述結(jié)構(gòu)中，在將通過圍繞第I薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第I開口部，將通過圍繞第2薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第2開口部時(shí)，具有如下特征。
[0047]本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的特征在于，在俯視第I開口部的底部的情況下，在該第I開口部的底部露出的源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第I開口部底部的面積的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另外，在俯視第2開口部的底部的情況下，在該第2開口部的底部露出的源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第2開口部底部的面積的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
[0048]在上述說明中，對(duì)于“源電極與漏電極的表面積之和的中心位置”，在將源電極的面積設(shè)為As，將從任意一點(diǎn)到源電極的面積中心的距離設(shè)為X，將漏電極的面積設(shè)為AD，將從所述任意一點(diǎn)到漏電極的面積中心的距離設(shè)為I時(shí)，上述“源電極與漏電極的表面積之和的中心位置” z表示為如下式。
[0049]式1:z= (AsXx+ADXy) / (As+Ad)
[0050]上述式I規(guī)定了連接第I開口部底部的中心位置和第2開口部底部的中心位置的直線延伸方向上的分量。
[0051]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，在第I開口部的底部，源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第I開口部底部的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離配置，另外，在第2開口部的底部，源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與第2開口部底部的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離配置。因此，在制造薄膜晶體管器件時(shí)滴下用于形成半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體墨時(shí)，滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部內(nèi)部的墨彼此的表面輪廓的最高的部分相對(duì)于各自的開口部的中心存在于相互遠(yuǎn)離的位置。
[0052]其通過使源電極和漏電極的潤濕性比絕緣層的表面的潤濕性高，并使這些源電極和漏電極在各個(gè)開口部偏置配置，從而使滴到第I開口部內(nèi)部的墨的表面輪廓偏向遠(yuǎn)離第2開口部的一側(cè)，同樣地，滴到第2開口部的內(nèi)部的墨的表面輪廓偏向遠(yuǎn)離第I開口部的一偵U。由此，本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件能夠抑制如下情況:在其制造時(shí)對(duì)第I開口部和第2開口部分別滴下的半導(dǎo)體墨不希望地混合。
[0053]因此，本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件能夠在向相鄰的各個(gè)開口部滴下半導(dǎo)體墨時(shí)抑制半導(dǎo)體墨之間的混合，并且具備高質(zhì)量。
[0054]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在第I開口部的底部，在與第2開口部相鄰的一側(cè)，存在絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于其間的部位，在第2開口部的底部，在與第I開口部相鄰的一側(cè)，存在絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于其間的部位。在采用這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，能夠更切實(shí)地實(shí)現(xiàn)如下狀態(tài):在分別向第I開口部和第2開口部滴下半導(dǎo)體墨時(shí)，在第I開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的部位向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，同樣地，在第2開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的部位向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。因此，能夠更切實(shí)地抑制滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部內(nèi)的墨的混合。
[0055]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在第I開口部的底部，絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于其間的部位也存在于與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，在俯視第I開口部的底部的情況下，以第I開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，第2開口部一側(cè)的絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積，同樣地，在第2開口部的底部，絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于其間的部位也存在于與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，在俯視第2開口部的底部的情況下，以第2開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與第I開口部相鄰的一側(cè)的絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的絕緣層和半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積。
[0056]在如上所述規(guī)定第I開口部的底部和第2開口部的底部各自的絕緣層與半導(dǎo)體層直接接觸的部分的面積的情況下，能夠更切實(shí)地實(shí)現(xiàn)如下狀態(tài):在第I開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的位置向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，同樣地，在第2開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的位置向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。因此，能夠更切實(shí)地抑制滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。
[0057]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在俯視第I開口部的底部的情況下，源電極和漏電極的一方的表面積的中心位置與第I開口部底部的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另一方的表面積的中心位置位于第I開口部底部的中心位置，在俯視第2開口部的底部的情況下，源電極和漏電極的一方的表面積的中心位置與第2開口部底部的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另一方的表面積的中心位置位于第2開口部底部的中心位置。
[0058]在如上所述那樣配置第I開口部的底部和第2開口部的底部各自的源電極和漏電極的情況下，也能夠如上所述那樣控制滴到各開口部的墨的表面輪廓，能夠抑制滴到第I開口部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。[0059]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在俯視第I開口部的底部的情況下，源電極和漏電極各自的表面積的中心位置與第I開口部底部的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，在俯視第2開口部的底部的情況下，源電極和漏電極各自的表面積的中心位置與第2開口部底部的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
[0060]在如上所述那樣配置第I開口部的底部和第2開口部的底部各自的源電極和漏電極的情況下，也能夠如上所述那樣控制滴到各開口部的墨的表面輪廓，能夠抑制滴到第I開口部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。
[0061]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在第I開口部的底部，源電極和漏電極中的至少一方在與第2開口部相鄰的一側(cè)的部分與面向第I開口部的隔壁的側(cè)面部分離，且在與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的部分與面向第I開口部的隔壁的側(cè)面部接觸，在第2開口部的底部，源電極和漏電極中的至少一方在與第I開口部相鄰的一側(cè)的部分與面向第2開口部的隔壁的側(cè)面部分離，且在與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的部分與面向第2開口部的隔壁的側(cè)面部接觸。在采用這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠如上所述那樣控制滴到各開口部的墨的表面輪廓，能夠抑制滴到第I開口部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。
[0062]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，隔壁的表面的撥液性比絕緣層的與半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性高，且絕緣層的與半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性比源電極和漏電極的各表面的撥液性高。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使滴下半導(dǎo)體墨時(shí)的各開口部中的墨的表面輪廓更切實(shí)地成為如上所述的輪廓。由此，能夠更加切實(shí)地抑制滴到第I開口部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。
[0063]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件中，特征在于，在與第I開口部和第2開口部中的至少一方相鄰的區(qū)域設(shè)有第3開口部，第3開口部在其內(nèi)部不形成半導(dǎo)體層，不是作為溝道部發(fā)揮功能的部分，在第3開口部的底部形成有與第I薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極的一方、或者第2薄膜晶體管元件中的源電極和漏電極的一方電連接的布線。在采用這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，第3開口部作為接觸區(qū)域發(fā)揮功能，在該情況下，分別滴到第I開口部的內(nèi)部和第2開口部的內(nèi)部的墨彼此也不會(huì)混合，能夠獲得高質(zhì)量。
[0064]本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示元件具備:具備上述第3開口部的本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件；平坦化膜，其設(shè)在該薄膜晶體管器件的上方，形成有接觸孔；下部電極，其形成在平坦化膜上以及平坦化膜的面向接觸孔的側(cè)面上，與漏電極或源電極電連接；上部電極，其形成在下部電極的上方；以及有機(jī)發(fā)光層，其插置在下部電極與上部電極之間。并且，在本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示元件中，特征在于，接觸孔與第3開口部連通。
[0065]在具備這樣的結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示元件中，能夠同樣地實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件所實(shí)現(xiàn)的效果。因此，具備高顯示質(zhì)量。
[0066]本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置的特征在于具備上述本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示元件。由此，本發(fā)明的一種方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置也具備高的顯示質(zhì)量，并且能夠確保制造時(shí)的高材料利用率。
[0067]本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的制造方法具備如下工序。[0068](i)第I工序，在基板上形成在相互隔開間隔的狀態(tài)下相鄰的第I柵電極和第2柵電極。
[0069](ii)第2工序，形成絕緣層以將第I柵電極和第2柵電極的上方覆蓋。
[0070](iii)第3工序，在絕緣層上，與第I柵電極對(duì)應(yīng)而以在與絕緣層的層厚方向交叉的方向上相互隔開間隔的狀態(tài)排列設(shè)置第I源電極和第I漏電極，并且，與第2柵電極對(duì)應(yīng)而以在與絕緣層的層厚方向交叉的方向上相互隔開間隔的狀態(tài)排列設(shè)置第2源電極和第2漏電極。
[0071](iv)第4工序，在絕緣層上，以將第I源電極和第2源電極之上以及第I漏電極和第2漏電極之上覆蓋的狀態(tài)，層疊感光性抗蝕劑材料。
[0072](V)第5工序，通過對(duì)層疊的感光性抗蝕劑材料進(jìn)行掩模曝光而進(jìn)行圖案形成來形成隔壁，所述隔壁分別圍繞第I源電極及第I漏電極各自的至少一部分、和第2源電極及第2漏電極各自的至少一部分，且其表面具有撥液性。
[0073](vi)第6工序，對(duì)第I開口部的內(nèi)部和第2開口部的內(nèi)部分別涂敷半導(dǎo)體材料并使其干燥，形成第I半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層，所述第I開口部是通過圍繞第I源電極和第I漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部，所述第2開口部是通過圍繞第2源電極和第2漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部，所述第I半導(dǎo)體層與第I源電極和第I漏電極緊密接觸，所述第2半導(dǎo)體層與第2源電極和第2漏電極緊密接觸。
[0074]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的制造方法中，特征在于，在所述第5工序中形成隔壁以使得:在俯視第I開口部的底部的情況下，在該第I開口部的底部露出的第I源電極和第I漏電極的表面積之和的中心位置與第I開口部底部的面積的中心位置相比向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離；在俯視第2開口部的底部的情況下，在第2開口部的底部露出的第2源電極和第2漏電極的表面積之和的中心位置與第2開口部底部的面積的中心位置相比向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
[0075]在采用如上所述的制造方法的情況下，在第I開口部的底部，第I源電極和第I漏電極向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)偏置配置，另外，在第2開口部的底部，第2源電極和第2漏電極向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)偏置配置。因此，在第6工序中涂敷(滴下)半導(dǎo)體材料(半導(dǎo)體墨)時(shí)，能夠更切實(shí)地實(shí)現(xiàn)如下狀態(tài):在第I開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的部位向與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，同樣地，在第2開口部中，墨的表面輪廓中的高度最高的部位向與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。因此，能夠獲得以下效果:能夠抑制滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部內(nèi)部的墨的混合。
[0076]因此，能夠切實(shí)地抑制滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部內(nèi)部的墨的混合，能夠制造高質(zhì)量的薄膜晶體管器件。
[0077]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的制造方法中，特征在于，在所述第5工序中形成隔壁以使得:在第I開口部的底部，在第2開口部側(cè)，存在絕緣層和第I半導(dǎo)體層直接接觸而第I源電極和第I漏電極都不介于其間的部位，在第2開口部的底部，在第I開口部側(cè)，存在絕緣層與第2半導(dǎo)體層直接接觸而第2源電極和第2漏電極都不介于其間的部位。當(dāng)采用這樣的方法時(shí)，能夠分別在滴到第I開口部內(nèi)部的墨和滴到第2開口部的墨中更切實(shí)地實(shí)現(xiàn)上述表面輪廓，能夠更切實(shí)地抑制墨彼此的混合。
[0078]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的制造方法中，特征在于，在所述第5工序中形成隔壁以使得:在第I開口部的底部，在與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，也存在絕緣層和第I半導(dǎo)體層直接接觸而第I源電極和第I漏電極都不介于其間的部位，在俯視第I開口部的底部的情況下，以第I開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與第2開口部相鄰的一側(cè)的絕緣層和第I半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的絕緣層和第I半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積，另外，在第2開口部的底部，在與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，也存在絕緣層與第2半導(dǎo)體層直接接觸而第2源電極和第2漏電極都不介于其間的部位，在俯視第2開口部的底部的情況下，以第2開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與第I開口部相鄰的一側(cè)的絕緣層與第2半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的絕緣層和第2半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積。在采用這樣的方法的情況下，能夠分別對(duì)滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴下到第2開口部的墨更切實(shí)地實(shí)現(xiàn)上述表面輪廓，能夠切實(shí)地抑制墨彼此的混合。
[0079]在本發(fā)明的一種方式涉及的薄膜晶體管器件的制造方法中，特征在于，在第2工序至第6工序中，使隔壁的表面的撥液性比絕緣層的與第I半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層接觸的各接觸面的撥液性高，并且，使絕緣層的與第I半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性比第I源電極和第2源電極以及第I漏電極和第2漏電極的各表面的撥液性高。通過這樣控制各部件的撥液性，能夠更切實(shí)地防止滴到第I開口部內(nèi)部的墨與滴到第2開口部的墨的混合。由此，能夠切實(shí)地制造高質(zhì)量的薄膜晶體管器件。
[0080]在上述說明中，“上方”這一用語不是指絕對(duì)的空間識(shí)別中的上方向(垂直上方)，而是根據(jù)層疊結(jié)構(gòu)中的層疊順序而由相對(duì)的位置關(guān)系規(guī)定的。另外，“上方”這一用語不只適用于彼此之間隔開間隔的情況，也適用于相互緊密接觸的情況。
[0081]以下，使用幾個(gè)具體例說明本發(fā)明涉及的實(shí)施方式的特征和作用、效果。此外，本發(fā)明除了其本質(zhì)性的特征性構(gòu)成要素外，不受到以下實(shí)施方式的任何限定。
[0082][實(shí)施方式I]
[0083]1.有機(jī)EL顯示裝置I的整體結(jié)構(gòu)
[0084]以下，使用圖1說明本發(fā)明實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示裝置I的結(jié)構(gòu)。
[0085]如圖1所示，有機(jī)EL顯示裝置I構(gòu)成為具有有機(jī)EL顯示面板10和與其連接的驅(qū)動(dòng)控制電路單元20。
[0086]有機(jī)EL顯示面板10是利用了有機(jī)材料的電致發(fā)光現(xiàn)象的面板，構(gòu)成為多個(gè)有機(jī)EL元件例如呈矩陣狀排列。驅(qū)動(dòng)控制電路單元20包括控制電路25和4個(gè)驅(qū)動(dòng)電路21?24。
[0087]在本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示裝置I中，驅(qū)動(dòng)控制電路單元20相對(duì)于有機(jī)EL顯示面板10的配置不限于此。
[0088]2.有機(jī)EL顯示面板10的結(jié)構(gòu)
[0089]使用圖2這一示意剖視圖和圖3說明有機(jī)EL顯示面板10的結(jié)構(gòu)。
[0090]如圖2所示，有機(jī)EL顯示面板10具備TFT (薄膜晶體管)基板101。 TFT基板101在基板1011上以相互隔開間隔的狀態(tài)層疊有柵電極1012a、1012b，并層疊形成有絕緣層1013以將柵電極1012a、1012b之上覆蓋。在絕緣層1013上，分別與柵電極1012a、1012b對(duì)應(yīng)而設(shè)有源電極1014a、1014b，另外，如圖3的(a)所示，分別相對(duì)于源電極1014a、1014b在Y軸方向上隔開間隔而設(shè)有漏電極1014c、1014d。[0091]另外，如圖2和圖3的(a)所示，在絕緣層1013上，相對(duì)于源電極1014a在X軸方向左側(cè)隔開間隔而形成有連接布線1015。連接布線1015從源電極1014a或漏電極1014c延伸形成，或者與這兩者的一方電連接。
[0092]如圖2和圖3的(a)所示，在絕緣層1013上形成有隔壁1016以分別圍繞連接布線1015、源電極1014a和漏電極1014c、源電極1014b和漏電極1014d。換言之，如圖3的(a)所示，開設(shè)于隔壁1016的三個(gè)開口部1016a、1016b、1016c中的、在底部露出連接布線1015的X軸方向左側(cè)的開口部1016a是與溝道部不同的部分，作為與陽極的接觸部發(fā)揮功能。另一方面，在底部露出源電極1014a和漏電極1014c的開口部1016b、在底部露出源電極1014b和漏電極1014d的開口部1016c分別是作為溝道部發(fā)揮功能的部分。
[0093]此外，如圖3的(b)所示，在開口部1016b、1016c的各底部，源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d (參照?qǐng)D3的(a))不是配置成跨X軸方向的整個(gè)區(qū)域，在開口部1016b中，絕緣層1013的一部分在X軸方向左側(cè)露出(露出部1013a)，同樣地，在開口部1016c中，絕緣層1013的一部分在X軸方向右側(cè)露出(露出部1013b)。
[0094]返回到圖2，在由隔壁1016圍繞的各區(qū)域中的、與源電極1014a和漏電極1014c之上相當(dāng)?shù)膮^(qū)域以及與源電極1014b和漏電極1014d之上相當(dāng)?shù)膮^(qū)域分別層疊形成有有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b。有機(jī)半導(dǎo)體層1017a形成為填充在源電極1014a與漏電極1014c之間的間隙、源電極1014a之上以及漏電極1014c之上，并與電極1014a、1014c緊密接觸。關(guān)于有機(jī)半導(dǎo)體層1017b也同樣形成為與電極1014b、1014d緊密接觸。并且，有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b由隔壁1016相互區(qū)劃。
[0095]圖3的(b)所示的絕緣層1013的各露出部1013a、1013b與有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b直接接觸，之間不隔著源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d (參照?qǐng)D2)。
[0096]如圖2所示，層疊形成有鈍化膜1018以將有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b和絕緣層1013之上覆蓋。但是，與連接布線1015之上相當(dāng)?shù)牟课槐婚_口。
[0097]本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板10的TFT基板101具有如上所述的結(jié)構(gòu)。
[0098]接著，如圖2所示，TFT基板101上由平坦化膜102覆蓋。但是，連接布線1015上開設(shè)有接觸孔102a。接觸孔102a與TFT基板101中的開口部1016a連通。
[0099]在平坦化膜102的主面上，依次層疊形成有陽極103、透明導(dǎo)電膜104以及空穴注入層105。這些陽極103、透明導(dǎo)電膜104以及空穴注入層105也沿著平坦化膜102的面向接觸孔102a的側(cè)面而形成，陽極103與連接布線1015接觸并電連接。
[0100]在空穴注入層105上形成有堤106以包圍相當(dāng)于發(fā)光部(子像素)的部位。在通過堤106包圍形成的開口部依次層疊形成有空穴輸送層107、有機(jī)發(fā)光層108以及電子輸送層109。
[0101 ] 進(jìn)一步，依次層疊形成有陰極110和封止層111以將電子輸送層109之上和堤106的露出面覆蓋，與封止層111對(duì)向而配置有CF (濾色器)基板113，在封止層111和CF基板113之間填充粘接層112而使之相互接合。CF基板113構(gòu)成為在基板1131的Z軸方向下側(cè)主面形成有濾色器1132和黑底1133。
[0102]3.有機(jī)EL顯示面板10的構(gòu)成材料
[0103]在有機(jī)EL顯示面板10中，例如可以使用如下所述的材料形成各部位。
[0104](i)基板 1011[0105]基板1011例如可以使用玻璃基板、石英基板、硅基板、硫化鑰、銅、鋅、鋁、不銹鋼、鎂、鐵、鎳、金、銀等金屬基板、鎵砷基等的半導(dǎo)體基板、塑料基板等。
[0106]作為塑料基板，可以使用熱塑性樹脂、熱固化性樹脂中的任意樹脂。例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚(4-甲基戊烯-1)、離聚物、丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、多元醇共聚物(EV0H)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮、聚醚砜(PES)、聚醚酰亞胺、聚縮醛、聚苯醚、變形聚苯醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其他氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、氟橡膠系、氯化聚乙烯系等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、硅樹脂、聚氨酯等、或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚?、混合體、聚合物合金等，其中可以使用一種或?qū)盈B兩種以上的層疊體。
[0107](ii)柵電極 1012a、1012b
[0108]柵電極1012a、1012b例如只要是具有導(dǎo)電性的材料，則不特別限定。
[0109]作為具體的材料，例如可以舉出鉻、鋁、鉭、鑰、鈮、銅、銀、金、白金、鉬、鈀、銦、鎳、釹等金屬或它們的合金、或者氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鎵等導(dǎo)電性金屬氧化物或銦錫復(fù)合氧化物(以下簡稱為“ΙΤ0”)、銦鋅復(fù)合氧化物(以下簡稱為“ΙΖ0”)、鋁鋅復(fù)合氧化物(AZO)、鎵鋅復(fù)合氧化物(GZO)等導(dǎo)電性金屬復(fù)合氧化物、或聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等導(dǎo)電性高分子或在它們中添加了鹽酸、硫酸、磺酸等酸、六氟化磷、五氟化砷、氯化鐵等路易斯酸、碘等鹵素原子、鈉、鉀等金屬原子等摻雜劑的物質(zhì)、或者分散有炭黑和/或金屬顆粒的導(dǎo)電性復(fù)合材料等。另外，也可以使用包含如金屬微粒子和石墨的導(dǎo)電性微粒的聚合物混合物。這些材料可以使用一種或組合使用兩種以上。
[0110](iii)絕緣層 1013
[0111]絕緣層1013是作為柵極絕緣層發(fā)揮功能的部分，例如只要是具有絕緣性的材料，則不特別限定，可以使用公知的有機(jī)材料、無機(jī)材料中的任何材料。
[0112]作為有機(jī)材料，例如可以使用丙烯酸系樹脂、酚醛系樹脂、氟系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆系樹脂等形成。
[0113]另外，作為無機(jī)材料，例如可列舉出氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈰、氧化鋅、氧化鈷等金屬氧化物；氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、
[0114]氮化鈰、氮化鋅、氮化鈷、氮化鈦、氮化鉭等金屬氮化物；鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛等金屬復(fù)合氧化物。這些材料可以使用一種或組合使用兩種以上。
[0115]進(jìn)一步，也包含用表面處理劑(ODTS OTS HMDS β PTS)等處理了其表面的材料。
[0116](iv)源電極 1014a、1014b 和漏電極 1014c、1014d
[0117]可以使用用于形成柵電極1012a、1012b的上述材料形成源電極1014a、1014b、漏電極 1014c、1014d。
[0118](V)有機(jī)半導(dǎo)體層 1017a、1017b
[0119]有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b例如具有半導(dǎo)體特性，只要可溶于溶劑，則不特別限定。例如可以列舉出聚(3-烷基噻吩)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚(2，5-亞噻吩基乙烯撐)(PTV)或四噻吩(4T)、六噻吩(6T)和八噻吩等α-寡聚噻吩(a -oligothiophene)類或 2，5- 二(5’-聯(lián)苯基-2，-噻吩基)-噻吩(BPT3)、2，5-[2，2，-(5，5’ - 二苯基)二噻吩基]-噻吩等噻吩衍生物、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(PPV)等亞苯基亞乙烯基衍生物、聚(9，9-二辛基芴)(PFO)等芴衍生物、三烯丙基胺系聚合物、蒽、并四苯、并五苯和并六苯等并苯化合物、1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQl)和1，3，5-三[{3- (4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-基]苯(TPQ2)等苯衍生物、如酞菁、酞菁銅(CuPc)和酞菁鐵的酞菁衍生物、如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)和三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)的有機(jī)金屬化合物、如C60、噁二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子和芴系高分子的高分子系化合物以及聚(9，9- 二辛基芴-共-雙-N，N’ - (4-甲氧基苯基)-雙-N，N’ -苯基-1，4-苯二胺)(PFM0)、聚(9，9-二辛基芴-共-苯并噻二唑)(BT)、芴-三烯丙基胺共聚物和聚(9，9-二辛基芴-共-二噻吩)(F8T2)等和芴的共聚物等。這些材料可以使用一種或組合使用兩種以上。
[0120]另外，也可以使用可溶于溶劑的無機(jī)材料。
[0121](vi)鈍化膜 1018
[0122]對(duì)于鈍化膜1018，例如可以使用聚乙烯醇(PVA)等水溶性樹脂、氟系樹脂等來形成。
[0123](vii)平坦化膜 102
[0124]例如使用聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸系樹脂材料等有機(jī)化合物形成平坦化膜102。
[0125](viii)陽極 103
[0126]陽極103由包含銀(Ag)或鋁(Al)的金屬材料構(gòu)成。在頂部發(fā)射型的本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板10的情況下，優(yōu)選其表面部具有高反射性。
[0127](ix)透明導(dǎo)電膜104
[0128]例如使用ITO (Indium Tin Oxide:氧化銦錫)或者 IZO (Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)等形成透明導(dǎo)電膜104。
[0129](X)空穴注入層105
[0130]空穴注入層105例如是由銀(Ag)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釩(V)、鎢(W)、鎳(Ni)、銥(Ir)等的氧化物或者PEDOT (聚噻吩(polythiophene)和聚苯乙烯磺酸酯的混合物)等導(dǎo)電性聚合物材料形成的層。在圖2所示的本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板10中，假設(shè)構(gòu)成由金屬氧化物形成空穴注入層105，在該情況下，與使用PEDOT等導(dǎo)電性聚合物材料的情況相t匕，具有使空穴穩(wěn)定或者輔助空穴的生成而對(duì)有機(jī)發(fā)光層108注入空穴的功能，具有較大的功函數(shù)。
[0131]在此，在由過渡金屬的氧化物構(gòu)成空穴注入層105的情況下，通過取多個(gè)氧化數(shù)，能夠取得多個(gè)能級(jí)，其結(jié)果，空穴注入變得容易，能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓。尤其是，從具有穩(wěn)定注入空穴且輔助生成空穴的功能的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選使用氧化鎢(wox)。
[0132](xi)堤 106
[0133]使用樹脂等有機(jī)材料形成堤106，堤106具有絕緣性。作為用于形成堤106的有機(jī)材料的例子，可以列舉出丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚醛樹脂等。堤106優(yōu)選具有有機(jī)溶劑耐性。進(jìn)一步，在制造工序中，堤106有時(shí)會(huì)被實(shí)施蝕刻處理、烘焙處理等，因此優(yōu)選通過對(duì)于這些處理不會(huì)過度地變形、變質(zhì)等的耐性高的材料來形成堤106。另夕卜，為了使表面具有撥水性，也可以對(duì)表面進(jìn)行氟處理。
[0134]這是因?yàn)?在使用親液性的材料形成了堤106的情況下，堤106的表面與發(fā)光層108的表面的親液性/撥液性的差異變小，會(huì)難以使為了形成有機(jī)發(fā)光層108而包含有機(jī)物質(zhì)的墨選擇性地保持在堤106規(guī)定的開口部內(nèi)。
[0135]進(jìn)一步，關(guān)于堤106的構(gòu)造，不僅可以是如圖2所示的單層構(gòu)造，也可以采用兩層以上的多層構(gòu)造。在該情況下，既可以按每層組合上述材料，也可以按每層使用無機(jī)材料和有機(jī)材料。
[0136](xii)空穴輸送層107
[0137]使用不具備親水基的高分子化合物形成空穴輸送層107。例如，可以使用作為聚芴(polyfluorene)和/或其衍生物、或者聚丙烯胺(polyallylamine)和/或其衍生物等高分子化合物的不具備親水基的材料等。
[0138](xiii)有機(jī)發(fā)光層108
[0139]如上所述，發(fā)光層108具有通過注入空穴和電子并使之復(fù)合來產(chǎn)生激發(fā)態(tài)而進(jìn)行發(fā)光的功能。對(duì)于用于形成有機(jī)發(fā)光層108的材料，需要使用能夠使用濕式印刷法進(jìn)行制膜的發(fā)光性的有機(jī)材料。
[0140]具體而言，優(yōu)選例如由專利公開公報(bào)(日本特開平5-163488號(hào)公報(bào))所記載的類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、批咯并批咯化合物、萘化合物、蒽化合物、荷化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、
批唑啉衍生物及批唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)奠.化合物、菲化合物、環(huán)戍
二烯化合物、化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁 二烯化合物、雙氰亞甲基卩比喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)形成。
[0141](xiv)電子輸送層109
[0142]電子輸送層109具有將從陰極110注入的電子向發(fā)光層108輸送的功能，例如使用噁二唑衍生物(OXD )、三唑衍生物(TAZ )、菲咯啉衍生物(BCP、Bphen )等形成。
[0143](XV)陰極 110
[0144]例如可以使用IT0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)或者 IZ0(Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)等來形成陰極110。如本實(shí)施方式，在頂部發(fā)射型的本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板10的情況下，需要由光透射性的材料形成。關(guān)于光透射性，優(yōu)選透射率為80%以上。
[0145]作為用于形成陰極110的材料，除了上述之外，例如，還可以使用包含堿金屬、堿土類金屬或者它們的鹵化物的層的構(gòu)造、或者將包含銀的層按照該順序?qū)盈B于上述任一層而得到的構(gòu)造。在上述說明中，包含銀的層既可以由銀單獨(dú)形成，也可以由銀合金形成。另夕卜，為了實(shí)現(xiàn)光取出效率的提高，也可以從該包含銀的層上設(shè)置透明度高的折射率調(diào)整層。
[0146](xvi)封止層 111[0147]封止層111具有抑制發(fā)光層108等有機(jī)層暴露于水分、空氣的功能，例如可以使用SiN (氮化娃)、SiON (氮氧化娃)等材料來形成封止層。另外，也可以在使用SiN (氮化娃)、SiON (氮氧化硅)等材料形成的層上設(shè)置由丙烯酸樹脂、硅樹脂等樹脂材料形成的封止樹脂層。
[0148]在作為頂部發(fā)射型的本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL顯示面板10的情況下，需要由光透射性的材料形成封止層111。
[0149]4.TFT基板101中的源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d的配置
[0150]使用圖3的(a)和圖3的(b)說明TFT基板101中的源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d的配置。
[0151]如圖3的(a)和圖3的(b)所示，在由隔壁1016規(guī)定的開口部1016b、1016c各自的底部，源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d不是從X軸方向的一端配置到另一端，而是偏置于X軸方向的各一側(cè)。具體而言，在開口部1016b的底部,源電極1014a和漏電極1014c以偏向X軸方向左側(cè)的狀態(tài)配置。
[0152]另一方面，在開口部1016c的底部，源電極1014b和漏電極1014d以偏向X軸方向右側(cè)的狀態(tài)配置。
[0153]因此，如圖3的(a)所示，相對(duì)于開口部1016b底部的X軸方向的中心線L1，源電極1014a和漏電極1014c的表面積之和的中心線L3朝向X軸方向左側(cè)離開距離X10同樣地，相對(duì)于開口部1016c底部的X軸方向的中心線L2,源電極1014b和漏電極1014d的表面積(圖3的(a)中的各上表面的表面積)之和的中心線L4朝向X軸方向右側(cè)離開距離X2。
[0154]在上述說明中，對(duì)于“源電極1014b和漏電極1014d的表面積(圖3的(a)中的各上表面的表面積)之和的中心”，可以根據(jù)上述式I的規(guī)定來求出。
[0155]另外，源電極1014a和漏電極1014c各自在其X軸方向左側(cè)的部分與面向開口部1016b的側(cè)面部接觸，在X軸方向右側(cè)的部分與面向開口部1016b的側(cè)面部分離。同樣地，源電極1014b和漏電極1014d各自在其X軸方向右側(cè)的部分與面向開口部1016c的側(cè)面部接觸，在X軸方向左側(cè)的部分與面向開口部1016c的側(cè)面部分離。
[0156]另外，如圖3的(b)所示，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b之前，在開口部1016b的底部，絕緣層1013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部1013a的面積)比左側(cè)大，同樣地，在開口部1016c的底部，絕緣層1013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部1013b的面積)比右側(cè)大。
[0157]5.有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法
[0158]使用圖2和圖4說明有機(jī)EL顯示裝置I的制造方法、尤其是有機(jī)EL顯示面板10的制造方法。
[0159]如圖2和圖4的(a)所示，首先，準(zhǔn)備成為TFT基板101的基底的基板1011 (步驟SI)。然后，在該基板1011形成TFT (薄膜晶體管)元件，形成TFT基板101 (步驟S2)。
[0160]接著，如圖2和圖4的(a)所示，在TFT基板101上形成由絕緣材料形成的平坦化膜102 (步驟S3)。如圖2所示，在平坦化膜102中，在與TFT基板101的連接布線1015上方相當(dāng)?shù)牟课婚_設(shè)有接觸孔102a，其他部分的Z軸方向上表面被大致平坦化。
[0161]接著，在平坦化膜102上形成陽極103 (步驟S4)。在此，如圖2所示，按發(fā)光單位(子像素)區(qū)劃形成陽極103，陽極103的一部分沿著接觸孔102a的側(cè)壁與TFT基板101的連接布線1015連接。
[0162]對(duì)于陽極103，例如可以在通過濺射法或真空蒸鍍法等形成金屬膜后，以子像素為單位通過蝕刻來形成該陽極103。
[0163]接著，形成透明導(dǎo)電膜104以覆蓋陽極103的上表面(步驟S5)。如圖2所示，透明導(dǎo)電膜104不僅覆蓋陽極103的上表面，也覆蓋側(cè)端面，另外，在接觸孔102a內(nèi)也覆蓋陽極103的上表面。對(duì)于透明導(dǎo)電膜104，與上述同樣地，在使用濺射法或真空蒸鍍法等成膜后，通過蝕刻以子像素為單位進(jìn)行區(qū)劃而形成該透明導(dǎo)電膜104。
[0164]接著，在透明導(dǎo)電膜104上形成空穴注入層105 (步驟S6)。如圖2所示，雖然空穴注入層105形成為覆蓋透明導(dǎo)電膜104上的整個(gè)面，但也可以形成為按每個(gè)子像素進(jìn)行了區(qū)劃的狀態(tài)。
[0165]在由金屬氧化物(例如氧化鎢)形成空穴注入層105的情況下，對(duì)于金屬氧化膜的形成，例如可以采用如下成膜條件:將由氬氣和氧氣構(gòu)成的氣體作為濺射裝置的濺射室內(nèi)氣體來使用，該氣體的總壓大于2.7Pa且為7.0以下，氧氣分壓與總壓之比為50%以上且70%以下，并且靶每單位面積的投入(接入)電力密度為lW/cm2以上且2.8ff/cm2以下。
[0166]接著，形成規(guī)定各子像素的堤106 (步驟S7)。如圖2所示，堤106層疊形成在空穴注入層105上。
[0167]對(duì)于堤106的形成，首先在空穴注入層105上層疊形成堤106的材料層。對(duì)于該材料層，例如使用包含丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚醛樹脂等感光性樹脂成分和氟成分的材料，通過旋涂法等來形成該材料層。在本實(shí)施方式中，作為感光性樹脂材料的一個(gè)例子，可以使用日本瑞翁(zeon)株式會(huì)社制的負(fù)型感光性材料(產(chǎn)品編號(hào):ZPN1168)。接著，使材料層圖案化(形成圖案)，形成與各子像素對(duì)應(yīng)的開口部。對(duì)于開口部的形成，可以通過在材料層的表面配置掩模而進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影來形成該開口部。
[0168]接著，在空穴注入層105上的由堤106規(guī)定的各凹部內(nèi)，依次層疊形成空穴輸送層107、有機(jī)發(fā)光層108以及電子輸送層109 (步驟S8?S10)。
[0169]對(duì)于空穴輸送層107，在以印刷法使膜成膜之后通過燒成(燒結(jié))來形成該空穴輸送層107,所述膜由作為其構(gòu)成材料的有機(jī)化合物形成。同樣地,對(duì)于機(jī)發(fā)光層108,也在以印刷法進(jìn)行了成膜之后通過燒成來形成該有機(jī)發(fā)光層108。
[0170]接著，在電子輸送層109上依次層疊陰極110和封止層111 (步驟Sll、S12)。如圖2所示，陰極110和封止層111形成為也覆蓋堤106的頂面，形成在整個(gè)面。
[0171]接著，在封止層111上涂敷粘接樹脂材料，接合預(yù)先準(zhǔn)備的CF (濾色器)面板(步驟S13)。如圖2所示，由粘接層112接合的CF面板113在基板1031的Z軸方向下表面形成有濾色器1132和黑底1133。
[0172]如以上所述，完成作為有機(jī)EL顯示元件的有機(jī)EL顯示面板10。
[0173]需說明的是，雖然省略了圖示，但在對(duì)有機(jī)EL顯示面板10附設(shè)驅(qū)動(dòng)控制單元20而形成了有機(jī)EL顯示裝置I之后(參照?qǐng)D1)，通過實(shí)施老化(aging)處理來完成有機(jī)EL顯示裝置I。對(duì)于老化處理，例如可以進(jìn)行通電直到相對(duì)于處理前的空穴注入性而空穴的遷移率成為1/10以下，由此來實(shí)現(xiàn)該老化處理，具體而言，執(zhí)行預(yù)先規(guī)定時(shí)間的通電處理，使得輝度(brightness)成為實(shí)際使用時(shí)的輝度以上且其三倍以下的輝度。
[0174]接著，使用圖4的(b)和圖5至圖8說明TFT基板101的形成方法。[0175]如圖5的(a)所示，在基板1011的主面上形成柵電極1012a、1012b (圖4的(b)的步驟S21)。關(guān)于柵電極1012a、1012b的形成，可以為與上述陽極103的形成方法同樣的方法。
[0176]接著，如圖5的(b)所示，層疊形成絕緣層1013以將柵電極1012a、1012b和基板1011之上覆蓋(圖4的(b)的步驟S22)。然后，如圖5的(c)所示，在絕緣層1013的主面上形成源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d、以及連接布線1015 (圖4的(b)的步驟S23)。此時(shí)，根據(jù)與后續(xù)工序形成的隔壁1016的關(guān)系，規(guī)定源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d相對(duì)于絕緣層1013的各位置，以使得源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d分別如上所述成為偏置配置。因此，在源電極1014a和漏電極1014c (在圖5的(c)中省略漏電極1014c的圖示)的X軸方向右側(cè)形成有絕緣層1013的露出部1013a，在源電極1014b和漏電極1014d (在圖5的(c)中省略漏電極1014d的圖示)的X軸方向左側(cè)形成有絕緣層1013的露出部1013b。
[0177]接著，如圖6的(a)所示，使用于形成隔壁1016的感光性抗蝕劑材料膜10160堆積成將源電極1014a、1014b、漏電極1014c、1014d、連接布線1015以及絕緣層1013的露出部1013a、1013b之上覆蓋(圖4的(b)的步驟S24)。然后，如圖6的(b)所示，對(duì)于堆積的感光性抗蝕劑材料膜10160，在上方配置掩模501，實(shí)施掩模曝光和圖案形成(圖4的(b)的步驟S25)。在此，在掩模501的要形成隔壁1016的部分開設(shè)有窗部501a、501b、501c、501d。在圖6的(b)中，雖然省略了圖示，但在掩模501的開設(shè)了窗部501a、501b、501c、501d的區(qū)域以外，還在要形成隔壁1016的部分開設(shè)有窗部。
[0178]通過如上所述進(jìn)行制作，能夠形成圖6的(C)所示的隔壁1016 (圖4的(b)的步驟S26)。隔壁1016規(guī)定多個(gè)包含開口部1016a、1016b、1016c的開口部。在開口部1016a中，在其底部圍繞連接布線1015，在開口部1016b中，在其底部圍繞源電極1014a和漏電極1014c (在圖6的(c)中省略漏電極1014c的圖示)，在開口部1016c中，在其底部圍繞源電極1014b和漏電極1014d (在圖6的(c)中，省略漏電極1014d的圖示)。并且，在各個(gè)開口部1016b、1016c中，源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d(在圖6的(c)中省略圖示)在X軸方向上偏置配置。
[0179]如圖7所示，形成隔壁1016后，對(duì)由隔壁1016規(guī)定的開口部1016b、1016c涂敷用于形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171 (圖4的(b)的步驟S27)。在此，涂敷于開口部1016b內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170不是成為在X軸方向上對(duì)稱的表面輪廊，而是具有其最凸起的部位(聞度最聞的部位)偏向X軸方向左側(cè)的形狀的表面輪廊。另一方面，涂敷于開口部1016C內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10171具有其表面輪廓的最凸起的部位(高度最高的部位)偏向X軸方向右側(cè)的形狀的表面輪廓。
[0180]如上所述，通過控制有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171的表面輪廓，能抑制各有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171相互混合。下文對(duì)其理由進(jìn)行說明。
[0181]接著，通過使有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171干燥(圖4的(b)的步驟S28)，如圖8的(a)所示，能夠分別對(duì)開口部1016b、1016c形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b (圖4的(b)的步驟S29)。
[0182]最后，如圖8的(b)所示，形成鈍化膜1018以覆蓋除了包含開口部1016a的接觸區(qū)域等之外的整個(gè)區(qū)域(圖4的(b)的步驟S30)，完成TFT基板101。[0183]6.能得到的效果
[0184]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板101、具備該TFT基板101的有機(jī)EL顯示面板10以及結(jié)構(gòu)中包含有機(jī)EL顯示面板10的有機(jī)EL顯示裝置I中，由于如下所述的理由而具有質(zhì)量(品質(zhì))高且其生產(chǎn)中的材料利用率高的效果。
[0185]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板101中，如圖7所示，在將用于形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170,10171分別涂敷(滴下)到開口部1016b、1016c的內(nèi)部時(shí)，與介于開口部1016b和開口部1016c之間的隔壁1016—側(cè)相比，在各個(gè)開口部1016b、1016c的相反一側(cè)，有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171的表面輪廓的高度更高。由此，本實(shí)施方式涉及的TFT基板101在其制造時(shí)能夠切實(shí)地抑制滴到開口部1016b內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170與滴到開口部1016c內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10171混合。
[0186]因此，本實(shí)施方式涉及的TFT基板101能夠按設(shè)計(jì)的那樣高精度地形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017a和有機(jī)半導(dǎo)體層1017b，所述有機(jī)半導(dǎo)體層1017a形成于開口部1016b的內(nèi)部，所述有機(jī)半導(dǎo)體層1017b形成于開口部1016c的內(nèi)部。另外，也能夠高精度地控制有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b的各層厚。
[0187]因此，本實(shí)施方式涉及的TFT基板101、具備該TFT基板101的有機(jī)EL顯示面板10以及結(jié)構(gòu)中包含有機(jī)EL顯示面板10的有機(jī)EL顯示裝置I在形成TFT基板101的有機(jī)半導(dǎo)體層1017a、1017b時(shí)能抑制墨的混合，具備高質(zhì)量。
[0188]上述效果是由于各開口部1016b、1016c底部的源電極1014a、1014b及漏電極1014c、1014d的配置和隔壁1016的表面、絕緣層1013的表面以及源電極1014a、1014b及漏電極1014c、1014d的撥液性的關(guān)系而實(shí)現(xiàn)的。即，將隔壁1016表面的撥液性設(shè)為Rw，將絕緣層1013表面的撥液性設(shè)為R1，將源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d表面的撥液性設(shè)為Re時(shí)，滿足以下關(guān)系。
[0189]式2 =VRiSRe
[0190]在上述說明中，上述各撥液性RpRp Re是相對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171的撥液性。
[0191]從相反的觀點(diǎn)、即潤濕性(濡濕)的觀點(diǎn)來看時(shí)，上述隔壁1016的表面、絕緣層1013的表面以及源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d的各特性滿足以下關(guān)系。
[0192]式3 =WWe
[0193]在上述式3中，Ww是隔壁1016表面的潤濕性，W1是絕緣層1013表面的潤濕性，We是源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d表面的潤濕性。
[0194]如上所述，在對(duì)各開口部1016b、1016c底部的源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d的配置和隔壁1016的表面、絕緣層1013的表面、以及源電極1014a、1014b及漏電極1014c、1014d的撥液性的關(guān)系進(jìn)行控制的本實(shí)施方式中，在涂敷了制造TFT基板101時(shí)的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170、10171時(shí)，具有如圖7所示的表面輪廓，由此，能夠有效地抑制滴到開口部1016b內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10170與滴到開口部1016c內(nèi)部的有機(jī)半導(dǎo)體墨10171混合。而且，由此能夠根據(jù)設(shè)計(jì)來獨(dú)立(分別)地形成有機(jī)半導(dǎo)體層1017a和有機(jī)半導(dǎo)體層1017b，能抑制相互間成分的混合和/或?qū)雍竦淖兓?。因此，能夠以高材料利用率制造高質(zhì)量的TFT基板101、有機(jī)EL顯示面板10以及有機(jī)EL顯示裝置I。
[0195]如圖3的(a)所示，由于開口部1016b、1016c底部的源電極1014a、1014b和漏電極1014c、1014d的配置，如圖3的(b)所示，會(huì)產(chǎn)生絕緣層1013的露出部1013a、1013b。而且，由此在開口部1016b的底部，X軸方向右側(cè)的絕緣層1013的露出面積(露出部1013a的面積)比X軸方向左側(cè)大，在開口部1016c的底部，X軸方向左側(cè)的絕緣層1013的露出面積(露出部1013b的面積)比X軸方向右側(cè)大。該關(guān)系在得到上述效果方面也是有效的。
[0196][實(shí)施方式2]
[0197]使用圖9的(a)說明本發(fā)明實(shí)施方式2涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖9的(a)是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式I是同樣的，因此省略圖不和說明。
[0198]如圖9的(a)所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，在由隔壁2016規(guī)定的開口部2016b、2016c的各底部，分別配置有源電極2014a、2014b和漏電極2014c、2014d。
[0199]開口部2016b底部的源電極2014a和漏電極2014c以及開口部2016c底部的源電極2014b和漏電極2014d分別具有T字狀的平面形狀，源電極2014a、2014b和漏電極2014c、2014d各自的沿X軸方向延伸的部分彼此對(duì)向。而且，相對(duì)于開口部2016b底部的X軸方向中心線L5，源電極2014a和漏電極2014c的表面積之和的中心線L7朝向X軸方向左側(cè)離開距離X3。同樣地，相對(duì)于開口部2016c底部的X軸方向中心線L6,源電極2014b和漏電極2014d的表面積之和的中心線L8朝向X軸方向右側(cè)離開距離X4。
[0200]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，各個(gè)源電極2014a、2014b和漏電極2014c、2014d在X軸方向上以與面向開口部2016b、2014c的側(cè)面部分離的狀態(tài)配置。
[0201]另外，如圖9的(a)所示，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部2016b的底部，X軸方向右側(cè)的部分的絕緣層2013的露出部2013a的面積比左側(cè)的露出部的面積大。同樣地，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部2016c的底部，X軸方向左側(cè)的部分的絕緣層2013的露出部2013b的面積比右側(cè)的露出部的面積大。
[0202]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0203][實(shí)施方式3]
[0204]使用圖9的(b)說明本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖9的(b)也是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式1、2是同樣的，因此省略圖示和說明。
[0205]如圖9的(b)所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，也在由隔壁3016規(guī)定的開口部3016b的底部配置有源電極3014a和漏電極3014c。另外，在開口部3016c的底部配置有源電極3014b和漏電極3014d。
[0206]開口部3016b、3016c各自的底部的源電極3014a、3014b和漏電極3014c、3014d分別具有梳狀的平面形狀，梳齒部分彼此對(duì)向。而且，相對(duì)于開口部3016b底部的X軸方向的中心線L9，源電極3014a和漏電極3014c的表面積之和的中心線L11朝向X軸方向左側(cè)離開距離X5。在開口部3016c底部，相對(duì)于其X軸方向的中心線Lltl，源電極3014b和漏電極3014d的表面積之和的中心線L12朝向X軸方向右側(cè)離開距離X6。
[0207]在此，在本實(shí)施方式中，不是源電極3014a和漏電極3014c雙方在X軸方向上偏置配置，而是只是漏電極3014c向X軸方向左側(cè)偏置配置，源電極3014a以其面積中心與開口部3016b底部的中心大致一致的狀態(tài)配置。開口部3016c底部的源電極3014b也同樣以其面積中心與開口部3016c底部的中心大致一致的狀態(tài)配置。
[0208]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，源電極3014a和漏電極3014c各自也以其X軸方向右側(cè)和X軸方向左側(cè)這兩個(gè)部分與面向開口部3016b的側(cè)面部分離的狀態(tài)配置，源電極3014b和漏電極3014d各自也以其X軸方向右側(cè)和X軸方向左側(cè)這兩個(gè)部分與面向開口部3016c的側(cè)面部分離的狀態(tài)配置。
[0209]另外，如圖9的(b)所示，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部3016b的底部，絕緣層3013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部3013a的面積)比左側(cè)的露出面積大。同樣地，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部3016c的底部，絕緣層3013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部3013b的面積)比右側(cè)的露出面積大。
[0210]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0211]另外，在本實(shí)施方式中，由于源電極3014a、3014b和漏電極3014c、3014d分別形成為梳狀且彼此的梳齒部分對(duì)向，所以能夠增大對(duì)向區(qū)域，能夠提高作為晶體管的特性。
[0212][實(shí)施方式4]
[0213]使用圖9的(C)說明本發(fā)明實(shí)施方式4涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖9的(C)也是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式1、2、3是同樣的，因此省略圖示和說明。
[0214]如圖9的(C)所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，由隔壁4016規(guī)定的開口部4016b,4016c的開口形狀和底部形狀均呈大致圓形。而且，配置于開口部4016b底部的源電極4014a和漏電極4014c、以及配置于開口部4016c底部的源電極4014b和漏電極4014d的外邊形狀為圓形或圓弧狀。
[0215]配置于開口部4016b底部的源電極4014a和漏電極4014c均相對(duì)于開口部4016b底部的中心線L13向X軸方向左側(cè)偏置配置。另一方面，配置于開口部4016c底部的源電極4014b和漏電極4014d均相對(duì)于開口部4016c底部的中心線L14向X軸方向右側(cè)偏置配置。由此,相對(duì)于開口部4016b底部的X軸方向的中心線L13，源電極4014a和漏電極4014c的表面積之和的中心線L15朝向X軸方向左側(cè)離開距離X7，相對(duì)于開口部4016c底部的X軸方向的中心線L14，源電極4014b和漏電極4014d的表面積之和的中心線L16朝向X軸方向右側(cè)離開距離X8。
[0216]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，源電極4014a、4014b和漏電極4014c、4014d各自也以其X軸方向右側(cè)和X軸方向左側(cè)這兩個(gè)部分與面向開口部4016b、4016c的側(cè)面部分離的狀態(tài)配置。
[0217]另外，如圖9的(C)所示，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部4016b的底部，絕緣層4013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部4013a)比左側(cè)的露出面積大。在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部4016c的底部，絕緣層4013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部4013b)比右側(cè)的露出面積大。
[0218]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0219]另外，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，通過采用如圖9的(C)所示的形狀的源電極4014a、4014b和漏電極4014c、4014d，也能夠增大彼此的對(duì)向區(qū)域，能夠進(jìn)一步減小“寄生電流(潛行電流)”。
[0220][實(shí)施方式5]
[0221]使用圖10的(a)說明本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖10的(a)也是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式1、2、3、4等是同樣的，因此省略圖示和說明。
[0222]如圖10的(a)所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，與上述實(shí)施方式1、2、3同樣地，由隔壁5016規(guī)定的開口部5016b、5016c的開口形狀和底部形狀為四邊形。而且，配置于開口部5016b底部的源電極5014a和漏電極5014c的外邊形狀為大致正方形或長方形，配置于開口部5016c底部的源電極5014b和漏電極5014d的外邊形狀也為大致正方形或長方形。
[0223]配置于開口部5016b、5016c各自的底部的源電極5014a、5014b和漏電極5014c、5014d的X軸方向的長度互不相同，源電極5014a、5014b配置成其X軸方向中心與開口部5016b、5016c的各底部的中心線L17、L18大致一致。
[0224]另一方面，漏電極5014c為其長度相對(duì)于源電極5014a向X軸方向左側(cè)延長的形狀，其中心相對(duì)于開口部5016b的中心線L17向X軸方向左側(cè)偏置配置。漏電極5014d為其長度相對(duì)于源電極5014b向X軸方向右側(cè)延長的形狀，其中心相對(duì)于開口部5016c的中心線L18向X軸方向右側(cè)偏置配置。
[0225]在本實(shí)施方式涉及的開口部5016b的底部，相對(duì)于開口部5016b底部的X軸方向的中心線L17，源電極5014a和漏電極5014c的表面積之和的中心線L19朝向X軸方向左側(cè)離開距離X9。另外，在開口部5016c的底部，相對(duì)于開口部5016c底部的X軸方向的中心線L18，源電極5014b和漏電極5014d的表面積之和的中心線L2tl朝向X軸方向右側(cè)離開距離
X10O
[0226]在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，源電極5014a在X軸方向左側(cè)和X軸方向右側(cè)這兩方與面向開口部5016b的側(cè)面部分離，與此相對(duì)，漏電極5014c在X軸方向右側(cè)與面向開口部5016b的側(cè)面部分離，在X軸方向左側(cè)與面向開口部5016b的側(cè)面部接觸。另外，源電極5014b在X軸方向左側(cè)和X軸方向右側(cè)這兩方與面向開口部5016c的側(cè)面部分離，與此相對(duì)，漏電極5014d在X軸方向左側(cè)與面向開口部5016c的側(cè)面部分離，在X軸方向右側(cè)與面向開口部5016c的側(cè)面部接觸。
[0227]另外，如圖10的(a)所示，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部5016b的底部，絕緣層5013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部5013a的面積)比左側(cè)的露出面積大。在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部5016c的底部，絕緣層5013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部5013b的面積)比右側(cè)的露出面積大。
[0228]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0229][實(shí)施方式6][0230] 使用圖10的(b)說明本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖10的(b)也是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式1、2、3、
4、5等是同樣的，因此省略圖示和說明。
[0231 ] 如圖10的(b )所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，與上述實(shí)施方式1、2、3、5同樣地，由隔壁6016規(guī)定的開口部6016b、6016c的開口形狀和底部形狀為四邊形。而且，配置于開口部6016b、6016c的各底部的漏電極6014c、6014d為長方形。
[0232]另一方面,配置于開口部6016b、6016c的各底部的源電極6014a、6014b具有“ 口 ”字狀的平面形狀以分別包圍漏電極6014c、6014d的一部分。
[0233]配置于開口部6016b底部的源電極6014a的面積的中心相對(duì)于開口部6016b底部的中心線L21向X軸方向左側(cè)偏置配置。配置于開口部6016c底部的源電極6014b的面積的中心相對(duì)于開口部6016c底部的中心線L22向X軸方向右側(cè)偏置配置。
[0234]另一方面,漏電極6014c的中心相對(duì)于開口部6016b底部的中心線L21向X軸方向右側(cè)偏置配置。漏電極6014d的中心相對(duì)于開口部6016c底部的中心線L22向X軸方向左側(cè)偏置配置。
[0235]在本實(shí)施方式涉及的開口部6016b的底部，相對(duì)于開口部6016b底部的X軸方向的中心線L21，源電極6014a和漏電極6014c的表面積之和的中心線L23朝向X軸方向左側(cè)尚開距尚X11。在開口部6016c的底部，相對(duì)于開口部6016c底部的X軸方向的中心線L22,源電極6014b和漏電極6014d的表面積之和的中心線L24朝向X軸方向右側(cè)離開距離X12。
[0236]另外，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，源電極6014a在Y軸方向上下的各一部分和X軸方向左側(cè)與面向開口部6016b的側(cè)面部接觸，在X軸方向右側(cè)與面向開口部6016b的側(cè)面部分離；漏電極6014c在X軸方向右側(cè)與面向開口部6016b的側(cè)面部接觸，在X軸方向左側(cè)與面向開口部6016b的側(cè)面部分離。在開口部6013c的內(nèi)部，源電極6014b在Y軸方向上下的各一部分和X軸方向右側(cè)與面向開口部6016c的側(cè)面部接觸，在X軸方向左側(cè)與面向開口部6016c的側(cè)面部分離；漏電極6014d在X軸方向左側(cè)與面向開口部6016c的側(cè)面部接觸，在X軸方向右側(cè)與面向開口部6016c的側(cè)面部分離。
[0237]另外，如圖10的(b)所示，在本實(shí)施方式中，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部6016b的底部，絕緣層6013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部6013a的面積)也比左側(cè)的露出面積大。另外，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部6016c的底部，絕緣層6013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部6013b的面積)比右側(cè)的露出面積大。
[0238]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0239][實(shí)施方式7]
[0240]使用圖10的(C)說明本發(fā)明實(shí)施方式7涉及的TFT基板的結(jié)構(gòu)。圖10的(C)也是相當(dāng)于上述實(shí)施方式I中的圖3的(a)的圖，對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方式1、2、3、
4、5、6等是同樣的，因此省略圖示和說明。
[0241]如圖10的(C)所示，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，與上述實(shí)施方式1、2、3、5、6同樣地，由隔壁7016規(guī)定的開口部7016b、7016c的開口形狀和底部形狀為四邊形。而且，配置于開口部7016b底部的源電極7014a和漏電極7014c為大致正方形或長方形，配置于開口部7016c底部的源電極7014b和漏電極7014d也為大致正方形或長方形。
[0242]配置于開口部7016b底部的源電極7014a的面積的中心相對(duì)于開口部7016b底部的中心線L25向X軸方向左側(cè)偏置配置。配置于開口部7016c底部的源電極7014b的面積的中心相對(duì)于開口部7016c底部的中心線L26向X軸方向右側(cè)偏置配置。
[0243]另一方面，表面積相對(duì)較小的漏電極7014c的中心相對(duì)于開口部7016b底部的中心線L25向X軸方向右側(cè)偏置配置。漏電極7014d的中心相對(duì)于開口部7016c底部的中心線L26向X軸方向左側(cè)偏置配置。
[0244]在本實(shí)施方式涉及的開口部7016b的底部，相對(duì)于開口部7016b底部的X軸方向的中心線L25，源電極7014a和漏電極7014c的表面積之和的中心線L27朝向X軸方向左側(cè)尚開距尚X13。在開口部7016c的底部，相對(duì)于開口部7016c底部的X軸方向的中心線L26,源電極7014b和漏電極7014d的表面積之和的中心線L28朝向X軸方向右側(cè)離開距離X14。
[0245]另外，在本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，源電極7014a在Y軸方向上下的各一部分和X軸方向左側(cè)與面向開口部7016b的側(cè)面部接觸，在X軸方向右側(cè)與面向開口部7016b的側(cè)面部分離；漏電極7014c在Y軸方向上下與面向開口部7016b的側(cè)面部接觸，在X軸方向兩側(cè)與面向開口部7016b的側(cè)面部分離。源電極7014b在Y軸方向上下的各一部分和X軸方向右側(cè)與面向開口部7016c的側(cè)面部接觸，在X軸方向左側(cè)與面向開口部7016c的側(cè)面部分離；漏電極7014d在Y軸方向上下與面向開口部7016c的側(cè)面部接觸，在X軸方向兩側(cè)與面向開口部7016c的側(cè)面部分離。
[0246]另外，如圖10的(C)所示，在本實(shí)施方式中，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部7016b的底部，絕緣層7013在X軸方向右側(cè)的部分的露出面積(露出部7013a的面積)也比左側(cè)的露出面積大。另外，在形成有機(jī)半導(dǎo)體層之前的開口部7016c的底部，絕緣層7013在X軸方向左側(cè)的部分的露出面積(露出部7013b的面積)比右側(cè)的露出面積大。
[0247]在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式涉及的TFT基板中，能夠獲得與上述實(shí)施方式I同樣的效果。另外，與上述同樣地，在具備本實(shí)施方式涉及的TFT基板的有機(jī)EL顯示面板和有機(jī)EL顯示裝置中，也能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量，且能夠在其制造時(shí)實(shí)現(xiàn)高材料利用率。
[0248][其他事項(xiàng)]
[0249]在上述實(shí)施方式I?7中，作為一個(gè)例子，在開口部的底部，采用了在一側(cè)的相反側(cè)即另一側(cè)存在絕緣層與有機(jī)半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于其間的部位的方式，但不限于此，也可以應(yīng)用如下方式:當(dāng)在相鄰的兩個(gè)開口部中，在一方的開口部的底部，源電極和漏電極的表面積之和的中心位置與開口部底部的中心位置(表面積的中心位置)相比向與另一方的開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離配置時(shí)，則在該開口部的底部，在上述一側(cè)也存在絕緣層與有機(jī)半導(dǎo)體層直接接觸而源電極和漏電極都不介于絕緣層與有機(jī)半導(dǎo)體層之間的部位。
[0250]在上述實(shí)施方式I?7中，將用于有機(jī)EL顯示面板10的TFT基板作為一個(gè)例子，但適用對(duì)象不限于此。例如也可以適用于液晶顯示面板、場致發(fā)射顯示面板等。進(jìn)一步，也可以適用于電子紙等。
[0251]另外，上述實(shí)施方式I?7的各構(gòu)成材料是作為一個(gè)例子示出的，也可以進(jìn)行適當(dāng)變更。
[0252]另外，如圖2所示，在上述實(shí)施方式I涉及的有機(jī)EL顯示面板10中將頂部發(fā)射型的結(jié)構(gòu)作為一個(gè)例子，但也可以采用底部發(fā)射型。在該情況下，可以適當(dāng)變更各使用材料和布局設(shè)計(jì)。
[0253]另外，在上述說明中，關(guān)于隔壁規(guī)定的開口部的開口形狀，作為一個(gè)例子示出了兩個(gè)形狀，但除此以外，也可以采用各種開口形狀。例如，如圖11的(a)所示，可以使相當(dāng)于溝道部的開口部為正方形，如圖11的(b)所示，也可以是如一邊為圓弧狀、其余三邊為直線的形狀的開口部。另外，既可以如圖9的(c)所示使溝道部和非溝道部雙方為圓形，也可以將如圖11的(c)所示的圓形的開口部應(yīng)用于非溝道部、并使包圍其周圍的一部分的圓弧狀的開口部為溝道部。當(dāng)然，也可以將溝道部和非溝道部的開口部形狀相互調(diào)換。
[0254]另外，在上述說明中，采用了用于要在相鄰的兩個(gè)開口部之間抑制有機(jī)半導(dǎo)體墨相互混合的結(jié)構(gòu)，但在三個(gè)以上開口部相鄰的情況下，為了抑制它們之間的墨的混合，也可適當(dāng)采用上述結(jié)構(gòu)。
[0255]另外，在上述說明中，作為一個(gè)例子使用了具備用有機(jī)半導(dǎo)體墨形成的有機(jī)半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明對(duì)于具備使用無機(jī)半導(dǎo)體墨形成的無機(jī)半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)也可以采用同樣的結(jié)構(gòu)。而且，能夠獲得上述同樣的效果。例如，作為無機(jī)半導(dǎo)體材料，可以使用無定形金屬氧化物半導(dǎo)體。對(duì)于這樣的半導(dǎo)體，從其透明性這一點(diǎn)來看，向顯示器和電子紙等的應(yīng)用受到期待。
[0256]在遷移率方面，這樣的半導(dǎo)體也是能實(shí)現(xiàn)高性能液晶和有機(jī)EL(Electro-Luminescence,電致發(fā)光)等中要求的3?20cm2/Vs的材料。
[0257]作為無定形金屬氧化物半導(dǎo)體的代表性材料，已知有包含銦(In)和鋅(Zn)的無定形In-Zn-O氧化物半導(dǎo)體(a-1nZnO)以及其中作為另一種金屬成分還包含鎵(Ga)的無定形In-Ga-Zn-O氧化物半導(dǎo)體(a-1nGaZnO)等。
[0258]另外，對(duì)于這樣的無機(jī)半導(dǎo)體，例如也可以參照國際申請(qǐng)W02012/035281的記載。
[0259]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0260]本發(fā)明能用于具備有機(jī)EL顯示面板等面板的顯示裝置，對(duì)于實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化時(shí)品質(zhì)(質(zhì)量)也高的TFT裝置是有用的。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管器件，具備在相互隔開間隔的狀態(tài)下相鄰配置的第I薄膜晶體管元件和第2薄膜晶體管元件， 各薄膜晶體管元件具備: 柵電極； 源電極和漏電極，其層疊形成在所述柵電極的上方，在與疊層方向交叉的方向上相互隔開間隔而排列設(shè)置； 絕緣層，其插置在所述柵電極與所述源電極及所述漏電極之間；以及半導(dǎo)體層，其形成在所述源電極與所述漏電極之間的間隙以及所述源電極和所述漏電極上，與所述源電極和所述漏電極緊密接觸， 在所述第I薄膜晶體管元件中的所述半導(dǎo)體層與所述第2薄膜晶體管元件中的所述半導(dǎo)體層之間形成有對(duì)彼此之間進(jìn)行區(qū)劃的隔壁， 所述隔壁分別圍繞所述第I薄膜晶體管元件中的所述源電極及所述漏電極各自的至少一部分、和第2薄膜晶體管元件中的所述源電極及所述漏電極各自的至少一部分，且表面具有撥液性， 將通過圍繞所述第I薄膜晶體管元件中的所述源電極和所述漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第I開口部，將通過圍繞所述第2薄膜晶體管元件中的所述源電極和所述漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部作為第2開口部時(shí)， 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，在所述第I開口部的底部露出的所述源電極和所述漏電極的表面積之 和的中心位置與所述第I開口部底部的面積的中心位置相比向與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離， 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，在所述第2開口部的底部露出的所述源電極和所述漏電極的表面積之和的中心位置與所述第2開口部底部的面積的中心位置相比向與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管器件， 在所述第I開口部的底部，在與所述第2開口部相鄰的一側(cè)，存在所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸而所述源電極和所述漏電極都不介于其間的部位， 在所述第2開口部的底部，在與所述第I開口部相鄰的一側(cè)，存在所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸而所述源電極和所述漏電極都不介于其間的部位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管器件， 在所述第I開口部的底部，所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸而所述源電極和所述漏電極都不介于其間的部位也存在于與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)， 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，以所述第I開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，所述第2開口部一側(cè)的所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積， 在所述第2開口部的底部，所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸而所述源電極和所述漏電極都不介于其間的部位也存在于與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)， 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，以所述第2開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管器件， 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，所述源電極和所述漏電極的一方的表面積的中心位置與所述第I開口部底部的中心位置相比向與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另一方的表面積的中心位置位于所述第I開口部底部的中心位置， 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，所述源電極和所述漏電極的一方的表面積的中心位置與所述第2開口部底部的中心位置相比向與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離，另一方的表面積的中心位置位于所述第2開口部底部的中心位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管器件， 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，所述源電極和所述漏電極各自的表面積的中心位置與所述第I開口部底部的中心位置相比向與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離， 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，所述源電極和所述漏電極各自的表面積的中心位置與所述第2開口部底部的中心位置相比向與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管器件， 在所述第I開口部的底部，所述源電極和所述漏電極中的至少一方在與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的部分與面向所述第I開口部的所述隔壁的側(cè)面部分離，且在與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的部分與面向所述第I開口部的所述隔壁的側(cè)面部接觸， 在所述第2開口部的底 部，所述源電極和所述漏電極中的至少一方在與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的部分與面向所述第2開口部的所述隔壁的側(cè)面部分離，且在與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的部分與面向所述第2開口部的所述隔壁的側(cè)面部接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管器件， 所述隔壁的表面的撥液性比所述絕緣層的與所述半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性高，且所述絕緣層的與所述半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性比所述源電極和所述漏電極的各表面的撥液性高。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管器件， 在與所述第I開口部和所述第2開口部中的至少一方相鄰的區(qū)域設(shè)有第3開口部， 所述第3開口部在其內(nèi)部不形成半導(dǎo)體層，不是作為溝道部發(fā)揮功能的部分， 在所述第3開口部的底部形成有與所述第I薄膜晶體管元件中的所述源電極和所述漏電極的一方、或者所述第2薄膜晶體管元件中的所述源電極和所述漏電極的一方電連接的布線。
9.一種有機(jī)EL顯示元件,具備: 權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管器件； 平坦化膜，其設(shè)在所述薄膜晶體管器件的上方，形成有接觸孔； 下部電極，其形成在所述平坦化膜上以及所述平坦化膜的面向所述接觸孔的側(cè)面上，與所述漏電極或所述源電極電連接； 上部電極，其形成在所述下部電極的上方；以及 有機(jī)發(fā)光層，其插置在所述下部電極與所述上部電極之間，所述接觸孔與所述第3開口部連通。
10.一種有機(jī)EL顯示裝置,具備權(quán)利要求9所述的有機(jī)EL顯示元件。
11.一種薄膜晶體管器件的制造方法，包括: 第I工序，在基板上形成在相互隔開間隔的狀態(tài)下相鄰的第I柵電極和第2柵電極； 第2工序，形成絕緣層以覆蓋所述第I柵電極和所述第2柵電極的上方； 第3工序，在所述絕緣層上，與所述第I柵電極對(duì)應(yīng)而以在與所述絕緣層的層厚方向交叉的方向上相互隔開間隔的狀態(tài)排列設(shè)置第I源電極和第I漏電極，并且，與所述第2柵電極對(duì)應(yīng)而以在與所述絕緣層的層厚方向交叉的方向上相互隔開間隔的狀態(tài)排列設(shè)置第2源電極和第2漏電極； 第4工序，在所述絕緣層上，以將所述第I源電極和所述第2源電極之上以及所述第I漏電極和所述第2漏電極之上覆蓋的狀態(tài)，層疊感光性抗蝕劑材料； 第5工序，通過對(duì)層疊的所述感光性抗蝕劑材料進(jìn)行掩模曝光而進(jìn)行圖案形成來形成隔壁，所述隔壁分別圍繞所述第I源電極及所述第I漏電極各自的至少一部分、和所述第2源電極及所述第2漏電極各自的至少一部分，且其表面具有撥液性； 第6工序，對(duì)第I開口部的內(nèi)部和第2開口部的內(nèi)部分別涂敷半導(dǎo)體材料并使其干燥，形成第I半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層，所述第I開口部是通過圍繞所述第I源電極和所述第I漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部，所述第2開口部是通過圍繞所述第2源電極和所述第2漏電極各自的至少一部分而構(gòu)成的開口部，所述第I半導(dǎo)體層與所述第I源電極和所述第I漏電極緊密接觸，所述第2半導(dǎo)體層與所述第2源電極和所述第2漏電極緊密接觸， 在所述第5工序中形成所述隔壁以使得: 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，在所述第I開口部的底部露出的所述第I源電極和所述第I漏電極的表面積之和的中心位置與所述第I開口部底部的面積的中心位置相比向與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離； 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，在所述第2開口部的底部露出的所述第2源電極和所述第2漏電極的表面積之和的中心位置與所述第2開口部底部的面積的中心位置相比向與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)遠(yuǎn)離。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管器件的制造方法， 在所述第5工序中形成所述隔壁以使得: 在所述第I開口部的底部，在與所述第2開口部相鄰的一側(cè)，存在所述絕緣層和所述第I半導(dǎo)體層直接接觸而所述第I源電極和所述第I漏電極都不介于其間的部位， 在所述第2開口部的底部，在與所述第I開口部相鄰的一側(cè)，存在絕緣層與所述第2半導(dǎo)體層直接接觸而所述第2源電極和所述第2漏電極都不介于其間的部位。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管器件的制造方法， 在所述第5工序中形成所述隔壁以使得: 在所述第I開口部的底部，在與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，也存在所述絕緣層和所述第I半導(dǎo)體層直接接觸而所述第I源電極和所述第I漏電極都不介于其間的部位， 在俯視所述第I開口部的底部的情況下，以所述第I開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的所述絕緣層和所述第I半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與所述第2開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的所述絕緣層和所述第I半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積， 在所述第2開口部的底部，在與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)，也存在所述絕緣層與所述第2半導(dǎo)體層直接接觸而所述第2源電極和所述第2漏電極都不介于其間的部位， 在俯視所述第2開口部的底部的情況下，以所述第2開口部底部的中心位置為基準(zhǔn)，與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的所述絕緣層與所述第2半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積大于與所述第I開口部相鄰的一側(cè)的相反側(cè)的所述絕緣層和所述第2半導(dǎo)體層直接接觸的部位的面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管器件的制造方法， 在所述第2工序至所述第6工序中， 使所述隔壁的表面的撥液性比所述絕緣層的與所述第I半導(dǎo)體層和所述第2半導(dǎo)體層接觸的各接觸面的撥 液性高，并且，使所述絕緣層的與所述第I半導(dǎo)體層和所述第2半導(dǎo)體層接觸的接觸面的撥液性比所述第I源電極和所述第2源電極以及所述第I漏電極和所述第2漏電極的各表面的撥液性高。
【文檔編號(hào)】G09F9/30GK103460357SQ201280008791
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月14日
【發(fā)明者】奧本有子, 宮本明人, 受田高明 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社