一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背板；該像素電路包括：包括驅(qū)動(dòng)晶體管、信號(hào)加載模塊、發(fā)光控制模塊和存儲(chǔ)電容；本發(fā)明的像素電路，可以在對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的過程中，有效地消除驅(qū)動(dòng)晶體管由自身閾值電壓所造成的非均勻性和因閥值電壓漂移造成的殘影現(xiàn)象；避免了有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中不同像素單元的有機(jī)發(fā)光二極管之間因其驅(qū)動(dòng)晶體管的閥值電壓不同而造成的亮度不均的問題；提高了像素電路對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)效果，進(jìn)一步提高了有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的顯示品質(zhì)。
【專利說明】一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背 板。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)作為一種電流型有機(jī)發(fā) 光二極管已越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能有源矩陣顯示器件中。傳統(tǒng)的無(wú)源矩陣有機(jī)發(fā)光二 極管顯示器件(Passive Matrix 0LED)隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個(gè)像素的驅(qū)動(dòng) 時(shí)間，因而需要增大瞬態(tài)電流，增加功耗。同時(shí)大電流的應(yīng)用會(huì)造成納米銦錫金屬氧化物線 上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進(jìn)而降低其效率。而有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器件(AMOLED，Active Matrix 0LED)通過開關(guān)晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地 解決這些問題。
[0003]在AMOLED的背板設(shè)計(jì)中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素單元的補(bǔ)償電路 之間的亮度非均勻性。AMOLED采用薄膜晶體管(TFT，Thin-FiIm Transistor)構(gòu)建像素電路 為有機(jī)發(fā)光二極管提供相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。現(xiàn)有技術(shù)中，大多采用低溫多晶硅TFT晶體管或 氧化物TFT晶體管。與一般的非晶硅TFT晶體管相比，低溫多晶硅TFT晶體管和氧化物TFT 晶體管具有更高的遷移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工 藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅TFT晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷 移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性，這種非均勻性會(huì)轉(zhuǎn)化為有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流差異 和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現(xiàn)象。
[0004]一般來(lái)說，采用氧化物的TFT晶體管工藝技術(shù)所制作出來(lái)的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二 極管，其像素電路中的有機(jī)發(fā)光二極管的型態(tài)可以為P型或N型，但無(wú)論是選擇P型還是N 型TFT晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)像素電路，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流不僅會(huì)隨著有機(jī)發(fā)光二極管的 導(dǎo)通電壓經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)力的變化而改變，而且還會(huì)隨著用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的TFT晶體 管的臨限電壓漂移而有所不同。如此一來(lái)，將會(huì)連帶影響到有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的亮度 均勻性與亮度恒定性。
[0005]因此，為解決上述問題，本發(fā)明急需提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管 背板。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、薄膜晶體管背板， 用于解決現(xiàn)有技術(shù)的像素電路在驅(qū)動(dòng)時(shí)發(fā)生驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓漂移的問題。
[0007]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種像素電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng) 晶體管、信號(hào)加載模
[0008]塊、發(fā)光控制模塊和存儲(chǔ)電容；
[0009]所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極分別與所述信號(hào)加載模塊的第三端和所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端分別與所述信號(hào)加載模塊的第二端和所述發(fā)光控制模 塊的第二端連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端分別與所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述發(fā)光 控制模塊的第三端連接；
[0010]所述存儲(chǔ)電容的第一端分別與所述信號(hào)加載模塊的第一端和所述發(fā)光控制模塊 的第一端連接；
[0011]所述信號(hào)加載模塊的第五端接收數(shù)據(jù)信號(hào)；
[0012]所述發(fā)光控制模塊的第一端和所述信號(hào)加載模塊的第一端均接收第一電壓信 號(hào);
[0013]所述發(fā)光控制模塊的第四端輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
[0014]進(jìn)一步地，所述信號(hào)加載模塊包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管；
[0015]所述第一晶體管的柵極接收本級(jí)柵控制信號(hào)；所述第一晶體管的第一端作為所述 信號(hào)加載模塊的第三端，分別連接所述存儲(chǔ)電容的第二端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以及所 述第二晶體管的第二端；所述第一晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第四端，分別 連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端和所述發(fā)光控制模塊的第三端；
[0016]所述第二晶體管的柵極接收上一級(jí)柵控制信號(hào)或起始信號(hào)；所述第二晶體管的第 一端接收第一電壓信號(hào)，并作為所述信號(hào)加載模塊的第一端分別連接所述存儲(chǔ)電容的第一 端和所述發(fā)光控制模塊的第一端；所述第二晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第 三端，分別連接所述第一晶體管的第一端、所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵 極；
[0017]所述第三晶體管的柵極接收本級(jí)柵控制信號(hào)；所述第三晶體管的第一端接收數(shù)據(jù) 信號(hào)；所述第三晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第二端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體 管的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第二端。
[0018]進(jìn)一步地，所述發(fā)光控制模塊包括第四晶體管和第五晶體管；
[0019]所述第四晶體管的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)；所述第四晶體管的第一端接收第一電 壓信號(hào)，并作為所述發(fā)光控制模塊的第一端分別連接所述存儲(chǔ)電容的第一端和所述信號(hào)加 載模塊的第一端；所述第四晶體管的第二端作為所述發(fā)光控制模塊的第二端，分別連接所 述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端和所述信號(hào)加載模塊的第二端；
[0020]所述第五晶體管的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)；所述第五晶體管的第一端作為所述發(fā) 光控制模塊的第三端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端和所述信號(hào)加載模塊的第四端； 所述第五晶體管的第二端作為所述發(fā)光控制模塊的第四端，輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
[0021]進(jìn)一步地，還包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管連接所述發(fā)光控制模塊 的第四端，所述有機(jī)發(fā)光二極管用于接收所述驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)發(fā)光。
[0022]進(jìn)一步地，還包括第一電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)源的輸出端分別與所述信 號(hào)加載模塊的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第一端連接，所述第一電壓信號(hào)源用于向所述 信號(hào)加載模塊和所述發(fā)光控制模塊輸出所述第一電壓信號(hào)。
[0023]進(jìn)一步地，還包括第二電壓信號(hào)源，其中:所述驅(qū)動(dòng)晶體管為n型晶體管，所述有 機(jī)發(fā)光二極管的第一端連接所述發(fā)光控制模塊的第四端；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二端連 接所述第二電壓信號(hào)源；所述第一電壓信號(hào)為高電壓信號(hào)，所述第二電壓信號(hào)源為低電壓 信號(hào)源。[0024]進(jìn)一步地，還包括第二電壓信號(hào)源，其中:所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P型晶體管，所述有 機(jī)發(fā)光二極管的第二端連接所述發(fā)光控制模塊的第四端；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一端連 接所述第二電壓信號(hào)源；所述第一電壓信號(hào)為低電壓信號(hào)，所述第二電壓信號(hào)源為高電壓 信號(hào)源。
[0025]進(jìn)一步地，還包括柵極控制信號(hào)源及起始信號(hào)源，所述信號(hào)加載模塊中的所述第 一晶體管的柵極和第三晶體管的柵極連接本級(jí)柵極控制信號(hào)源；所述信號(hào)加載模塊中的所 述第二晶體管的柵極連接上一級(jí)柵極控制信號(hào)源或者起始信號(hào)源，所述本級(jí)柵極控制信號(hào) 源用于輸出所述本級(jí)柵控制信號(hào)，所述上一級(jí)柵極控制信號(hào)源用于輸出所述上一級(jí)柵控制 信號(hào)，所述起始信號(hào)源用于輸出所述起始信號(hào)。
[0026]進(jìn)一步地，還包括發(fā)光控制信號(hào)源，所述發(fā)光控制信號(hào)源連接所述發(fā)光控制模塊 中的所述第四晶體管的柵極和所述第五晶體管的柵極，所述發(fā)光控制信號(hào)源用于輸出所述 發(fā)光控制信號(hào)。
[0027]一種如上述所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括:
[0028]復(fù)位階段，所述信號(hào)加載模塊控制所述信號(hào)加載模塊的第一端接收第一電壓信 號(hào)；并控制所述信號(hào)加載模塊的第三端將第一電壓信號(hào)加載至所述儲(chǔ)存電容的第二端；以 此對(duì)所述儲(chǔ)存電容進(jìn)行電容復(fù)位；
[0029]儲(chǔ)存階段，所述儲(chǔ)存電容的第二端開啟所述驅(qū)動(dòng)晶體管；所述儲(chǔ)存電容的第二端 經(jīng)由所述信號(hào)加載模塊的第三端、所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管放電至所 述信號(hào)加載模塊的第二端；所述信號(hào)加載模塊的第二端接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所述數(shù)據(jù) 信號(hào)經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述信號(hào)加載模塊的第三端加載 至所述儲(chǔ)存電容的第二端；
[0030]發(fā)光階段，所述儲(chǔ)存電容的第二端持續(xù)導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管，并將數(shù)據(jù)信號(hào)加載至驅(qū) 動(dòng)晶體管；所述發(fā)光控制模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，并通過所述發(fā)光控制模塊的第 二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管加載至所述發(fā)光控制模塊的第三端；所述驅(qū)動(dòng)晶體管將數(shù)據(jù)信號(hào)加 載至所述發(fā)光控制模塊的第三端；并由所述光控制模塊的第四端輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
[0031]一種薄膜晶體管背板，包括上述所述的像素電路。
[0032]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0033]本發(fā)明的像素電路，可以在對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的過程中，有效地消除驅(qū) 動(dòng)晶體管由自身閾值電壓所造成的非均勻性和因閥值電壓漂移造成的殘影現(xiàn)象；避免了有 源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中不同像素單元的有機(jī)發(fā)光二極管之間因其驅(qū)動(dòng)晶體管 的閥值電壓不同而造成的顯示亮度不均的問題；提高了像素電路對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng) 效果，進(jìn)一步提高了有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的品質(zhì)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0035]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中所述像素電路的電路連接示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中所述像素電路的電路連接示意圖；
[0037]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中所述像素電路的電路連接示意圖；
[0038]圖4為本發(fā)明實(shí)施例所述像素電路在復(fù)位階段時(shí)的電路連接示意圖；[0039]圖5為本發(fā)明實(shí)施例所述像素電路在儲(chǔ)存階段時(shí)的電路連接示意圖；
[0040]圖6為本發(fā)明實(shí)施例所述像素電路在發(fā)光階段時(shí)的電路連接示意圖；
[0041]圖7為本發(fā)明實(shí)施例中所述驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序控制示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]參見圖1(圖1中1、2、3、4、5分別表示信號(hào)加載模塊的第一端、第二端、第三端、第 四端和第五端；1'、2'、3'、4'分別表示發(fā)光控制模塊的第一端、第二端、第三端和第四端)所 示，本發(fā)明實(shí)施例的所述像素電路，主要用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件中各有機(jī) 發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償，每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管由一個(gè)像素電路驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償，每一個(gè)像素電路 包括:包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、信號(hào)加載模塊、發(fā)光控制模塊和存儲(chǔ)電容Cs ；
[0044]所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極分別與所述信號(hào)加載模塊的第三端3和所述存儲(chǔ)電 容Cs的第二端連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一端(即如圖所示DTFT的上端，源極)分別 與所述信號(hào)加載模塊的第二端2和所述發(fā)光控制模塊的第二端2'連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管 DTFT的第二端(即如圖所示DTFT的下端，漏極)分別與所述信號(hào)加載模塊的第四端4和所 述發(fā)光控制模塊的第三端3'連接；
[0045]所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端分別與所述信號(hào)加載模塊的第一端I和所述發(fā)光控制 模塊的第一端I'連接；
[0046]所述信號(hào)加載模塊的第五端5接收數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata ；
[0047]所述發(fā)光控制模塊的第一端I'和所述信號(hào)加載模塊的第一端I'均接收第一電壓 信號(hào)ELVDD ；
[0048]所述發(fā)光控制模塊的第四端4'輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vgs。
[0049]本實(shí)施例中的所述像素電路還包括有機(jī)發(fā)光二極管0LED，所述有機(jī)發(fā)光二極管 OLED連接所述發(fā)光控制模塊的第四端4'，所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED用于接收所述驅(qū)動(dòng)電 壓信號(hào)Vgs發(fā)光。
[0050]本實(shí)施例的像素電路，所述信號(hào)加載模塊接收數(shù)據(jù)信號(hào)VDATA，將數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata分別 加載至所述儲(chǔ)存電容Cs的第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極；使所述儲(chǔ)存電容Cs的第 二端被提升為VDATA+Vth ;其中，Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管的閥值電壓，以此使所述儲(chǔ)存電容對(duì)數(shù)據(jù)信 號(hào)Vdata和驅(qū)動(dòng)晶體管的閥值電壓Vth進(jìn)行采集和儲(chǔ)存；又由于所述儲(chǔ)存電容的第二端的電 壓與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓等同，因此，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓也為VDATA+Vth，并 在存儲(chǔ)電容的作用下所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓持續(xù)保持為VDATA+Vth ；
[0051]所述發(fā)光控制模塊接收第一電壓信號(hào)ELVDD，使所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第一端 電壓為第一電壓信號(hào)Vdd,所述驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的第二端電壓為Vraj3);其中，Vraj3)為有機(jī) 發(fā)光二極管OLED兩端的電壓；本領(lǐng)域中關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vgs計(jì)算公式為: Vgs-VDATA+Vth一Voled ；
[0052]關(guān)于經(jīng)過所述驅(qū)動(dòng)晶體管輸入至所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流公式為[0053]
【權(quán)利要求】
1.一種像素電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)晶體管、信號(hào)加載模塊、發(fā)光控制模塊和存儲(chǔ)電容；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極分別與所述信號(hào)加載模塊的第三端和所述存儲(chǔ)電容的第二端連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端分別與所述信號(hào)加載模塊的第二端和所述發(fā)光控制模塊的第二端連接；所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端分別與所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述發(fā)光控制模塊的第三端連接；所述存儲(chǔ)電容的第一端分別與所述信號(hào)加載模塊的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第一端連接；所述信號(hào)加載模塊的第五端接收數(shù)據(jù)信號(hào)；所述發(fā)光控制模塊的第一端和所述信號(hào)加載模塊的第一端均接收第一電壓信號(hào)；所述發(fā)光控制模塊的第四端輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述信號(hào)加載模塊包括第一晶體管、 第二晶體管和第三晶體管；所述第一晶體管的柵極接收本級(jí)柵控制信號(hào)；所述第一晶體管的第一端作為所述信號(hào)加載模塊的第三端，分別連接所述存儲(chǔ)電容的第二端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以及所述第二晶體管的第二端；所述第一晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第四端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端和所述發(fā)光控制模塊的第三端；所述第二晶體管的柵極接收上一級(jí)柵控制信號(hào)或起始信號(hào)；所述第二晶體管的第一端接收第一電壓信號(hào)，并作為所述信號(hào)加載模塊的第一端分別連接所述存儲(chǔ)電容的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第一端；所述第二晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第三端， 分別連接所述第一晶體管的第一端、所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極；所述第三晶體管的柵極接收本級(jí)柵控制信號(hào)；所述第三晶體管的第一端接收數(shù)據(jù)信號(hào)；所述第三晶體管的第二端作為所述信號(hào)加載模塊的第二端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第二端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊包括第四晶體管和第五晶體管；所述第四晶體管的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)；所述第四晶體管的第一端接收第一電壓信號(hào)，并作為所述發(fā)光控制模塊的第一端分別連接所述存儲(chǔ)電容的第一端和所述信號(hào)加載模塊的第一端；所述第四晶體管的第二端作為所述發(fā)光控制模塊的第二端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一端和所述信號(hào)加載模塊的第二端；所述第五晶體管的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)；所述第五晶體管的第一端作為所述發(fā)光控制模塊的第三端，分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二端和所述信號(hào)加載模塊的第四端；所述第五晶體管的第二端作為所述發(fā)光控制模塊的第四端，輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管連接所述發(fā)光控制模塊的第四端，所述有機(jī)發(fā)光二極管用于接收所述驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)發(fā)光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括第一電壓信號(hào)源，所述第一電壓信號(hào)源的輸出端分別與所述信號(hào)加載模塊的第一端和所述發(fā)光控制模塊的第一端連接， 所述第一電壓信號(hào)源用于向所述信號(hào)加載模塊和所述發(fā)光控制模塊輸出所述第一電壓信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，還包括第二電壓信號(hào)源，其中:所述驅(qū)動(dòng)晶體管為n型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一端連接所述發(fā)光控制模塊的第四端；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二端連接所述第二電壓信號(hào)源；所述第一電壓信號(hào)源為高電壓信號(hào)源，所述第二電壓信號(hào)源為低電壓信號(hào)源。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，還包括第二電壓信號(hào)源，其中:所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P型晶體管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二端連接所述發(fā)光控制模塊的第四端；所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一端連接所述第二電壓信號(hào)源；所述第一電壓信號(hào)源為低電壓信號(hào)源，所述第二電壓信號(hào)源為高電壓信號(hào)源。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，還包括柵極控制信號(hào)源及起始信號(hào)源，所述信號(hào)加載模塊中的所述第一晶體管的柵極和第三晶體管的柵極連接本級(jí)柵極控制信號(hào)源；所述信號(hào)加載模塊中的所述第二晶體管的柵極連接上一級(jí)柵極控制信號(hào)源或者起始信號(hào)源，所述本級(jí)柵極控制信號(hào)源用于輸出所述本級(jí)柵控制信號(hào)，所述上一級(jí)柵極控制信號(hào)源用于輸出所述上一級(jí)柵控制信號(hào)，所述起始信號(hào)源用于輸出所述起始信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，還包括發(fā)光控制信號(hào)源，所述發(fā)光控制信號(hào)源連接所述發(fā)光控制模塊中的所述第四晶體管的柵極和所述第五晶體管的柵極，所述發(fā)光控制信號(hào)源用于輸出所述發(fā)光控制信號(hào)。
10.一種如權(quán)利要求1-9所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述方法包括:復(fù)位階段，所述信號(hào)加載模塊控制所述信號(hào)加載模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)；并控制所述信號(hào)加載模塊的第三端將第一電壓信號(hào)加載至所述儲(chǔ)存電容的第二端；以此對(duì)所述儲(chǔ)存電容進(jìn)行電容復(fù)位；儲(chǔ)存階段，所述儲(chǔ)存電容的第二端開啟所述驅(qū)動(dòng)晶體管；所述儲(chǔ)存電容的第二端經(jīng)由所述信號(hào)加載模塊的第三端、所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管放電至所述信號(hào)加載模塊的第二端；所述信號(hào)加載模塊的第二端接收所述數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所述數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述信號(hào)加載模塊的第四端和所述信號(hào)加載模塊的第三端加載至所述儲(chǔ)存電容的第二端；發(fā)光階段，所述儲(chǔ)存電容 的第二端持續(xù)導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管，并將數(shù)據(jù)信號(hào)加載至驅(qū)動(dòng)晶體管；所述發(fā)光控制模塊的第一端接收第一電壓信號(hào)，并通過所述發(fā)光控制模塊的第二端和所述驅(qū)動(dòng)晶體管加載至所述發(fā)光控制模塊的第三端；所述驅(qū)動(dòng)晶體管將數(shù)據(jù)信號(hào)加載至所述發(fā)光控制模塊的第三端；并由所述光控制模塊的第四端輸出驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)。
11.一種薄膜晶體管背板，包括如權(quán)利要求1-9所述的像素電路。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103500556SQ201310468312
【公開日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】尹靜文, 吳仲遠(yuǎn), 王儷蓉 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司