一種陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電容式觸控屏的陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，用以實(shí)現(xiàn)自電容的多點(diǎn)觸。所述電容式觸控屏的陣列基板，包括：外圍區(qū)域和顯示區(qū)域，多個(gè)具有像素電極的像素單元設(shè)在所述顯示區(qū)域，多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，每個(gè)所述觸控電極分別連接一根所述觸控電極引線。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)電容式觸摸根據(jù)檢測(cè)電容的方式可以分為自電容和互電容兩種,并根據(jù)與薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)及彩膜基板(Colour Filter, CF)的相對(duì)關(guān)系分為內(nèi)嵌式(incelDjhRSConcell)及外掛式等三種。其中，內(nèi)嵌式以其集成度高、薄型、性能優(yōu)越等優(yōu)點(diǎn)作為觸控技術(shù)的重要發(fā)展方向。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)CF側(cè)內(nèi)嵌式互電容技術(shù)如圖1所示，包括位于CF基板和與CF基板相對(duì)設(shè)置的陣列基板。陣列基板包括玻璃基板21，設(shè)置于玻璃基板21上的薄膜晶體管元件層17，位于玻璃基板21外側(cè)上的偏光片20。CF基板包括玻璃基板11，設(shè)置在玻璃基板11上的黑矩陣(Black Matrix，BM)12、位于BM下方的第一金屬層13和第二金屬層15，其中第一金屬層13和第二金屬層15之間為彩膜層14,在CF基板側(cè)增加的第一金屬層13和第二金屬層15用作互電容的觸控走線。為了減少顯示信號(hào)的干擾，觸控及顯示需要分時(shí)工作，對(duì)于顯示集成電路1C，需要空出足夠長(zhǎng)的時(shí)間給觸控工作。普通的互電容方案觸控需要的時(shí)間是和掃描的通道數(shù)成正比的，屏越大通道數(shù)越多，需要的觸控工作時(shí)間越長(zhǎng)，留給顯示掃描的時(shí)間越短，而顯示掃描時(shí)間的壓縮程度是有限的，因而現(xiàn)有互電容方案在能夠支持的屏幕尺寸方面有較大的限制。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中普通的自電容設(shè)計(jì)多用于外掛式結(jié)構(gòu)，如圖2所示，為三角形圖形設(shè)計(jì)，用單層圖形實(shí)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，靈敏度高，但不能實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控，當(dāng)有兩點(diǎn)觸摸時(shí)，只能同時(shí)給出兩點(diǎn)的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)，無(wú)法分辨每個(gè)橫坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)是哪個(gè)，即現(xiàn)有技術(shù)中的自電容在兩點(diǎn)同時(shí)觸摸時(shí)會(huì)出現(xiàn)鬼點(diǎn)(即圖3中所示黑點(diǎn))，如圖3所示。現(xiàn)有技術(shù)中的自電容設(shè)計(jì)不能直接識(shí)別多點(diǎn)觸摸，只能通過(guò)算法逼近多點(diǎn)觸摸的效果，該自電容設(shè)計(jì)直接應(yīng)用于內(nèi)嵌式方案時(shí)電容面積過(guò)大導(dǎo)致寄生電容過(guò)大，形成感應(yīng)電容的本底值，實(shí)現(xiàn)難度高。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的自電容不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸摸。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種電容式觸控屏的陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，用以實(shí)現(xiàn)自電容的多點(diǎn)觸摸。
[0007]本發(fā)明提供的一種電容式觸控屏的陣列基板，包括:外圍區(qū)域和顯示區(qū)域，多個(gè)具有像素電極的像素單元設(shè)在所述顯示區(qū)域，多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，每個(gè)所述觸控電極分別連接一根所述觸控電極引線。
[0008]本發(fā)明還提供了一種電容式觸控屏的彩膜基板，包括黑矩陣、彩膜層和外圍區(qū)域，其中，所述彩膜基板還包括多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，所述觸控電極位于所述黑矩陣的區(qū)域內(nèi)，每個(gè)觸控電極分別連接一根觸控電極引線。
[0009]本發(fā)明還提供了一種觸控顯示裝置，該裝置包括上述的電容式觸控屏的陣列基板，和/或電容式觸控屏的彩膜基板。
[0010]本發(fā)明還提供了一種上述觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括:
[0011]在顯示裝置觸控階段，所述觸控電極接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以及所述觸控電極輸出感應(yīng)信號(hào)，與每一所述觸控電極連接的觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)模塊相連，所述檢測(cè)觸控信號(hào)模塊根據(jù)所述觸控電極的感應(yīng)信號(hào)確定觸控位置。
[0012]由本發(fā)明提供的上述電容式觸控屏的陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，由于陣列基板中包括多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，每個(gè)所述觸控電極分別連接一根所述觸控電極引線，彩膜基板包括多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，所述觸控電極位于所述黑矩陣的區(qū)域內(nèi)，每個(gè)觸控電極分別連接一根觸控電極引線，觸控顯示裝置包括所述電容式觸控屏的陣列基板，和/或電容式觸控屏的彩膜基板，由于采用由每一觸控電極和與之連接的觸控電極弓I線組成的每個(gè)觸控單元單獨(dú)引線的方式，而不是行列掃描的方式，這種自電容設(shè)計(jì)無(wú)鬼點(diǎn)問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控，同時(shí)自電容的應(yīng)用靈敏度較高。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種彩膜基板側(cè)互電容設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種外掛式自電容設(shè)計(jì)示意圖；
[0015]圖3為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種自電容兩點(diǎn)觸摸時(shí)廣生鬼點(diǎn)的不意圖；
[0016]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的觸控電極及觸控電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的相鄰兩個(gè)觸控電極之間的放大示意圖；
[0018]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的公共電極和與公共電極電連接的金屬層的示意圖；
[0019]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的觸控電極引線連接示意圖；
[0020]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的觸控電極引線連接的另一種不意圖；
[0021]圖9 (a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極及觸控電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖9 (b)為圖9 (a)觸控電極A處的局部放大圖；
[0023]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線連接示意圖；
[0024]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線連接的另一種不意圖；
[0025]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的彩膜基板中彩膜基板導(dǎo)通電極的一種通道示意圖；
[0026]圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置在觸控階段輸入的方波信號(hào)示意圖；
[0027]圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示裝置在觸控階段輸入的方波信號(hào)放大示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電容式觸控屏的陣列基板、彩膜基板、觸控顯示裝置及觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，用以實(shí)現(xiàn)自電容的多點(diǎn)觸摸。
[0029]下面給出本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案的詳細(xì)介紹。
[0030]如圖4所示，為本發(fā)明具體實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的陣列基板中的觸控電極及觸控電極引線結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括:外圍區(qū)域42和顯示區(qū)域43，多個(gè)具有像素電極的像素單元設(shè)置在所述顯示區(qū)域43，多個(gè)觸控電極40和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線41，每個(gè)觸控電極40可以對(duì)應(yīng)多個(gè)像素單元，其中，每個(gè)觸控電極40分別連接一根觸控電極引線41。該陣列基板還包括設(shè)置在像素電極上方的公共電極，公共電極作為觸控電極40，本發(fā)明具體實(shí)施例中的公共電極為透明導(dǎo)電層，優(yōu)選氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)材料。
[0031]具體地,針對(duì)邊緣場(chǎng)面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)(Fringe Field Switching, FFS)模式的液晶顯示器，依次在襯底基板上制備柵極層、半導(dǎo)體有源層、源極層、漏極層、絕緣鈍化層、像素電極、公共電極，其中，F(xiàn)FS液晶顯示器各層的制備工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不予贅述。本實(shí)施例中公共電極設(shè)置在像素電極的上方，為透明ITO材料，本發(fā)明具體實(shí)施例中的像素電極也為透明的ITO材料。如圖5所示，將公共電極在顯示區(qū)域43內(nèi)獨(dú)立開(kāi)來(lái)，分成單獨(dú)的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域作為一個(gè)觸控電極40，單獨(dú)檢測(cè)信號(hào)，通過(guò)多條觸控電極引線41將所有的觸控電極40引出，觸控電極引線最終連接到集成電路IC或柔性電路板(Flexible PrintedCircuit，F(xiàn)PC)上進(jìn)行檢測(cè)。用這種工藝制備的公共電極層在最上面。由于公共電極同時(shí)還為每個(gè)像素單元提供公共電壓，因此，在顯示區(qū)域43內(nèi)，公共電極在相鄰像素單元50和像素單元52之間處斷開(kāi)，如圖中的間隙51，避免公共電極復(fù)用觸控電極影響正常的畫(huà)面顯
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[0032]針對(duì)其它膜層架構(gòu)的FFS設(shè)計(jì)，同樣可以選擇公共電極作為觸控電極，例如:為提升光學(xué)性能，TFT側(cè)會(huì)增加一層有機(jī)膜層，通常的工藝順序是，依次在襯底基板上制備柵極層、半導(dǎo)體有源層、源極層、漏極層、氮化硅SiNx絕緣層、有機(jī)膜層、公共電極層、氮化硅SiNx絕緣層、像素電極層，同樣地，F(xiàn)FS設(shè)計(jì)各層的制備工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不予贅述。此時(shí)，公共電極設(shè)置在像素電極的下方，公共電極可以采用圖5中的設(shè)計(jì)方式，將公共電極分割成獨(dú)立的圖形，同時(shí)用于實(shí)現(xiàn)顯示和觸控功能，相對(duì)于圖4和圖5實(shí)施例中公共電極位于像素電極的上方的情況，本實(shí)施例中將公共電極設(shè)置在像素電極下方的結(jié)構(gòu)，公共電極層的負(fù)載電容相對(duì)降低，更有利于提升觸控性能。
[0033]本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的陣列基板還包括與公共電極61電連接的第一金屬層60，第一金屬層60設(shè)置在像素單元63之間的非顯示區(qū)，如圖6所示。由于本發(fā)明具體實(shí)施例中的公共電極為ΙΤ0，方塊電阻較大，可以在ITO上增加一層金屬層，用來(lái)降低公共電極層的電阻，由于第一金屬層60不透光，因而只是覆蓋在像素單元63之間的非顯示區(qū)，即第一金屬層60設(shè)置在彩膜基板黑矩陣的遮光區(qū)域，這樣及時(shí)第一金屬層60不透光也不會(huì)導(dǎo)致顯示裝置的開(kāi)口率降低，如圖6所示，公共電極61包括多條支電極，即公共電極在像素單元區(qū)域中形成多條刻縫62，公共電極61的支電極與像素電極之間形成水平電場(chǎng)，控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)，以達(dá)到顯示畫(huà)面的目的。本發(fā)明具體實(shí)施例中與公共電極電連接的第一金屬層選擇低電阻材料，如可以選擇鑰Mo、鋁Al及其合金等金屬材料。
[0034]如圖7所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的陣列基板中的部分觸控電極401的觸控電極引線411從陣列基板的外圍區(qū)域42的單側(cè)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊，部分觸控電極402的觸控電極引線412從陣列基板的顯示區(qū)域43內(nèi)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。此時(shí)，觸控電極引線41為第一金屬層或公共電極層。當(dāng)然，觸控電極引線也可以從陣列基板的外圍區(qū)域的兩側(cè)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊，與觸控電極從外圍區(qū)域的單側(cè)引出方式相比，雙側(cè)引出到出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊可以避免陣列基板單邊邊框過(guò)寬，同時(shí)，也可以避免單邊布線過(guò)密造成短路問(wèn)題。
[0035]觸控電極引線還可以為柵極金屬層或源極金屬層、漏極金屬層，多個(gè)觸控電極在顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域通過(guò)過(guò)孔連接到觸控電極引線，觸控電極引線從陣列基板的外圍區(qū)域兩側(cè)或單側(cè)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。在顯示區(qū)域外，所有觸控電極引線可以直接連接到FPC或IC上。
[0036]如圖8所示，電容式觸控屏的陣列基板中的部分觸控電極403的觸控電極引線413從陣列基板的顯示區(qū)域43內(nèi)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。此時(shí)，觸控電極引線41為第一金屬層或公共電極層，當(dāng)觸控電極引線采用第一金屬層時(shí)，觸控電極引線可以設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的相鄰像素單元之間的非顯示區(qū)，即觸控電極引線設(shè)置在彩膜基板黑矩陣的遮光區(qū)域，這樣及時(shí)第一金屬層不透光也不會(huì)導(dǎo)致顯示裝置的開(kāi)口率降低。
[0037]較佳地，觸控電極同時(shí)接收觸控掃描信號(hào)，觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連，所述檢測(cè)觸控信號(hào)模塊根據(jù)所述觸控電極的感應(yīng)信號(hào)確定觸控位置。
[0038]圖9 (a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極及觸控電極引線結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9(a)所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板，包括位于黑矩陣區(qū)域92內(nèi)的黑矩陣(圖中為示出)和彩膜層，以及外圍區(qū)域94，其中，彩膜基板還包括多個(gè)觸控電極90和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線91，觸控電極90位于黑矩陣所在的區(qū)域92內(nèi)，每個(gè)觸控電極90分別連接一根觸控電極引線91，本實(shí)施例中的觸控電極引線91從外圍區(qū)域94的兩側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極(圖中未示出)上。圖9 (b)為圖9 (a)中觸控電極90在A處的放大圖，如圖9(b)所示，彩膜層93包括紅色色阻R、綠色色阻G、藍(lán)色色阻B，觸控電極90中對(duì)應(yīng)多個(gè)色阻93對(duì)應(yīng)的像素單元，且由于觸控電極90為不透明導(dǎo)電層，故觸控電極90僅位于黑矩陣所在區(qū)域，即觸控電極90為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，在對(duì)應(yīng)紅色色阻R、綠色色阻G、藍(lán)色色阻B的彩膜層位置鏤空。每個(gè)觸控電極90分別連接一根觸控電極引線91，觸控電極引線91也同樣僅位于黑矩陣所在區(qū)域，即觸控電極引線91也為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，在對(duì)應(yīng)彩膜層位置鏤空。觸控電極90和觸控電極引線91與黑矩陣重疊設(shè)置，且觸控電極90和觸控電極引線91的寬度應(yīng)小于等于黑矩陣的寬度，避免不透明的觸控電極90和觸控電極引線91的設(shè)置影響顯示透過(guò)率。
[0039]本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板，還包括設(shè)置在黑矩陣上的第一金屬層，該第一金屬層作為觸控電極90。當(dāng)顯示器為如扭曲(Twisted Nematic, TN)模式的液晶顯示器時(shí)，觸控電極90為公共電極，本發(fā)明具體實(shí)施例的公共電極的材料為ITO，ITO為透明導(dǎo)電層，此時(shí)公共電極可以位于彩膜層，而不需要位于黑矩陣92區(qū)域中，只要將公共電極分成單獨(dú)的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域作為一個(gè)觸控電極90，由于ITO的方塊電阻較大，可以在ITO上增加一層金屬層，用來(lái)降低公共電極的電阻，本發(fā)明具體實(shí)施例設(shè)置與公共電極ITO電連接的第二金屬層，結(jié)合圖9 (b)所示，該第二金屬層正對(duì)黑矩陣區(qū)域92，第二金屬層選擇低電阻材料，如可以選擇鑰Mo、鋁Al及其合金等金屬材料。
[0040]如圖10所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極90的觸控電極引線91從黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極101上，彩膜基板導(dǎo)通電極101用于接收觸控信號(hào)，此時(shí)，觸控電極引線91可以為第一金屬層。
[0041]如圖11所示，電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極90的觸控電極引線91從外圍區(qū)域的兩側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極101上。此時(shí)，觸控電極引線91可以為第一金屬層。與觸控電極引線91從外圍區(qū)域的單側(cè)引出方式相比，雙側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極101上可以避免彩膜基板單邊邊框過(guò)寬，同時(shí)，也可以避免單邊布線過(guò)密造成短路問(wèn)題。
[0042]上述僅為實(shí)施例的一種，觸控引線還可以從外圍區(qū)域的單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，或者部分觸控電極引線從黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分觸控電極引線從外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上。
[0043]本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線為公共電極層時(shí)，觸控電極引線從黑矩陣區(qū)域，或從外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線為公共電極層時(shí)，部分觸控電極引線從黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分觸控電極引線從外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
[0044]本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線為第二金屬層時(shí)，觸控電極引線從黑矩陣區(qū)域，或從外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)；本發(fā)明具體實(shí)施例提供的電容式觸控屏的彩膜基板中的觸控電極引線為第二金屬層時(shí)，部分觸控電極引線從黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分觸控電極引線從外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
[0045]其中，彩膜基板導(dǎo)通電極通過(guò)通道接收所述觸控信號(hào)，該通道包括:
[0046]如圖12所示，當(dāng)該通道位于彩膜基板側(cè)時(shí)，該通道為與彩膜基板導(dǎo)通電極101壓合在一起的觸控柔性線路板121，其中，觸控柔性線路板121集成觸控IC122。
[0047]當(dāng)該通道位于陣列基板側(cè)時(shí)，將彩膜基板導(dǎo)通電極和陣列基板導(dǎo)通電極通過(guò)導(dǎo)通金屬球連接，陣列基板導(dǎo)通電極與顯示柔性線路板連接，其中，顯示柔性線路板集成用于顯示的第一 IC和用于觸控的第二 IC ;或?qū)⒉誓せ鍖?dǎo)通電極和陣列基板導(dǎo)通電極通過(guò)導(dǎo)通金屬球連接，陣列基板導(dǎo)通電極與顯示柔性線路板連接，其中，顯示柔性線路板集成同時(shí)用于顯示和觸控的第三1C。
[0048]較佳地，觸控電極同時(shí)接收觸控掃描信號(hào)，觸控電極引線與彩膜基板導(dǎo)通電極通過(guò)通道與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連，分別檢測(cè)每一個(gè)觸控電極的信號(hào)。
[0049]本發(fā)明具體實(shí)施例提供還提供了一種觸控顯示裝置，該裝置包括上述的陣列基板，和/或上述的彩膜基板。該觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法包括:在顯示裝置觸控階段，所有觸控電極接收觸控掃描信號(hào)，并同時(shí)通過(guò)與每一所述觸控電極連接的觸控電極引線接收反饋信號(hào)，所述觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連，分別檢測(cè)每一個(gè)觸控電極的信號(hào)。
[0050]傳統(tǒng)顯不方式，顯不掃描頻率為60HZ, —巾貞時(shí)間為16.67ms,完成一巾貞(frame)掃描以及數(shù)據(jù)信號(hào)輸入后，存在掃描空白期間，利用此區(qū)間，可實(shí)現(xiàn)集成觸摸屏的分時(shí)驅(qū)動(dòng)功能。本發(fā)明具體實(shí)施例在分時(shí)驅(qū)動(dòng)的時(shí)序上，顯示和觸控分時(shí)工作，如圖13所示，每幀時(shí)間分成顯示時(shí)間tl和觸摸時(shí)間t2，在觸摸時(shí)間t2內(nèi)，所有觸控單元同時(shí)完成觸控信號(hào)激勵(lì)和接收，在觸摸時(shí)間t2驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)給觸控電極η和觸控電極m輸入多周期方波信號(hào)，信號(hào)放大如圖14所示，每個(gè)觸控時(shí)間周期有充電時(shí)間Tl和放電時(shí)間T2。充電時(shí)，觸控電極引線接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入給觸控電極，對(duì)觸控電極進(jìn)行充電，即所有觸控電極同時(shí)接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)；放電時(shí)，通過(guò)連接到觸控電極的觸控電極引線輸出感應(yīng)信號(hào)，通過(guò)計(jì)算放電量，可判斷是否有觸摸，即觸控電極同時(shí)輸出感應(yīng)信號(hào)，與每一所述觸控電極連接的觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)模塊相連，所述檢測(cè)觸控信號(hào)模塊根據(jù)所述觸控電極的感應(yīng)信號(hào)確定觸控位置。由于所有觸控單元都有引出線，所以觸控時(shí)段只需一次掃描就可以同時(shí)檢測(cè)所有觸控電極的自電容變化，有效的減少了觸控工作時(shí)間，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)自電容的多點(diǎn)觸摸。在顯示時(shí)段，觸控電極接特定電壓，如共電極電壓，以避免影響顯示效果。與常規(guī)內(nèi)嵌式觸控相比，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案能夠支持尺寸更大的屏幕。
[0051]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，包括:外圍區(qū)域和顯示區(qū)域，多個(gè)具有像素電極的像素單元設(shè)在所述顯示區(qū)域，多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，每個(gè)所述觸控電極分別連接一根所述觸控電極引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述像素電極上方或下方的公共電極，所述公共電極作為所述觸控電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，還包括與所述公共電極電連接的第一金屬層，所述第一金屬層設(shè)置在所述像素單元之間的非顯示區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極引線為所述第一金屬層或公共電極，所述觸控電極引線從所述外圍區(qū)域兩側(cè)或單側(cè)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極引線為所述第一金屬層或公共電極，所述觸控電極引線從所述顯示區(qū)域內(nèi)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極引線為柵極金屬層或源極金屬層、漏極金屬層，所述多個(gè)觸控電極在顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域通過(guò)過(guò)孔連接到所述觸控電極引線，所述觸控電極引線從外圍區(qū)域兩側(cè)或單側(cè)引出到用于檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控屏的陣列基板，其特征在于，所述觸控電極同時(shí)接收觸控掃描信號(hào)，所述觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連，分別檢測(cè)每一個(gè)觸控電極的信號(hào)。
8.一種電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，包括黑矩陣、彩膜層和外圍區(qū)域，其中所述彩膜基板還包括多個(gè)觸控電極和用于與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連的觸控電極引線，其中，所述觸控電極位于所述黑矩陣的區(qū)域內(nèi)，每個(gè)觸控電極分別連接一根觸控電極引線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述黑矩陣上的第一金屬層，所述第一金屬層作為所述觸控電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，所述觸控電極為公共電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，還包括與所述公共電極ITO電連接的第二金屬層，所述第二金屬層正對(duì)所述黑矩陣區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，所述觸控電極引線為第一金屬層，所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域，或從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，部分所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分所述觸控電極引線從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，所述觸控電極引線為公共電極，所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域，或從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，部分所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分所述觸控電極引線從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，所述觸控電極引線為第二金屬層，所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域，或從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，部分所述觸控電極引線從所述黑矩陣區(qū)域引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，部分所述觸控電極引線從所述外圍區(qū)域的兩側(cè)或單側(cè)引出到彩膜基板側(cè)預(yù)先設(shè)置的彩膜基板導(dǎo)通電極上，所述彩膜基板導(dǎo)通電極用于接收觸控信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12~17任一權(quán)項(xiàng)所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板導(dǎo)通電極通過(guò)通道接收所 述觸控信號(hào)； 所述通道包括: 與所述導(dǎo)通電極壓合在一起的觸控柔性線路板，其中，所述觸控柔性線路板集成觸控IC ;或 連接所述彩膜基板導(dǎo)通電極和陣列基板導(dǎo)通電極的導(dǎo)通金屬球，所述陣列基板導(dǎo)通電極與顯示柔性線路板連接，其中，顯示柔性線路板集成用于顯示的第一 IC和用于觸控的第二 IC ;或 連接所述彩膜基板導(dǎo)通電極和陣列基板導(dǎo)通電極的導(dǎo)通金屬球，所述陣列基板導(dǎo)通電極與顯示柔性線路板連接，其中，顯示柔性線路板集成同時(shí)用于顯示和觸控的第三1C。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容式觸控屏的彩膜基板，其特征在于，所述觸控電極同時(shí)接收觸控掃描信號(hào)，所述觸控電極引線與所述彩膜基板導(dǎo)通電極通過(guò)通道與檢測(cè)觸控信號(hào)的模塊相連，分別檢測(cè)每一個(gè)觸控電極的信號(hào)。
20.一種觸控顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權(quán)利要求1-6任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板，和/或權(quán)利要求8~19任一權(quán)項(xiàng)所述的彩膜基板。
21.一種如權(quán)利要求20所述的觸控顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述方法包括: 在顯示裝置觸控階段，所述觸控電極接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以及所述觸控電極輸出感應(yīng)信號(hào)，與每一所述觸控電極連接的觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)模塊相連，所述檢測(cè)觸控信號(hào)模塊根據(jù)所述觸控電極的感應(yīng)信號(hào)確定觸控位置。
【文檔編號(hào)】G09G3/36GK103926729SQ201310754202
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉保玲, 杜凌霄, 姚綺君, 馬駿 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司