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有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法

文檔序號(hào):2540352閱讀:209來(lái)源:國(guó)知局
有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。更具體地,本發(fā)明涉及用于抑制有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的垂直串?dāng)_現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu),該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管中的閾值電壓變化的內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,可以使用與掃描線或數(shù)據(jù)線相同的金屬層來(lái)形成屏蔽電極,從而提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,在該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線之間的耦合的影響被最小化。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,更具體地,涉及用于抑制有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的垂直串?dāng)_現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu),該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管中的閾值電壓變化的內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]被提議用于代替現(xiàn)有的陰極射線管顯示裝置的平板顯示裝置可以包括液晶顯示器、場(chǎng)致發(fā)光顯示器、等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器等。
[0003]其中,根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,有機(jī)發(fā)光二極管可以提供如下優(yōu)點(diǎn),例如,高亮度和低操作電壓特性、由于操作為自然地發(fā)光的自發(fā)光類型而具有的高對(duì)比度以及允許超薄顯示器的實(shí)現(xiàn)。此外,有機(jī)發(fā)光二極管具有如下特性,例如,利用幾微秒(μ s)的響應(yīng)時(shí)間方便運(yùn)動(dòng)圖像的實(shí)現(xiàn)、在視角方面沒(méi)有任何限制以及即使在低溫下也具有穩(wěn)定性。
[0004]圖1是示出相關(guān)技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素的等效電路圖的視圖。
[0005]如圖所示,在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,掃描信號(hào)(Scan)線與數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)線以互相交叉的方式形成,并且,用于提供電源電壓(VDD)的線以預(yù)定距離與數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)線分開(kāi)形成,從而形成一個(gè)像素(PX)。
[0006]此外,有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括:開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(SWT),該開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(SWT)用于響應(yīng)于掃描信號(hào)(Scan)將數(shù)據(jù)信號(hào)(Vdata)施加到第一節(jié)點(diǎn)(NI);以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT),該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于在源極接收驅(qū)動(dòng)電壓(VDD),并根據(jù)施加到第一節(jié)點(diǎn)(NI)上的電壓將漏電流施加到有機(jī)發(fā)光二極管(EL);以及電容器(Cl),該電容器用于將施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的電壓保持一個(gè)幀的周期。
[0007]此外,有機(jī)發(fā)光二極管(EL)可以包括形成在陰極和陽(yáng)極之間的有機(jī)發(fā)光層,其陽(yáng)極連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的漏極,并且其陰極接地(VSS)。有機(jī)發(fā)光層可以包括空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層。
[0008]上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置控制流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(EL)的電流量以顯示圖像灰度,并且,圖像質(zhì)量由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的特性來(lái)決定。
[0009]然而,即使在一個(gè)顯示面板中,都可能發(fā)生每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間的閾值電壓變化,并且,流經(jīng)每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(EL)的電流也可能變化,從而引起不能實(shí)現(xiàn)預(yù)期灰度的問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題,如圖2所示,提出了內(nèi)部補(bǔ)償型像素結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中,增加了用于施加參考電壓(VREF)的一個(gè)或更多個(gè)采樣薄膜晶體管(Tl、T2)和多個(gè)電容器(C1、C2),以通過(guò)感測(cè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的閾值電壓并移除在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的漏電流上感測(cè)到的閾值電壓分量來(lái)補(bǔ)償閾值電壓變化。
[0010]然而,根據(jù)上述內(nèi)部補(bǔ)償型像素結(jié)構(gòu),相比于相關(guān)技術(shù)圖1,需要提供更多數(shù)量的薄膜晶體管,因此,其具有減小孔徑比(aperture ratio)的缺點(diǎn)。
[0011]此外,可以如下方式設(shè)計(jì)像素以使得在有限的像素空間內(nèi)保證最大的孔徑比,因此,連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的線設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(DL)相鄰,并且,根據(jù)寄生電容,由于由數(shù)據(jù)線(DL)的電壓變化引起的耦合效應(yīng),使得施加到柵極的電壓波動(dòng),因此,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓發(fā)生變化。
[0012]這可能改變驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電流,從而引起諸如垂直串?dāng)_的圖像質(zhì)量劣化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明致力于解決上述問(wèn)題,并且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于抑制圖像質(zhì)量劣化問(wèn)題的具有內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,該圖像質(zhì)量劣化問(wèn)題是由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容所引起的。
[0014]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括:基板;掃描線,該掃描線沿第一方向形成在所述基板上;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在與所述第一方向垂直的第二方向上,以在與所述掃描線交叉的位置限定像素區(qū)域;多個(gè)薄膜晶體管,該多個(gè)薄膜晶體管形成在所述像素區(qū)域上;有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管;以及屏蔽電極,該屏蔽電極形成在所述數(shù)據(jù)線的下層,與電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電極相鄰。
[0015]所述屏蔽電極可以由與所述掃描線和柵極相同的金屬層形成。
[0016]所述屏蔽電極可以與所述數(shù)據(jù)線交疊。
[0017]電連接到所述柵極的電極通過(guò)位于其上部的對(duì)置電極可以形成電容器。
[0018]所述屏蔽電極可以處于浮置狀態(tài)或被施加具有固定電壓電平的DC電壓。
[0019]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以包括:基板;掃描線,該掃描線沿第一方向形成所述基板上;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在與所述第一方向垂直的第二方向上,以在與所述掃描線交叉的位置限定像素區(qū)域;多個(gè)薄膜晶體管,該多個(gè)薄膜晶體管形成在該像素區(qū)域上;有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管;以及屏蔽電極,該屏蔽電極形成在電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
[0020]所述屏蔽電極可以由與所述數(shù)據(jù)線相同的金屬層形成。
[0021 ] 所述屏蔽電極可以與電連接到所述數(shù)據(jù)線和所述柵極的電極平行地形成。
[0022]所述屏蔽電極可以處于浮置狀態(tài)或被施加具有固定電壓電平的DC電壓。
[0023]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,可以使用與掃描線或數(shù)據(jù)線相同的金屬層來(lái)形成屏蔽電極,從而最小化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和數(shù)據(jù)線之間的耦合的影響。因此,其具有提供用于抑制垂直串?dāng)_現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)高清晰度圖像的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的效果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解并被并入且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式,并且與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0025]在附圖中:
[0026]圖1是示出相關(guān)技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素的等效電路圖的視圖;[0027]圖2是示出相關(guān)技術(shù)中具有內(nèi)部補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的像素的部分的視圖;
[0028]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管顯示裝置的總體結(jié)構(gòu)的視圖;
[0029]圖4是示出圖3中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素的等效電路圖的視圖;
[0030]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素的部分的平面視圖;
[0031]圖6是示出圖5中的沿著線V1-VI的部分以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的橫截面的視圖;
[0032]圖7A至7C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的視圖;以及
[0033]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的像素的部分的平面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]在下文中,將結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0035]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管顯示裝置的總體結(jié)構(gòu)的視圖。
[0036]如圖所示,在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,彼此交叉的多條掃描線(SL)和數(shù)據(jù)線(DL)形成在基板100上以將像素(PX)限定在掃描線(SL)和數(shù)據(jù)線(DL)彼此交叉的位置上。此外,形成設(shè)置為沿著與掃描線(SL)平行的方向上的多條控制信號(hào)線(CL),并且將該多條控制信號(hào)線連接到像素(PX)。
[0037]每個(gè)像素(PX)都形成在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的中心部分,并且,將用于將掃描信號(hào)施加到掃描線(SL)的掃描驅(qū)動(dòng)單元105、用于將控制信號(hào)施加到控制信號(hào)線(CL)的控制信號(hào)提供單元106以及用于將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到數(shù)據(jù)線(DL)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元109布置于有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的邊緣部分。
[0038]盡管沒(méi)有在圖中示出,但是每個(gè)像素都由至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、薄膜晶體管和電容器組成。這里,有機(jī)發(fā)光二極管可以包括第一電極(空穴注入電極)、有機(jī)化合物層以及第二電極(電子注入層)。
[0039]除了實(shí)際上發(fā)光的發(fā)光層之外,有機(jī)化合物層還可以包括用于向發(fā)光層有效地傳輸空穴或電子載流子(carrier)的各種有機(jī)層。這些有機(jī)層可以是位于第一電極和發(fā)光層之間的空穴注入層和空穴傳輸層,以及位于第二電極和發(fā)光層之間的電子注入層和電子傳輸層。
[0040]此外,每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置的一薄膜晶體管由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管制成,用于控制流經(jīng)多個(gè)薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的電流,以進(jìn)行閾值電壓采樣。更具體地,這些薄膜晶體管中的用于采樣的一個(gè)薄膜晶體管連接至掃描線和數(shù)據(jù)線,以根據(jù)在掃描線接收到的開(kāi)關(guān)電壓將在數(shù)據(jù)線接收到的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。電容器連接至開(kāi)關(guān)晶體管和電源線以存儲(chǔ)電壓,該電壓與從開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)送的數(shù)據(jù)電壓和被去除了通過(guò)參考電壓而采樣到的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的電壓之間的差成比例。
[0041]驅(qū)動(dòng)晶體管連接到電源線和電容器,以向有機(jī)發(fā)光二極管提供與存儲(chǔ)在電容器內(nèi)的電壓相對(duì)應(yīng)的輸出電流,并且,有機(jī)發(fā)光二極管通過(guò)輸出電流發(fā)光。這里,驅(qū)動(dòng)晶體管可以包括柵極、源極和漏極,并且,有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極可以連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極。
[0042]此外,接合在印刷電路板上用于從外部接收電源電壓、地電壓和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)二極管顯示裝置的其它信號(hào)的焊盤(PAD)形成在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元109的上部。
[0043]由通過(guò)每條掃描線(SL)施加的掃描信號(hào)以掃描線(SL)為單位順序驅(qū)動(dòng)像素(PX),來(lái)顯示與通過(guò)數(shù)據(jù)線(DL)施加的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的灰度。盡管沒(méi)有在圖中示出,但是每個(gè)像素(PX)可以包括有機(jī)發(fā)光二極管和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)薄膜晶體管,并且每個(gè)薄膜晶體管連接至上述掃描線(SL)、數(shù)據(jù)線(DL)、電源線和地電源線來(lái)根據(jù)施加的信號(hào)顯示灰度。
[0044]圖4是示出圖3中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素的等效電路圖的視圖。
[0045]如圖所示,有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的一個(gè)像素可以包括:驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)、四個(gè)電容器(C1-C4)以及用于閾值電壓補(bǔ)償?shù)亩鄠€(gè)薄膜晶體管(T1-T5)。
[0046]第一薄膜晶體管(Tl)的柵極連接到掃描線,第一薄膜晶體管(Tl)漏極和源極分別連接到數(shù)據(jù)線和第一節(jié)點(diǎn)(NI)。
[0047]第二薄膜晶體管(T2)的柵極連接到感測(cè)信號(hào)線,并且第二薄膜晶體管(T2)的源極連接到第三節(jié)點(diǎn)(N3),并且,將參考電壓(VREF)施加到第二薄膜晶體管(T2)的漏極。
[0048]EM信號(hào)(EM)施加到第三薄膜晶體管(T3)的柵極,并且第三薄膜晶體管(T3)的漏極和源極分別連接到第一和第二節(jié)點(diǎn)(NI,N2)。
[0049]Init控制信號(hào)(INIT)施加到第四薄膜晶體管(T4)的柵極,初始電壓(VINIT)施加到第四薄膜晶體管(T4)的漏極,并且第四薄膜晶體管(T4)的源極連接到第二節(jié)點(diǎn)(N2)。
[0050]Init控制信號(hào)(INIT)施加到第五薄膜晶體管(T5)的柵極,并且參考電壓(VREF)施加到第五薄膜晶體管(T5)的漏極,并且第五薄膜晶體管(T5)的源極連接到第二節(jié)點(diǎn)(N2)。
[0051]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)(N2),電源電壓(VDD)施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的漏極,并且,有機(jī)發(fā)光二極管連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的源極。
[0052]第一電容器(Cl)連接在第一節(jié)點(diǎn)(NI)和第四薄膜晶體管(T4)之間,通過(guò)在第一和第二節(jié)點(diǎn)(NI,N2)之間插入第三節(jié)點(diǎn)(N3),第二和第三電容器(C2,C3)連接到第一和第二節(jié)點(diǎn)(N1,N2)。第四電容器(C4)連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極和源極之間。
[0053]根據(jù)上述結(jié)構(gòu),當(dāng)將初始信號(hào)(INIT)和EM信號(hào)(EM)施加到上述結(jié)構(gòu)時(shí),第四和第五薄膜晶體管(T4,T5)導(dǎo)通,以將第一和第二節(jié)點(diǎn)(NI,N2)分別充電到初始電壓(VINIT)和參考電壓(VREF)。隨后,施加EM信號(hào)(EM)以將第一節(jié)點(diǎn)(NI)充電到參考電壓(VREF),并且當(dāng)沿著掃描信號(hào)(SCAN)通過(guò)第一晶體管將數(shù)據(jù)電壓(VDATA)施加到第一節(jié)點(diǎn)(NI)時(shí),由于第二和第三電容器(C2,C3)的耦合,第二節(jié)點(diǎn)(N2)處的第二節(jié)點(diǎn)電壓升高,因此,使用閾值電壓(Vth)以及與參考電壓(VREF)和數(shù)據(jù)電壓(VDATA)之間的差相對(duì)應(yīng)的電壓,將第二節(jié)點(diǎn)(N2)充電到電源電壓(VDD),因此,經(jīng)由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)流入有機(jī)發(fā)光二極管(Dl)的電流(IOLED)滿足下列公式I。
[0054][公式I][0055]IOLED = ^k{VDATA - VREF)1
[0056]這里,k表示比例常數(shù),即,由驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的結(jié)構(gòu)和物理特性所確定的值。可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的遷移率、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的溝道長(zhǎng)度L與溝道寬度W的比等來(lái)確定k。
[0057]因此,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置補(bǔ)償了像素之間驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管中的閾值電壓變化。
[0058]根據(jù)上述結(jié)構(gòu),驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極通過(guò)第二節(jié)點(diǎn)(N2)電連接至第三電容器(C3 ),并且根據(jù)像素結(jié)構(gòu),第三電容器(C3 )的兩個(gè)電極與數(shù)據(jù)線相鄰地形成。具體地,由于條紋狀(fringe shape)的稱合,數(shù)據(jù)線的電壓變化對(duì)第二節(jié)點(diǎn)(N2)(即,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極和與該柵極電連接的線)有影響。為了最小化這一耦合影響,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的特征在于,在數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極以及電連接至該柵極的線之間進(jìn)一步設(shè)置了屏蔽電極。
[0059]在下文中,將結(jié)合附圖,詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。
[0060]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素的部分的平面視圖,并且圖6是示出圖5中的沿著線V1-VI’的部分以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的橫截面的視圖。
[0061]參照附圖,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的一個(gè)像素可以包括在基板120上形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)和電容器(C2-C4)。此外,盡管圖中沒(méi)有示出,根據(jù)本發(fā)明的像素還可以包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管和第一電容器以及有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。
[0062]基板120可以由諸如玻璃的固體材料或諸如塑料的柔性材料所形成。
[0063]開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(未示出)的有源層122以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)形成在基板120的上層上,并且柵絕緣層124形成在有源層122的上層上。
[0064]開(kāi)關(guān)晶體管(未示出)的柵極126以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)形成在與有源層122對(duì)應(yīng)的柵絕緣層124的上層上。這里,將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極126的部分延伸以形成第四電容器(C4)的下電極,并且該下電極通過(guò)接觸孔電連接至第三電容器(C3)的上電極131。將與第三電容器(C3)的上電極131相對(duì)應(yīng)的下電極延伸以形成第二電容器(C2)的下電極127。
[0065]因此,第二電容器(C2)的下電極電連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極。
[0066]另一方面,當(dāng)從平面看時(shí),感測(cè)信號(hào)線123和初始信號(hào)線125沿第一方向形成在像素(PX)的下部區(qū)域內(nèi),盡管未在圖中示出,但掃描線和EM線(未示出)與第一方向平行地形成在向上方向上。上述感測(cè)信號(hào)線123和初始信號(hào)線125與柵極形成在同一層,該感測(cè)信號(hào)線123和初始信號(hào)線125由該柵極相同的金屬形成。
[0067]此外,當(dāng)從截面部分看時(shí),層間絕緣層130形成在柵極126的上層上,并且,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極132和漏極134形成在層間絕緣層130的上層上。此外,數(shù)據(jù)線136沿第二方向形成在同一層上。這里,盡管未在圖中示出,但開(kāi)關(guān)晶體管(未示出)可以形成與驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)相同的截面構(gòu)造。
[0068]此外,鈍化層140形成在源極132和漏極134的上層上,該鈍化層140覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)、數(shù)據(jù)線136及第二電容器(C2)的上電極137,并且堤層144形成在鈍化層140的上層上。構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管的一個(gè)電極的陰極146形成在堤層144的上層上。
[0069]具體地,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的特征在于,屏蔽電極129還與柵極126及第二電容器(C2)的下電極127形成在同一層,并位于數(shù)據(jù)線136的下部。
[0070]屏蔽電極129被形成為在其上層和下層與數(shù)據(jù)線136交疊,并且還被形成為傾向于和其相鄰的第二電容器(C2)的下電極127的方向。
[0071]根據(jù)上述結(jié)構(gòu),在數(shù)據(jù)線136和第二電容器(C2)的下電極127之間生成的傳統(tǒng)的耦合電容(fl)被數(shù)據(jù)線136和屏蔽電極129之間的耦合電容(f2)屏蔽,從而最小化該影響。因此,施加到與第二電容器(C2)的一個(gè)電極電連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的柵電壓保持為穩(wěn)定的波形。
[0072]這里,屏蔽電極129可以處于浮置狀態(tài)(floating state)或處于被施加具有固定電壓電平的DC電壓的狀態(tài)。
[0073]在下文中,將結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。在附圖中,示出了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第二電容器以及電連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的數(shù)據(jù)線。
[0074]圖7A至7C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的視圖。
[0075]首先,參照?qǐng)D7A,制備其中限定有多個(gè)像素區(qū)域的基板120。這里,基板120可以由具有固體材料的透明玻璃基板形成,用于實(shí)現(xiàn)典型的顯示裝置;或者由具有柔性的透明塑料材料形成,從而在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置像紙一樣彎曲時(shí)也能保持顯示性能。
[0076]之后,緩沖層121由絕緣材料(例如,作為無(wú)機(jī)絕緣材料的二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx))制成。這里,由于在后續(xù)工藝中形成的半導(dǎo)體層122的結(jié)晶化期間,從基板120的內(nèi)部放出堿離子,因此,緩沖層121可以起到防止特性劣化的作用。
[0077]隨后,參照?qǐng)D7B,在緩沖層121的上部,形成半導(dǎo)體層122,以與一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)相對(duì)應(yīng),該半導(dǎo)體層122由純多晶硅制成,且包含第一區(qū)域(在第一區(qū)域的中心部分形成溝道)以及分別在第一區(qū)域的兩側(cè)表面摻雜有高濃度雜質(zhì)的第二區(qū)域。之后,在包括半導(dǎo)體層122的緩沖層121的上部形成柵絕緣層124,并在柵絕緣層124上形成柵極126,以與半導(dǎo)體層122的第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0078]上述柵極126可以由具有低電阻特性的第一金屬材料(例如,鋁(Al)、鋁合金(AINd)、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)及鑰鈦合金(MoTi)中的任何一種)制成以具有單層結(jié)構(gòu),或者由第一金屬材料中的兩種或更多種制成,以具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。
[0079]同時(shí),形成屏蔽電極129,以與形成第二電容器(C2)的下電極127和數(shù)據(jù)線(未示出)的位置相對(duì)應(yīng),第二電容器(C2)的下電極127電連接至柵極126。屏蔽電阻129被形成為置于下電極127和數(shù)據(jù)線之間。
[0080]之后,在柵極126、下電極127和屏蔽電極129的上部,在基板的整個(gè)表面上形成由絕緣材料(例如,作為無(wú)機(jī)絕緣材料的二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx))制成的層間絕緣層130。
[0081]隨后,選擇性地圖案化層間絕緣層130和在其下部的柵絕緣層124,以形成半導(dǎo)體層接觸孔,該半導(dǎo)體層接觸孔用于曝露分別位于各個(gè)半導(dǎo)體層122的第一區(qū)域的兩側(cè)表面的第二區(qū)域的部分。
[0082]之后,如圖7C所示,在包括半導(dǎo)體層接觸孔的層間絕緣層130的上部形成第二金屬材料層(未示出)。這里,第二金屬材料層可以由鋁(Al)、鋁合金(AINd)、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)、鑰鈦合金(MoTi)、鉻(Cr)、以及鈦(Ti)中的任何一種或者兩種或更多種的任意組合所組成。
[0083]隨后,選擇性地圖案化第二材料層,以形成驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)的源極132和漏極和134、第二電容器(C2)的上電極137及數(shù)據(jù)線136。
[0084]同時(shí),與柵極126同時(shí)形成的屏蔽電極129被置于數(shù)據(jù)線136的下層,從而與數(shù)據(jù)線136在相同的方向上且平行地延伸,屏蔽電極129可以與數(shù)據(jù)線136完全重疊的形狀形成,或者傾向于第二電容器(C2)的下電極127形成。
[0085]此外,盡管所有的源極132和漏極134以及上電極137和數(shù)據(jù)線136都具有圖中所例示的單層結(jié)構(gòu),但它們還可以形成為具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。
[0086]之后,在基板120的整個(gè)表面上依次形成鈍化層140和堤層144。同時(shí),可以將絕緣材料(例如,作為無(wú)機(jī)絕緣材料的二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx))用于鈍化層140。
[0087]之后,將第三金屬材料層(未示出)沉積在鈍化層140的整個(gè)表面上以形成有機(jī)發(fā)光二極管的陰極146。陰極146可以形成在基板120的整個(gè)表面上或者以被分成各個(gè)像素的形狀而形成。陰極146可以由鋁(Al)、鋁合金(AINd)、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)、鑰鈦合金(MoTi)、鉻(Cr)以及鈦(Ti)材料中的任何一種或者兩種或更多種材料形成。
[0088]盡管沒(méi)有在圖中示出,但陰極146通過(guò)接觸孔與驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)的源極132在陰極146下部電連接。
[0089]接著,將由分別用于發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光圖案組成的有機(jī)發(fā)光層以及陽(yáng)極(未示出)依次沉積在陰極146上,以形成有機(jī)發(fā)光二極管,并將絕緣基板(未示出)與其接合,從而完成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
[0090]這里,上述有機(jī)發(fā)光層可以配置有由有機(jī)發(fā)光材料制成的單層,或者,盡管沒(méi)有在圖中示出,但有機(jī)發(fā)光層還可以配置有包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層以及電子注入層的多層。
[0091]因此,按照根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法,在形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和第二電容器的下電極的過(guò)程中,可以將屏蔽電極形成為與在其上層形成的數(shù)據(jù)線平行的方向上交疊,從而最小化由于在連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的第二電容器的下電極和數(shù)據(jù)線之間存在的寄生電容而引起的耦合的影響,并且作為結(jié)果,穩(wěn)定地保持了施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的柵電壓,從而抑制了由于柵電壓的耦合而引起的垂直串?dāng)_現(xiàn)象。
[0092]另一方面,除了構(gòu)成柵極的柵金屬層之外,還可以由構(gòu)成數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)金屬層來(lái)配置上述屏蔽電極,下文中,將結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)。
[0093]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的像素的部分的平面視圖。
[0094]參照附圖,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的一個(gè)像素可以包括在基板120上形成的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)和至少一個(gè)電容器。此外,盡管在圖中沒(méi)有示出,但根據(jù)本發(fā)明的像素可以包括多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管和多個(gè)電容器、以及有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。
[0095]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的有源層222形成在基板220的上層上,并且柵絕緣層224形成在有源層222的上層上。
[0096]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極226形成在與有源層222對(duì)應(yīng)的柵絕緣層224的上層上。這里,將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極226的部分延伸并電連接到第二電容器(C2)的下電極227。
[0097]層間絕緣層230形成在柵極226的上層上,并且,驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的源極232和漏極234形成在層間絕緣層230的上層上。此外,數(shù)據(jù)線236沿第二方向形成在同一層上。
[0098]此外,覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)、數(shù)據(jù)線236及第二電容器(C2)的上電極237的鈍化層240形成在源極232和漏極234的上層上,并且堤層244形成在鈍化層240的上層上。
[0099]這里,根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式,其特征在于,屏蔽電極239還可以由與數(shù)據(jù)線236相同的金屬層形成在數(shù)據(jù)線236和第二電容器(C2)的上電極237之間。換句話說(shuō),區(qū)別在于,根據(jù)上述實(shí)施方式,屏蔽電極(圖6中的參考標(biāo)號(hào)129)由與柵極相同的柵金屬層形成,但是根據(jù)本實(shí)施方式,屏蔽電極239由與形成數(shù)據(jù)線相同的數(shù)據(jù)金屬層形成。
[0100]上述屏蔽電極239可以在相同的水平線上與數(shù)據(jù)線236平行地形成,因此,在數(shù)據(jù)線236和第二電容器(C2)的下電極227之間生成的耦合電容(fl)被數(shù)據(jù)線236和屏蔽電極239之間的耦合電容(f2)所屏蔽,從而將影響最小化。因此,施加到電連接到第二電容器(C2)的一個(gè)電極的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的柵極的柵電壓保持穩(wěn)定的波形。
[0101]盡管在上述說(shuō)明中具體地描述了許多主題,但它們應(yīng)該被認(rèn)為是優(yōu)選實(shí)施方式的例示而不是對(duì)發(fā)明范圍的限制。因此,不應(yīng)當(dāng)通過(guò)這里所描述的實(shí)施方式來(lái)確定本發(fā)明,而應(yīng)該通過(guò)權(quán)利要求及其等同物來(lái)確定本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括: 基板; 掃描線,這些掃描線沿第一方向形成在所述基板上; 數(shù)據(jù)線,這些數(shù)據(jù)線形成在與所述第一方向垂直的第二方向上,以在與所述掃描線交叉的位置處限定像素區(qū)域; 多個(gè)薄膜晶體管,該多個(gè)薄膜晶體管形成在所述像素區(qū)域上; 有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管;以及 屏蔽電極,該屏蔽電極形成在所述數(shù)據(jù)線的下層,與電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電極相鄰。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極由與形成所述掃描線和柵極相同的金屬層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,電連接到所述柵極的電極通過(guò)位于該電極上部的對(duì)置電極形成電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極處于浮置狀態(tài)或被施加具有固定電壓電平的DC電壓。
6.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括: 基板; 掃描線,這些掃描線沿第一方向形成在所述基板上; 數(shù)據(jù)線,這些數(shù)據(jù)線形成在與所述第一方向垂直的第二方向上,以在與所述掃描線交叉的位置處限定像素區(qū)域; 多個(gè)薄膜晶體管,該多個(gè)薄膜晶體管形成在所述像素區(qū)域上; 有機(jī)發(fā)光二極管,該有機(jī)發(fā)光二極管電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管;以及 屏蔽電極,該屏蔽電極形成在電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的電極和所述數(shù)據(jù)線之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極由與所述數(shù)據(jù)線相同的金屬層形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極與電連接到所述數(shù)據(jù)線和所述柵極的電極平行地形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其中,所述屏蔽電極處于浮置狀態(tài)或被施加具有固定電壓電平的DC電壓。
【文檔編號(hào)】G09F9/33GK103872080SQ201310636768
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月13日
【發(fā)明者】李廷炫, 許俊榮 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司
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