用于amoled顯示器的老化補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了用于對(duì)顯示器中的像素進(jìn)行編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)的電路。所述電路通常包括驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)諸如電容器等存儲(chǔ)器件上存儲(chǔ)的編程信息來(lái)驅(qū)動(dòng)流經(jīng)發(fā)光器件的電流。所述電路通常還包括一個(gè)或多個(gè)開關(guān)晶體管，以選擇用于編程、監(jiān)測(cè)和/或發(fā)光的電路。有利地，所述電路包括發(fā)光晶體管，所述發(fā)光晶體管選擇性地連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子和源極端子，以使得能夠以與開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)的方式將編程信息施加至所述驅(qū)動(dòng)晶體管。
【專利說(shuō)明】用于AMOLED顯示器的老化補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大致上涉及用于顯示器的電路以及對(duì)顯示器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)、校準(zhǔn)和編程的方法，尤其是對(duì)有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)顯示器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)、校準(zhǔn)和編程的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]能夠由均受控于單獨(dú)的電路(即，像素電路)的發(fā)光器件的陣列來(lái)形成顯示器，其中上述電路具有這樣的晶體管:所述晶體管用于選擇性地控制這些電路以用顯示信息對(duì)這些電路進(jìn)行編程并且使這些電路根據(jù)顯示信息發(fā)光。能夠在這類顯示器中結(jié)合有被制造在基板上的薄膜晶體管(TFT)。隨著顯示器的老化，TFT隨著時(shí)間推移易于在整個(gè)顯示面板上表現(xiàn)出不均勻的性能。在顯示器老化時(shí)，可以將補(bǔ)償技術(shù)應(yīng)用到這類顯示器，以在整個(gè)顯示器上實(shí)現(xiàn)圖像均勻性并消除顯示器中的劣化。
[0003]關(guān)于用于向顯示器進(jìn)行補(bǔ)償以消除整個(gè)顯示面板上的以及隨時(shí)間產(chǎn)生的差異的一些方案，它們利用監(jiān)測(cè)系統(tǒng)來(lái)測(cè)量與像素電路的老化(即，劣化)相關(guān)的依賴時(shí)間參數(shù)。接著，能夠使用所測(cè)量的信息來(lái)通知像素電路的隨后的編程，以此確保通過(guò)對(duì)編程進(jìn)行調(diào)整來(lái)消除任何測(cè)量到的劣化。這樣的被監(jiān)測(cè)的像素電路可能需要使用額外的晶體管和/或線路，以選擇性地將像素電路連接至監(jiān)測(cè)系統(tǒng)并將信息讀出。令人不滿的是，額外的晶體管和/或線路的并入可能減小了像素節(jié)距(即，像素密度)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在各個(gè)方面，本發(fā)明提供了適于在受監(jiān)測(cè)的顯示器中使用的用于對(duì)像素老化提供補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?。本文披露的像素電路?gòu)造使得監(jiān)視器能夠經(jīng)由監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管來(lái)訪問(wèn)像素電路的節(jié)點(diǎn)，使得監(jiān)視器能夠測(cè)量用于指示像素電路的劣化量的電流和/或電壓。在各個(gè)方面，本發(fā)明還提供了能夠以與開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)的方式編程像素的像素電路構(gòu)造。本文披露的像素電路構(gòu)造包括用于使像素電路內(nèi)的存儲(chǔ)電容與驅(qū)動(dòng)晶體管隔離的晶體管，使得存儲(chǔ)電容上的電荷在編程操作期間不受流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的影響。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種用于補(bǔ)償顯示器陣列中的像素的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可以包括像素電路、驅(qū)動(dòng)器、監(jiān)測(cè)器和控制器。在編程周期期間根據(jù)編程信息對(duì)所述像素電路編程，且在發(fā)光周期期間根據(jù)所述編程信息驅(qū)動(dòng)所述像素電路以發(fā)光。所述像素電路包括:發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光控制晶體管。所述發(fā)光器件在所述發(fā)光周期期間發(fā)光。所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述發(fā)光周期期間傳輸經(jīng)過(guò)所述發(fā)光器件的電流。在所述編程周期期間，所述存儲(chǔ)電容被充電有至少部分地基于所述編程信息的電壓。所述發(fā)光控制晶體管被布置為在所述發(fā)光周期期間選擇性地連接所述發(fā)光器件、所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述存儲(chǔ)電容中的至少兩者，使得根據(jù)所述存儲(chǔ)電容上的電壓，經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸流經(jīng)所述發(fā)光器件的電流。所述驅(qū)動(dòng)器通過(guò)根據(jù)所述編程信息對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電來(lái)經(jīng)由數(shù)據(jù)線編程所述像素電路。所述監(jiān)測(cè)器提取用于指示所述像素電路的老化劣化的電壓或電流。所述控制器操作所述監(jiān)測(cè)器和所述驅(qū)動(dòng)器。所述控制器被設(shè)置用于:從所述監(jiān)測(cè)器接收劣化量的指示；接收用于指示將從所述發(fā)光器件發(fā)出的亮度的量的數(shù)據(jù)輸入；基于所述劣化量，確定補(bǔ)償量以提供至所述像素電路；并且將所述編程信息提供至所述驅(qū)動(dòng)器以編程所述像素電路。所述編程信息至少部分地基于所接收的數(shù)據(jù)輸入和所確定的補(bǔ)償量。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的像素電路。所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、發(fā)光控制晶體管和至少一個(gè)開關(guān)晶體管。所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于根據(jù)施加在所述驅(qū)動(dòng)晶體管兩端的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)流經(jīng)發(fā)光器件的電流。在編程周期期間以所述驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。所述發(fā)光控制晶體管連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述發(fā)光器件和所述存儲(chǔ)電容中的至少兩者，使得在所述發(fā)光周期期間根據(jù)所述存儲(chǔ)電容上被充電的電壓傳輸流經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。在監(jiān)測(cè)周期期間，所述至少一個(gè)開關(guān)晶體管將經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流路徑連接至監(jiān)視器以接收基于流經(jīng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的老化信息的指示。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種像素電路。所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容、一個(gè)或多個(gè)開關(guān)晶體管和發(fā)光控制晶體管。所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于根據(jù)施加在所述驅(qū)動(dòng)晶體管兩端的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)流經(jīng)發(fā)光器件中的電流。在編程周期期間以所述驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)充電所述存儲(chǔ)電容。所述一個(gè)或多個(gè)開關(guān)晶體管在所述編程周期期間將所述存儲(chǔ)電容連接至一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)線或參考線，所述數(shù)據(jù)線或參考線提供這樣的電壓:該電壓用于使所述存儲(chǔ)電容充電有所述驅(qū)動(dòng)電壓。所述發(fā)光控制晶體管根據(jù)發(fā)光線進(jìn)行操作。所述發(fā)光控制晶體管在所述編程周期期間使所述存儲(chǔ)電容與所述發(fā)光器件斷開連接，使得所述存儲(chǔ)電容以與所述發(fā)光器件的電容無(wú)關(guān)地被充電。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種顯示系統(tǒng)。所述顯示系統(tǒng)包括像素電路、驅(qū)動(dòng)器、監(jiān)測(cè)器和控制器。在編程周期期間根據(jù)編程信息對(duì)所述像素電路編程，且在發(fā)光周期期間根據(jù)所述編程信息驅(qū)動(dòng)所述像素電路以發(fā)光。所述像素電路包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件在所述發(fā)光周期期間發(fā)光。所述像素電路還包括驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述發(fā)光周期期間傳輸流經(jīng)所述發(fā)光器件的電流。所述電流是根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子和源極端子之間的電壓而被傳輸?shù)?。所述像素電路還包括存儲(chǔ)電容，在所述編程周期期間以至少部分地基于所述編程信息的電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。所述存儲(chǔ)電容連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子與源極端子之間。所述像素電路還包括第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子連接至數(shù)據(jù)線。所述驅(qū)動(dòng)器通過(guò)向所述存儲(chǔ)電容的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子相連接的端子施加電壓來(lái)經(jīng)由所述數(shù)據(jù)線對(duì)所述像素電路編程。所述監(jiān)測(cè)器提取用于指示所述像素電路的老化劣化的電壓或電流。所述控制器操作所述監(jiān)測(cè)器和所述驅(qū)動(dòng)器。所述控制器被設(shè)置用于:從所述監(jiān)測(cè)器接收劣化量的指示；接收用于指示將從所述發(fā)光器件發(fā)出的亮度的量的數(shù)據(jù)輸入；基于所述劣化量，確定補(bǔ)償量以提供至所述像素電路；并且向所述驅(qū)動(dòng)器提供所述編程信息以編程所述像素電路。所述編程信息至少部分地基于所接收的數(shù)據(jù)輸入和所確定的補(bǔ)償量。
[0009]對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，通過(guò)參照附圖(接下來(lái)將對(duì)它們進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明)對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施例和/或方面進(jìn)行的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的前述的和其它的方面和實(shí)施例將變得更加明顯?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0010]在閱讀了下面的詳細(xì)說(shuō)明并參照附圖之后，本發(fā)明的上述優(yōu)點(diǎn)和其它優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
[0011]圖1示出了用于監(jiān)測(cè)像素中的劣化并因而提供補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)的示例性構(gòu)造。
[0012]圖2A是用于像素的示例性驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0013]圖2B是圖2A所示的用于像素的示例性操作周期的示意時(shí)序圖。
[0014]圖3A是用于像素的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。
[0015]圖3B是用于操作圖3A所示的像素的時(shí)序圖。
[0016]圖4A是用于像素的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。
[0017]圖4B是用于操作圖4A所示的像素的時(shí)序圖。
[0018]圖5A是用于像素的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。
[0019]圖5B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖5A所示的像素的時(shí)序圖。
[0020]圖5C是用于在TFT監(jiān)測(cè)階段中操作圖5A所示的像素以測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管的各方面的時(shí)序圖。
[0021]圖是用于在OLED監(jiān)測(cè)階段中操作圖5A所示的像素以測(cè)量OLED的各方面的時(shí)序圖。
[0022]圖6A是用于像素的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。
[0023]圖6B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖6A所示的像素240的時(shí)序圖。
[0024]圖6C是用于操作圖6A所示的像素以監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)晶體管的各方面的時(shí)序圖。
[0025]圖6D是用于操作圖6A所示的像素以測(cè)量OLED的各方面的時(shí)序圖。
[0026]圖7A是用于像素的示例性像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0027]圖7B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖7A所示的像素的時(shí)序圖。
[0028]圖7C是用于在TFT監(jiān)測(cè)階段中操作圖7A所示的像素以測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管的各方面的時(shí)序圖。
[0029]圖7D是用于在OLED監(jiān)測(cè)階段中操作圖7A所示的像素以測(cè)量OLED的各方面的時(shí)序圖。
[0030]雖然本發(fā)明可具有各種變形和替代形式，但在附圖中以示例的方式示出了具體的實(shí)施例，并在本文中對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于本文所披露的特定形式，而是覆蓋了落入所附權(quán)利要求限定的發(fā)明精神和范圍內(nèi)的所有變形、等同物和替代物。
【具體實(shí)施方式】
[0031]圖1是示例性顯示系統(tǒng)50的示圖。顯示系統(tǒng)50包括地址驅(qū)動(dòng)器8、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4、控制器2、存儲(chǔ)器6和顯示面板20。顯示面板20包括成行和成列地布置的像素10的陣列。每個(gè)像素10可單獨(dú)編程以發(fā)出具有可單獨(dú)編程的亮度值的光。控制器2接收用于指示要被顯示在顯示面板20上的信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。控制器2向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4發(fā)送信號(hào)32并向地址驅(qū)動(dòng)器8發(fā)送調(diào)度信號(hào)34，以驅(qū)動(dòng)顯示面板20中的像素10從而使像素10顯示所指示的信息。因而，與顯示面板20相關(guān)的多個(gè)像素10包括適于根據(jù)由控制器2接收的輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)動(dòng)態(tài)地顯示信息的顯示器陣列(顯示屏)。顯示屏例如能夠根據(jù)由控制器2接收的視頻數(shù)據(jù)流來(lái)顯示視頻信息。電壓源14可以提供恒定的電源電壓或者可以是由來(lái)自控制器2的信號(hào)控制的可調(diào)節(jié)電壓源。顯示系統(tǒng)50還可以包含有來(lái)自電流源或電流阱(未圖示)的特征以向顯示面板20中的像素10提供偏置電流，以此減小像素10的編程時(shí)間。
[0032]出于說(shuō)明的目的，圖1中的顯示系統(tǒng)50被圖示為在顯示面板20中僅具有四個(gè)像素10。應(yīng)當(dāng)理解，顯示系統(tǒng)50可被實(shí)施為具有包括諸如像素10的類似像素的陣列的顯示屏，且顯示屏不限于特定數(shù)量的行和列的像素。例如，顯示系統(tǒng)50可被實(shí)施為具有如下顯示屏，該顯示屏具有通常在用于移動(dòng)設(shè)備、基于監(jiān)測(cè)的設(shè)備和/或投影設(shè)備的顯示器中使用的一定數(shù)量的行和列的像素。
[0033]像素10由驅(qū)動(dòng)電路(像素電路)操作，該驅(qū)動(dòng)電路通常包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光器件。在下文中，像素10可稱作像素電路。發(fā)光器件可選地是有機(jī)發(fā)光二極管，但本發(fā)明的實(shí)施適用于具有包括電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件在內(nèi)的其它電致發(fā)光器件的像素電路。像素10中的驅(qū)動(dòng)晶體管可選地是η型或P型非晶硅薄膜晶體管，但本發(fā)明的實(shí)施不限于具有特定極性晶體管的像素電路或不僅限于具有薄膜晶體管的像素電路。像素10也可包括用于存儲(chǔ)編程信息且使得像素10能夠在被尋址后驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的存儲(chǔ)電容。因而，顯示面板20可以是有源矩陣顯示器陣列。
[0034]如圖1所示，如顯示面板20中的左上側(cè)像素所示的像素10連接至選擇線24j、電源線26j、數(shù)據(jù)線22i和監(jiān)測(cè)線28i。在實(shí)施中，電壓源14也可向像素10提供第二電源線。例如，每個(gè)像素連接到被充電有Vdd的第一電源線和被充電有Vss的第二電源線，且像素電路10可位于第一電源線和第二電源線之間，以利于在像素電路的發(fā)光階段期間在這兩個(gè)電源線之間驅(qū)動(dòng)電流。顯示面板20中的左上側(cè)像素10可對(duì)應(yīng)于顯示面板20的第j行第i列的像素。類似地，顯示面板20中的右上側(cè)像素10表示第j行第m列；左下側(cè)像素10表示第η行第i列；且右下側(cè)像素10表示第η行第m列。每個(gè)像素10連接到適當(dāng)?shù)倪x擇線(如，選擇線24j和24η)、電源線(如，電源線26j和26η)、數(shù)據(jù)線(如，數(shù)據(jù)線22i和22m)和監(jiān)測(cè)線(如，監(jiān)測(cè)線28i和28m)。注意，本發(fā)明的各個(gè)方面適用于具有其它連接的像素(例如，連接至其它選擇線的連接)，且適用于具有更少連接的像素(例如，像素不具有至監(jiān)測(cè)線的連接)。
[0035]參照顯示面板20所示的左上側(cè)像素10，選擇線24j由地址驅(qū)動(dòng)器8提供，且用于例如通過(guò)激活開關(guān)或晶體管以允許數(shù)據(jù)線22i編程像素10，從而啟動(dòng)像素10的編程操作。數(shù)據(jù)線22i將來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4的編程信息傳遞至像素10。例如，數(shù)據(jù)線22i可用于向像素10施加編程電壓或編程電流以對(duì)像素10進(jìn)行編程，從而使像素10發(fā)出期望量的亮度。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4經(jīng)由數(shù)據(jù)線22i提供的編程電壓(或編程電流)是適于使像素10根據(jù)控制器2所接收的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)而發(fā)出具有期望亮度量的光的電壓(或電流)?？梢栽谙袼?0的編程操作期間將編程電壓(或編程電流)施加至像素10，以此對(duì)像素10內(nèi)的諸如存儲(chǔ)電容器等存儲(chǔ)器件充電，從而能夠使像素10在編程操作之后的發(fā)光操作期間發(fā)出具有期望亮度量的光。例如，可以在編程操作器件對(duì)像素10中的存儲(chǔ)器件充電，以在發(fā)光操作期間向驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子或源極端子施加電壓，由此使驅(qū)動(dòng)晶體管根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件上的電壓來(lái)傳輸經(jīng)過(guò)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流。
[0036]一般而言，在像素10中，在像素10的發(fā)光操作期間由驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸?shù)牧鹘?jīng)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流是由第一電源線26j提供的電流，并且該電流被排出至第二電源線(未示出)。第一電源線26j和第二電源線連接到電壓源14。第一電源線26j可提供正電源電壓(如，在電路設(shè)計(jì)中通常被稱為Vdd的電壓)，且第二電源線可提供負(fù)電源電壓(如，在電路設(shè)計(jì)中通常被稱為Vss的電壓)。在電源線(如，電源線26j)中的一者或另一者被固定在接地電壓或另一參考電壓的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施。
[0037]顯示系統(tǒng)50還包括監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12。再次參照顯示面板20中的左上側(cè)像素10，監(jiān)測(cè)線28i將像素10連接至監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12。監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12可以與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4集成在一起，或者可以是分離的單獨(dú)系統(tǒng)。特別地，可選地，可通過(guò)在像素10的監(jiān)測(cè)操作期間監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)線22i的電流和/或電壓來(lái)可選地實(shí)現(xiàn)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12，并且可完全省略監(jiān)測(cè)線28i。另外，可以將顯示系統(tǒng)50實(shí)施成不具有監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12和監(jiān)測(cè)線28i。監(jiān)測(cè)線28i使得監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12能夠測(cè)量與像素10相關(guān)的電流或電壓，并由此提取用于指示像素10的劣化的信息。例如，監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12可經(jīng)由監(jiān)測(cè)線28i提取流過(guò)像素10內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流，并由此基于所測(cè)量的電流且基于在測(cè)量期間施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓來(lái)確定驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓或閾值電壓的漂移。
[0038]監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12還可以提取發(fā)光器件的操作電壓(如，在發(fā)光器件進(jìn)行發(fā)光操作時(shí)，發(fā)光器件兩端的電壓降)。然后，監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12可以將信號(hào)32發(fā)送到控制器2和/或存儲(chǔ)器6，以允許顯示系統(tǒng)50將所提取的劣化信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器6中。在像素10的隨后的編程和/或發(fā)光操作期間，控制器2憑借存儲(chǔ)信號(hào)36從存儲(chǔ)器6中獲取劣化信息，且控制器2隨后在像素10的后續(xù)的編程或發(fā)光操作期間對(duì)于所提取的劣化信息進(jìn)行補(bǔ)償。例如，一旦提取了劣化信息，能夠在像素10的后續(xù)的編程操作期間適當(dāng)?shù)卣{(diào)整經(jīng)由數(shù)據(jù)線22i傳輸?shù)较袼?0的編程信息，使得像素10發(fā)出具有與像素10的劣化無(wú)關(guān)的期望亮度量的光。在示例中，能夠通過(guò)適當(dāng)?shù)卦龃笫┘又料袼?0的編程電壓來(lái)補(bǔ)償像素10內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的增大。
[0039]圖2A是像素100的示例性驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖1A所示的驅(qū)動(dòng)電路用于編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素100，并包括用于傳輸流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)IlO的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管114。OLEDl 10根據(jù)通過(guò)OLEDl 10的電流發(fā)光，并可由任何電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件替代。像素100能夠被用于結(jié)合圖1描述的顯示系統(tǒng)50的顯示面板20中。
[0040]像素100的驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容118、開關(guān)晶體管116和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112。像素100連接至參考電壓線102、選擇線104、電壓電源線106和數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)(data/monitor)線108。驅(qū)動(dòng)晶體管114根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極端子和驅(qū)動(dòng)晶體管114的源極端子之間的柵極-源極電壓(Vgs)從電壓電源線106抽取電流。例如，在驅(qū)動(dòng)晶體管114的飽和模式下，流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流可由Ids=i3 (Vgs-Vt)2給出，其中β是取決于驅(qū)動(dòng)晶體管114的器件特性的參數(shù)，Ids是從驅(qū)動(dòng)晶體管114的漏極端子到驅(qū)動(dòng)晶體管114的源極端子的電流，且Vt是驅(qū)動(dòng)晶體管114的閾值電壓。
[0041]在像素100中，存儲(chǔ)電容118跨接于驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極端子和源極端子。存儲(chǔ)電容118具有第一端子118g (為方便起見，稱之為柵極側(cè)端子118g)和第二端子118s (為方便起見，稱之為源極側(cè)端子118s)。存儲(chǔ)電容118的柵極側(cè)端子118g與驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極端子電連接。存儲(chǔ)電容118的源極側(cè)端子118s與驅(qū)動(dòng)晶體管114的源極端子電連接。因而，驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極-源極電壓Vgs也是存儲(chǔ)電容118上被充電的電壓。如在下文將進(jìn)一步說(shuō)明，存儲(chǔ)電容118能夠由此在像素100的發(fā)光階段期間維持驅(qū)動(dòng)晶體管114兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0042]驅(qū)動(dòng)晶體管114的漏極端子電連接至電壓電源線106。驅(qū)動(dòng)晶體管114的源極端子電連接至0LED110的陽(yáng)極端子。0LED110的陰極端子可以接地或者可選地連接至諸如電源線Vss等第二電壓電源線。因而，0LED110與驅(qū)動(dòng)晶體管114的電流路徑串聯(lián)連接。一旦OLED的陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電壓降達(dá)到0LED110的操作電壓(Vmd)，OLEDl 10根據(jù)流經(jīng)0LED110的電流發(fā)光。也就是說(shuō)，當(dāng)陽(yáng)極端子上的電壓與陰極端子上的電壓之間的差值大于操作電壓時(shí)，則0LED110開啟并發(fā)光。當(dāng)陽(yáng)極至陰極的電壓小于乂_時(shí)，電流不穿過(guò)0LED110。
[0043]開關(guān)晶體管116根據(jù)選擇線104進(jìn)行操作(例如，當(dāng)選擇線104處于高電平時(shí)，開關(guān)晶體管116開啟，且當(dāng)選擇線104處于低電平時(shí)，開關(guān)晶體管116關(guān)斷)。當(dāng)開啟時(shí)，開關(guān)晶體管116將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子(和存儲(chǔ)電容118的柵極側(cè)端子)電連接至參考電壓線102。如下文結(jié)合圖1B將進(jìn)一步說(shuō)明地，參考電壓線102能夠被保持在接地電壓或其它固定參考電壓(Vref)，并且能夠在像素100的編程階段期間可選地調(diào)節(jié)參考電壓線102以提供對(duì)像素100的劣化的補(bǔ)償。以與開關(guān)晶體管116相同的方式，由選擇線104操作數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112。盡管如此，應(yīng)注意，在像素100的實(shí)施中，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112可選地可由第二選擇線操作。當(dāng)開啟時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112將驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子(和存儲(chǔ)電容118的源極側(cè)端子)電連接至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108。
[0044]圖2B是圖2A所示的像素100的示例性操作周期的示意時(shí)序圖。像素100可以在監(jiān)測(cè)階段121、編程階段122和發(fā)光階段中進(jìn)行操作。在監(jiān)測(cè)階段121期間，選擇線104為高電平，且開關(guān)晶體管116和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112都導(dǎo)通。數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108被固定于校準(zhǔn)電壓(Veal)。由于數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112導(dǎo)通，所以校準(zhǔn)電壓Vcal被施加至0LED110的陽(yáng)極端子。選擇Vcal的值使得:施加在0LED110的陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電壓小于0LED110的操作電壓V_D，并且因此0LED110不抽取電流。通過(guò)將Vcal設(shè)置在足以關(guān)閉OLEDl 10 ( 即，充分確保OLEDl 10不抽取電流)的電平，在監(jiān)測(cè)階段121期間流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管114的電流不會(huì)流過(guò)0LED110，而是流經(jīng)數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108。因而，通過(guò)在監(jiān)測(cè)階段121期間將數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108固定在Vcal，數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流是經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管114抽取的電流。隨后，數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108可連接至監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(例如，圖1所示的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)12)，以在監(jiān)測(cè)階段121期間測(cè)量電流并由此提取用于指示像素100的劣化的信息。例如，通過(guò)使用參考電流值對(duì)在監(jiān)測(cè)階段121期間測(cè)量的數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上電流進(jìn)行分析，能夠確定驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓(Vt)。通過(guò)基于分別施加至驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極端子和源極端子的參考電壓Vref和校準(zhǔn)電壓Vcal的值將測(cè)量的電流與期望電流進(jìn)行比較，來(lái)執(zhí)行閾值電壓的上述確定。例如,可以對(duì)關(guān)系
[0045]Imeas=Ids= β (Vgs - Vt)2= β (V`ref - Vcal - Vt)2
[0046]進(jìn)行重組以獲得
[0047]Vt=Vref - Vcal- (Imeas/ β )1/2。
[0048]額外地或替代地，可根據(jù)分段法(stepwise method)來(lái)提取像素100的劣化(如，Vt的值)，其中在Imeas和期望電流之間進(jìn)行比較，并根據(jù)比較(如，基于Imeas是否小于或大于期望電流的確定結(jié)果)來(lái)逐漸地更新Imeas的值。注意，雖然上文說(shuō)明了在監(jiān)測(cè)階段121期間測(cè)量數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流，但監(jiān)測(cè)階段121可包括在固定數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流的同時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電壓。而且，監(jiān)測(cè)階段121還可包括通過(guò)例如測(cè)量負(fù)載兩端的電壓降、測(cè)量經(jīng)由電流傳送器提供的與數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流有關(guān)的電流，或者通過(guò)測(cè)量從接收數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流的電流控制電壓源輸出的電壓來(lái)間接地測(cè)量數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的電流。
[0049]在編程階段122期間，選擇線104保持為高電平，且開關(guān)晶體管116和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112因此保持導(dǎo)通。參考電壓線102能夠保持被固定于Vref或能夠可選地調(diào)整了適于消除像素100的劣化(例如，在監(jiān)測(cè)階段121期間確定的劣化)的補(bǔ)償電壓(Vcomp)。例如，Vcomp可以是足以消除驅(qū)動(dòng)晶體管114的閾值電壓Vt的漂移的電壓。電壓Vref (或Vcomp)被施加至存儲(chǔ)電容118的柵極側(cè)端子118g。而且，在編程階段122期間，數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108被調(diào)整為編程電壓(VpiOg)，該編程電壓VpiOg被施加至存儲(chǔ)電容118的源極側(cè)端子118s。在編程階段122期間，通過(guò)由參考電壓線102上的Vref (或Vcomp)和數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的Vprog之間的差值給定的電壓對(duì)存儲(chǔ)電容118充電。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)在編程階段122期間將補(bǔ)償電壓Vcomp施加至存儲(chǔ)電容118的柵極側(cè)端子118g來(lái)補(bǔ)償像素100的劣化。隨著像素100由于例如機(jī)械應(yīng)力、老化、溫度差異等而劣化，驅(qū)動(dòng)晶體管114的閾值電壓Vt可能漂移(例如，增大)，且因此驅(qū)動(dòng)晶體管114兩端需要更大的柵極-源極電壓Vgs以保持流經(jīng)0LED110的期望驅(qū)動(dòng)電流。在實(shí)施中，可以在監(jiān)測(cè)階段121期間首先經(jīng)由數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108測(cè)量Vt的漂移，并接著在編程階段122期間通過(guò)將獨(dú)立于編程電壓Vprog的補(bǔ)償電壓Vcomp施加至存儲(chǔ)電容118的柵極側(cè)端子118g來(lái)補(bǔ)償Vt的漂移。額外地或替代地，可通過(guò)調(diào)整施加至存儲(chǔ)電容118的源極側(cè)端子118s的編程電壓Vprog來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。此外，編程電壓VpiOg優(yōu)選地是在編程階段122期間足以關(guān)閉0LED110的電壓，以能夠在編程階段122期間防止0LED110發(fā)光。
[0051]在像素100的發(fā)光階段123期間，選擇線104為低電平，且開關(guān)晶體管116和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112都關(guān)斷。存儲(chǔ)電容118保持被充電有如下驅(qū)動(dòng)電壓:該驅(qū)動(dòng)電壓是由在編程階段122期間施加在存儲(chǔ)電容118兩端的Vref (或Vcomp)與Vprog之間的差值給定的。在開關(guān)晶體管116和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112關(guān)斷之后，存儲(chǔ)電容118保持驅(qū)動(dòng)電壓，并且驅(qū)動(dòng)晶體管114從電壓電源線106提取驅(qū)動(dòng)電流。接著，驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)由OLEDl 10而被傳輸，從而OLEDl 10根據(jù)流經(jīng)OLEDl 10的電流量發(fā)光。在發(fā)光階段123期間，OLEDl 10的陽(yáng)極端子(和存儲(chǔ)電容的源極側(cè)端子118s)可以從在編程階段122期間施加的編程電壓VpiOg變化為0LED110的操作電壓V_。此外，隨著驅(qū)動(dòng)電流流經(jīng)0LED110，OLEDl 10的陽(yáng)極端子的電壓可能在發(fā)光階段123的整個(gè)過(guò)程中變化(例如，增大)。然而，在發(fā)光階段123期間，SP使0LED110的陽(yáng)極上的電壓可能變化，存儲(chǔ)電容118仍自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極端子上的電壓以保持驅(qū)動(dòng)晶體管114的柵極-源極電壓。例如，源極側(cè)端子118s上的調(diào)節(jié)(例如，增大)被反映在柵極側(cè)端子118g上以保持在編程階段122期間被充電至存儲(chǔ)電容118上的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0052]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖2Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖2Α所示的驅(qū)動(dòng)電路和圖2Β所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0053]圖3Α是像素130的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。像素130的驅(qū)動(dòng)電路用于編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素130。像素130包括用于傳輸流經(jīng)0LED146的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管148。OLED146類似于圖2A所示的OLEDl 10且根據(jù)流經(jīng)0LED146的電流發(fā)光。0LED146可由任何電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件代替。具有適當(dāng)修改以包含結(jié)合像素130所描述的連接線的像素130可在結(jié)合圖1所描述的顯示系統(tǒng)50的顯示面板20中使用。
[0054]像素130的驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容156、第一開關(guān)晶體管152和第二開關(guān)晶體管154、數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144和發(fā)光晶體管150。像素130連接至參考電壓線140、數(shù)據(jù)/參考線132、電壓電源線136、數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)(data/monitor)線138、選擇線134和發(fā)光線142。驅(qū)動(dòng)晶體管148根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子和驅(qū)動(dòng)晶體管148的源極端子之間的柵極-源極電壓(Vgs)以及驅(qū)動(dòng)晶體管148的閾值電壓(Vt)從電壓電源線136提取電流。驅(qū)動(dòng)晶體管148的漏極-源極電流和柵極-源極電壓之間的關(guān)系類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管114的操作。
[0055]在像素130中，存儲(chǔ)電容156通過(guò)發(fā)光晶體管150而跨接于驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子和漏極端子。存儲(chǔ)電容156具有第一端子156g (為方便起見，稱之為柵極側(cè)端子156g)和第二端子156s (為方便起見，稱之為源極側(cè)端子156s)。存儲(chǔ)電容156的柵極側(cè)端子156g通過(guò)發(fā)光晶體管150而電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子。存儲(chǔ)電容156的源極側(cè)端子156s電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管148的源極端子。因此，當(dāng)發(fā)光晶體管150導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極-源極電壓Vgs是存儲(chǔ)電容156上的充電電壓。發(fā)光晶體管150根據(jù)發(fā)光線142進(jìn)行操作(例如，在發(fā)光線142被設(shè)定為高電平時(shí)發(fā)光晶體管150導(dǎo)通，且反之亦然)。如下文將進(jìn)一步說(shuō)明，存儲(chǔ)電容156能夠由此在像素130的發(fā)光階段期間保持驅(qū)動(dòng)晶體管148兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0056]驅(qū)動(dòng)晶體管148的漏極端子電連接至電壓電源線136。驅(qū)動(dòng)晶體管148的源極端子電連接到0LED146的陽(yáng)極端子。0LED146的陰極端子可以接地或者能夠可選地連接至諸如電源線Vss等第二電壓電源線。因而，0LED146與驅(qū)動(dòng)晶體管148的電流路徑串聯(lián)連接。類似于結(jié)合圖2A和2B對(duì)0LED110的說(shuō)明，一旦0LED146的陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電壓降達(dá)到0LED146的操作電壓(VQlED)，OLED146根據(jù)流經(jīng)0LED146的電流發(fā)光。
[0057]第一開關(guān)晶體管152、第二開關(guān)晶體管154和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144均根據(jù)選擇線134進(jìn)行操作(例如，當(dāng)選擇線134處于高電平時(shí)，晶體管144、152和154導(dǎo)通，且當(dāng)選擇線134處于低電平時(shí)，晶體管144、152和154關(guān)斷)。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，第一開關(guān)晶體管152將驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子電連接至參考電壓線140。如下文結(jié)合圖3B所說(shuō)明地，參考電壓線140可保持在固定的第一參考電壓(Vrefl)。在像素130的實(shí)施中，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144和/或第二開關(guān)晶體管154能夠可選地由第二選擇線操作。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，第二開關(guān)晶體管154將存儲(chǔ)電容156的柵極側(cè)端子156g電連接至數(shù)據(jù)/參考線132。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144將數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138電連接至存儲(chǔ)電容156的源極側(cè)端子156s。
[0058]圖3B是用于操作圖3A所示的像素130的時(shí)序圖。如圖3B所示，像素130可在監(jiān)測(cè)階段124、編程階段125和發(fā)光階段126中進(jìn)行操作。
[0059]在像素130的監(jiān)測(cè)階段124期間，選擇線134被設(shè)定為高電平而發(fā)光線142被設(shè)定為低電平。第一開關(guān)晶體管152、第二開關(guān)晶體管154和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144都導(dǎo)通且發(fā)光晶體管150關(guān)斷。數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138被固定在校準(zhǔn)電壓(Vcal)，且參考電壓線140被固定在第一參考電壓Vrefl。參考電壓線140通過(guò)第一開關(guān)晶體管152將第一參考電壓Vrefl施加至驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子，且數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138通過(guò)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144將校準(zhǔn)電壓Vcal施加到驅(qū)動(dòng)晶體管148的源極端子。因此，第一參考電壓Vrefl和校準(zhǔn)電壓Vcal固定了驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極-源極電壓Vgs。驅(qū)動(dòng)晶體管148根據(jù)由此限定的柵極-源極電位差從電壓電源線136抽取電流。校準(zhǔn)電壓Vcal也被施加至0LED146的陽(yáng)極，并且校準(zhǔn)電壓Vcal有利地被選擇為足以關(guān)閉0LED146的電壓。例如，校準(zhǔn)電壓Vcal能夠使0LED146的陽(yáng)極端子與陰極端子之間的電壓降小于0ELD146的操作電壓VMD。通過(guò)關(guān)閉0LED146，流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管148的電流全部被引導(dǎo)至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138而不流經(jīng)0LED146。類似于結(jié)合圖2A和2B中的像素100對(duì)監(jiān)測(cè)階段121的說(shuō)明，能夠?qū)⒃谙袼?30的數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138上測(cè)量的電流用于提取像素130的劣化信息，例如用于指示驅(qū)動(dòng)晶體管148的閾值電壓Vt的信息。
[0060]在編程階段125期間，選擇線134被設(shè)定為高電平且發(fā)光線142被設(shè)定為低電平。類似于監(jiān)測(cè)階段124，第一開關(guān)晶體管152、第二開關(guān)晶體管154和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144都導(dǎo)通，且同時(shí)發(fā)光晶體管150關(guān)斷。數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138被設(shè)定成編程電壓(VpiOg)，參考電壓線140被固定在第一參考電壓Vrefl，且數(shù)據(jù)/參考線132被設(shè)定成第二參考電壓(Vref 2)。在編程階段125期間，第二參考電壓Vref2因而被施加至存儲(chǔ)電容156的柵極側(cè)端子156g，且同時(shí)編程電壓Vprog被施加至存儲(chǔ)電容156的源極側(cè)端子156s。在實(shí)施中，在編程階段125期間，數(shù)據(jù)/參考線132被設(shè)定(調(diào)整)成補(bǔ)償電壓(Vcomp)，而不是保持固定于第二參考電壓Vref 2。然后，根據(jù)第二參考電壓Vref 2 (或補(bǔ)償電壓Vcomp)與編程電壓Vprog之間的差值對(duì)存儲(chǔ)電容156充電。本發(fā)明的實(shí)施還包括編程階段125的如下操作:編程電壓Vprog被施加到數(shù)據(jù)/參考線132，且同時(shí)數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138被固定于第二參考電壓Vref2或補(bǔ)償電壓Vcomp。在任一操作中，存儲(chǔ)電容156被充電有由Vprog與Vref2 (或Vcomp)之間的差值給定的電壓。類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的像素100的操作，施加至柵極側(cè)端子156g的補(bǔ)償電壓Vcomp是用于消除像素電路130的諸如在監(jiān)測(cè)階段124期間測(cè)量到的劣化等劣化(例如，驅(qū)動(dòng)晶體管148的閾值電壓Vt的增大)的適當(dāng)電壓。
[0061]在編程階段125期間編程電壓Vprog被施加至0LED146的陽(yáng)極端子。在編程階段125期間編程電壓Vprog有利地被選擇成足以關(guān)閉OLED146。例如，編程電壓Vprog能夠有利地使0LED146的陽(yáng)極端子與陰極端子之間的電壓降小于0LED146的操作電壓VMD。額外地或替代地，在第二參考電壓Vref2被施加至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138的實(shí)施中，第二參考電壓Vref2能夠被選擇為將0LED146保持在關(guān)閉狀態(tài)的電壓。
[0062]在編程階段125期間，驅(qū)動(dòng)晶體管148有利地與存儲(chǔ)電容156隔離，且同時(shí)存儲(chǔ)電容156經(jīng)由數(shù)據(jù)/參考線132和/或數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138接收編程信息。通過(guò)使用在編程階段125期間關(guān)斷的發(fā)光晶體管150將驅(qū)動(dòng)晶體管148與存儲(chǔ)電容156隔離，有利地防止了驅(qū)動(dòng)晶體管148在編程階段125期間導(dǎo)通。圖2A中的像素電路100提供了的電路示例缺少用于在編程階段122期間使驅(qū)動(dòng)晶體管114與存儲(chǔ)電容118隔離的構(gòu)件。通過(guò)此示例，在像素100中，在編程階段122期間，在存儲(chǔ)電容兩端建立了足以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管114的電壓。一旦存儲(chǔ)電容118上的電壓變得足夠，驅(qū)動(dòng)晶體管114開始從電壓電源線106抽取電流。電流不流經(jīng)在編程階段122期間被反向偏置的0LED110，而是來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管114的電流流經(jīng)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112。因此，當(dāng)電流經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112傳輸時(shí)，由于數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112的非零電阻而在數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112兩端形成電壓降。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112兩端的電壓降使得施加至存儲(chǔ)電容118的源極側(cè)端子118的電壓不同于數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線108上的編程電壓Vprog。該差異是由流經(jīng)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112的電流和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管112的內(nèi)部電阻確定的。
[0063]再次參照?qǐng)D3A和3B，像素130的發(fā)光晶體管150通過(guò)確保在編程階段125期間在存儲(chǔ)電容156上建立的電壓不會(huì)在編程階段125期間被施加在驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子和源極端子之間而解決了上述影響。發(fā)光晶體管150使存儲(chǔ)電容156的一個(gè)端子與驅(qū)動(dòng)晶體管斷開連接，以確保驅(qū)動(dòng)晶體管在像素130的編程階段125期間不被導(dǎo)通。發(fā)光晶體管150使得能夠以不取決于開關(guān)晶體管144的電阻的電壓來(lái)編程像素電路130(如，對(duì)存儲(chǔ)電容156充電)。此外，可按照以下方式選擇施加至參考電壓線140的第一參考電壓Vrefl:由Vrefl與VpiOg之間的差值給定的柵極-源極電壓足以防止驅(qū)動(dòng)晶體管148在編程階段125期間導(dǎo)通。
[0064]在像素130的發(fā)光階段126期間，選擇線134被設(shè)定為低電平，且同時(shí)發(fā)光線142被設(shè)定為高電平。第一開關(guān)晶體管152、第二開關(guān)晶體管154和數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144都關(guān)斷。發(fā)光晶體管150在發(fā)光階段126期間導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光晶體管150，存儲(chǔ)電容156被連接于驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子和源極端子之間。驅(qū)動(dòng)晶體管148根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容156上且被施加在驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子和源極端子之間的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓電源線136抽取驅(qū)動(dòng)電流。由于數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管144關(guān)斷，0LED146的陽(yáng)極端子不再被數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線138設(shè)定為編程電壓，并且0LED146因此被開啟且0LED146的陽(yáng)極端子處的電壓調(diào)整為0LED146的操作電壓VMD。通過(guò)存儲(chǔ)電容156自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管148的源極端子的電壓和/或柵極端子的電壓以消除這兩個(gè)電壓中一者或另一者的變化，存儲(chǔ)電容156保持存儲(chǔ)電容156上被充電的驅(qū)動(dòng)電壓。例如，如果源極側(cè)端子156s上的電壓在發(fā)光階段126期間由于例如0LED146的陽(yáng)極端子處于操作電壓V_D而變化，存儲(chǔ)電容156調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子上的電壓，以保持驅(qū)動(dòng)晶體管148的柵極端子與源極端子之間的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0065]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖3Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖3Α所示的像素130的驅(qū)動(dòng)電路和圖3Β所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有除薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0066]圖4Α是像素160的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。像素160的驅(qū)動(dòng)電路用于編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素160。像素160包括用于傳輸流經(jīng)0LED172的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管174。OLED172類似于圖2Α所示的0LED110，且根據(jù)流經(jīng)0LED172的電流發(fā)光。0LED172可以由任何電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件代替。具有連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和地址驅(qū)動(dòng)器等的合適的連接線的像素160可被用于結(jié)合圖1所描述的顯示系統(tǒng)50的顯示面板20。
[0067]像素160的驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容182、數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180、監(jiān)測(cè)晶體管178和發(fā)光晶體管176。像素160連接到數(shù)據(jù)線162、電壓電源線166、監(jiān)測(cè)(monitor)線168、選擇線164和發(fā)光線170。驅(qū)動(dòng)晶體管174根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子與驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子之間的柵極-源極電壓(Vgs)以及驅(qū)動(dòng)晶體管174的閾值電壓(Vt)從電壓電源線166提取電流。驅(qū)動(dòng)晶體管174的漏極-源極電流和柵極-源極電壓之間的關(guān)系類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管114的操作。
[0068]在像素160中，存儲(chǔ)電容182通過(guò)發(fā)光晶體管176而跨接于驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子和漏極端子。存儲(chǔ)電容182具有第一端子182g (為方便起見，稱之為柵極側(cè)端子182g)和第二端子182s (為方便起見，稱之為源極側(cè)端子182s)。存儲(chǔ)電容182的柵極側(cè)端子182g電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子。存儲(chǔ)電容182的源極側(cè)端子1823通過(guò)發(fā)光晶體管176電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子。因而，當(dāng)發(fā)光晶體管176被導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極-源極電壓Vgs是存儲(chǔ)電容182上的充電電壓。發(fā)光晶體管176根據(jù)發(fā)光線170進(jìn)行操作(例如，在發(fā)光線170被設(shè)定為高電平時(shí)，發(fā)光晶體管176被導(dǎo)通，且反之亦然)。如下文將進(jìn)一步說(shuō)明，存儲(chǔ)電容182能夠由此在像素160的發(fā)光階段期間保持驅(qū)動(dòng)晶體管174兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0069]驅(qū)動(dòng)晶體管174的漏極端子電連接至電壓電源線166。驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子電連接至0LED172的陽(yáng)極端子。0LED172的陰極端子可以接地或能夠可選地連接至諸如電源線Vss等第二電壓電源線。因而，0LED172與驅(qū)動(dòng)晶體管174的電流路徑串聯(lián)連接。類似于結(jié)合圖2A和2B對(duì)0LED110的說(shuō)明，一旦0LED172的陽(yáng)極端子與陰極端子之間的電壓降達(dá)到0LED172的操作電壓(VQlED)，OLED172根據(jù)流過(guò)0LED172的電流發(fā)光。
[0070]數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180和監(jiān)測(cè)晶體管178均根據(jù)選擇線168進(jìn)行操作(例如，當(dāng)選擇線168處于高電平時(shí)，晶體管178和180被導(dǎo)通，且當(dāng)選擇線168處于低電平時(shí)，晶體管178和180關(guān)斷)。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180將驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子電連接至數(shù)據(jù)線162。在像素160的實(shí)施中，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180和/或監(jiān)測(cè)晶體管178能夠可選地由第二選擇線操作。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，監(jiān)測(cè)晶體管178將存儲(chǔ)電容182的源極側(cè)端子182s電連接至監(jiān)測(cè)線164。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180將數(shù)據(jù)線162電連接至存儲(chǔ)電容182的柵極側(cè)端子182g。
[0071]圖4B是用于操作圖4A所示的像素160的時(shí)序圖。如圖4B所示，像素160可在監(jiān)測(cè)階段127、編程階段128和發(fā)光階段129中進(jìn)行操作。
[0072]在像素160的監(jiān)測(cè)階段127期間，選擇線164和發(fā)光線170都被設(shè)定為高電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180、監(jiān)測(cè)晶體管178和發(fā)光晶體管170都被導(dǎo)通。數(shù)據(jù)線162被固定在第一校準(zhǔn)電壓(Vcall)，且監(jiān)測(cè)線168被固定在第二校準(zhǔn)電壓(Vcal2)。第一校準(zhǔn)電壓Vcall通過(guò)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2通過(guò)監(jiān)測(cè)晶體管178和發(fā)光晶體管176被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子。因此，第一校準(zhǔn)電壓Vcall和第二校準(zhǔn)電壓Vcal2固定了驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極-源極電壓Vgs，且驅(qū)動(dòng)晶體管174根據(jù)它的柵極-源極電壓Vgs從電壓電源線166抽取電流。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2還被施加至0LED172的陽(yáng)極，且有利地被選擇為足以關(guān)閉0LED172的電壓。通過(guò)在監(jiān)測(cè)階段127期間關(guān)閉OLED172，確保了流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管174的電流不流過(guò)OLED174，而是經(jīng)由發(fā)光晶體管176和監(jiān)測(cè)晶體管178被傳輸至監(jiān)測(cè)線168。類似于結(jié)合圖2A和2B中的像素100對(duì)監(jiān)測(cè)階段121的說(shuō)明，能夠?qū)⒃诒O(jiān)測(cè)線168上測(cè)量的電流用于提取像素160的劣化信息，例如用于指示驅(qū)動(dòng)晶體管174的閾值電壓Vt的信息。
[0073]在編程階段128期間，選擇線164被設(shè)定為高電平且發(fā)光線170被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180和監(jiān)測(cè)晶體管178被導(dǎo)通，且同時(shí)發(fā)光晶體管176關(guān)斷。數(shù)據(jù)線162被設(shè)定成編程電壓(VpiOg)，且監(jiān)測(cè)線168被固定在參考電壓(Vref)。監(jiān)測(cè)線164能夠可選地被設(shè)定成補(bǔ)償電壓(Vcomp)而不是參考電壓Vref。存儲(chǔ)電容182的柵極側(cè)端子182g被設(shè)定成編程電壓Vprog,且源極側(cè)端子182s被設(shè)定成參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)。由此，根據(jù)編程電壓Vprog和參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)之間的差值對(duì)存儲(chǔ)電容182充電。在編程階段128期間對(duì)存儲(chǔ)電容182充電的電壓被稱為驅(qū)動(dòng)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓是這樣的電壓:其適于施加在驅(qū)動(dòng)晶體管172兩端以產(chǎn)生將使0LED172發(fā)出期望量的光的期望驅(qū)動(dòng)電流。類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的像素100的操作，施加至源極側(cè)端子182s的補(bǔ)償電壓Vcomp是用于消除像素電路160的諸如在監(jiān)測(cè)階段127期間測(cè)量到的劣化等劣化(如，驅(qū)動(dòng)晶體管174的閾值電壓Vt的增大)的適當(dāng)電壓。額外地或替代地，能夠通過(guò)調(diào)整施加至柵極側(cè)端子182g的編程電壓VpiOg來(lái)補(bǔ)償像素160的劣化。
[0074]在編程階段128期間，驅(qū)動(dòng)晶體管174通過(guò)發(fā)光晶體管176而與存儲(chǔ)電容182隔離，發(fā)光晶體管176在編程階段128期間使驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子與存儲(chǔ)電容182斷開連接。類似于結(jié)合圖3A和3B對(duì)發(fā)光晶體管150的操作的說(shuō)明，通過(guò)在編程階段128期間使驅(qū)動(dòng)晶體管174和存儲(chǔ)電容182隔離，有利地防止了驅(qū)動(dòng)晶體管174在編程階段128期間被導(dǎo)通。通過(guò)防止驅(qū)動(dòng)晶體管174導(dǎo)通，由于沒(méi)有電流經(jīng)過(guò)開關(guān)晶體管傳輸，所以在編程階段128期間施加至存儲(chǔ)電容182的電壓有利地與開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)。在像素160的構(gòu)造中，發(fā)光晶體管176還有利地在編程階段128期間使存儲(chǔ)電容182與0LED172斷開連接，這防止了在編程階段128期間存儲(chǔ)電容182受到0LED172的內(nèi)部電容的影響。
[0075]在像素160的發(fā)光階段129期間，選擇線164被設(shè)定為低電平而發(fā)光線170被設(shè)定為高電平。在發(fā)光階段129期間，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管180和監(jiān)測(cè)晶體管178關(guān)斷并且發(fā)光晶體管176導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光晶體管176，存儲(chǔ)電容182連接在驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子和源極端子之間。驅(qū)動(dòng)晶體管174根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容182上的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓電源線166抽取驅(qū)動(dòng)電流。0LED172開啟且0LED172的陽(yáng)極端子處的電壓調(diào)整成0LED172的操作電壓V_D。存儲(chǔ)電容182自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管174的源極端子的電壓和/或柵極端子的電壓以消除這兩個(gè)電壓中一者或另一者的變化，由此存儲(chǔ)電容182保持驅(qū)動(dòng)電壓。例如，如果源極側(cè)端子182s上的電壓在發(fā)光階段129期間由于例如0LED172的陽(yáng)極端子處于操作電壓Vmd而變化，存儲(chǔ)電容182調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子上的電壓，以保持驅(qū)動(dòng)晶體管174的柵極端子與源極端子之間的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0076]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖4Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖4Α所示的像素160的驅(qū)動(dòng)電路和圖4Β所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有除薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0077]圖5Α是像素200的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。像素200的驅(qū)動(dòng)電路用于編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素200。像素200包括用于傳輸流經(jīng)0LED220的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管214。0LED220類似于圖2Α所示的0LED110，且根據(jù)流經(jīng)0LED220的電流發(fā)光。0LED220可以由任何電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件代替。具有連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和地址驅(qū)動(dòng)器等的適當(dāng)連接線的像素200可在結(jié)合到圖1所描述的顯示系統(tǒng)50的顯示面板20中。
[0078]像素200的驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容218、數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216、監(jiān)測(cè)晶體管212和發(fā)光晶體管222。像素200連接到數(shù)據(jù)線202、電壓電源線206、監(jiān)測(cè)(monitor)線208、選擇線204和發(fā)光線210。驅(qū)動(dòng)晶體管214根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子與驅(qū)動(dòng)晶體管214的源極端子之間的柵極-源極電壓(Vgs)和驅(qū)動(dòng)晶體管214的閾值電壓(Vt)從電壓電源線206提取電流。驅(qū)動(dòng)晶體管214的漏極-源極電流和柵極-源極電壓之間的關(guān)系類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管114的操作。
[0079]在像素200中，存儲(chǔ)電容218通過(guò)發(fā)光晶體管222而跨接于驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子和漏極端子。存儲(chǔ)電容218具有第一端子218g(為方便起見，稱之為柵極側(cè)端子218g)和第二端子218s (為方便起見，稱之為源極側(cè)端子218s)。存儲(chǔ)電容218的柵極側(cè)端子218g電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子。存儲(chǔ)電容218的源極側(cè)端子218s通過(guò)發(fā)光晶體管
222而電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管214的源極端子。因而，當(dāng)發(fā)光晶體管222被導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極-源極電壓Vgs是存儲(chǔ)電容218上的充電電壓。發(fā)光晶體管222根據(jù)發(fā)光線210進(jìn)行操作(如，在發(fā)光線210被設(shè)定為高電平時(shí)發(fā)光晶體管222被導(dǎo)通，反之亦然)。如下文將進(jìn)一步說(shuō)明，存儲(chǔ)電容218能夠由此在像素200的發(fā)光階段期間保持驅(qū)動(dòng)晶體管214兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0080]驅(qū)動(dòng)晶體管214的漏極端子電連接至電壓電源線206。驅(qū)動(dòng)晶體管214的源極端子通過(guò)發(fā)光晶體管222電連接至0LED220的陽(yáng)極端子。0LED220的陰極端子可以接地或能夠可選地連接到諸如電源線Vss等第二電壓電源線。因而，0LED220與驅(qū)動(dòng)晶體管214的電流路徑串聯(lián)連接。類似于結(jié)合圖2A和2B對(duì)0LED110的說(shuō)明，一旦0LED220的陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電壓降達(dá)到0LED220的操作電壓(Vmd)，0LED220根據(jù)流經(jīng)0LED220的電流發(fā)光。
[0081]數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216和監(jiān)測(cè)晶體管212均根據(jù)選擇線204進(jìn)行操作(例如，當(dāng)選擇線204處于高電平時(shí)，晶體管212和216被導(dǎo)通，且當(dāng)選擇線204處于低電平時(shí)，晶體管212和216被關(guān)斷)。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216將驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子電連接至數(shù)據(jù)線202。在像素200的實(shí)施中，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216和/或監(jiān)測(cè)晶體管212能夠可選地由第二選擇線操作。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，監(jiān)測(cè)晶體管212將存儲(chǔ)電容218的源極側(cè)端子218s電連接至監(jiān)測(cè)線208。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216將數(shù)據(jù)線202電連接至存儲(chǔ)電容218的柵極側(cè)端子218g。
[0082]圖5B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖5A所示的像素200的時(shí)序圖。如圖5B所示，像素200可在編程階段223和發(fā)光階段224中進(jìn)行操作。圖5C是用于在TFT監(jiān)測(cè)階段225中操作圖5A所示的像素200以測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管214的各個(gè)方面的時(shí)序圖。圖是用于在OLED監(jiān)測(cè)階段226中操作圖5A所示的像素200以測(cè)量0LED220的各個(gè)方面的時(shí)序圖。
[0083]在操作(驅(qū)動(dòng))像素200的示例性實(shí)施中，可針對(duì)視頻顯示的各幀在編程階段223和發(fā)光階段224中操作像素200。還可可選地在監(jiān)測(cè)階段225和監(jiān)測(cè)階段226中的一者或兩者中操作像素200以監(jiān)測(cè)像素200由于驅(qū)動(dòng)晶體管214而產(chǎn)生的劣化或0LED220的劣化，或監(jiān)測(cè)上述兩種劣化。像素200可在監(jiān)測(cè)階段225和226中間歇地、周期性地進(jìn)行操作或根據(jù)排序和優(yōu)先級(jí)算法(sorting and prioritization algorithm)進(jìn)行操作，以動(dòng)態(tài)地確定和識(shí)別顯示器中的需要更新劣化信息以用于提供補(bǔ)償?shù)南袼亍Ｒ虼?，與經(jīng)由像素200顯示的單個(gè)幀相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)順序可包括編程階段223和發(fā)光階段224，且能夠可選地包括監(jiān)測(cè)階段225和226中的一者或兩者。
[0084]在編程階段223期間，選擇線204被設(shè)定為高電平且發(fā)光線210被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216和監(jiān)測(cè)晶體管212導(dǎo)通，而發(fā)光晶體管222關(guān)斷。數(shù)據(jù)線202被設(shè)定為編程電壓(VpiOg)，并且監(jiān)測(cè)線208被固定在參考電壓(Vref)。監(jiān)測(cè)線208能夠可選地被設(shè)定成補(bǔ)償電壓(Vcomp)而不是參考電壓Vref。存儲(chǔ)電容218的柵極側(cè)端子218g被設(shè)定成編程電壓Vprog且源極側(cè)端子218s被設(shè)定成參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)。由此，根據(jù)編程電壓Vprog與參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)之間的差對(duì)存儲(chǔ)電容218充電。在編程階段223期間對(duì)存儲(chǔ)電容218充電的電壓被稱為驅(qū)動(dòng)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓是這樣的電壓:其適于施加在驅(qū)動(dòng)晶體管兩端以產(chǎn)生將使0LED220發(fā)出期望量的光的期望驅(qū)動(dòng)電流。類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的像素100的操作，可選地施加至源極側(cè)端子218s的補(bǔ)償電壓Vcomp是用于消除像素電路200的諸如在監(jiān)測(cè)階段225和226期間測(cè)量到的劣化等劣化(如，驅(qū)動(dòng)晶體管214的閾值電壓Vt的增大)的適當(dāng)電壓。額外地或替代地，能夠通過(guò)調(diào)整施加到柵極側(cè)端子218g的編程電壓Vprog來(lái)補(bǔ)償像素200的劣化。
[0085]此外，類似于結(jié)合圖3A和3B所描述的像素130，發(fā)光晶體管222確保了驅(qū)動(dòng)晶體管214在編程階段223期間與存儲(chǔ)電容218隔離。通過(guò)使存儲(chǔ)電容218的源極側(cè)端子218s與驅(qū)動(dòng)晶體管214斷開連接，發(fā)光晶體管222確保了驅(qū)動(dòng)晶體管在編程期間不被導(dǎo)通，以使得沒(méi)有電流流經(jīng)開關(guān)晶體管。如先前所討論，通過(guò)經(jīng)由發(fā)光晶體管222使驅(qū)動(dòng)晶體管214與存儲(chǔ)電容218隔離，確保了在編程階段223期間在存儲(chǔ)電容218上充電的電壓與開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)。
[0086]在像素200的發(fā)光階段224期間，選擇線204被設(shè)定為低電平而發(fā)光線210被設(shè)定為高電平。在發(fā)光階段224期間，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216和監(jiān)測(cè)晶體管212關(guān)斷且發(fā)光晶體管222被導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光晶體管222，存儲(chǔ)電容218被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子與源極端子之間。驅(qū)動(dòng)晶體管214根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容218上的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓電源線206抽取驅(qū)動(dòng)電流。0LED220開啟且0LED220的陽(yáng)極端子處的電壓調(diào)整成0LED220的操作電壓V_D。存儲(chǔ)電容218通過(guò)自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管214的源極端子的電壓和/或柵極端子的電壓以消除這兩個(gè)電壓中一者或另一者的變化，由此保持驅(qū)動(dòng)電壓。例如，如果源極側(cè)端子218s上的電壓在發(fā)光階段224期間由于例如0LED220的陽(yáng)極端子處于操作電壓V_D而變化，存儲(chǔ)電容218調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子上的電壓，以保持驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子與源極端子之間的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0087]在像素200的TFT監(jiān)測(cè)階段225期間，選擇線204和發(fā)光線210都被設(shè)定成高電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216、監(jiān)測(cè)晶體管212和發(fā)光晶體管222都導(dǎo)通。數(shù)據(jù)線202被固定在第一校準(zhǔn)電壓(Vcall)，且監(jiān)測(cè)線208被固定在第二校準(zhǔn)電壓(￥0&12)。第一校準(zhǔn)電壓￥0&11通過(guò)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極端子。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2通過(guò)監(jiān)測(cè)晶體管212和發(fā)光晶體管222被施`加至驅(qū)動(dòng)晶體管214的源極端子。因此，第一校準(zhǔn)電壓VcalI和第二校準(zhǔn)電壓Vcal2固定了驅(qū)動(dòng)晶體管214的柵極-源極電壓Vgs,且驅(qū)動(dòng)晶體管214根據(jù)它的柵極-源極電壓Vgs從電壓電源線206抽取電流。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2也被施加至0LED220的陽(yáng)極，且有利地被選擇為足以關(guān)閉0LED220的電壓。通過(guò)在TFT監(jiān)測(cè)階段225期間關(guān)閉0LED220，確保了流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管214的電流不流過(guò)0LED220，而是經(jīng)由發(fā)光晶體管222和監(jiān)測(cè)晶體管212被傳輸至監(jiān)測(cè)線208。類似于結(jié)合圖2A和2B中的像素100對(duì)監(jiān)測(cè)階段121的說(shuō)明，能夠?qū)⒃诒O(jiān)測(cè)線208上測(cè)量的電流用于提取像素200的劣化信息，例如用于指示驅(qū)動(dòng)晶體管214的閾值電壓Vt的信息。
[0088]在像素200的OLED監(jiān)測(cè)階段226期間，選擇線204被設(shè)定成高電平而發(fā)光線210被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216和監(jiān)測(cè)晶體管212導(dǎo)通，而發(fā)光晶體管222關(guān)斷。數(shù)據(jù)線202被固定在參考電壓Vref，且監(jiān)測(cè)線拉出(source)或灌入(sink)監(jiān)測(cè)線208上的固定電流。監(jiān)測(cè)線208上的固定電流通過(guò)監(jiān)測(cè)晶體管212被施加至0LED220，且使0LED220處于它的操作電壓V_D。因此，通過(guò)將固定電流施加至監(jiān)測(cè)線208并測(cè)量監(jiān)測(cè)線208的電壓，能夠提取0LED220的操作電壓V_D。
[0089]還需注意，在圖5B至圖中，在每個(gè)操作階段內(nèi)，與選擇線被設(shè)定成特定電平相t匕，通常以更長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間來(lái)設(shè)定發(fā)光線的電平。通過(guò)在操作周期期間延遲、縮短或延長(zhǎng)選擇線204和/或發(fā)光線210所保持的值的持續(xù)時(shí)間，能夠在后續(xù)的操作周期之前將像素200的各個(gè)方面更精確地位于穩(wěn)定的點(diǎn)。例如，對(duì)于編程操作周期223，通過(guò)在將選擇線204設(shè)定為高電平之前將發(fā)光線210設(shè)定為低電平，使得驅(qū)動(dòng)晶體管214能夠在經(jīng)由數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管216將新的編程信息施加至驅(qū)動(dòng)晶體管之前停止驅(qū)動(dòng)電流。雖然針對(duì)像素200圖示了在像素200的不同操作周期之前和之后延遲或設(shè)置穩(wěn)定時(shí)間(settling time)的特征，但也可對(duì)本文所披露的其它電路(例如，像素100、130、170等)的操作周期進(jìn)行類似的修改。
[0090]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖5Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖5Α所示的像素200的驅(qū)動(dòng)電路和圖5Β至圖所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有除薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0091 ] 圖6Α是像素240的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。像素240的驅(qū)動(dòng)電路用于編程、監(jiān)測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素240。像素240包括用于傳輸流經(jīng)0LED256的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管252。0LED256類似于圖2Α所示的0LED110，且根據(jù)流過(guò)0LED256的電流發(fā)光。0LED256可以由任何電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件代替。具有連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器、地址驅(qū)動(dòng)器和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等的連接線的像素240可被用于結(jié)合圖1所描述的顯示系統(tǒng)50的顯示面板20中。
[0092]像素240的驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容262、數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260、監(jiān)測(cè)晶體管258和發(fā)光晶體管254。像素240連接至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)(data/monitor)線242、電壓電源線246、第一選擇線244、第二選擇線245和發(fā)光線250。驅(qū)動(dòng)晶體管252根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子和驅(qū)動(dòng)晶體管252的源極端子兩端的柵極-源極電壓(Vgs)和驅(qū)動(dòng)晶體管252的閾值電壓(Vt)從電壓電源線246提取電流。驅(qū)動(dòng)晶體管252的漏極-源極電流和柵極-源極電壓之間的關(guān)系類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管114的操作。
[0093]在像素240中，存儲(chǔ)電容262通過(guò)發(fā)光晶體管254而跨接于驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子和漏極端子。存儲(chǔ)電容262具有第一端子262g (為方便起見，稱之為柵極側(cè)端子262g)和第二端子262s (為方便起見，稱之為源極側(cè)端子262s)。存儲(chǔ)電容262的柵極側(cè)端子262g電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子。存儲(chǔ)電容262的源極側(cè)端子262s通過(guò)發(fā)光晶體管254而電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管252的源極端子。因而，當(dāng)發(fā)光晶體管254導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極-源極電壓Vgs是存儲(chǔ)電容262上的充電電壓。發(fā)光晶體管254根據(jù)發(fā)光線250進(jìn)行操作(例如，在發(fā)光線250被設(shè)定為高電平時(shí)，發(fā)光晶體管254被導(dǎo)通，反之亦然)。如下文將進(jìn)一步說(shuō)明地，存儲(chǔ)電容262能夠由此在像素240的發(fā)光階段期間保持驅(qū)動(dòng)晶體管252兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0094]驅(qū)動(dòng)晶體管252的漏極端子電連接至電壓電源線246。驅(qū)動(dòng)晶體管252的源極端子通過(guò)發(fā)光晶體管254電連接至0LED256的陽(yáng)極端子。0LED256的陰極端子可以接地或者能夠可選地連接至諸如電源線Vss等第二電壓電源線。因而，0LED256與驅(qū)動(dòng)晶體管252的電流路徑串聯(lián)連接。類似于結(jié)合圖2A和2B對(duì)0LED110的說(shuō)明，一旦0LED256的陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電壓降達(dá)到0LED256的操作電壓(Vmd)，0LED256根據(jù)流過(guò)0LED256的電流發(fā)光。[0095]數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260根據(jù)第一選擇線244進(jìn)行操作(例如，當(dāng)?shù)谝贿x擇線244被設(shè)定為高電平時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260被導(dǎo)通；當(dāng)?shù)谝贿x擇線244被設(shè)定為低電平時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260被關(guān)斷)。類似地，監(jiān)測(cè)晶體管258根據(jù)第二選擇線245進(jìn)行操作。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260將存儲(chǔ)電容262的柵極側(cè)端子262g電連接至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，監(jiān)測(cè)晶體管258將存儲(chǔ)電容262的源極側(cè)端子262s電連接至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242。
[0096]圖6B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖6A所示的像素240的時(shí)序圖。如圖6B所示，像素240可在編程階段227和發(fā)光階段228中進(jìn)行操作。圖6C是用于操作圖6A所示的像素240以測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管252的各個(gè)方面的時(shí)序圖。圖6D是用于操作圖6A所示的像素240以測(cè)量0LED256的各個(gè)方面的時(shí)序圖。
[0097]在操作(驅(qū)動(dòng))像素240的示例性實(shí)施中，可針對(duì)視頻顯示的各幀在編程階段227和發(fā)光階段228中操作像素240。還可以可選地在監(jiān)測(cè)階段一者或兩者中操作像素240以監(jiān)測(cè)像素240由于驅(qū)動(dòng)晶體管252而產(chǎn)生的劣化或0LED256的劣化，或監(jiān)測(cè)上述兩種劣化。
[0098]在編程階段227期間，第一選擇線244被設(shè)定為高電平，第二選擇線245被設(shè)定為低電平且發(fā)光線250被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260導(dǎo)通，而發(fā)光晶體管254和監(jiān)測(cè)晶體管258關(guān)斷。數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242被設(shè)定成編程電壓(Vprog)。能夠根據(jù)補(bǔ)償信息可選地調(diào)整編程電壓VpiOg，以補(bǔ)償像素240的劣化。存儲(chǔ)電容262的柵極側(cè)端子262g被設(shè)定成編程電壓Vprog，并且在沒(méi)有電流流經(jīng)0LED256時(shí)源極側(cè)端子262s處于與0LED256的陽(yáng)極端子相對(duì)應(yīng)的電壓。由此，根據(jù)編程電壓VpiOg對(duì)存儲(chǔ)電容262充電。在編程階段227期間對(duì)存儲(chǔ)電容262充電的電壓被稱為驅(qū)動(dòng)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓是這樣的電壓:其適于施加在驅(qū)動(dòng)晶體管252兩端以產(chǎn)生將使0LED256發(fā)出期望量的光的期望驅(qū)動(dòng)電流。
[0099]此外，類似于結(jié)合圖4A和4B所描述的像素160，發(fā)光晶體管254確保了驅(qū)動(dòng)晶體管252在編程階段227期間與存儲(chǔ)電容262隔離。通過(guò)使存儲(chǔ)電容262的源極側(cè)端子262s與驅(qū)動(dòng)晶體管252斷開連接，發(fā)光晶體管254確保了驅(qū)動(dòng)晶體管252在編程期間不被導(dǎo)通，以使得沒(méi)有電流流經(jīng)開關(guān)晶體管。如先前所討論，通過(guò)經(jīng)由發(fā)光晶體管254使驅(qū)動(dòng)晶體管252與存儲(chǔ)電容262隔離，確保了在編程階段227期間在存儲(chǔ)電容262上充電的電壓與開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)。
[0100]在像素240的發(fā)光階段228期間，第一選擇線244和第二選擇線245被設(shè)定為低電平而發(fā)光線250被設(shè)定為高電平。在發(fā)光階段228期間，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260和監(jiān)測(cè)晶體管258關(guān)斷且發(fā)光晶體管254導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光晶體管254，存儲(chǔ)電容262連接于驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子和源極端子兩端。驅(qū)動(dòng)晶體管252根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容262上的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓電源線246抽取驅(qū)動(dòng)電流。0LED256開啟且0LED256的陽(yáng)極端子處的電壓調(diào)整成0LED256的操作電壓V_D。存儲(chǔ)電容262通過(guò)自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管252的源極端子的電壓和/或柵極端子的電壓以消除這兩個(gè)電壓中一者或另一者的變化，由此保持驅(qū)動(dòng)電壓。例如，如果源極側(cè)端子262s上的電壓在發(fā)光階段228期間由于例如0LED256的陽(yáng)極端子處于操作電壓Vmd而變化，存儲(chǔ)電容262調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子上的電壓，以保持驅(qū)動(dòng)晶體管252的柵極端子和源極端子兩端的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0101]TFT監(jiān)測(cè)操作包括充電階段229和讀取階段230。在充電階段229期間，第一選擇線244被設(shè)定為高電平而第二選擇線245和發(fā)光線250被設(shè)定為低電平。類似于編程階段227，使用被施加至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242的第一校準(zhǔn)電壓(Vcall)來(lái)對(duì)存儲(chǔ)電容262的柵極側(cè)端子262g充電。接下來(lái)，在讀取階段230期間，第一選擇線244被設(shè)定為低電平，且第二選擇線245和發(fā)光線250被設(shè)定為高電平。數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242被設(shè)定成第二校準(zhǔn)電壓(Vcal2)。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2有利地反向偏置OLED256，使得流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管252的電流流至數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242。在測(cè)量電流的同時(shí)將數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242保持在第二校準(zhǔn)電壓值Vcal2。類似于上面的說(shuō)明，通過(guò)將所測(cè)量的電流與第一校準(zhǔn)電壓Vcall和第二校準(zhǔn)電壓Vcal2進(jìn)行比較，使得能夠提取與驅(qū)動(dòng)晶體管252相關(guān)的劣化信息。
[0102]OLED監(jiān)測(cè)階段也包括充電階段231和讀取階段232。在充電階段231期間，第一選擇線244被設(shè)定為高電平而第二選擇線245被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管260導(dǎo)通并將校準(zhǔn)電壓(Vcal)施加至存儲(chǔ)電容262的柵極側(cè)端子262g。在讀取階段232期間，將數(shù)據(jù)/監(jiān)測(cè)線242上電流固定，并同時(shí)測(cè)量電壓以提取0LED256的操作電壓(Vmd)。
[0103]像素240有利地將數(shù)據(jù)線和監(jiān)測(cè)線合并成一根線，與不具有上述合并的像素相t匕，這使得像素240能夠被封裝在更小的區(qū)域中，并由此增加了像素密度和顯示屏分辨率。
[0104]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖6Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖6Α所示的像素240的驅(qū)動(dòng)電路和圖6Β至6D所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有除薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0105]圖7Α是像素270的示例性像素電路構(gòu)造的電路圖。除了像素270在驅(qū)動(dòng)晶體管284和0LED288之間包括額外的發(fā)光晶體管286以及數(shù)據(jù)線272和監(jiān)測(cè)(monitor)線278的構(gòu)造不同于像素100之外，像素270在結(jié)構(gòu)上類似于圖2A中的像素100。發(fā)光晶體管286也位于存儲(chǔ)電容292和0LED288之間，使得在像素270的編程階段期間，能夠使存儲(chǔ)電容292不與0LED288電連接。通過(guò)在編程期間使存儲(chǔ)電容292與0LED288斷開連接，防止了存儲(chǔ)電容292的編程由于0LED288的電容而受到影響或擾亂。除了由發(fā)光晶體管286及數(shù)據(jù)和監(jiān)測(cè)線帶來(lái)的差異之外，如下文將進(jìn)一步說(shuō)明地，像素270還能夠以不同于像素100的方式操作。
[0106]圖7B是用于在編程階段和發(fā)光階段中操作圖7A所示的像素270的時(shí)序圖。如圖7B所示，像素270可在編程階段233和發(fā)光階段234中進(jìn)行操作。圖7C是用于在TFT監(jiān)測(cè)階段235中操作圖7A所示的像素270以測(cè)量驅(qū)動(dòng)晶體管284的各個(gè)方面的時(shí)序圖。圖7D是用于在OLED監(jiān)測(cè)階段236中操作圖7A所示的像素270以測(cè)量0LED288的各個(gè)方面的時(shí)序圖。
[0107]在操作(驅(qū)動(dòng))像素270的示例性實(shí)施中，可針對(duì)視頻顯示的各幀在編程階段233和發(fā)光階段234中操作像素270。還可以可選地在監(jiān)測(cè)階段235和236中的一者或兩者中操作像素270以監(jiān)測(cè)像素270由于驅(qū)動(dòng)晶體管284而產(chǎn)生的劣化或0LED288的劣化，或監(jiān)測(cè)上述兩種劣化。像素270可在監(jiān)測(cè)階段235和236中間歇地、周期性地進(jìn)行操作，或者根據(jù)排序和優(yōu)先級(jí)算法進(jìn)行操作，以動(dòng)態(tài)地確定和識(shí)別顯示器中的需要更新劣化信息以用于提供補(bǔ)償?shù)南袼?。因此，與通過(guò)像素270顯示的單個(gè)幀相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)順序可以包括編程階段233和發(fā)光階段234，且能夠可選地包括監(jiān)測(cè)階段235和236中的一者或兩者。
[0108]在編程階段233期間，選擇線274被設(shè)定為高電平且發(fā)光線280被設(shè)定為低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管290和監(jiān)測(cè)晶體管282被導(dǎo)通，而發(fā)光晶體管286被關(guān)斷。數(shù)據(jù)線272被設(shè)定成編程電壓(Vprog)，且監(jiān)測(cè)線278被固定在參考電壓(Vref)。監(jiān)測(cè)線278能夠可選地被設(shè)定成補(bǔ)償電壓(Vcomp)而不是參考電壓Vref。存儲(chǔ)電容292的柵極側(cè)端子292g被設(shè)定成編程電壓Vprog且源極側(cè)端子292s被設(shè)定成參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)。由此，根據(jù)編程電壓Vprog和參考電壓Vref (或補(bǔ)償電壓Vcomp)之間的差對(duì)存儲(chǔ)電容292充電。在編程階段233期間對(duì)存儲(chǔ)電容292充電的電壓被稱為驅(qū)動(dòng)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓是這樣的電壓:其適于施加在驅(qū)動(dòng)晶體管兩端以產(chǎn)生將使0LED288發(fā)出期望量的光的期望驅(qū)動(dòng)電流。類似于結(jié)合圖2A和2B所描述的像素100的操作，可選地被施加至源極側(cè)端子292s的補(bǔ)償電壓Vcomp是用于消除像素電路270的諸如在監(jiān)測(cè)階段235和236期間測(cè)量到的劣化等劣化(如，驅(qū)動(dòng)晶體管284的閾值電壓Vt的增大)的適當(dāng)電壓。額外地或替代地，能夠通過(guò)對(duì)施加至柵極側(cè)端子292g的編程電壓VpiOg的調(diào)整來(lái)補(bǔ)償像素270的劣化。
[0109]在像素270的發(fā)光階段234期間，選擇線274被設(shè)定為低電平而發(fā)光線280被設(shè)定為高電平。在發(fā)光階段234期間，數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管290和監(jiān)測(cè)晶體管282被關(guān)斷且發(fā)光晶體管286被導(dǎo)通。通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光晶體管286，存儲(chǔ)電容292被連接于驅(qū)動(dòng)晶體管284的柵極端子和源極端子之間。驅(qū)動(dòng)晶體管284根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容292上的驅(qū)動(dòng)電壓從電壓電源線276抽取驅(qū)動(dòng)電流。0LED288開啟且0LED288的陽(yáng)極端子處的電壓調(diào)整成0LED288的操作電壓VMD。存儲(chǔ)電容292通過(guò)自調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管284的源極端子的電壓和/或柵極端子的電壓以消除這兩個(gè)電壓中一者或另一者的變化，由此保持驅(qū)動(dòng)電壓。例如，如果源極側(cè)端子292s上的電壓在發(fā)光階段234期間由于例如0LED288的陽(yáng)極端子處于操作電壓V_D而變化，存儲(chǔ)電容292調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管284的柵極端子上的電壓，以保持驅(qū)動(dòng)晶體管284的柵極端子和源極端子之間的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0110]在像素270的TFT監(jiān)測(cè)階段235期間，選擇線274被設(shè)定成高電平而發(fā)光線280被設(shè)定成低電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管290和監(jiān)測(cè)晶體管282被導(dǎo)通，而發(fā)光晶體管286關(guān)斷。數(shù)據(jù)線272被固定在第一校準(zhǔn)電壓(Vcall)，且監(jiān)測(cè)線278被固定在第二校準(zhǔn)電壓(Vcal2)。第一校準(zhǔn)電壓Vcall通過(guò)數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管290被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管284的柵極端子。第二校準(zhǔn)電壓Vcal2通過(guò)監(jiān)測(cè)晶體管282被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管284的源極端子。因此，第一校準(zhǔn)電壓Vcall和第二校準(zhǔn)電壓Vcal2固定了驅(qū)動(dòng)晶體管284的柵極-源極電壓Vgs，并且驅(qū)動(dòng)晶體管284根據(jù)它的柵極-源極電壓Vgs從電壓電源線276抽取電流。發(fā)光晶體管286關(guān)斷，這使得在TFT監(jiān)測(cè)階段235期間將0LED288從驅(qū)動(dòng)晶體管284的電流路徑中移除。因而，來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管284的電流經(jīng)由監(jiān)測(cè)晶體管282被傳輸至監(jiān)測(cè)線278。類似于結(jié)合圖2A和2B中的像素100對(duì)監(jiān)測(cè)階段121的說(shuō)明，能夠?qū)⒃诒O(jiān)測(cè)線278上測(cè)量的電流用于提取像素270的劣化信息，例如用于指示驅(qū)動(dòng)晶體管284的閾值電壓Vt的信息。
[0111]在像素270的OLED監(jiān)測(cè)階段236期間，選擇線274和發(fā)光線280被設(shè)定為高電平。數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管290、監(jiān)測(cè)晶體管282和發(fā)光晶體管286都被導(dǎo)通。數(shù)據(jù)線272被固定在參考電壓Vref，且監(jiān)測(cè)線拉出或灌入監(jiān)測(cè)線278上的固定電流。監(jiān)測(cè)線278上的固定電流通過(guò)監(jiān)測(cè)晶體管282被施加至0LED288，且使0LED288處于它的操作電壓V_D。因此，通過(guò)將固定電流施加到監(jiān)測(cè)線278并測(cè)量監(jiān)測(cè)線278的電壓，能夠提取0LED288的操作電壓V_D。
[0112]雖然使用η型晶體管(其可以是薄膜晶體管并且可以由非晶硅形成)圖示了圖7Α所示的驅(qū)動(dòng)電路，但也可以將圖7Α所示的像素270的驅(qū)動(dòng)電路和圖7Β至圖7D所示的操作周期擴(kuò)展成具有一個(gè)或多個(gè)P型晶體管且具有除薄膜晶體管之外的其它晶體管的互補(bǔ)電路。
[0113]這里披露的電路通常是指彼此連接或耦合的電路元器件。在多數(shù)情況下，這里所指的連接是通過(guò)直接連接實(shí)現(xiàn)的，即在連接點(diǎn)之間除了導(dǎo)線之外不存在任何電路元件。盡管沒(méi)有總是明確地說(shuō)明，但這類連接能夠通過(guò)在顯示面板的基板上限定的導(dǎo)電溝道來(lái)實(shí)現(xiàn)(例如，通過(guò)沉積在各種連接點(diǎn)之間的導(dǎo)電透明氧化物來(lái)實(shí)現(xiàn))。銦錫氧化物是一種此類導(dǎo)電透明氧化物。在一些情況下，耦合和/或連接的元器件可通過(guò)連接點(diǎn)之間的電容性耦合來(lái)進(jìn)行耦合，以使得連接點(diǎn)通過(guò)該電容元件串聯(lián)連接。雖然沒(méi)有直接連接，但此類電容性耦合連接仍使得這些連接點(diǎn)能夠電壓變化而相互影響，上述電壓變化通過(guò)經(jīng)由電容性耦合作用且不存在DC偏置的情況下而被反映在另一連接點(diǎn)處。
[0114]此外，在一些情況下，本文所述的各種連接和耦合能夠通過(guò)借助兩個(gè)連接點(diǎn)之間的其它電路元件的非直接連接來(lái)實(shí)現(xiàn)。一般而言，布置在連接點(diǎn)之間的一個(gè)或多個(gè)電路元件可以是二極管、電阻、晶體管、開關(guān)等。在連接是非直接連接的情況下，兩個(gè)連接點(diǎn)之間的電壓和/或電流經(jīng)由用于連接的電路元件而充分相關(guān)，以至于這兩個(gè)連接點(diǎn)能夠(經(jīng)由電壓變化、電流變化等)相互影響，同時(shí)仍能夠?qū)崿F(xiàn)與本文所述的效果相同的效果。電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在一些示例中，可以對(duì)電壓和/或電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，以應(yīng)對(duì)用于提供非直接連接的額外的電路元件。
[0115]這里披露的任何電路可根據(jù)多種不同的制造技術(shù)來(lái)制造，這些技術(shù)包括例如多晶娃、非晶娃、有機(jī)半導(dǎo)體、金屬氧化物和傳統(tǒng)的CMOS。這里披露的任何電路可通過(guò)相對(duì)應(yīng)的互補(bǔ)電路結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行修改(如，η型晶體管可被轉(zhuǎn)換成P型晶體管，反之亦然)。
[0116]可使用兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算系統(tǒng)或設(shè)備來(lái)替換這里披露的任何一個(gè)控制器。因此，需要時(shí)還可以實(shí)施諸如冗余、復(fù)制等分布式處理的原理和優(yōu)點(diǎn)，以提高這里披露的控制器的魯棒性和性能。
[0117]本文中披露的示例性確定方法和處理的操作可通過(guò)機(jī)器可讀指令來(lái)實(shí)施。在這些示例中，機(jī)器可讀指令包括如下設(shè)備的執(zhí)行算法:(a)處理器、(b)控制器、和/或(C) 一個(gè)或多個(gè)其它合適的處理設(shè)備。所述算法可以包含在諸如閃存、CD-ROM、軟盤、硬盤驅(qū)動(dòng)器、數(shù)字視頻(多功能)磁盤(DVD)或其它存儲(chǔ)設(shè)備等有形介質(zhì)所存儲(chǔ)的軟件中，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解，整個(gè)和/或部分算法也可按照公知的方式由處理器之外的設(shè)備執(zhí)行且/或包含在固件或?qū)Ｓ糜布?如，它可由專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯設(shè)備(PLD)、現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件(FPLD)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、離散邏輯元件等實(shí)施)。例如，基線數(shù)據(jù)確定方法中的任何或所有組成部分可由軟件、硬件和或固件來(lái)實(shí)施。而且，這里闡述的機(jī)器可讀指令中的一些或所有指令可手動(dòng)地實(shí)施。
[0118]雖然已經(jīng)圖示和說(shuō)明了本發(fā)明的特定實(shí)施例和應(yīng)用，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于本文中披露的精確結(jié)構(gòu)和組成，且在不脫離所附的權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，各種變形、改變和變化根據(jù)上述說(shuō)明是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種用于補(bǔ)償顯示器陣列中的像素的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 像素電路，在編程周期期間根據(jù)編程信息對(duì)所述像素電路編程，且在發(fā)光周期期間根據(jù)所述編程信息驅(qū)動(dòng)所述像素電路以發(fā)光，所述像素電路包括: 發(fā)光器件，所述發(fā)光器件在所述發(fā)光周期期間發(fā)光， 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述發(fā)光周期期間傳輸經(jīng)過(guò)所述發(fā)光器件的電流， 存儲(chǔ)電容，在所述編程周期期間，所述存儲(chǔ)電容被充電有至少部分地基于所述編程信息的電壓，以及 發(fā)光控制晶體管，所述發(fā)光控制晶體管被布置為在所述發(fā)光周期期間選擇性地連接所述發(fā)光器件、所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述存儲(chǔ)電容中的至少兩者，使得電流根據(jù)所述存儲(chǔ)電容上的電壓經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管被傳輸通過(guò)所述發(fā)光器件；以及 驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器通過(guò)根據(jù)所述編程信息對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電來(lái)經(jīng)由數(shù)據(jù)線編程所述像素電路； 監(jiān)測(cè)器，所述監(jiān)測(cè)器提取用于指示所述像素電路的老化劣化的電壓或電流；以及 控制器，所述控制器操作所述監(jiān)測(cè)器和所述驅(qū)動(dòng)器，并且所述控制器被設(shè)置用于: 從所述監(jiān)測(cè)器接收劣化量的指示； 接收用于指示將從所述發(fā)光器件發(fā)出的亮度的量的數(shù)據(jù)輸入； 基于所述劣化量，確`定補(bǔ)償量以提供至所述像素電路；而且 將所述編程信息提供至所述驅(qū)動(dòng)器以編程所述像素電路，其中，所述編程信息至少部分地基于所接收的數(shù)據(jù)輸入和所確定的補(bǔ)償量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述像素電路還包括: 數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管根據(jù)選擇線進(jìn)行操作以將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子連接至所述數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線連接至所述監(jiān)測(cè)器以在監(jiān)測(cè)周期期間測(cè)量經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管連接至所述發(fā)光器件，且其中，所述數(shù)據(jù)線在所述監(jiān)測(cè)周期期間被固定在校準(zhǔn)電壓，所述校準(zhǔn)電壓足以關(guān)閉所述發(fā)光器件使得在所述監(jiān)測(cè)周期期間經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流不會(huì)經(jīng)過(guò)所述發(fā)光器件傳輸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)測(cè)器包括電壓檢測(cè)器，所述電壓檢測(cè)器用于經(jīng)由所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管監(jiān)測(cè)所述發(fā)光器件的操作電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光控制晶體管連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子與所述存儲(chǔ)電容之間，使得在所述發(fā)光控制晶體管被關(guān)斷時(shí)的所述編程周期期間，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子與所述存儲(chǔ)電容隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括參考開關(guān)晶體管，所述參考開關(guān)晶體管連接在所述存儲(chǔ)電容和參考線之間，使得在所述編程周期期間，根據(jù)施加至所述參考線的參考電壓和施加在所述數(shù)據(jù)線上的編程電壓之間的差來(lái)對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，所述參考線在所述編程階段期間提供補(bǔ)償電壓，所述補(bǔ)償電壓基于由所述控制器確定的所述補(bǔ)償量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括: 數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管根據(jù)選擇線進(jìn)行操作以在編程周期和監(jiān)測(cè)周期期間將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子連接至所述數(shù)據(jù)線；第一參考開關(guān)晶體管，所述第一參考開關(guān)晶體管根據(jù)所述選擇線進(jìn)行操作以在所述編程周期期間將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子連接至第一參考線，使得所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述編程周期期間被關(guān)斷；以及 第二參考開關(guān)晶體管，所述第二參考開關(guān)晶體管根據(jù)所述選擇線進(jìn)行操作以將第二參考線連接至所述存儲(chǔ)電容的與所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管相連接的一個(gè)端子之外的另一端子，使得在所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管、所述第一參考開關(guān)晶體管和所述第二參考晶體管被導(dǎo)通時(shí)的所述編程周期期間，根據(jù)施加在所述數(shù)據(jù)線上的編程電壓與施加在所述第二參考線上的參考電壓或補(bǔ)償電壓之間的差對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述數(shù)據(jù)線連接至所述監(jiān)測(cè)器以在所述像素電路的監(jiān)測(cè)周期期間測(cè)量經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括成行和成列地布置的多個(gè)相似的像素電路以形成顯示面板，并且其中，所述控制器還用于接收所述多個(gè)像素電路中每個(gè)像素電路的老化劣化的指示，用于確定所述多個(gè)像素電路中每個(gè)像素電路的劣化量，并用于根據(jù)所確定的各個(gè)補(bǔ)償量來(lái)編程所述多個(gè)像素電路中每個(gè)像素電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光控制晶體管在所述發(fā)光周期期間將所述存儲(chǔ)電容連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子和源極端子之間，所述像素電路還包括: 數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管根據(jù)選擇線進(jìn)行操作以將所述數(shù)據(jù)線連接至所述存儲(chǔ)電容的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極端子相連接的端子；以及 監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管，所述監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管根據(jù)所述選擇線進(jìn)行操作以將監(jiān)測(cè)線連接至所述存儲(chǔ)電容的與所述發(fā)光晶體管相連接的端子，所述監(jiān)測(cè)線連接至所述監(jiān)測(cè)器以在所述監(jiān)測(cè)周期期間測(cè)量經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述監(jiān)測(cè)線在所述監(jiān)測(cè)周期期間被固定在校準(zhǔn)電壓，所述校準(zhǔn)電壓足以關(guān)閉所述發(fā)光器件，使得在所述監(jiān)測(cè)周期期間經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流不會(huì)經(jīng)過(guò)所述發(fā)光器件傳輸。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光控制晶體管連接于所述存儲(chǔ)電容與所述發(fā)光器件之間，由此在所述編程階段期間使所述存儲(chǔ)電容與所述發(fā)光器件隔離，以防止施加至所述存儲(chǔ)電容的電壓受到所述發(fā)光器件的內(nèi)部電容的影響。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光控制晶體管連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極端子與所述發(fā)光器件之間，由此在所述發(fā)光控制晶體管被關(guān)斷時(shí)防止所述驅(qū)動(dòng)晶體管向所述發(fā)光器件傳輸電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光晶體管的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管相連接的端子也連接至所述存儲(chǔ)電容器和所述監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述像素電路還包括: 數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管根據(jù)第一選擇線進(jìn)行操作以將所述數(shù)據(jù)線連接到所述存儲(chǔ)電容的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子相連接的端子；以及 監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管，所述監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管根據(jù)第二選擇線進(jìn)行操作以將所述數(shù)據(jù)線連接至所述存儲(chǔ)電容的與所述發(fā)光晶體管相連接的端子，所述監(jiān)測(cè)線在所述監(jiān)測(cè)階段期間連接至所述監(jiān)測(cè)器以測(cè)量經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光器件是有機(jī)發(fā)光二極管。
18.一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的像素電路，所述像素電路包括: 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于根據(jù)施加在所述驅(qū)動(dòng)晶體管兩端的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)經(jīng)過(guò)發(fā)光器件的電流； 存儲(chǔ)電容，在編程周期期間以所述驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電； 發(fā)光控制晶體管，所述發(fā)光控制晶體管用于連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述發(fā)光器件和所述存儲(chǔ)電容中的至少兩者，使得在所述發(fā)光周期期間根據(jù)所述存儲(chǔ)電容被充電的電壓傳輸經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流；以及 至少一個(gè)開關(guān)晶體管，在監(jiān)測(cè)周期期間，所述至少一個(gè)開關(guān)晶體管將經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流路徑連接至監(jiān)測(cè)器，所述監(jiān)測(cè)器用于接收基于經(jīng)過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的老化信息。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中，所述發(fā)光控制晶體管與所述發(fā)光器件串聯(lián)連接，以防止在所述編程周期期間在所述像素電路被編程時(shí)所述驅(qū)動(dòng)晶體管傳輸電流經(jīng)過(guò)所述至少一個(gè)開關(guān)晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素電路，其中，所述像素電路以與所述至少一個(gè)開關(guān)晶體管的電阻無(wú)關(guān)的方式被編程。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中，所述存儲(chǔ)電容在所述發(fā)光周期期間經(jīng)由所述發(fā)光控制晶體管連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子與源極端子之間，并且其中，所述存儲(chǔ)電容在編程周期期間與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子或源極端子中的至少一者斷開連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，所述像素電路還包括: 數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管，所述數(shù)據(jù)開關(guān)晶體管根據(jù)選擇線進(jìn)行操作以在所述編程周期期間將所述數(shù)據(jù)線連接至所述存儲(chǔ)電容的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子相連接的端子；并且其中，所述至少一個(gè)開關(guān)晶體管是監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管，所述檢測(cè)開關(guān)晶體管根據(jù)所述選擇線或另一選擇線進(jìn)行操作，以在所述監(jiān)測(cè)周期期間將用于指示所述像素電路的劣化量的電流或電壓傳輸至所述監(jiān)測(cè)器，所述監(jiān)測(cè)開關(guān)晶體管連接至所述發(fā)光控制晶體管和所述存儲(chǔ)電容。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中，所述發(fā)光晶體管和所述存儲(chǔ)電容在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子和源極端子之間串聯(lián)連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路，其中，所述發(fā)光器件包括有機(jī)發(fā)光二極管。
25.一種用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的像素電路，所述像素電路包括: 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于根據(jù)施加在所述驅(qū)動(dòng)晶體管兩端的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)流經(jīng)發(fā)光器件的電流； 存儲(chǔ)電容，在編程周期期間以所述驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電； 一個(gè)或多個(gè)開關(guān)晶體管，所述一個(gè)或多個(gè)開關(guān)晶體管用于在所述編程周期期間將所述存儲(chǔ)電容連接至一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)線或參考線，所述數(shù)據(jù)線或參考線用于提供這樣的電壓:該電壓足以使所述存儲(chǔ)電容充有所述驅(qū)動(dòng)電壓；以及 發(fā)光控制晶體管，所述發(fā)光控制晶體管根據(jù)發(fā)光線進(jìn)行操作，以在所述編程周期期間使所述存儲(chǔ)電容與所述發(fā)光器件斷開連接，使得所述存儲(chǔ)電容以與所述發(fā)光器件的電容無(wú)關(guān)地被充電。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的像素電路，其中，所述發(fā)光控制晶體管串聯(lián)連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光器件之間，使得在所述發(fā)光控制晶體管被導(dǎo)通時(shí)，所述發(fā)光器件從所述驅(qū)動(dòng)晶體管接收電流。
27.—種顯示系統(tǒng)，所述顯示系統(tǒng)包括: 像素電路，在編程周期期間根據(jù)編程信息對(duì)所述像素電路編程，且在發(fā)光周期期間根據(jù)所述編程信息驅(qū)動(dòng)所述像素電路以發(fā)光，所述像素電路包括: 發(fā)光器件，所述發(fā)光器件在所述發(fā)光周期期間發(fā)光， 驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管在所述發(fā)光周期期間傳輸流經(jīng)所述發(fā)光器件的電流，所述電流是根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極端子之間的電壓而被傳輸?shù)模? 存儲(chǔ)電容，在所述編程周期期間，所述存儲(chǔ)電容被充電有至少部分地基于所述編程信息的電壓，所述存儲(chǔ)電容連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極端子與源極端子之間，以及 第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極端子連接至數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器通過(guò)向所述存儲(chǔ)電容的與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極端子相連接的端子施加電壓，經(jīng)由所述數(shù)據(jù)線編程所述像素電路； 監(jiān)測(cè)器，所述監(jiān)測(cè)器提取用于指示所述像素電路的老化劣化的電壓或電流；以及 控制器，所述控制器操作所述監(jiān)測(cè)器和所述驅(qū)動(dòng)器，并且所述控制器被設(shè)置用于: 從所述監(jiān)測(cè)器接收劣化量的指示； 接收用于指示將從所述發(fā)光器件發(fā)出的亮度的量的數(shù)據(jù)輸入； 基于所述劣化量，確定補(bǔ)償量以提 供至所述像素電路；且 向所述驅(qū)動(dòng)器提供所述編程信息以編程所述像素電路，其中，所述編程信息至少部分地基于所接收的數(shù)據(jù)輸入和所確定的補(bǔ)償量。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示系統(tǒng)，其中，所述像素電路還包括第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極端子連接至參考線。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的顯示系統(tǒng)，其中，所述第一開關(guān)晶體管和所述第二開關(guān)晶體管根據(jù)共用的選擇線進(jìn)行操作。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示系統(tǒng)，其中，所述控制器還用于在所述編程周期期間在所述參考線上施加參考電壓，使得根據(jù)所述參考電壓與所述數(shù)據(jù)線上的電壓之間的差對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示系統(tǒng)，其中，所述控制器還用于在所述編程周期期間在所述參考線上施加補(bǔ)償電壓，其中，所述編程電壓基于所述所確定的補(bǔ)償量。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示系統(tǒng)，所述顯示系統(tǒng)還包括成行和成列地布置的多個(gè)相似的像素電路以形成顯示面板，并且其中，所述控制器用于提取所述顯示面板中的每個(gè)像素電路的老化劣化的指示，用于確定所述顯示面板中的每個(gè)像素電路的補(bǔ)償量，并用于根據(jù)所確定的各個(gè)補(bǔ)償量來(lái)編程所述顯示面板中的每個(gè)像素電路。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示系統(tǒng)，其中，所述發(fā)光器件包括發(fā)光二極管。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103562989SQ201280026000
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2012年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月27日
【發(fā)明者】戈?duì)柪斎鹪で〖? 申請(qǐng)人:伊格尼斯創(chuàng)新公司