本發(fā)明的實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù):有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)射特性,與液晶顯示器(LCD)的不同之處在于,其不需要單獨(dú)的光源并且具有相對(duì)較薄的厚度和較輕的重量。此外,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器展示出高質(zhì)量特性,諸如功耗低、亮度高和響應(yīng)時(shí)間短。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器可包括包含多個(gè)像素的像素單元、用于向像素單元提供柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器、用于向像素單元提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和照明測(cè)試電路,照明測(cè)試電路在進(jìn)行照明測(cè)試以確認(rèn)像素的照明時(shí)使用。這里,照明測(cè)試電路可包括多個(gè)薄膜晶體管,以通過從外部提供的相應(yīng)的測(cè)試控制信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線提供照明測(cè)試信號(hào)。包含在照明測(cè)試電路中的薄膜晶體管和向薄膜晶體管提供測(cè)試控制信號(hào)和照明測(cè)試信號(hào)的線路會(huì)暴露于從外部流入的靜電放電(ESD),因而它們?cè)谥圃煊袡C(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的過程中或者在制造有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器完成后會(huì)容易受到ESD的損害。如果照明測(cè)試電路的薄膜晶體管以及向薄膜晶體管提供測(cè)試控制信號(hào)和照明測(cè)試信號(hào)的線路被ESD損壞,則不能有效地執(zhí)行照明測(cè)試,并且會(huì)產(chǎn)生有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的驅(qū)動(dòng)缺陷。以上在
背景技術(shù):部分公開的信息僅用于增強(qiáng)對(duì)所描述的技術(shù)的背景的理解,因而可包含本國(guó)本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的、不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的各方面提供抑制因ESD導(dǎo)致的缺陷的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器,包括:像素單元,包括多個(gè)像素,所述多個(gè)像素位于柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域并且位于面板的中央?yún)^(qū)域;柵極驅(qū)動(dòng)器,被配置為向所述柵極線提供柵極信號(hào),所述柵極驅(qū)動(dòng)器位于所述面板的一側(cè);照明測(cè)試電路,耦接至第一輸入線和第二輸入線,所述第一輸入線被配置為傳送照明測(cè)試信號(hào),所述第二輸入線被配置為傳送測(cè)試控制信號(hào),所述照明測(cè)試電路位于所述面板的另一側(cè),并且被配置為根據(jù)所述測(cè)試控制信號(hào)將所述照明測(cè)試信號(hào)提供到所述數(shù)據(jù)線;第一電源線,被配置為向所述柵極驅(qū)動(dòng)器提供柵極高電平電壓,所述第一電源線位于所述柵極驅(qū)動(dòng)器與所述照明測(cè)試電路的周邊;以及第二電源線,被配置為向所述柵極驅(qū)動(dòng)器提供柵極低電平電壓,所述第二電源線位于所述柵極驅(qū)動(dòng)器和所述照明測(cè)試電路的周邊;其中,所述第二輸入線通過電阻器耦接至所述第一電源線或者所述第二電源線。所述照明測(cè)試電路可包括多個(gè)晶體管,所述多個(gè)晶體管中的每個(gè)包括:溝道層;源電極,耦接至所述溝道層并且耦接至所述第一輸入線;漏電極,耦接至所述溝道層并且耦接至所述數(shù)據(jù)線中的一個(gè)數(shù)據(jù)線;以及柵電極,耦接至所述第二輸入線。所述溝道層可包括p型半導(dǎo)體材料,以及所述第二輸入線可通過所述電阻器耦接至所述第一電源線。所述溝道層可包括n型半導(dǎo)體材料,以及所述第二輸入線可通過所述電阻器耦接至所述第二電源線。所述電阻器與所述溝道層可處于同一層。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括:發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器,所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器在所述面板上面對(duì)所述柵極驅(qū)動(dòng)器,并且所述像素單元插置于所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器與所述柵極驅(qū)動(dòng)器之間,所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器被配置為向與所述柵極線平行的發(fā)光控制線提供發(fā)光控制信號(hào)。所述第一電源線可被配置為將所述柵極高電平電壓提供到所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器,所述第一電源線位于所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器、所述柵極驅(qū)動(dòng)器和所述照明測(cè)試電路的周邊,以及所述第二電源線可被配置為將所述柵極低電平電壓提供到所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器,所述第二電源線位于所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器、所述柵極驅(qū)動(dòng)器和所述照明測(cè)試電路的周邊。所述柵極信號(hào)和所述發(fā)光控制信號(hào)的高電平電壓可被配置為根據(jù)所述柵極高電平電壓而產(chǎn)生,所述柵極信號(hào)和所述發(fā)光控制信號(hào)的低電平電壓可被配置為根據(jù)所述柵極低電平電壓而產(chǎn)生。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器,所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器在所述面板上面對(duì)所述照明測(cè)試電路,其中所述像素單元插置于所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器與所述照明測(cè)試電路之間,所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器被配置為向所述數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)。所述柵極驅(qū)動(dòng)器和所述發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器可位于所述面板的右側(cè)或者左側(cè),以及所述照明測(cè)試電路和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可位于所述面板的上側(cè)或者下側(cè)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,提供了抑制因ESD導(dǎo)致的缺陷的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。附圖說明圖1是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的實(shí)施例的框圖;圖2是圖1所示的像素的實(shí)施例的電路圖;圖3是圖2所示的像素的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖;圖4是設(shè)置在圖1所示的柵極驅(qū)動(dòng)器中的移位寄存器的實(shí)施例的電路圖;圖5是設(shè)置在圖1所示的發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器中的移位寄存器的實(shí)施例的電路圖;圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的俯視圖;圖7是圖6的部分A的視圖;圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的俯視圖;以及圖9是圖8的部分B的視圖。具體實(shí)施方式在下文中,將參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式,以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)領(lǐng)會(huì)的,所描述的實(shí)施方式可以以各種不同的方式修改,均不偏離本發(fā)明的精神或范圍。為了清楚地描述實(shí)施方式,可省略不必理解描述的部件,并且在整個(gè)說明書中相同的參考標(biāo)號(hào)指示相同的元件。在整個(gè)實(shí)施方式中具有相同結(jié)構(gòu)的元件由相同的參考標(biāo)號(hào)指示并且可僅針對(duì)一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行描述。在其他實(shí)施方式中,主要描述與之前描述的實(shí)施方式不同的元件。在附圖中,部件的尺寸和厚度僅示出為便于解釋,因而本發(fā)明不必限制為本文所描述并示出的圖示。此外,除非明確地相反描述,詞語“包括(comprise)”和變型諸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”將被解釋為暗指所指的元件的包含物,但不排除一個(gè)或多個(gè)其他的元件。而且,當(dāng)元件被稱為“耦接”(例如,電耦接或連接)至另一元件時(shí),其可直接耦接至其他元件或沒有直接地耦接至其他元件,其中在二者之間插置一個(gè)或多個(gè)中間元件。像素代表用于顯示圖像的最小單位,有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器通過多個(gè)像素顯現(xiàn)圖像?,F(xiàn)在將參照?qǐng)D1至圖7描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。圖1是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的一個(gè)實(shí)施例的框圖。如圖1所示,有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括柵極驅(qū)動(dòng)器10、發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30和像素單元40。柵極驅(qū)動(dòng)器10生成與從外部源提供的驅(qū)動(dòng)電源和控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的柵極信號(hào),并將柵極信號(hào)順序提供到柵極線S1至Sn。通過柵極信號(hào)選擇像素50,從而順序提供數(shù)據(jù)信號(hào)。發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20向與柵極線S1至Sn平行設(shè)置的發(fā)光控制線E1至En順序提供發(fā)光控制信號(hào)。發(fā)光控制信號(hào)對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電源和控制信號(hào)。因此,像素50的發(fā)光受到發(fā)光控制信號(hào)的控制。柵極驅(qū)動(dòng)器10和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20可單獨(dú)地安裝在面板上作為芯片型(chiptype)。可替換地,柵極驅(qū)動(dòng)器10和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20可與包含在像素單元40中的驅(qū)動(dòng)元件一起形成在面板上。在圖1中,柵極驅(qū)動(dòng)器10和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20被設(shè)置為彼此面對(duì),像素單元40插置于二者之間,然而,本發(fā)明不限于此。例如,柵極驅(qū)動(dòng)器10和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20可形成在像素單元40的同一側(cè),或者可分別形成在像素單元40的兩側(cè)。而且,可根據(jù)像素單元40的像素50的結(jié)構(gòu)省略發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器20。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30生成與外部源提供的數(shù)據(jù)和控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào),并將數(shù)據(jù)信號(hào)提供到數(shù)據(jù)線D1至Dm。提供到數(shù)據(jù)線D1至Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)被提供到由柵極信號(hào)選擇的像素50(即,當(dāng)柵極信號(hào)被提供到像素50時(shí))。因此,像素50對(duì)與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓進(jìn)行存儲(chǔ)或充電。像素單元40包括多個(gè)像素50,多個(gè)像素50位于柵極線S1至Sn、發(fā)光控制線E1至En和數(shù)據(jù)線D1至Dm的交叉區(qū)域處。像素單元40可從外部源接收高電位像素功率的第一電源ELVDD和低電位像素功率的第二電源ELVSS。第一電源ELVDD和第二電源ELVSS被傳送至每個(gè)像素50。而且,可根據(jù)像素50的結(jié)構(gòu)為像素單元40提供初始化電源Vinit或者參考電壓Vref。因此,像素50發(fā)出的光具有與從第一電源ELVDD流至第二電源ELVSS的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)應(yīng)的亮度(該驅(qū)動(dòng)電流與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)),從而顯示圖像。圖2是圖1所示的像素50的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。為了方便起見,圖2示出了位于第i(i為自然數(shù))行第j(j為自然數(shù))列的像素,并且該像素被配置為進(jìn)行初始化和閾值電壓補(bǔ)償。然而,本發(fā)明不限于此,本發(fā)明可包括不同結(jié)構(gòu)的像素。如圖2所示,像素50包括包含多個(gè)晶體管T1至T6的像素電路單元52、存儲(chǔ)電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)用于接收來自像素電路單元52的驅(qū)動(dòng)電流。當(dāng)前一柵極信號(hào)SSi-1被提供到前一柵極線Si-1時(shí),像素電路單元52使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電壓初始化,并且當(dāng)從當(dāng)前柵極線Si提供當(dāng)前柵極信號(hào)SSi時(shí),像素電路單元52對(duì)與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata對(duì)應(yīng)的電壓和第一晶體管T1的閾值電壓進(jìn)行充電。這樣,無論第一晶體管T1的閾值電壓如何,與數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流均被提供到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。在這種情況下,雖然圖1沒有示出,但是每個(gè)像素50可耦接至前一柵極線Si-1和當(dāng)前的柵極線Si,并且可將第一行的像素50耦接至第一柵極線S1的前一行的柵極線(例如,虛擬柵極線),以使第一行的像素50初始化。此外,在像素單元50中,還可包括向每個(gè)像素50提供初始化電源Vinit的初始化電源線。在圖2中,像素電路單元52耦接至當(dāng)前柵極線Si、前一柵極線Si-1、發(fā)光控制線Ei、數(shù)據(jù)線Dj、第一電源ELVDD、初始化電源Vinit和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),并且像素電路單元52包括第一至第六晶體管T1至T6和存儲(chǔ)電容器Cst。第一晶體管T1可耦接在第一電源ELVDD與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)之間,以根據(jù)施加到第一晶體管T1的柵電極的電壓來控制驅(qū)動(dòng)電流。具體地,第一晶體管T1的第一電極(例如,源電極)可通過第六晶體管T6耦接至第一電源ELVDD,T1的第二電極(例如,漏電極)可通過第五晶體管T5耦接至有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。而且,第一晶體管T1的柵電極可耦接至第一節(jié)點(diǎn)N1。這里,第一晶體管T1根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓(即,存儲(chǔ)電容器Cst所充電的電壓)控制提供到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的驅(qū)動(dòng)電流。第二晶體管T2可耦接在數(shù)據(jù)線Dj與存儲(chǔ)電容器Cst之間,并且當(dāng)從當(dāng)前柵極線Si提供當(dāng)前柵極信號(hào)SSi時(shí),第二晶體管T2可導(dǎo)通,使得數(shù)據(jù)信號(hào)在像素50內(nèi)被傳送。在圖2中,第二晶體管T2的第一電極耦接至數(shù)據(jù)線Dj,第二晶體管T2的第二電極通過第一晶體管T1和第三晶體管T3耦接至存儲(chǔ)電容器Cst。此外,第二晶體管T2的柵電極耦接至當(dāng)前柵極線Si。這里,當(dāng)從當(dāng)前柵極線Si提供當(dāng)前柵極信號(hào)SSi時(shí),第二晶體管T2導(dǎo)通,使得數(shù)據(jù)線Dj提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過第一和第三晶體管T1和T3被傳送至存儲(chǔ)電容器Cst。第三晶體管T3可耦接至第一晶體管T1的柵電極和第一晶體管T1...