專利名稱：電致發(fā)光元件驅動電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種電致發(fā)光元件驅動電路。
背景技術：
目前，電致發(fā)光顯示器由于具有視角廣、反應快、色彩飽和度高等優(yōu)點而越來越受人們關注，使用也越來越普遍，特別是在手機、媒體播放器及小型入門級電視等產品中最為顯著。電致發(fā)光顯示器需要驅動電路來驅動電致發(fā)光元件發(fā)光。請參閱圖1，圖1是現(xiàn)有技術電致發(fā)光元件驅動電路的結構示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術的電致發(fā)光元件驅動電路包括:開關薄膜晶體管Tl '、驅動薄膜晶體管T2'、存儲電容C'以及電致發(fā)光元件D ;。電致發(fā)光元件驅動電路實現(xiàn)的功能為:在采樣階段，將電致發(fā)光元件D '亮度呈一定關系的電信號充到存儲電容C'中；在保持階段，存儲在存儲電容C'中的電信號保證電致發(fā)光元件D'在保持階段持續(xù)發(fā)光。但是現(xiàn)有技術電致發(fā)光元件D'在工作過程中會產生衰變，其阻值會發(fā)生變化，導致其發(fā)光亮度受其衰變的影響較大，進而導致電致發(fā)光顯示器的顯示效果不佳。因此，需要提供一種電致發(fā)光元件驅動電路，以解決上述問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種電致發(fā)光元件驅動電路，能夠降低電致發(fā)光元件衰變對其亮度的影響。為解決上述技術問 題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種電致發(fā)光元件驅動電路，該電路包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、存儲電容以及電致發(fā)光元件，其中電致發(fā)光元件的陽極連接第一工作電壓，陰極連接第一薄膜晶體管的源極，第二薄膜晶體管的源極連接第一薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的源極連接第二薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的漏極接地，存儲電容的第一端和第二端分別連接第二薄膜晶體管的柵極和漏極，電致發(fā)光元件驅動電路的工作周期包括采樣階段和保持階段，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第三薄膜晶體管在保持階段源極與漏極導通，存儲電容用于在采樣階段存儲第二薄膜晶體管的柵極與漏極之間的電信號，且用于在保持階段保持第二薄膜晶體管的柵極與漏極之間電壓隨電信號變化，以控制電致發(fā)光元件的亮度。其中，電致發(fā)光元件驅動電路還包括:第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管，其中第四薄膜晶體管的源極連接第二工作電壓，第二薄膜晶體管的源極連接第四薄膜晶體管的漏極，第六薄膜晶體管的源極連接第二薄膜晶體管的漏極，第六薄膜晶體管的漏極連接數(shù)據(jù)信號，第五薄膜晶體管的源極連接第四薄膜晶體管的漏極，連接第二薄膜晶體管的柵極連接第五薄膜晶體管的漏極，第二薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管在采樣階段源極與漏極導通，第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管在采樣階段源極與漏極截止。其中，第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管的柵極均連接第一柵極信號，第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管的柵極均連接與第一柵極信號反相的第二柵極信號，第一柵極信號和第二柵極信號用于控制第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管在保持階段源極與漏極截止以及控制第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第三薄膜晶體管在保持階段源極與漏極導通。其中，第一柵極信號在采樣階段的電平和在保持階段的電平相反，第一柵極信號和第二柵極信號還用于控制第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管在采樣階段源極與漏極截止以及控制第二薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管在采樣階段源極與漏極導通。其中，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜 晶體管為N溝道薄膜場效應晶體管，第一柵極信號在采樣階段為高電平且在保持階段為低電平。其中，電致發(fā)光元件驅動電路在一個工作周期內，處于保持階段的時長大于處于采樣階段的時長。其中，電致發(fā)光元件為有機電致發(fā)光元件。其中，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管為N溝道銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管。其中，第六薄膜晶體管在采樣階段等效為一電流源。其中，流過電流源的電流由數(shù)據(jù)信號和第一柵極信號共同確定。本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明通過設置多個疊接的薄膜晶體管形成電致發(fā)光元件驅動電路工作在保持階段的通路，能夠降低電致發(fā)光元件衰變對其亮度的影響，通過設置像素內建電流源，在保證成本較低的情況下能夠同時補償薄膜晶體管的閾值電壓和電子遷移率的均勻性和可靠性，還能夠補償電源電壓的損耗。


圖1是現(xiàn)有技術電致發(fā)光元件驅動電路的結構示意圖；圖2是本發(fā)明電致發(fā)光元件優(yōu)選實施例的結構示意圖；圖3本發(fā)明實施例電致發(fā)光元件驅動電路工作在保持階段時的等效電路圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細描述。請參閱圖2，圖2是本發(fā)明電致發(fā)光元件驅動電路優(yōu)選實施例的結構示意圖。在本實施例中，電致發(fā)光元件驅動電路優(yōu)選地包括:第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、電致發(fā)光元件D以及存儲電容C。在本實施例中，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6為N溝道銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，在其他實施例中，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6也可以是其他薄膜晶體管。在本實施例中，電致發(fā)光元件D優(yōu)選為OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)，在其他實施例中，電致發(fā)光元件D也可以是其他元件。電致發(fā)光元件D的陽極連接第一工作電壓VI，陰極連接第一薄膜晶體管Tl的源極，第二薄膜晶體管T2的源極連接第一薄膜晶體管Tl的漏極，第三薄膜晶體管T3的源極連接第二薄膜晶體管T2的漏極，第三薄膜晶體管T3的漏極接地，存儲電容C的第一端和第二端分別連接第二薄膜晶體管T2的柵極和漏極。第四薄膜晶體管T4的源極連接第二工作電壓V2，第二薄膜晶體管T2的源極連接第四薄膜晶體管T4的漏極，第六薄膜晶體管T6的源極連接第二薄膜晶體管T2的漏極，第六薄膜晶體管T6的漏極連接數(shù)據(jù)信號Vdata，第五薄膜晶體管T5的源極連接第四薄膜晶體管T4的漏極，連接第二薄膜晶體管T2的柵極連接第五薄膜晶體管T5的漏極。第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6的柵極均連接第一柵極信號Vsel，第一薄膜晶體管Tl和第三薄膜晶體管T3的柵極均連接與第一柵極信號Vsel反相的第二柵極信號Vsel丨。電致發(fā)光元件驅動電路的工作周期包括采樣階段和保持階段。電致發(fā)光元件驅動電路在一個工作周期內，處于保持階段的時長大于處于采樣階段的時長。存儲電容C用于在采樣階段存儲第二薄膜晶體管T2的柵極與漏極之間的電信號，且用于在保持階段保持第二薄膜晶體管T2的柵極與漏極之間電壓隨電信號變化，以控制電致發(fā)光元件D的亮度。第一柵極信號Vsel在采樣階段的電平和在保持階段的電平相反。在本實施例中，第一柵極信號Vsel在采樣階段為高電平，保持階段為低電平，在其他實施例中，第一柵極信號Vsel在采樣階段也可以是低電平，相應的在保持階段也可以是高電平。下面結合附圖和實施例描述電致發(fā)光元件驅動電路的工作原理。當?shù)谝粬艠O信號Vsel為高電平時，第二柵極信號Vsel丨為低電平。此時第一薄膜晶體管Tl和第三薄膜晶體管T3源極與漏極截止，第二薄膜晶體管T2、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六 薄膜晶體管T6源極與漏極導通。電致發(fā)光元件驅動電路工作在采樣階段。第二薄膜晶體管T2、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6在第二工作電壓V2和數(shù)據(jù)信號Vdata之間形成通路。由于存儲電容C并聯(lián)在第二薄膜晶體管T2的柵極與漏極之間，因此存儲電容C記錄的是第二薄膜晶體管T2柵極與漏極之間電信號，即第二薄膜晶體管T2柵極與漏極之間電壓的變化。當?shù)谝粬艠O信號Vsel為低電平時，Vsel'第二柵極信號為高電平。此時第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5以及第六薄膜晶體管T6在保持階段源極與漏極截止，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2以及第三薄膜晶體管T3在保持階段源極與漏極導通。電致發(fā)光元件驅動電路工作在保持階段。第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2以及第三薄膜晶體管T3在第一工作電壓Vl和地GND之間形成通路。存儲電容C并聯(lián)在第二薄膜晶體管T2的柵極與漏極之間，保持第二薄膜晶體管T2的柵極與漏極之間電壓隨電信號變化，從而達到控制電致發(fā)光元件D亮度的目的。請進一步參閱圖3，圖3是本發(fā)明實施例電致發(fā)光元件驅動電路工作在保持階段時的等效電路圖。電致發(fā)光元件驅動電路在保持階段的通路可根據(jù)諾頓定理等效為如圖2所示的電路圖，其中Rout表征第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3疊接后的等效阻抗，電流源Is與導納Rout并聯(lián)，負載端口接電致發(fā)光元件D，電流源Is電流大小I為負載端口短路時的電流。由電路結構可知，電致發(fā)光元件D上的電流為:
權利要求
1.一種電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述電致發(fā)光元件驅動電路包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、存儲電容以及電致發(fā)光元件，其中所述電致發(fā)光元件的陽極連接第一工作電壓，陰極連接所述第一薄膜晶體管的源極，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述第一薄膜晶體管的漏極，所述第三薄膜晶體管的源極連接所述第二薄膜晶體管的漏極，所述第三薄膜晶體管的漏極接地，所述存儲電容的第一端和第二端分別連接所述第二薄膜晶體管的柵極和漏極，所述電致發(fā)光元件驅動電路的工作周期包括采樣階段和保持階段，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管以及所述第三薄膜晶體管在所述保持階段源極與漏極導通，所述存儲電容用于在所述采樣階段存儲所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極之間的電信號，且用于在所述保持階段保持所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極之間電壓隨所述電信號變化，以控制所述電致發(fā)光元件的亮度。
2.根據(jù)權利要求1所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述電致發(fā)光元件驅動電路還包括:第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管以及第六薄膜晶體管，其中所述第四薄膜晶體管的源極連接第二工作電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述第四薄膜晶體管的漏極，所述第六薄膜晶體管的源極連接所述第二薄膜晶體管的漏極，所述第六薄膜晶體管的漏極連接數(shù)據(jù)信號，所述第五薄膜晶體管的源極連接所述第四薄膜晶體管的漏極，連接所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述第五薄膜晶體管的漏極，所述第二薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管在所述采樣階段源極與漏極導通，所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管在所述采樣階段源極與漏極截止。
3.根據(jù)權利要求2所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管的柵極均連接第一柵極信號，所述第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管的柵極均連接與所述第一柵極信號反相的第二柵極信號，所述第一柵極信號和所述第二柵極信號用于控制所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管在所述保持階段源極與漏極截止以及控制所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管以及所述第三薄膜晶體管在所述保持階段源極與漏極導通。
4.根據(jù)權利要求3所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述第一柵極信號在所述采樣階段的電平和在所述保持階段的電平相反，所述第一柵極信號和所述第二柵極信號還用于控制所述第一薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管在所述采樣階段源極與漏極截止以及控制所述第二薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管在所述采樣階段源極與漏極導通。
5.根據(jù)權利要求4所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管為N溝道薄膜場效應晶體管，所述第一柵極信號在所述采樣階段為高電平且在所述保持階段為低電平。
6.根據(jù)權利要求5所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述電致發(fā)光元件驅動電路在一個所述工作周期內，處于所述保持階段的時長大于處于所述采樣階段的時長。
7.根據(jù)權利要求6所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述電致發(fā)光元件為有機電致發(fā)光元件。
8.根據(jù)權利要求7所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管以及所述第六薄膜晶體管為N溝道銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管。
9.根據(jù)權利要求8所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，所述第六薄膜晶體管在所述采樣階段等效為一電流源。
10.根據(jù)權利要求9所述的電致發(fā)光元件驅動電路，其特征在于，流過所述電流源的電流由所述數(shù) 據(jù)信號和所述第一柵極信號共同確定。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光元件驅動電路，該電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、存儲電容以及電致發(fā)光元件，其中電致發(fā)光元件的陽極連接第一工作電壓，陰極連接第一薄膜晶體管的源極，第二薄膜晶體管的源極連接第一薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的源極連接第二薄膜晶體管的漏極，第三薄膜晶體管的漏極接地，存儲電容的第一端和第二端分別連接第二薄膜晶體管的柵極和漏極，電致發(fā)光元件驅動電路的工作周期包括采樣階段和保持階段，第一、第二以及第三薄膜晶體管在保持階段源極與漏極導通，通過上述方式，本發(fā)明能夠降低電致發(fā)光元件衰變對其亮度的影響。
文檔編號G09G3/32GK103218973SQ20131013843
公開日2013年7月24日 申請日期2013年4月19日 優(yōu)先權日2013年4月19日
發(fā)明者郭平昇 申請人:深圳市華星光電技術有限公司