用于驅(qū)動模擬干涉式調(diào)制器的系統(tǒng)、裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于校準及控制模擬干涉式調(diào)制器的激活的系統(tǒng)、方法及設備。在一個方面中，所述模擬干涉式調(diào)制器的可移動層的電極可包含用于接收驅(qū)動電壓的部分及電隔離部分?？蓮乃鲭姼綦x部分感測電壓，且所述電壓可用以確定所述可移動層的位置及/或?qū)λ鲵?qū)動電壓提供反饋。
【專利說明】用于驅(qū)動模擬干涉式調(diào)制器的系統(tǒng)、裝置及方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及用于模擬干涉式調(diào)制器且用于檢測安置在兩個其它導體之間的可移動導體的位置的驅(qū)動方案及校準方法。
【背景技術】
[0002]機電系統(tǒng)(EMS)包含具有電元件及機械元件、激活器、變換器、傳感器、光學組件(例如，鏡)及電子裝置的裝置。機電系統(tǒng)可以多種尺度制造，包含(但不限于)微尺度及納米尺度。例如，微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有在約I微米到數(shù)百微米或更大的范圍內(nèi)的大小的結(jié)構(gòu)。納米機電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(包含例如小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕除襯底及/或經(jīng)沉積材料層的部分或添加層的其它微機械加工工藝產(chǎn)生機電元件以形成電裝置及機電裝置。
[0003]一種類型的EMS裝置稱為干涉式調(diào)制器(MOD)。如本文使用，術語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器是指使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉式調(diào)制器可包含一對導電板，所述對導電板中的一者或兩者可為全部或部分透明及/或具反射性且能夠在施加適當電信號之后相對運動。在一實施方案中，一個板可包含沉積于襯底上的固定層，且另一板可包含通過氣隙與所述固定層分離的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷湓谒龈缮媸秸{(diào)制器上的光的光學干涉。干涉式調(diào)制器裝置具有廣泛的應用，且預期用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品及產(chǎn)生新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，所述若干創(chuàng)新方面中的單個者不單獨負責本發(fā)明的本文揭示的所要屬性。
[0005]本發(fā)明中描述的標的物的一個創(chuàng)新方面可實施于用于調(diào)制光的裝置中。在此方面中，用于調(diào)制光的裝置可包含至少第一、第二、第三及第四電極?？煽缢龅谝浑姌O及所述第二電極施加固定電壓，且可施加可變電壓到所述第三電極；且電壓傳感器可耦合到所述第四電極。
[0006]其它創(chuàng)新方面涉及驅(qū)動用于調(diào)制光的裝置的方法。在一個此方面中，驅(qū)動用于調(diào)制光的裝置的方法包含:跨第一電極及第二電極施加第一電壓；施加第二電壓到第三電極；以及感測第四電極的電壓。
[0007]在另一創(chuàng)新方面中，用于調(diào)制光的裝置包含:用于跨第一電極及第二電極施加第一電壓的裝置；用于施加第二電壓到第三電極的裝置；以及用于感測第四電極的電壓的裝置。
[0008]在附圖及下文描述中陳述本說明書中描述的標的物的一或多個實施方案的細節(jié)。雖然主要就基于機電系統(tǒng)(EMS)及微機電系統(tǒng)(MEMS)的顯示器描述本發(fā)明中提供的實例，但是本文提出的概念還可應用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器、有機發(fā)光二極管(“OLED”)顯示器及場發(fā)射顯示器。從描述、圖式及權(quán)利要求書將明白其它特征、方面及優(yōu)點。注意，下列圖式的相對尺寸可能并非按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1A及IB展示描繪兩個不同狀態(tài)中的干涉式調(diào)制器(MOD)顯示裝置的像素的等角視圖的實例。
[0010]圖2展示說明用于光學MEMS顯示裝置的驅(qū)動電路陣列的示意性電路圖的實例。
[0011]圖3展示說明圖2的驅(qū)動電路及相關聯(lián)的顯示元件的結(jié)構(gòu)的一個實施方案的示意性部分橫截面的實例。
[0012]圖4展示具有干涉式調(diào)制器陣列及具有嵌入式電路的背板的光學MEMS顯示裝置的示意性部分分解透視圖的實例。
[0013]圖5展示具有兩個固定層及可移動第三層的干涉式調(diào)制器的橫截面。
[0014]圖6展示說明用于具有圖5的結(jié)構(gòu)的光學EMS顯示裝置的驅(qū)動電路陣列的示意性電路圖的實例。
[0015]圖7A到7C展示圖5的干涉式調(diào)制器的兩個固定層及可移動層的橫截面，其說明材料的堆疊。
[0016]圖8展示圖5中說明的干涉式調(diào)制器及電壓源的示意性表示。
[0017]圖9A展示說明具有兩個電隔離部分的電極的俯視圖的圖。
[0018]圖9B展示說明具有兩個電隔離部分的另一電極的俯視圖的圖。
[0019]圖10展示圖9A或9B的實施于圖5的干涉式調(diào)制器中的電極的示意性表示。
[0020]圖11展示用于確定安置在兩個固定導電層之間的可移動導電層的位置的過程的流程圖。
[0021]圖12展示經(jīng)配置以對圖9A的電極提供反饋的電壓傳感器的說明。
[0022]圖13展示用于驅(qū)動用于調(diào)制光的裝置的過程的流程圖。
[0023]圖14展示說明圖12的傳感器及反饋的實施方案的電路圖。
[0024]圖15展示說明并入有電壓感測及反饋以定位每一調(diào)制器的中間層的干涉式調(diào)制器的陣列的圖。
[0025]圖16展示具有具備固定感測電極的固定層及可移動層的干涉式調(diào)制器的橫截面。
[0026]圖17展示說明如圖16中所示的并入有電壓感測及反饋以定位每一調(diào)制器的可移動層的干涉式調(diào)制器的陣列的另一實施方案的圖。
[0027]圖18A及18B展示說明包含多個干涉式調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0028]圖19為具有光學MEMS顯示器的電子裝置的示意性分解透視圖的實例。
[0029]在各個圖式中，相同的參考數(shù)字及標號指示相同元件。
【具體實施方式】
[0030]以下描述是針對用于描述本發(fā)明的創(chuàng)新方面的目的的某些實施方案。然而，所屬領域的一股技術人員將容易認識到，本文中的教示可以許多不同方式應用。所描述的實施方案可在可經(jīng)配置以顯示無論為動態(tài)(例如，視頻)還是靜態(tài)(例如，靜止圖像)且無論為文本、圖形還是圖片的圖像的任何裝置或系統(tǒng)中實施。更特定來說，預期所描述的實施方案可包含于多種電子裝置中或與多種電子裝置相關聯(lián)，所述電子裝置例如(但不限于):移動電話、具有多媒體因特網(wǎng)能力的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、Bluclomh?裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機、上網(wǎng)本、筆記本計算機、智能本、平板計算機、打印機、復印機、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝錄像機、游戲控制臺、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子書閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(包含里程表及速度計顯示器等等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、攝影機景觀顯示器(例如車輛中的后視攝影機的顯示器)、電子相冊、電子廣告牌或標志牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡帶記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機、便攜式存儲器芯片、洗衣機、干衣機、洗衣機/干衣機、停車定時器、封裝(例如在機電系統(tǒng)(EMS)、微機電系統(tǒng)(MEMS)及非MEMS應用中)、美學結(jié)構(gòu)(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)及多種EMS裝置。本文中的教示還可用于非顯示器應用中，例如(但不限于)電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、消費型電子裝置的慣性組件、消費型電子裝置產(chǎn)品的零件、可變?nèi)菘蛊鳌⒁壕аb置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造工藝及電子測試設施。因此，所述教示不希望限于僅在圖式中描繪的實施方案，而是如所屬領域的一股技術人員將容易明白股具有廣泛適用性。
[0031]本文描述的某些方法及裝置涉及模擬干涉式調(diào)制器的實施方案。模擬干涉式調(diào)制器可驅(qū)動到具有不同的光學性質(zhì)的一系列不同位置。本發(fā)明揭示用于校準及控制模擬干涉式調(diào)制器的位置以實現(xiàn)各種光學狀態(tài)的方法及系統(tǒng)。在一些實施方案中，可移動層包含電隔離感測電極。在其它實施方案中，固定襯底包含電隔離感測電極。所述感測電極上的電壓可用于反饋回路中以響應于驅(qū)動電壓而控制所述可移動層的位置。
[0032]本發(fā)明中描述的標的物的特定實施方案可經(jīng)實施以實現(xiàn)以下潛在優(yōu)點中的一或多者。本文揭示的系統(tǒng)及方法可允許快速且精確的調(diào)制器定位并增加產(chǎn)生顯示裝置中的調(diào)制器的高性能陣列的能力，即使當所述陣列的調(diào)制器的物理性質(zhì)包含與制造公差相關的性能差異時也如此。
[0033]可應用所描述的實施方案的適當EMS或MEMS裝置的實例為反射顯示裝置。反射顯示裝置可并入有干涉式調(diào)制器(MOD)以使用光學干涉的原理選擇性地吸收及/或反射入射在其上的光。IMOD可包含吸收體、可相對于所述吸收體移動的反射體及界定于所述吸收體與所述反射體之間的光學諧振腔。所述反射體可移動到兩個或兩個以上不同位置，這可改變光學諧振腔的大小且借此影響所述干涉式調(diào)制器的反射率。IMOD的反射率光譜可產(chǎn)生相當寬的光譜帶，所述光譜帶可跨可見波長移位以產(chǎn)生不同色彩?？赏ㄟ^改變光學諧振腔的厚度來調(diào)整光譜帶的位置。一種改變所述光學諧振腔的方式為通過改變所述反射體的位置。
[0034]圖1A及IB展示描繪兩種不同狀態(tài)中的干涉式調(diào)制器(MOD)顯示裝置的像素的等角視圖的實例。MOD顯示裝置包含一或多個干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)中。在亮(“松弛”、“敞開”或“開啟”)狀態(tài)中，顯示元件將入射可見光的大部分反射到例如用戶。相反，在暗(“激活”、“閉合”或“關閉”)狀態(tài)中，顯示元件反射極少的入射可見光。在一些實施方案中，可顛倒開啟狀態(tài)及關閉狀態(tài)的光反射率性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長處反射，從而除黑色及白色以外還允許彩色顯示。
[0035]IMOD顯示裝置可包含IMOD的行/列陣列。每一 IMOD可包含一對反射層(即，可移動反射層及固定部分反射層)，所述對反射層定位于彼此相距可變且可控制距離處以形成氣隙(還稱為光學間隙或腔)。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，所述可移動反射層可定位于距所述固定部分反射層的相對較大距離處。在第二位置(即，激活位置)中，所述可移動反射層可定位成更接近于所述部分反射層。從所述兩個層反射的入射光可取決于所述可移動反射層的位置而相長或相消地干涉，從而針對每一像素產(chǎn)生總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，IMOD在未激活時可處于反射狀態(tài)中，反射可見光譜內(nèi)的光，且在未激活時可處于暗狀態(tài)中，吸收及/或相消地干涉可見范圍內(nèi)的光。然而，在一些其它實施方案中，IMOD在未激活時可處于暗狀態(tài)中，且在激活時處于反射狀態(tài)中。在一些實施方案中，引入施加電壓可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，施加電荷可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。
[0036]圖1A及IB中的所描述的像素描繪IM0D12的兩種不同狀態(tài)。在圖1A的IM0D12中，可移動反射層14說明為處于距包含部分反射層的光學堆疊16的預定距離處的松弛位置中。因為跨圖1A中的IM0D12未施加電壓，所以可移動反射層14保持在松弛或未激活狀態(tài)中。在圖1B的IM0D12中，可移動反射層14說明為處于鄰近于光學堆疊16的激活位置中?？鐖D1B中的IM0D12施加的電壓Varfuate足以將可移動反射層14激活到激活位置。
[0037]在圖1中，像素12的反射性質(zhì)整體用箭頭13說明，箭頭13指示入射在像素12上的光及從左側(cè)像素12反射的光15。所屬領域的一股技術人員將容易認識到，入射在像素12上的光13的大部分將朝向光學堆疊16而透射穿過透明襯底20。入射在光學堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學堆疊16的部分反射層且一部分將被反射回來穿過透明襯底
20。透射穿過光學堆疊16的光13的部分將在可移動反射層14處朝向透明襯底20被反射回來(并穿過)透明襯底20。從光學堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長或相消)將確定從像素12反射的光15的波長。
[0038]光學堆疊16可包含單個層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射及部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一或多者。在一些實施方案中，光學堆疊16導電、部分透明且部分反射，且可例如通過將上述層中的一或多者沉積在透明襯底20上而制造。電極層可由多種材料(例如各種金屬，例如氧化銦錫(ITO))形成。部分反射層可由具部分反射性的多種材料(例如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導體及電介質(zhì))形成。部分反射層可由一或多個材料層形成，且所述層中的每一者可由單個材料或材料組合形成。在一些實施方案中，光學堆疊16可包含單個半透明厚度的金屬或半導體，所述金屬或半導體用作光學吸收體及導體兩者，而(例如，光學堆疊16的或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同、導電性更強的層或部分可用以在IMOD像素之間匯流信號。光學堆疊16還可包含覆蓋一或多個導電層或?qū)щ?光學吸收層的一或多個絕緣或電介質(zhì)層。
[0039]在一些實施方案中，下電極16在每一像素處接地。在一些實施方案中，這可通過在襯底上沉積連續(xù)光學堆疊16及在沉積層的外圍處將整個薄片接地而完成。在一些實施方案中，例如鋁(Al)等高度導電及反射材料可用于可移動反射層14?？梢苿臃瓷鋵?4可形成為沉積在柱18的頂部上的一或多個金屬層及沉積在柱18之間的介入犧牲材料。當蝕除犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成經(jīng)界定間隙19或光學腔。在一些實施方案中，柱18之間的間隔可為大約I μ m到1000 μ m，而間隙19可小于大約10，000埃(A)。
[0040]在一些實施方案中，頂OD的每一像素(無論處于激活狀態(tài)中還是松弛狀態(tài)中)本質(zhì)上為通過固定反射層及移動反射層形成的電容器。如通過圖1A中的像素12所說明，當未施加電壓時，可移動反射層14a保持在機械松弛狀態(tài)中,其中可移動反射層14與光學堆疊16之間具有間隙19。然而，當將電位差(例如，電壓)施加于可移動反射層14及光學堆疊16中的至少一者時，形成于對應像素處的電容器變得帶電，且靜電力將電極牽拉在一起。如果所施加電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且移動地接近光學堆疊16或抵靠光學堆疊16。如圖1B中的激活像素12所說明，光學堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未展示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離。無論所施加的電位差的極性如何，行為均相同。雖然在一些例子中可將一陣列中的一系列像素稱為“行”或“列”，但所屬領域的一股技術人員將容易了解，將一個方向稱為“行”且將另一方向稱為“列”是任意的。換句話說，在一些定向上，行可視為列，且列可視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交行及列(“陣列”)或布置成例如相對于彼此具有特定位置偏移的非線性配置(“馬賽克”)。術語“陣列”及“馬賽克”可指代任一配置。因此，雖然顯示器稱為包含“陣列”或“馬賽克”，但是在任何例子中，元件本身無需布置成彼此正交或安置成均勻分布，而是可包含具有不對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0041]在一些實施方案中，一系列IMOD或IMOD陣列中的光學堆疊16可用作對顯示裝置的IMOD的一側(cè)提供共用電壓的共用電極。如下文進一步描述，可移動反射層14可形成為布置成例如矩陣形式的分離板的陣列。所述分離板可被供應電壓信號以驅(qū)動IM0D。
[0042]根據(jù)上文陳述的原理操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細節(jié)可大為不同。例如，每一IMOD的可移動反射層14可僅在拐角處(例如，系鏈上)附接到支撐件。如圖3中所示，可從可由柔性金屬形成的可變形層34懸吊平坦、相對剛性反射層14。此架構(gòu)允許用于調(diào)制器的機電方面及光學方面的結(jié)構(gòu)設計及材料被選擇且彼此獨立起作用。因此，可相對于光學性質(zhì)優(yōu)化用于反射層14的結(jié)構(gòu)設計及材料，且可相對于所要機械性質(zhì)優(yōu)化用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設計及材料。例如，反射層14部分可為鋁，且可變形層34部分可為鎳?？勺冃螌?4可直接或間接地連接到可變形層34的圓周周圍的襯底20。這些連接可形成支撐柱18。
[0043]在例如圖1A及IB中所示的實施方案的實施方案中，MOD用作直視裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與上面布置調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè))觀察圖像。在這些實施方案中，所述裝置的背側(cè)部分(即，所述顯示裝置的在可移動反射層14后面的任何部分，包含例如圖3中所說明的可變形層34)可經(jīng)配置及操作而不影響或負面地影響所述顯示裝置的圖像質(zhì)量，因為反射層14光學地遮蔽所述裝置的所述部分。例如，在一些實施方案中，可移動反射層14后面可包含總線結(jié)構(gòu)(未說明)，所述總線結(jié)構(gòu)提供使調(diào)制器的光學性質(zhì)與調(diào)制器的機械性質(zhì)分離的能力，例如電壓尋址及由此尋址所致的移動。
[0044]圖2展示說明用于光學MEMS顯示裝置的驅(qū)動電路陣列200的示意性電路圖的實例。驅(qū)動電路陣列200可用于實施有源矩陣尋址方案以對顯示陣列組合件的顯示元件D11到Dmn提供圖像數(shù)據(jù)。
[0045]驅(qū)動電路陣列200包含數(shù)據(jù)驅(qū)動器210、柵極驅(qū)動器220、第一數(shù)據(jù)線DLl到第m數(shù)據(jù)線DLm、第一柵極線GLl到第η柵極線GLn及開關或切換電路S11到Smn的陣列。數(shù)據(jù)線
DLl到DLm中的每一者從數(shù)據(jù)驅(qū)動器210延伸且電連接到開關S11到Sln、S21到S2n........Sffll到Snm的相應列。柵極線GLl到GLn中的每一者從柵極驅(qū)動器220延伸且電連接到開關
S11到Sml、S12到Sm2........Sln到Smn的相應行。開關S11到Smn電耦合于數(shù)據(jù)線DLl到DLm
中的一者與顯示元件D11到Dnm中的相應者之間且經(jīng)由柵極線GLl到GLn中的一者從柵極驅(qū)動器220接收切換控制信號。開關S11到Snm說明為單個FET晶體管，但是可采用多種形式，例如兩個晶體管發(fā)射柵極(以供電流在兩個方向上流動)或甚至機械MEMS開關。
[0046]數(shù)據(jù)驅(qū)動器210可從顯示器外部接收圖像數(shù)據(jù)，且可經(jīng)由數(shù)據(jù)線DLl到DLm將圖像數(shù)據(jù)以電壓信號的形式逐行提供給開關S11到S?。柵極驅(qū)動器220可通過接通與顯示元
件D11到Dml、D12到Dm2........Dln到Dmn的特定行相關聯(lián)的開關S11到Sml、S12到Sm2........Sln到Smn而選擇顯示元件D11到Dml、D12到Dm2........Dln到Dmn的選定行。當所述選定行
中的開關S11到Sml、S12到Sm2........Sln到Smn接通時，來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器210的圖像數(shù)據(jù)傳
遞到顯示元件D11到Dml、D12到Dm2、......、Dln到Dmn的選定行。
[0047]在操作期間，柵極驅(qū)動器220可經(jīng)由柵極線GLl到GLn中的一者將電壓信號提供給選定行中的開關S11到Snm的柵極，借此接通開關S11到Smn。在數(shù)據(jù)驅(qū)動器210將圖像數(shù)據(jù)提供給所有數(shù)據(jù)線DLl到DLm之后，可接通所述選定行的開關S11到Snm以將圖像數(shù)據(jù)提供
給顯示元件D11到Dml、D12到Dm2、......、Dlt^lj Dmn的選定行,借此顯示圖像的一部分。例如，
與所述行中待激活的像素相關聯(lián)的數(shù)據(jù)線DL可設定為例如10伏特(可為正或負)，且與所述行中待釋放的像素相關聯(lián)的數(shù)據(jù)線DL可設定為例如O伏特。接著，用于給定行的柵極線GL經(jīng)斷言，從而接通所述行中的開關，且施加選定數(shù)據(jù)線電壓到所述行的每一像素。此對已施加10伏特的像素充電并激活所述像素，且對已施加O伏特的像素放電并釋放所述像
素。接著，可切斷開關S11到S?。顯示元件D11到D1^DjIjDm2........Dln到Dnm可保持所
述圖像數(shù)據(jù)，因為當所述開關關閉時將保留激活像素上的電荷，只是通過絕緣體及關閉狀態(tài)開關存在一定的泄漏。一股來說，此泄漏足夠低以保留所述像素上的圖像數(shù)據(jù)直到將另一數(shù)據(jù)集合寫入到所述行。可對每一隨后行重復這些步驟直到已選擇所有行并將圖像數(shù)據(jù)提供給所有行。在圖2的實施方案中，下電極16在每一像素處接地。在一些實施方案中，這可通過在襯底上沉積連續(xù)光學堆疊16及使整個薄片在所沉積層的外圍處接地而完成。圖3為說明圖2的驅(qū)動電路及相關聯(lián)的顯示元件的結(jié)構(gòu)的一個實施方案的示意性部分橫截面的實例。
[0048]圖3展示說明圖2的驅(qū)動電路及相關聯(lián)的顯示元件的結(jié)構(gòu)的一個實施方案的示意性部分橫截面的實例。驅(qū)動電路陣列200的部分201包含第二列及第二行處的開關S22及相關聯(lián)的顯示元件D22。在所說明的實施方案中，開關S22包含晶體管80。驅(qū)動電路陣列200中的其它開關可具有與開關S22相同的配置。 [0049]圖3還包含顯示陣列組合件110的一部分及背板120的一部分。顯示陣列組合件110的部分包含圖2的顯示元件D22。顯示元件D22包含前襯底20的一部分、形成于前襯底20上的光學堆疊16的一部分、形成于光學堆疊16上的支撐件18、通過支撐件18支撐的可移動電極14/34及將可移動電極14/34電連接到背板120的一或多個組件的互連件126。
[0050]背板120的部分包含圖2的第二數(shù)據(jù)線DL2及開關S22，其嵌入背板120中。背板120的所述部分還包含至少部分嵌入其中的第一互連件128及第二互連件124。第二數(shù)據(jù)線DL2實質(zhì)上水平延伸穿過背板120。開關S22包含晶體管80,晶體管80具有源極82、漏極84、介于源極82與漏極84之間的溝道86及上覆通道86的柵極88。晶體管80可為薄膜晶體管(TFT)或金氧半導體場效晶體管(MOSFET)。晶體管80的柵極可通過柵極線GL2延伸穿過垂直于數(shù)據(jù)線DL2的背板120而形成。第一互連件128將第二數(shù)據(jù)線DL2電耦合到晶體管80的源極82。
[0051]晶體管80通過穿過背板120的一或多個通孔160耦合到顯示元件D22。通孔160用導電材料填充以在顯示陣列組合件110的組件(例如，顯示元件D22)與背板120的組件之間提供電連接。在所說明的實施方案中，第二互連件124經(jīng)形成穿過通孔160且將晶體管80的漏極84電耦合到顯示陣列組合件110。背板120還可包含電絕緣驅(qū)動電路陣列200的前述組件的一或多個絕緣層129。
[0052]如圖3中所示，顯示元件D22可為具有耦合到晶體管80的第一端子及耦合到可通過光學堆疊16的至少部分形成的共用電極的第二端子的干涉式調(diào)制器。圖3的光學堆疊16為說明為三層:上文描述的頂部電介質(zhì)層、也在上文描述的中間部分反射層(例如鉻)及包含透明導體(例如氧化銦錫(ITO))的下層。所述共用電極通過ITO層形成且可在所述顯示器的外圍處耦合到接地。
[0053]圖4展示具有干涉式調(diào)制器陣列及具有嵌入式電路的背板的光學MEMS顯示裝置30的部分分解透視圖的實例。顯示裝置30包含顯示陣列組合件110及背板120。在一些實施方案中，顯示陣列組合件110及背板120在附接在一起之前可單獨預形成。在一些其它實施方案中，顯示裝置30可以任何適當方式(例如，通過憑借沉積在顯示陣列組合件110上方形成背板120的組件)制造。
[0054]顯示陣列組合件110可包含前襯底20、光學堆疊16、支撐件18、可移動電極14及互連件126。背板120包含至少部分嵌入其中的背板組件122及一或多個背板互連件124。
[0055]顯示陣列組合件110的光學堆疊16可為至少覆蓋前襯底20的陣列區(qū)域的實質(zhì)上連續(xù)層。光學堆疊16可包含電連接到接地的實質(zhì)上透明導電層。可移動電極14/34可為具有例如正方形或矩形形狀的分離板?？梢苿与姌O14/34可布置為矩陣形式使得可移動電極14/34中的每一者可形成顯示元件的部分。在圖4的實施方案中，可通過支撐件18在四個拐角處支撐可移動電極14/34。
[0056]顯示陣列組合件110的互連件126中的每一者用以將可移動電極14/34中的相應者電耦合到一或多個背板組件122。在所說明的實施方案中，顯示陣列組合件110的互連件126從可移動電極14/34延伸且經(jīng)定位以接觸背板互連件124。在另一實施方案中，顯示陣列組合件110的互連件126可至少部分嵌入支撐件18中，同時通過支撐件18的頂部表面而暴露。在此實施方案中，背板互連件124可經(jīng)定位以接觸顯示陣列組合件110的互連件126的暴露部分。在又一實施方案中，背板互連件124可延伸到且電連接到可移動電極14而不實際上附接到可移動電極14，例如圖4的互連件126。
[0057]除具有松弛狀態(tài)及激活狀態(tài)的上述雙穩(wěn)態(tài)干涉式調(diào)制器以外，干涉式調(diào)制器還可經(jīng)設計以具有多種狀態(tài)。例如，模擬干涉式調(diào)制器(AIMOD)可具有一系列色彩狀態(tài)。在一個AIMOD實施方案中，單個干涉式調(diào)制器可激活為例如紅色狀態(tài)、綠色狀態(tài)、藍色狀態(tài)、黑色狀態(tài)或白色狀態(tài)。因此，單個干涉式調(diào)制器可經(jīng)配置以具有在光學頻譜的寬廣范圍內(nèi)具有不同的光反射率性質(zhì)的各種狀態(tài)。AIMOD的光學堆疊可不同于上述雙穩(wěn)態(tài)顯示元件。這些差異可產(chǎn)生不同的光學結(jié)果。例如，在上述雙穩(wěn)態(tài)元件中，閉合狀態(tài)賦予所述雙穩(wěn)態(tài)元件黑色反射狀態(tài)。然而，當電極處于類似于所述雙穩(wěn)態(tài)元件的閉合狀態(tài)的位置中時，模擬干涉式調(diào)制器可具有白色反射狀態(tài)。
[0058]圖5展示具有兩個固定層及可移動第三層的干涉式調(diào)制器的橫截面。具體來說，圖5展示模擬干涉式調(diào)制器的實施方案，所述模擬干涉式調(diào)制器具有固定第一層802、固定第二層804及定位于固定第一層802與固定第二層804之間的可移動第三層806。層802、804及806中的每一者可包含電極或其它導電材料。例如，第一層802可包含由金屬制成的板?？墒褂眯纬捎诨虺练e于相應層上的加勁層(stiffening layer)而加勁層802、804及806中的每一者。在一個實施方案中，所述加勁層包含電介質(zhì)。所述加勁層可用以使其附接的層保持剛性且實質(zhì)上平坦。調(diào)制器800的一些實施方案可被稱為三端子干涉式調(diào)制器。
[0059]所述三個層802、804及806通過絕緣柱810而電絕緣?？梢苿拥谌龑?06從絕緣柱810懸置?？梢苿拥谌龑?06經(jīng)配置以變形，使得可移動第三層806可在大體上向上方向上朝第一層802移位或可在大體上向下方向上朝第二層804移位。在一些實施方案中，第一層802還可被稱為頂層或頂部電極。在一些實施方案中，第二層804還可被稱為底層或底部電極。干涉式調(diào)制器800可通過襯底820支撐。
[0060]在圖5中，可移動第三層806用實線說明為處于平衡位置中。如圖5中說明，可通過電力供應電路在第一層802與第二層804之間施加固定電壓差。在此實施方案中，電壓V0施加到層802且層804接地。如果可變電壓Vm施加到可移動第三層806，那么隨著電壓Vm接近V。，可移動第三層806將經(jīng)靜電牽引朝向接地層804。隨著電壓Vni接近接地，可移動第三層806將經(jīng)靜電牽引朝向?qū)?02。如果處于此兩個電壓的中間點處的電壓(在此實施方案中為％/2)施加到可移動第三層806，那么可移動第三層806將維持在其用圖5中的實線指示的平衡位置中。通過施加介于外層802與804上的電壓之間的可變電壓于可移動第三層806，可移動第三層806可定位在外層802與804之間的所要位置處，從而產(chǎn)生所要光學響應。介于所述外層之間的電壓差Vtl可取決于裝置的材料及構(gòu)造而大為不同，且在許多實施方案中可在約5伏特到20伏特的范圍中。還可注意，隨著可移動第三層806移動遠離其平衡位置，可移動第三層806將會變形或彎曲。在此變形或彎曲配置中，彈性彈簧力機械偏置可移動第三層806使其朝向所述平衡位置。當施加電壓V到第三可移動層806時，此機械力還促成可移動第三層806的最終位置。
[0061]可移動第三層806可包含鏡以反射通過襯底820進入干涉式調(diào)制器800的光。鏡可包含金屬材料。第二層804可包含部分吸收材料，使得第二層804用作吸收層。當從襯底820側(cè)觀察反射自所述鏡的光時，觀察者可將所述反射光感知為某一色彩。通過調(diào)整可移動第三層806的位置，可選擇性地反射某些波長的光。
[0062]圖6展示說明具有圖5的結(jié)構(gòu)的光學EMS顯示裝置的驅(qū)動電路陣列的示意性電路圖的實例。整個設備與圖2的使用雙穩(wěn)態(tài)干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)共享許多類似點。然而，如圖6中所示，對每一顯示元件提供額外的上層802。此上層802可沉積在圖3及4中所示的背板120的下側(cè)上，且可通過電力供應電路施加電壓Vtl到其。這些實施方案以類似于上文參考圖2描述的方式的方式加以驅(qū)動，只是數(shù)據(jù)線DLl到DLn上提供的電壓可置于Vtl與接地之間的電壓范圍而非僅兩個不同的電壓中的一者。以此方式，沿一行的顯示元件的可移動第三層806各自在通過斷言所述特定行的柵極線而寫入所述行時可獨立地置于上層與下層之間的任何特定所要位置中。
[0063]圖7A到7C展示圖5的干涉式調(diào)制器的兩個固定層及可移動層的橫截面，其說明材料堆疊。
[0064]在圖7A及7B中說明的實施方案中，可移動第三層806及第二層804各自包含材料堆疊。例如，可移動第三層806包含堆疊，所述堆疊包含氮氧化硅(SiON)、鋁銅(AlCu)及二氧化鈦(TiO2)。例如，第二層804包含堆疊，所述堆疊包含氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、鉻鑰(MoCr)及二氧化硅(SiO2)。
[0065]在所說明的實施方案中，可移動第三層806包含上面沉積有AlCu層1004a的SiON襯底1002。在此實施方案中，AlCu層1004a導電且可用作電極。在一些實施方案中，AlCu層1004a對入射于其上的光提供反射。在一些實施方案中，SiON襯底1002為大約500nm厚，且AlCu層1004為大約50nm厚。在AlCu層1004a上沉積TiO2層1006a，且在一些實施方案中，TiO2層1006a為大約26nm厚。在TiO2層1006a上沉積SiON層1008a，且在一些實施方案中，SiON層1008a為大約52nm厚。TiO2層1006a的折射率大于SiON層1008a的折射率。以此方式形成具有交替高及低折射率的材料堆疊可導致反射入射在所述堆疊上的光，借此實質(zhì)上用作鏡。
[0066]如圖7B中所見，在一些實施方案中，可移動第三層806可包含額外的AlCu層1004b、額外的TiO2層1006b及形成于SiON襯底1002的與AlCu層1004a相對的側(cè)上的額外 SiON 層 1008b、TiO2 層 1006a 及 SiON 層 1008a。形成層 1004b、1006b 及 1008b 可使可移動第三層806大致相等地加重量于SiON襯底1002的每一側(cè)上，這可在平移可移動第三層806時增加可移動第三層806的位置精確度及穩(wěn)定度。在此類實施方案中，可在AlCu層1004a與1004b之間形成通孔1009或其它電連接件，使得所述兩個AlCu層1004a及1004b的電壓將保持實質(zhì)上相等。以此方式，當電壓施加到此兩個層中的一者時，此兩個層中的另一者將接收相同電壓?？稍贏lCu層1004a與1004b之間形成額外的通孔(未展示)。
[0067]在圖7A中說明的實施方案中，第二層804包含上面形成有MoCr層1012的SiO2襯底1010。在此實施方案中，MoCr層1012可用作放電層以放電累積電荷，且可耦合到晶體管以選擇性地實現(xiàn)所述放電。MoCr層1012還可用作光學吸收體。在一些實施方案中，MoCr層1012為大約5nm厚。在MoCr層1012上形成Al2O3層1014，且Al2O3層1014可提供入射其上的光的一定的反射率且在一些實施方案中還可用作匯流層。在一些實施方案中，Al2O3層1014為大約9nm厚。可在Al2O3層1014的表面上形成一或多個SiON擋板1016a及1016b。當可移動第三層806經(jīng)偏轉(zhuǎn)完全朝向第二層804時，這些擋板1016機械地防止可移動第三層806接觸第二層804的Al2O3層1014。這可減小裝置的粘滯力(stiction)及扣壓(snap-1n)。另外，如圖7中所示，可在SiO2襯底1010上形成電極層1018。電極層1018可包含任何數(shù)量的實質(zhì)上透明導電材料，其中氧化銦錫為一種適當?shù)牟牧稀?br> [0068]圖7C中說明的層802可用簡單的結(jié)構(gòu)制成，因為其具有較少的必須滿足的光學及機械需求。此層可包含導電AlCu層1030及絕緣Al2O3層1032。如同層804，可在Al2O3層1032的表面上形成一或多個SiON擋板1036a及1036b。
[0069]圖8展示圖5中說明的干涉式調(diào)制器及電壓源的示意性表示。在此示意性圖中，調(diào)制器耦合到電壓源Vtl及Vm。所屬領域的技術人員應明白，第一層802與可移動第三層806之間的間隙形成具有可變電容的電容器C1，而可移動第三層806與第二層804之間的間隙形成也具有可變電容的電容器c2。因此，在圖8中說明的示意性表示中，電壓源Vtl跨串聯(lián)耦合的可變電容器C1及C2而連接，而電壓源Vm連接在兩個可變電容器C1與C2之間。
[0070]然而，在干涉式調(diào)制器800的許多配置下如上所述股使用電壓源Vtl及Vm精確地驅(qū)動可移動第三層806到不同位置可能是困難的，因為施加到干涉式調(diào)制器800的電壓與可移動第三層806的位置之間的關系可能為高度非線性的。另外，施加相同電壓Vm到不同干涉式調(diào)制器的可移動層可能歸因于制造差異(例如，整個顯示表面上方的中間層806的厚度或彈性的變化)而不導致相應可移動層而相對于每一調(diào)制器的頂層及底層移動到相同位置。因為所述可移動層的位置將如上所述股確定從所述干涉式調(diào)制器反射何種色彩，所以能夠檢測所述可移動層的位置且精確地驅(qū)動所述可移動層到所要位置是有利的。
[0071]為更精確地驅(qū)動模擬干涉式調(diào)制器的可移動層，可將所述可移動層的電極部分分離為兩個電隔離部分。圖9A展示說明具有兩個電隔離部分的電極的俯視圖的圖。在此實施方案中，將電極分為與第二部分1304電隔離的第一部分1302。在所說明的實施方案中，第一部分1302及第二部分1304形成為共用平面中的層且為實質(zhì)上正方形或否則為矩形形狀。在其它實施方案中，部分1302及1304可大體上為圓形或橢圓形，或部分1302及1304中的一者或兩者可配置為不同形狀。例如，第一部分1302可配置成八邊形形狀，而第二部分1304配置為具有切口以接受八邊形第一部分1302的正方形形狀。如圖9A中所示，第二部分1304可形成于第一部分1302的圓周周圍。所屬領域的技術人員應明白，當?shù)谝徊糠?302及第二部分1304經(jīng)布置而同中心時，第一部分1302無需位于第二部分1304內(nèi)。而是，第二部分1304可部分、實質(zhì)上或完全在第一部分1302內(nèi)。
[0072]在一些實施方案中，部分1302及1304經(jīng)安置而彼此鄰近，例如安置成并排配置。圖9B展示說明具有兩個電隔離部分的另一電極的俯視圖的圖。圖9B說明分為與第二部分1304鄰近的第一部分1302的電極的實施方案的俯視圖。第一部分1302及第二部分1304中的每一者可選擇為不同于圖9B中所示的大小或形狀，且第一部分1302的大小及形狀無需匹配第二部分1304的大小及形狀。例如，第一部分1302可為實質(zhì)上矩形，而第二部分1304可為實質(zhì)上橢圓形。所屬領域的技術人員應明白，第一部分1302相對于第二部分1304的位置可以任何數(shù)目種方式配置，且第一部分1302及第二部分1304可經(jīng)旋轉(zhuǎn)或移動為不同于圖9A及9B中所示的配置的配置。
[0073]可移動第三層806可包含相對于圖9A及9B論述的電極配置。例如，圖7B的AlCu層1004a及1004b可圖案化為所述電極的第一部分1302及第二部分1304。在一個實施方案中，第一部分1302的部分可與第二部分1304的至少一些部分形成為共用平面中的層。然而，第一部分1302與第二部分1304電隔離。第一部分1302及第二部分1304兩者皆可具備內(nèi)部通孔以如圖7中所示股連接金屬層。
[0074]返回參考圖9A及9B，例如當電極為如上文相對于圖7論述股實施于可移動第三層806中時，所述電極的第一部分1302可耦合到電壓源Vnjt5如果所述電極放置在第一層802與第二層804之間，那么當如先前所述股通過電壓源Vtl及Vm施加電壓時，不僅第一部分1302將響應于靜電力而移動，而且第一部分1302的移動也將導致第二部分1304的移動，因為其均為相同柔性膜的部分。
[0075]隨著第二部分1304移動，在第二部分1304移動到的每一不同位置處將在第二部分1304上引致電壓。此引致電壓可感測或檢測為電壓Vs。因為電極1302與電極1304之間的電容耦合較小，所以電壓Vs實質(zhì)上與通過電壓源Vm供應給電極1302的電壓隔離。電壓Vs將取決于通過電壓源Vtl供應的電壓及電極1304相對于上層804及下層802的位置。通過比較電壓Vs與通過電壓源Vtl供應的電壓，可確定第二部分1304及因此可移動第三層806的位置。在一些實施方案中，取決于所述兩個隔離部分的相對大小及形狀，電壓源Vm耦合到第二部分1304而非第一部分1302，且從第一部分1302感測電壓Vs。所屬領域的技術人員將明白，各種裝置及設備可取決于電極的配置而耦合到第一部分1302或第二部分1304且可用作測量電壓Vs的電壓傳感器。
[0076]圖10展示圖9A或9B的實施于圖5的干涉式調(diào)制器中的電極的示意性表示。在此示意性表示中，可移動第三層806用分裂電極1302、1304實施且所述調(diào)制器耦合到電壓源Vtl及Vm。第一層802與電極的第一部分1302之間的間隙形成可變電容器Q。類似地，第一部分1302與第二層804之間的間隙形成可變電容器C2。第一層802與電極的第二部分1304之間的間隙形成具有可變電容的電容器C3，而第二部分1304與第二層804之間的間隙形成具有可變電容的電容器C4。C3及C4的電容分別與C1及C2成比例(以因子Y)，其中Y等于第二部分1304的面積除以第一部分1302的面積。兩個電隔離部分1302及1304形成第五電容器C。。C。的電容可被稱為兩個電隔離部分1302與1304之間的耦合電容。
[0077]如上所述，可通過測量電壓Vs確定可移動第三層806的位置。如果假定C。的電容為零，那么圖10中說明的電路操作為分壓器，且將根據(jù)以下方程式產(chǎn)生電壓Vs:
[0078]Vs = V0^C2/ (C^C2)⑴
[0079]其中方程式⑴中的Vtl用以表示通過電壓源Vtl供應的電壓，且方程式⑴中的C1及C2分別用以表示電容器C1及C2的電容。如果可移動第三層806在平衡位置中時在第一層802與第二層804之間居中，那么Vs將大體上與可移動第三層806從所述平衡位置的移位成比例。在此配置中，如果通過d表示層806及上層802或下層804的平衡中點位置之間的距離且通過X表示鏡從所述平衡中點位置的移位(可取決于移位的方向而為正或負)，那么可使用以下方程式確定X的值:
[0080]X = d((2Vs/V0)-l)(2)
[0081]因此可從所感測電壓Vs確定可移動第三層806的位置。
[0082]可通過確定C。的電容且包含此電容于位置計算中而更具體地確定可移動第三層806的位置。如果可移動第三層806在平衡位置中時在第一層802與第二層804之間居中，那么可使用以下方程式確定Vs:
【權(quán)利要求】
1.一種用于調(diào)制光的裝置，其包括: 至少第一、第二、第三及第四電極； 固定電壓源，其耦合到所述第一電極及所述第二電極； 可變電壓源，其耦合到所述第三電極；以及 電壓傳感器，其耦合到所述第四電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述四個電極中的至少一者是可移動的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第三電極及所述第四電極是可移動的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電壓傳感器提供反饋以調(diào)整所述可變電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其進一步包含運算放大器，其中所述運算放大器的輸出耦合到所述第三電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其進一步包含電壓跟隨器，其中所述電壓跟隨器的輸入耦合到所述第四電極，且其中所述電壓跟隨器的輸出耦合到所述運算放大器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第三電極及所述第四電極形成為共用平面中的層。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所 述的裝置，其中所述第三電極及所述第四電極形成為共用平面中的層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第四電極形成于所述第三電極的圓周周圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述可移動電極包含鏡層。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其進一步包含經(jīng)配置以通過改變由所述可變電壓源供應的所述電壓而調(diào)整所述可移動電極的位置的驅(qū)動電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第二電極是可移動的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述第二電極接地。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述第四電極安置在所述第二電極與所述第一電極之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第一電極形成于所述第四電極的外圍部分周圍。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包括: 顯示器； 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進一步包括: 驅(qū)動器電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示器。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其進一步包括: 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進一步包括: 圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進一步包括:輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳達到所述處理器。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其包含位置確定單元，所述位置確定單元耦合到所述第四電極且經(jīng)配置以至少部分基于從所述第四電極感測的電壓確定可移動導電層的位置。
23.—種驅(qū)動用于調(diào)制光的裝置的方法，其包括: 跨第一電極及第二電極施加第一電壓； 施加第二電壓到第三電極；以及 感測第四電極的電壓。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其包含響應于施加所述第二電壓而移動所述第三電極及所述第四電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其包含響應于施加所述第二電壓而移動所述第一電極或所述第二電極中的一者。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中使用所述所感測電壓來調(diào)整所述所施加第二電壓直到可移動電極的位置實質(zhì)上等于所要位置。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述所感測電壓實質(zhì)上與所述可移動電極的如通過取決于所述第三電極與所述第四電極之間的電容的因子調(diào)整的偏移成比例。
28.一種用于調(diào)制光的裝置，其包括: 用于跨第一電極及第二電極施加第一電壓的裝置； 用于施加第二電壓到第三電極的裝置；以及 用于感測第四電極的電壓的裝置。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的裝置，其額外包含用于至少部分基于所述所感測電壓確定所述可移動導電層的位置的裝置。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其中所述用于施加的裝置包含運算放大器。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述用于感測的裝置包括電壓跟隨器。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其中所述電壓跟隨器的輸出耦合到所述運算放大器的輸入。
【文檔編號】G09G3/34GK103959366SQ201280058937
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月29日
【發(fā)明者】約翰·H·洪, 重·U·李, 吉恩·W·馬什 申請人:高通Mems科技公司