高精度電壓編程像素電路及柔性amoled顯示器的制造方法
【專利摘要】一種高精度電壓驅(qū)動像素電路，包括第一TFT開關管、第二TFT開關管、TFT驅(qū)動管、電容器和柔性AMOLED，所述TFT驅(qū)動管的柵極與所述電容器的一端以及第一、二TFT開關的源極或漏極相連，所述TFT驅(qū)動管的源極接驅(qū)動管源極電源，所述TFT驅(qū)動管的漏極與所述第一TFT開關的源極或漏極以及所述柔性AMOLED的陰極相連，所述第二TFT開關的源極或漏極連接到信號線，柵極連接到第二掃描線，所述第一TFT開關管的柵極連接到第一掃描線，所述柔性AMOLED的陽極連接到電壓源，所述電容器的另一端連接地。一種柔性AMOLED顯示器，具有所述像素電路。該像素電路可以有效補償驅(qū)動TFT的閾值電壓偏移，并具有編程時間短，誤差率低的特點。
【專利說明】高精度電壓編程像素電路及柔性AMOLED顯示器
[0001]本申請要求以下在先發(fā)明專利申請的優(yōu)先權:申請?zhí)?01310518296.1發(fā)明名稱“高精度電壓編程像素電路及OLED顯示器”。
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及有源驅(qū)動有機發(fā)光顯示技術，特別是涉及一種高精度電壓編程像素電路及具有這種電路的柔性AMOLED顯示器。
【背景技術】
[0003]與液晶顯示(IXD)相比，有機發(fā)光(AMOLED)顯示器在近些年正受到廣泛的關注。圖1顯示了一個簡單AMOLED的2-TFT像素電路。從圖1中可以看出，數(shù)據(jù)線提供了驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)所需要的信號電壓，掃描線決定TFT的開關狀態(tài)，存儲在Cs上的電壓被Tl轉(zhuǎn)化為通過OLED的電流。因為Tl管閾值電壓存在漂移，這個簡單的電路不能被用做像素電路來驅(qū)動0LED，因為OLED的電流和亮度在某一特定的電壓范圍內(nèi)隨著時間的延長而衰減。由于在柵源電壓作用下，不能準確預測TFT的閾值電壓的漂移過程，有必要對Tl管的閾值電壓漂移進行補償，以穩(wěn)定OLED亮度。
[0004]在多種閾值電壓補償方案中，基于電壓編程的像素電路由于穩(wěn)定時間快而吸引了眾多人的注意。在這種電壓編程電路中，存儲電容器Cs被預先充入一定的電壓Vc，在補償期間，電壓通過一個二極管連接的驅(qū)動管Tl放電，直到電壓達到閾值電壓值，然后Cs停止充電，如圖2所示。此時，Tl關閉，Cs停止放電。然后，數(shù)據(jù)電壓加到Cs上，形成Tl的柵極電壓Vdata+Vth。如果Tl在飽和范圍，通過Tl的電流不受Vth的影響。
[0005]然而，這種方案有兩個缺陷:其一，電路的時間常數(shù)由驅(qū)動管Tl的跨導gm決定。當電容電壓下降時，gm也隨著下降，這樣電流非常低，達到理想的閾值電壓Vth時間很長。其二，即便Vc達到Vth值，由于閾值電流的影響，Vc會繼續(xù)下降，這樣就不可能準確地測量閾值電壓。。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種編程更快、精度更高、且結(jié)構(gòu)簡單的電壓編程像素電路，來解決驅(qū)動管閾值電壓漂移的問題。
[0007]另一目的是提供具有該電壓編程像素電路的柔性AMOLED顯示器。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案:
[0009]一種高精度電壓驅(qū)動像素電路，包括第一 TFT開關管、第二 TFT開關管、TFT驅(qū)動管、電容器和柔性AM0LED，所述TFT驅(qū)動管的柵極與所述電容器的一端以及第一、二 TFT開關的源極或漏極相連，所述TFT驅(qū)動管的源極接驅(qū)動管源極電源，所述TFT驅(qū)動管的漏極與所述第一 TFT開關的源極或漏極以及所述柔性AMOLED的陰極相連，所述第二 TFT開關的源極或漏極連接到信號線，柵極連接到第二掃描線，所述第一 TFT開關管的柵極連接到第一掃描線，所述柔性AMOLED的陽極連接到電壓源，所述電容器的另一端連接地。[0010]進一步地:
[0011]所述第一 TFT開關管、第二 TFT開關管、TFT驅(qū)動管為N型TFT。
[0012]所述第一 TFT開關管、第二 TFT開關管為P型TFT，所述TFT驅(qū)動管為N型TFT。
[0013]所述第一 TFT開關管與所述第一掃描線之間接有反向器，所述第二 TFT開關管與所述第二掃描線之間接有反向器。
[0014]所述第一 TFT開關管、第二 TFT開關管、TFT驅(qū)動管采用MOS場效應管、非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管或有機薄膜晶體管中的任意一種。
[0015]一種柔性AMOLED顯示器，具有如上所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路。
[0016]本發(fā)明的電壓編程像素電路可以有效補償驅(qū)動TFT的閾值電壓偏移，與現(xiàn)有技術相比，尤其是可以實現(xiàn)更快速、更高精度的閾值電壓漂移補償，具有編程時間短、誤差率低的優(yōu)點，而且其結(jié)構(gòu)也較為簡單。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術中有源驅(qū)動有機發(fā)光顯示器的2-TFT像素電路圖；
[0018]圖2是現(xiàn)有技術中有源驅(qū)動有機發(fā)光顯示器的閾值電壓補償電路原理圖；
[0019]圖3是本發(fā)明一種實施例的電壓編程像素電路圖；
[0020]圖4是本發(fā)明實施例的閾值電壓補償電路原理圖；
[0021]圖5是本發(fā)明電壓編程像素電路圖實施例的驅(qū)動時序圖；
[0022]圖6是本發(fā)明另一種實施例的電壓編程像素電路圖；
[0023]圖7是本發(fā)明實施例中電流誤差率與驅(qū)動管Tl閾值電壓漂移量的關系圖。
【具體實施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例作詳細說明。應該強調(diào)的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應用。
[0025]參閱圖3，在一種實施例里，高精度電壓驅(qū)動像素電路包括:3個N型TFT管——TFT驅(qū)動管Tl、第一開關管S1、第二開關管S2，以及一個電容器Cs和一個柔性AMOLED。TFT驅(qū)動管Tl的柵極與電容器Cs的一端以及第一開關管SI和第二開關管S2的源極或漏極相連，TFT驅(qū)動管Tl的源極接源極電源VSS，TFT驅(qū)動管Tl的漏極與第一開關管SI的源極或漏極、OLED的陰極相連，第二開關管S2管的源極或漏極連接到信號線Vdata，第二開關管S2管的柵極連接到第二掃描線scan2 ;第一開關管SI的柵極連接到第一掃描線scanl，柔性AMOLED的陽極連接到電壓源VDD ；電容器Cs的另一端連接地。
[0026]本實施例的驅(qū)動管部分的等效電路如圖4所示，其中電容器C1連接到TFT驅(qū)動管Tl的漏極上。電路工作原理如下:如果將電容器C1事先加上一定的電壓，如V。，再施加一電壓Vg到TFT驅(qū)動管Tl的柵極，電容器C1會通過TFT驅(qū)動管Tl放電并持續(xù)一段時間tl。假設TFT驅(qū)動管Tl的閾值電壓漂移到一個正值，如果柵極電壓保持不變，TFT驅(qū)動管Tl在放電時期經(jīng)歷了一次更小的柵極源電壓變化。因此，當TFT驅(qū)動管Tl閾值電壓漂移時，最終的電容器C1電壓增加了。利用這一點，通過調(diào)節(jié)電容器C1的放電時間tl，可以實現(xiàn)快速、高精度的閾值電壓漂移補償。
[0027]圖5是圖3所示電路的驅(qū)動時序圖。下面結(jié)合圖3和圖5對該驅(qū)動方法進行具體說明。
[0028]在第一階段，即起始期，第一掃描線scanl，第二掃描線scan2，電壓源VDD分別為高、高、低。源極電源Vss也是高，TFT驅(qū)動管Tl關閉。因為柔性AMOLED的陰極電壓比陽極的要高，柔性AMOLED反偏，充當電容器C_D。Vdata設定到恒壓值，Vd和電容器Cs被預先加壓到該電壓值。
[0029]第二階段，VDD拉高，scanl變低，第一開關管SI截止，Vdata沒有變化，Vss降低。結(jié)果，Coled通過TFT驅(qū)動管Tl開始放電。一段時間tcomp后，Vss又開始升高，Coled停止放電。Qmd的陰極端的最終電壓可以寫為:
【權利要求】
1.一種高精度電壓驅(qū)動像素電路，其特征在于，包括第一TFT開關管、第二TFT開關管、TFT驅(qū)動管、電容器和柔性AMOLED，所述TFT驅(qū)動管的柵極與所述電容器的一端以及第一、二 TFT開關的源極或漏極相連，所述TFT驅(qū)動管的源極接驅(qū)動管源極電源，所述TFT驅(qū)動管的漏極與所述第一 TFT開關的源極或漏極以及所述柔性AMOLED的陰極相連，所述第二 TFT開關的源極或漏極連接到信號線，柵極連接到第二掃描線，所述第一 TFT開關管的柵極連接到第一掃描線，所述柔性AMOLED的陽極連接到電壓源，所述電容器的另一端連接地。
2.如權利要求1所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路，其特征在于，所述第一TFT開關管、第二 TFT開關管、TFT驅(qū)動管為N型TFT。
3.如權利要求1所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路，其特征在于，所述第一TFT開關管、第二 TFT開關管為P型TFT，所述TFT驅(qū)動管為N型TFT。
4.如權利要求3所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路，其特征在于，所述第一TFT開關管與所述第一掃描線之間接有反向器，所述第二 TFT開關管與所述第二掃描線之間接有反向器。
5.如權利要求1至4任一項所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路，其特征在于，所述第一TFT開關管、第二 TFT開關管、TFT驅(qū)動管采用MOS場效應管、非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管或有機薄膜晶體管中的任意一種。
6.一種柔性AMOLED顯示器，其特征在于，具有如權利要求1至5任一項所述的高精度電壓驅(qū)動像素電路。
【文檔編號】G09G3/32GK103680412SQ201310750596
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權日:2013年10月28日
【發(fā)明者】劉萍, 摩達·巴蓋里 申請人:深圳丹邦投資集團有限公司