Oled像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及OLED像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置。一種OLED像素電路，包括：數(shù)據(jù)選通模塊、閾值補償模塊以及驅(qū)動模塊和發(fā)光模塊，其中：所述數(shù)據(jù)選通模塊用于根據(jù)控制是否將所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅(qū)動模塊；所述閾值補償模塊用于對所述驅(qū)動模塊的閾值電壓進行補償；所述驅(qū)動模塊用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)選通模塊提供的數(shù)據(jù)信號驅(qū)動所述發(fā)光模塊發(fā)光。該OLED像素電路能有效補償其電路內(nèi)部晶體管閾值電壓漂移和閾值電壓不一致，使得OLED的驅(qū)動電流不受晶體管閾值電壓的影響，使顯示裝置亮度均勻性更好。
【專利說明】OLED像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及OLED像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有能自發(fā)光、對比度高，色域廣等優(yōu)點，并且還具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因此具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]有機電致發(fā)光顯示裝置中OLED像素電路一般以矩陣方式排列。OLED像素電路按照驅(qū)動方式的不同，可以分為無源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示(Passive MatrixOrganic Light Emission Display,簡稱PMOLED)和有源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示(Active Matrix Organic Light Emission Display,簡稱 AM0LED)兩種。PMOLED 雖然工藝簡單，成本較低，但因存在交叉串?dāng)_、高功耗、低壽命等缺點，不能滿足高分辨率大尺寸顯示的需要。相比之下，AMOLED在每一個像素電路中都集成了一組薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,簡稱TFT)和存儲電容(Storing Capacitor,簡稱Cs),通過對薄膜晶體管TFT和存儲電容Cs的驅(qū)動控制，實現(xiàn)對通過OLED的電流的控制，從而使OLED發(fā)光。相比PMOLED，AMOLED所需驅(qū)動電流小，功耗低，壽命更長，可以滿足高分辨率多灰度的大尺寸顯示需要。同時，AMOLED在可視角度、色彩的還原、功耗以及響應(yīng)時間等方面具有明顯的優(yōu)勢，適用于高信息含量、高分辨率的顯示裝置。
[0004]如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種 4T1C型AMOLED像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，通過OLED的電流為:
[0005]1LED_In_k (Vdata-Vth)............(丄)
[0006]公式(I)中，k為與Tl結(jié)構(gòu)相關(guān)的常數(shù)，Vdata為數(shù)據(jù)電壓，Vth為Tl的閾值電壓。
[0007]由于OLED是電流驅(qū)動器件，從公式(I)可見，通過OLED的電流不僅受數(shù)據(jù)電壓Vdata的控制，同時也受TFT閾值電壓Vth的影響?？梢姡瑘D1所示的OLED像素電路的結(jié)構(gòu)不能對TFT閾值電壓漂移或者閾值電壓不一致進行補償，TFT的閾值特性對驅(qū)動電流的影響很大。而且，在陣列基板制備過程中，由于氧化物TFT的制程不夠成熟，使得氧化物TFT在不同區(qū)域的閾值電壓和遷移率等特性差異很大，各OLED像素電路的TFT不可能具備完全一致的性能參數(shù)；同時，TFT隨著電壓應(yīng)力(Voltage stress)時間增加，閾值會發(fā)生漂移，驅(qū)動電流會發(fā)生變化，其結(jié)果將會造成流過各OLED像素電路中OLED的電流不一致，使得各OLED像素電路發(fā)光亮度不均， 對最終顯示的亮度的影響很大，使得整個顯示屏亮度不均勻，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述的不足，提供一種OLED像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置，該OLED像素電路能對閾值電壓進行有效補償，從而保證各OLED像素電路發(fā)光亮度的均勻性，提高顯示質(zhì)量。[0009]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種OLED像素電路，包括:數(shù)據(jù)選通模塊、閾值補償模塊以及驅(qū)動模塊和發(fā)光模塊，其中:
[0010]所述數(shù)據(jù)選通模塊分別連接所述驅(qū)動模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)所述掃描信號線的掃描信號控制是否將所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅(qū)動模塊；
[0011]所述閾值補償模塊分別連接所述數(shù)據(jù)選通模塊、第一控制信號線、第二控制信號線、第一電壓端和所述驅(qū)動模塊，用于根據(jù)所述第一控制信號線和所述第二控制信號線的控制信號對所述驅(qū)動模塊的閾值電壓進行補償；
[0012]所述驅(qū)動模塊還連接發(fā)光模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)選通模塊提供的數(shù)據(jù)信號驅(qū)動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
[0013]優(yōu)選的是，所述驅(qū)動模塊包括控制端、輸入端和輸出端，其中:
[0014]所述驅(qū)動模塊的控制端連接所述數(shù)據(jù)選通模塊和所述閾值補償模塊，所述驅(qū)動模塊的輸入端連接所述閾值補償模塊，所述驅(qū)動模塊的輸出端連接所述發(fā)光模塊。
[0015]優(yōu)選的是，所述驅(qū)動模塊包括第二晶體管，所述驅(qū)動模塊的控制端為所述第二晶體管的柵極，所述驅(qū)動模塊的輸入端為所述第二晶體管的第一極，且所述驅(qū)動模塊的輸出端為所述第二晶體管的第二極。
[0016]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)選通模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接掃描信號線，所述第一晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)信號線，所述第一晶體管的第二極連接所述驅(qū)動模塊的控制端。
[0017]優(yōu)選的是，所述閾值補償模塊包括第三晶體管、第四晶體管和存儲電容，
[0018]所述第三晶體管的柵極連接第一控制信號線，所述第三晶體管的第一極連接所述第四晶體管的第二極，所述第三晶體管的第二極連接所述存儲電容的一端和所述驅(qū)動模塊的控制端；
[0019]所述第四晶體管的柵極連接第二控制信號線，所述第四晶體管的第一極連接第一電壓端，所述第四晶體管的第二極還連接所述驅(qū)動模塊的輸入端；
[0020]所述存儲電容的一端連接所述第三晶體管的第二極和所述驅(qū)動模塊的控制端，所述存儲電容的另一端連接所述驅(qū)動模塊的輸出端。
[0021]其中，所述OLED像素電路中所述第一晶體管至所述第四晶體管均為N型晶體管。
[0022]優(yōu)選的是，所述發(fā)光模塊包括0LED，所述OLED的陽極連接所述驅(qū)動模塊的輸出端，陰極連接第二電壓端，所述第二電壓端為低電壓端。
[0023]一種顯示裝置，包括上述的OLED像素電路。
[0024]一種OLED像素電路的驅(qū)動方法，其中，所述OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)選通模塊、閾值補償模塊、驅(qū)動模塊和發(fā)光模塊，所述驅(qū)動方法包括下述步驟:
[0025]預(yù)充電步驟:輸入初始化信號，并對所述閾值補償模塊進行預(yù)充電，并使所述驅(qū)動模塊初始化；
[0026]復(fù)位步驟:輸入復(fù)位信號，對所述驅(qū)動模塊及所述發(fā)光模塊進行復(fù)位；
[0027]閾值電壓獲取步驟:輸入閾值電壓獲取信號，獲取所述驅(qū)動模塊的閾值電壓；
[0028]數(shù)據(jù)寫入步驟:掃描信號線輸入掃描信號，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與所述閾值電壓進行疊加并寫入所述驅(qū)動模塊的控制端；[0029]顯示發(fā)光步驟:第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，所述驅(qū)動模塊驅(qū)動所述發(fā)光模塊。
[0030]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)選通模塊包括第一晶體管，所述驅(qū)動模塊包括第二晶體管，所述閾值補償模塊包括第三晶體管、第四晶體管和存儲電容，所述發(fā)光模塊包括0LED，所述驅(qū)動方法具體包括:
[0031]在預(yù)充電步驟中，第一控制信號線和第二控制信號線輸入初始化信號，所述第三晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，將第一電壓端的高電平接入所述第二晶體管的柵極，對所述存儲電容進行預(yù)充電；
[0032]在復(fù)位步驟中，所述第二控制信號線輸入復(fù)位信號，所述第三晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，所述第一電壓端的低電平將所述第二晶體管的第二極及所述OLED的陽極進行復(fù)位；
[0033]在閾值獲取步驟中，所述第一控制信號線輸入閾值獲取信號，所述第四晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第二晶體管的柵極與其第二極的電壓差為該所述第二晶體管的閾值電壓，將該閾值電壓存儲于所述存儲電容中，以用于對所述第二晶體管的閾值電壓進行補償；
[0034]數(shù)據(jù)寫入步驟中，掃描信號線輸入掃描信號，所述第一晶體管導(dǎo)通，所述第三晶體管和所述第四晶體管關(guān)閉，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與所述存儲電容中存儲的所述閾值電壓進行疊加并寫入所述第二晶體管的柵極；
[0035]顯示發(fā)光步驟中，第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，所述第一晶體管和所述第三晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，所述第一電壓端的高電平接入所述第二晶體管的第一極，所述第二晶體管的第二極驅(qū)動發(fā)光模塊發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。
[0036]本發(fā)明獲得的有益效果是，提供了 一種OLED像素電路，該OLED像素電路可對該電路內(nèi)部的晶體管閾值電壓進行補償，并將經(jīng)過閾值電壓補償?shù)臄?shù)據(jù)信號輸出，從而可達到對閾值電壓的漂移進行補償?shù)募夹g(shù)效果，使得驅(qū)動電流不受晶體管閾值電壓的影響，改善OLED像素電路中OLED顯示的效果(更穩(wěn)定)和延長OLED的壽命；同時由于該OLED像素電路的結(jié)構(gòu)簡單，因此具有較高的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種OLED像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2為本發(fā)明實施例1中OLED像素電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0039]圖3為對應(yīng)著圖2的OLED像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4為對應(yīng)著圖3的OLED像素電路的信號時序圖；
[0041]附圖標(biāo)記:
[0042]1-數(shù)據(jù)選通模塊；2_閾值補償模塊；3_驅(qū)動模塊；4_發(fā)光模塊。
【具體實施方式】
[0043]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明OLED像素電路及驅(qū)動方法、顯示裝置作進一步詳細描述。
[0044]實施例1:[0045]本實施例提供一種OLED像素電路及驅(qū)動方法。
[0046]如圖2所示，一種OLED像素電路，包括:數(shù)據(jù)選通模塊1、閾值補償模塊2、驅(qū)動模塊3以及發(fā)光模塊4，其中:
[0047]數(shù)據(jù)選通模塊1:分別連接驅(qū)動模塊3、掃描信號線GATE和數(shù)據(jù)信號線DATA，用于根據(jù)掃描信號線GATE的掃描信號控制是否將數(shù)據(jù)信號線DATA上的數(shù)據(jù)信號輸入至驅(qū)動模塊3 ；
[0048]閾值補償模塊2:分別連接數(shù)據(jù)選通模塊1、第一控制信號線S1、第二控制信號線S2、第一電壓端ELVdd和驅(qū)動模塊3,用于根據(jù)第一控制信號線SI和第二控制信號線S2的控制信號對驅(qū)動模塊3的閾值電壓進行補償；
[0049]驅(qū)動模塊3:還連接發(fā)光模塊4，用于根據(jù)數(shù)據(jù)選通模塊I提供的數(shù)據(jù)信號驅(qū)動發(fā)光模塊4發(fā)光。
[0050]其中，驅(qū)動模塊3包括控制端、輸入端和輸出端，驅(qū)動模塊3的控制端連接數(shù)據(jù)選通模塊I和閾值補償模塊2，驅(qū)動模塊3的輸入端連接閾值補償模塊2，驅(qū)動模塊3的輸出端連接發(fā)光模塊4。
[0051]具體的，如圖3所示，驅(qū)動模塊3包括第二晶體管TFT2，驅(qū)動模塊3的控制端為第二晶體管TFT2的柵極，驅(qū)動模塊3的輸入端為第二晶體管TFT2的第一極，且驅(qū)動模塊3的輸出端為第二晶體管TFT2的第二極。
[0052]數(shù)據(jù)選通模塊I包括第一晶體管TFT1，第一晶體管TFTl的柵極連接掃描信號線GATE，第一晶體管TFTl的第一極連接數(shù)據(jù)信號線DATA，第一晶體管TFTl的第二極連接驅(qū)動模塊3的控制端。
[0053]閾值補償模塊2包括第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4和存儲電容Cs，其中:
[0054]第三晶體管TFT3的柵極連接第一控制信號線SI，第三晶體管TFT3的第一極連接第四晶體管TFT4的第二極，第三晶體管TFT3的第二極連接存儲電容Cs的一端和驅(qū)動模塊3的控制端；
[0055]第四晶體管TFT4的柵極連接第二控制信號線S2，第四晶體管TFT4的第一極連接第一電壓端ELVdd，第四晶體管TFT4的第二極還連接驅(qū)動模塊3的輸入端；
[0056]存儲電容Cs的一端連接第三晶體管TFT3的第二極，存儲電容Cs的另一端連接驅(qū)動模塊3的輸出端。
[0057]很顯然，此時驅(qū)動模塊3中第二晶體管TFT2的柵極分別連接第一晶體管TFTl的第二極、第三晶體管TFT3的第二極和存儲電容Cs的一端，第二晶體管TFT2的第一極連接第四晶體管TFT4的第二極，第二晶體管TFT2的第二極分別連接存儲電容Cs的另一端和發(fā)光模塊4。
[0058]發(fā)光模塊4包括OLED，OLED的陽極連接驅(qū)動模塊3的輸出端，陰極連接第二電壓端Vss，第二電壓端Vss為低電壓端。在本實施例中，結(jié)合圖3和圖4，數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過第一晶體管TFTl (相當(dāng)于開關(guān)晶體管)對存儲電容Cs充電，為選通的OLED提供帶有顯示信息的數(shù)據(jù)信號，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)信號對通過OLED的電流的控制，使得OLED實現(xiàn)發(fā)光顯示。
[0059]在本實施例中，以薄膜晶體管(TFT)為示例進行說明，也就是說，在本實施例中，晶體管即指的是薄膜晶體管。同時，在本實施例中，OLED像素電路由四個薄膜晶體管和一個存儲電容構(gòu)成，其中TFTl為開關(guān)晶體管，TFT2為驅(qū)動晶體管，TFT3和TFT4為控制晶體管；SI和S2為控制信號線，輸出控制信號；GATE為掃描信號線，輸出掃描信號；DATA為數(shù)據(jù)信號線，輸出數(shù)據(jù)信號；第一電壓端ELVdd為功率提供信號，第二電壓端Vss為接地提供信號。
[0060]在本實施例中，OLED像素電路中第一晶體管TFTl至第四晶體管TFT4均同時為N型晶體管，此時，其第一極可以是源極，第二極可以是漏極；或者，OLED像素電路中第一晶體管TFTl至第四晶體管TFT4均同時為P型晶體管，此時，其第一極可以是漏極，第二極可以是源極；或者，OLED像素電路中第一晶體管TFTl至第四晶體管TFT4混合選用N型晶體管和P型晶體管，只需同時將選定類型的晶體管TFT1-TFT4的端口極性按本實施例晶體管TFT1-TFT4的端口極性在連接上做相應(yīng)的改變即可。同時應(yīng)該理解的是，本實施例中的TFT1-TFT4也并不限于TFT，任何具有電壓控制能力的控制器件以使得本發(fā)明按照上述工作方式工作的電路均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)實際需要進行改變，此處不再附圖贅述。
[0061]圖4所示為本實施例中OLED像素電路的信號時序圖，其包括驅(qū)動信號及節(jié)點波形。在本實施例中，第一電壓端ELVdd為提供電源，ELVdd用于驅(qū)動OLED的電壓范圍為10-15V ;而數(shù)據(jù)電壓Vdata的設(shè)置范圍根據(jù)具體應(yīng)用中OLED像素電路的驅(qū)動要求確定。
[0062]同時需要說明的是，如圖3所示，驅(qū)動模塊3的控制端為節(jié)點A，該節(jié)點A為閾值補償模塊2與驅(qū)動模塊3的連接點；驅(qū)動模塊3的輸入端為節(jié)點B，該節(jié)點B為數(shù)據(jù)選通模塊
1、閾值補償模塊2與驅(qū)動模塊3的連接點；驅(qū)動模塊3的輸出端為節(jié)點C，該節(jié)點C為驅(qū)動模塊3與發(fā)光模塊4的連接點。
[0063]相應(yīng)的，本實施例中OLED像素電路的驅(qū)動方法中，包括:預(yù)充電步驟、復(fù)位步驟、閾值電壓補償步驟、數(shù)據(jù)寫入步驟和顯示發(fā)光步驟五個步驟。其中:
[0064]預(yù)充電步驟(第I步驟):輸入初始化信號，并對閾值補償模塊進行預(yù)充電，并使驅(qū)動模塊初始化；
[0065]復(fù)位步驟(第II步驟):輸入復(fù)位信號，對驅(qū)動模塊及發(fā)光模塊進行復(fù)位；
[0066]閾值電壓獲取步驟(第III步驟):輸入閾值電壓獲取信號，獲取驅(qū)動模塊的閾值電壓；
[0067]數(shù)據(jù)寫入步驟(第V步驟):掃描信號線輸入掃描信號，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與閾值電壓進行疊加并寫入驅(qū)動模塊的控制端；
[0068]顯示發(fā)光步驟(第VI步驟):第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，驅(qū)動模塊驅(qū)動發(fā)光模塊。
[0069]具體的，驅(qū)動方法包括:
[0070]在預(yù)充電步驟中:第一控制信號線和第二控制信號線輸入初始化信號，第三晶體管和第四晶體管導(dǎo)通，將第一電壓端的高電平接入第二晶體管的柵極，對存儲電容進行預(yù)充電。具體的，結(jié)合圖3和圖4，GATE為低電平，第一晶體管TFTl關(guān)閉；第一控制信號線SI和第二控制信號線S2為高電平，第三晶體管TFT3和第四晶體管TFT4導(dǎo)通；第一電壓端ELVdd信號為高電平，此時將ELVdd的高電平接入第二晶體管TFT2的柵極，對存儲電容Cs進行預(yù)充電，即向節(jié)點B充電，當(dāng)節(jié)點B電壓大于TFT2的閾值電壓，TFT2導(dǎo)通。這時OLED出現(xiàn)短暫的發(fā)光現(xiàn)象，但是由于發(fā)光時間較為短暫，所以對OLED像素電路的對比度的影響可以忽略不計。
[0071]在復(fù)位步驟中:第二控制信號線輸入復(fù)位信號，第三晶體管關(guān)閉，第二晶體管和第四晶體管導(dǎo)通，第一電壓端的低電平將第二晶體管的第二極及OLED的陽極進行復(fù)位。具體的，結(jié)合圖3和圖4，GATE信號為低電平，第一晶體管TFTl關(guān)閉；S1為低電平，第三晶體管TFT3關(guān)閉；S2為高電平，第四晶體管TFT4導(dǎo)通；第二晶體管TFT2保持導(dǎo)通；第一電壓端ELVdd為低電平，ELVdd的低電平將第二晶體管的第二極進行復(fù)位(即將驅(qū)動模塊3的輸出端復(fù)位)，節(jié)點C為低電平。OLED的陽極也即同時被復(fù)位，使得第二晶體管TFT2(驅(qū)動晶體管)在閾值補償步驟前及數(shù)據(jù)寫入步驟OLED顯示為黑態(tài)，OLED不發(fā)光。[0072]在閾值獲取步驟中:第一控制信號線輸入閾值獲取信號，第四晶體管關(guān)閉，第二晶體管和第三晶體管導(dǎo)通，第二晶體管的柵極與其第二極的電壓差為該第二晶體管的閾值電壓，將該閾值電壓存儲于存儲電容中，以用于對第二晶體管的閾值電壓進行補償。具體的，結(jié)合圖3和圖4，GATE和S2為低電平，第一晶體管TFTI和第四晶體管TFT4關(guān)閉；SI為高電平，第三晶體管TFT3導(dǎo)通，節(jié)點B通過第一控制信號線SI經(jīng)TFT3向節(jié)點A充電，這時TFT2仍然保持導(dǎo)通，節(jié)點A向節(jié)點C放電，節(jié)點C的電壓逐漸升高，直到節(jié)點C電壓Vc=Vb-Vth,其中，Vb為節(jié)點B的電壓，Vth為TFT2的閾值電壓。此時節(jié)點B和節(jié)點C之間的電容就存儲了Vth。
[0073]如圖4所示，在該階段步驟中，雖然節(jié)點B與節(jié)點C的電壓均不為零，節(jié)點B先充電且控制TFT2的打開，且節(jié)點C有漏電的路徑，所以節(jié)點B電壓大于節(jié)點C電壓，即存儲電容(；中存儲有不為零的存儲電壓。也就是說，第二晶體管TFT2的柵極與其第二極的電壓差為該第二晶體管TFT2的閾值電壓，該閾值電壓存儲于存儲電容Cs中。
[0074]數(shù)據(jù)寫入步驟:掃描信號線輸入掃描信號，第一晶體管導(dǎo)通，第三晶體管和第四晶體管關(guān)閉，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與存儲電容中存儲的閾值電壓進行疊加并寫入第二晶體管的柵極。具體的，結(jié)合圖3和圖4，GATE為高電平，第一晶體管TFTl導(dǎo)通；SI和S2為低電平，第三晶體管TFT3和第四晶體管TFT4關(guān)閉；ELVdd為低電平，數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入第二晶體管TFT2的柵極，節(jié)點B的電壓發(fā)生變化，節(jié)點B的電壓變化通過電容耦合作用使得節(jié)點C的電壓隨之變化，節(jié)點A為懸空(Floating)狀態(tài)。
[0075]如圖4所示，在該步驟中，節(jié)點B與節(jié)點C的電壓差大于零，節(jié)點B和節(jié)點C之間的電壓差包含了 Vth以及Vdata數(shù)據(jù)電壓。
[0076]顯示發(fā)光步驟:第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，第一晶體管和第三晶體管關(guān)閉，第二晶體管和第四晶體管導(dǎo)通，第一電壓端的高電平接入第二晶體管的第一極，第二晶體管的第二極驅(qū)動發(fā)光模塊發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。具體的，結(jié)合圖3和圖4，GATE和SI為低電平，第一晶體管TFTl和第三晶體管TFT3關(guān)閉；S2為高電平，第四晶體管TFT4導(dǎo)通；第二晶體管TFT2保持導(dǎo)通，第一電壓端ELVdd為高電平，ELVdd的高電平通過第四晶體管TFT4和第二晶體管TFT2為發(fā)光模塊提供電流，并通過第二晶體管TFT2的第二極驅(qū)動OLED，OLED正常發(fā)光，實現(xiàn)顯示。
[0077]由于此時，節(jié)點B與節(jié)點C的電壓差大于零，節(jié)點B和節(jié)點C之間的電壓差包含了Vth,所以，TFT4和TFT2為OLED提供的電流(即流過OLED的電流)為:
【權(quán)利要求】
1.一種OLED像素電路，其特征在于，包括:數(shù)據(jù)選通模塊、閾值補償模塊以及驅(qū)動模塊和發(fā)光模塊，其中:
所述數(shù)據(jù)選通模塊分別連接所述驅(qū)動模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)所述掃描信號線的掃描信號控制是否將所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅(qū)動模塊； 所述閾值補償模塊分別連接所述數(shù)據(jù)選通模塊、第一控制信號線、第二控制信號線、第一電壓端和所述驅(qū)動模塊，用于根據(jù)所述第一控制信號線和所述第二控制信號線的控制信號對所述驅(qū)動模塊的閾值電壓進行補償； 所述驅(qū)動模塊還連接發(fā)光模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)選通模塊提供的數(shù)據(jù)信號驅(qū)動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動模塊包括控制端、輸入端和輸出端，其中: 所述驅(qū)動模塊的控制端連接所述數(shù)據(jù)選通模塊和所述閾值補償模塊，所述驅(qū)動模塊的輸入端連接所述閾值補償模塊，所述驅(qū)動模塊的輸出端連接所述發(fā)光模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動模塊包括第二晶體管，所述驅(qū)動模塊的控制端為所述第二晶體管的柵極，所述驅(qū)動模塊的輸入端為所述第二晶體管的第一極，且所述驅(qū)動模塊的輸出端為所述第二晶體管的第二極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)選通模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接掃描信號線，所述第一晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)信號線，所述第一晶體管的第二極連接所述驅(qū)動模塊的控制端。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED像素電路，其特征在于，所述閾值補償模塊包括第三晶體管、第四晶體管和存儲電容， 所述第三晶體管的柵極連接第一控制信號線，所述第三晶體管的第一極連接所述第四晶體管的第二極，所述第三晶體管的第二極連接所述存儲電容的一端和所述驅(qū)動模塊的控制端； 所述第四晶體管的柵極連接第二控制信號線，所述第四晶體管的第一極連接第一電壓端，所述第四晶體管的第二極還連接所述驅(qū)動模塊的輸入端； 所述存儲電容的一端連接所述第三晶體管的第二極和所述驅(qū)動模塊的控制端，所述存儲電容的另一端連接所述驅(qū)動模塊的輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的OLED像素電路，其特征在于，所述OLED像素電路中所述第一晶體管至所述第四晶體管均為N型晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED像素電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括0LED，所述OLED的陽極連接所述驅(qū)動模塊的輸出端，陰極連接第二電壓端，所述第二電壓端為低電壓端。
8.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的OLED像素電路。
9.一種OLED像素電路的驅(qū)動方法，其特征在于，所述OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)選通模塊、閾值補償模塊、驅(qū)動模塊和發(fā)光模塊，所述驅(qū)動方法包括下述步驟: 預(yù)充電步驟:輸入初始化信號，并對所述閾值補償模塊進行預(yù)充電，并使所述驅(qū)動模塊初始化； 復(fù)位步驟:輸入復(fù)位信號，對所述驅(qū)動模塊及所述發(fā)光模塊進行復(fù)位；閾值電壓獲取步驟:輸入閾值電壓獲取信號，獲取所述驅(qū)動模塊的閾值電壓； 數(shù)據(jù)寫入步驟:掃描信號線輸入掃描信號，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與所述閾值電壓進行疊加并寫入所述驅(qū)動模塊的控制端； 顯示發(fā)光步驟:第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，所述驅(qū)動模塊驅(qū)動所述發(fā)光模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)選通模塊包括第一晶體管，所述驅(qū)動模塊包括第二晶體管，所述閾值補償模塊包括第三晶體管、第四晶體管和存儲電容，所述發(fā)光模塊包括OLED,所述驅(qū)動方法具體包括: 在預(yù)充電步驟中，第一控制信號線和第二控制信號線輸入初始化信號，所述第三晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，將第一電壓端的高電平接入所述第二晶體管的柵極，對所述存儲電容進行預(yù)充電； 在復(fù)位步驟中，所述第二控制信號線輸入復(fù)位信號，所述第三晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，所述第一電壓端的低電平將所述第二晶體管的第二極和所述OLED的陽極進行復(fù)位； 在閾值獲取步驟中，所述第一控制信號線輸入閾值獲取信號，所述第四晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第三晶體管導(dǎo)通，所述第二晶體管的柵極與其第二極的電壓差為該所述第二晶體管的閾值電壓，將該閾值電壓存儲于所述存儲電容中，以用于對所述第二晶體管的閾值電壓進行補償； 數(shù)據(jù)寫入步驟中，掃描 信號線輸入掃描信號，所述第一晶體管導(dǎo)通，所述第三晶體管和所述第四晶體管關(guān)閉，將數(shù)據(jù)信號線輸入的數(shù)據(jù)信號與所述存儲電容中存儲的所述閾值電壓進行疊加并寫入所述第二晶體管的柵極； 顯示發(fā)光步驟中，第二控制信號線輸入發(fā)光控制信號，所述第一晶體管和所述第三晶體管關(guān)閉，所述第二晶體管和所述第四晶體管導(dǎo)通，所述第一電壓端的高電平接入所述第二晶體管的第一極，所述第二晶體管的第二極驅(qū)動發(fā)光模塊發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。
【文檔編號】G09G3/32GK103531151SQ201310538421
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月4日
【發(fā)明者】張玉婷 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司