專利名稱：像素電路及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED，ActiveMatrix Organic LightEmittingDiode)顯示作為新型的顯示技術(shù)，與場效應(yīng)薄膜晶體管(TFT, ThinFilmTransistor)液晶顯不器(LCD, Liquid Crystal Display)相比,AMOLED 不管在視角范圍、畫質(zhì)、效能及成本上都有很多優(yōu)勢(shì)，在顯示器制造領(lǐng)域有巨大的發(fā)展?jié)摿?。AMOLED能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)TFT在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，因?yàn)檩斎胂嗤幕译A電壓時(shí)，不同的臨界電壓會(huì)產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，造成電流的一致性很差，亮度均勻性一直很差。如圖1所示的傳統(tǒng)的2T1C電路，電路只包含兩個(gè)TFT，Tl為開關(guān)管，DTFT為像素電路的驅(qū)動(dòng)管，掃描線Scan開啟開關(guān)管Tl,數(shù)據(jù)電壓Data對(duì)存儲(chǔ)電容C充放電,發(fā)光期間開關(guān)管Tl關(guān)閉，電容上的存儲(chǔ)的電壓使驅(qū)動(dòng)管DTFT保持導(dǎo)通，導(dǎo)通電流使OLED發(fā)光。要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定顯示，就要為OLED提供穩(wěn)定電流。電壓控制電路的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、電容充電速度快，但是缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電流的線性控制困難，原因是采用低溫多晶硅制程上使DTFT的閾值電壓的均勻性非常差，同時(shí)閾值電壓也有漂移，即便是同樣工藝參數(shù)制造出來的不同TFT的閾值電壓也有較大差異，造成驅(qū)動(dòng)發(fā)光電路的發(fā)光亮度均勻性很差和亮度衰減的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容為解決因制程上使得驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓均勻性非常差，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)發(fā)光電路的發(fā)光亮度均勻性很差和亮度衰減的問題，本實(shí)用新型提供一種像素電路和顯示裝置，通過補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓， 使驅(qū)動(dòng)管提供的驅(qū)動(dòng)電流不受閾值電壓的影響。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:本實(shí)用新型提供了一種像素電路，所述像素電路包括:發(fā)光器件，所述發(fā)光器件的第一端與電源電壓端相連；用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與公共連接端連接；第一開關(guān)管，所述第一開關(guān)管的柵極接收第一掃描信號(hào)，所述第一開關(guān)管的源極與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接，所述第一開關(guān)管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)管的漏極連接；第三開關(guān)管，所述第三開關(guān)的漏極連接所述發(fā)光器件的另一端，所述第三開關(guān)管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)管的漏極，所述第三開關(guān)管的柵極連接控制信號(hào)；存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接；第二開關(guān)管，所述第二開關(guān)管的漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，所述第二開關(guān)管的源極與所述公共連接端連接；第四開關(guān)管，所述第四開關(guān)管的柵極連接第一掃描信號(hào)，所述第四開關(guān)管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端；第五開關(guān)管，所述第五開關(guān)管的柵極連接所述控制信號(hào)，所述第五開關(guān)管的漏極連接數(shù)據(jù)信號(hào)端，所述第五開關(guān)管的源極連接第四開關(guān)管的漏極；第一電容，所述第一電容的第一端連接第五開關(guān)管的源極，所述第一電容的第二端連接公共連接端。具體來說，所述第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、第三開關(guān)管、第四開關(guān)管、第五開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管均為薄膜場效應(yīng)管。進(jìn)一步地，所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管具有相同的溝道類型，所述第四開關(guān)管和所述第五開關(guān)管的溝道類型與所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管和所述第三開關(guān)管具有的溝道類型相反。進(jìn)一步地，所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管為N型薄膜場效應(yīng)管，所述第四開關(guān)管和所述第五開關(guān)管為P型薄膜場效應(yīng)管。進(jìn)一步地,所述公共連接端為接地端。 進(jìn)一步地，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管。本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括綜上所述的像素電路。本實(shí)用新型的有益效果是:通過補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓，使驅(qū)動(dòng)管提供的驅(qū)動(dòng)電流不受閾值電壓的影響，以提高驅(qū)動(dòng)電流一致性，改善驅(qū)動(dòng)電路亮度均勻性并減小亮度衰減。
·[0024]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；圖2表示本實(shí)用新型像素電路的電路圖；圖3表不圖2所不電路的時(shí)序圖。其中圖中:T1-第一開關(guān)管，Τ2-第二開關(guān)管，Τ3-第三開關(guān)管，Τ4-第四開關(guān)管，Τ5-第五開關(guān)管，DTFT-驅(qū)動(dòng)管，Cst-存儲(chǔ)電容，Cl-第一電容，VDD-電源電壓端，VSS-公共連接端，Vdata-數(shù)據(jù)信號(hào)端，Vscanl-第一掃描信號(hào)，EM-控制信號(hào)。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供了一種像素電路，所述像素電路包括:發(fā)光器件，所述發(fā)光器件一端與電源電壓端相連；用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極與公共連接端連接；第一開關(guān)管，所述第一開關(guān)管的柵極接收第一掃描信號(hào)，所述第一開關(guān)管的源極與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接，所述第一開關(guān)管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)管的漏極連接；第三開關(guān)管，所述第三開關(guān)的漏極連接所述發(fā)光器件的另一端，所述第三開關(guān)管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)管的漏極，所述第三開關(guān)管的柵極連接控制信號(hào)；存儲(chǔ)電容，第一端與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接；第二開關(guān)管，所述第二開關(guān)管的漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，所述第二開關(guān)管的源極與所述公共連接端連接；第四開關(guān)管，所述第四開關(guān)管的柵極連接第一掃描信號(hào)，所述第四開關(guān)管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端；第五開關(guān)管，所述第五開關(guān)管的柵極連接所述控制信號(hào)，所述第五開關(guān)管的漏極連接數(shù)據(jù)信號(hào)端，所述第五開關(guān)管的源極連接第四開關(guān)管的漏極；第一電容，所述第一電容的第一端連接第五開關(guān)管的源極，所述第一電容的第二端連接公共連接端。本實(shí)用新型的像素驅(qū)動(dòng)電路分三個(gè)階段進(jìn)行工作。在第一階段，第五開關(guān)管導(dǎo)通，第三開關(guān)管和第四開關(guān)管斷開；第一開關(guān)管導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)管柵極和漏極連通；第二開關(guān)管導(dǎo)通，使得存儲(chǔ)電容第二端與公共連接端連通；驅(qū)動(dòng)管進(jìn)入飽和狀態(tài)，所述存儲(chǔ)電容放電直至其兩端電壓等于所述驅(qū)動(dòng)管閾值電壓，數(shù)據(jù)信號(hào)端信號(hào)端的電壓導(dǎo)入驅(qū)動(dòng)電路。在第二階段，第一開關(guān)管、第二開關(guān)管和第三開關(guān)管斷開，第四開關(guān)管和第五開關(guān)管導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)管柵極和漏極連通，第四開關(guān)管和第五開關(guān)管導(dǎo)通使得存儲(chǔ)電容第二端連接所述數(shù)據(jù)信號(hào)端，所述存儲(chǔ)電容第二端電平充電為所述數(shù)據(jù)信號(hào)端電壓，所述存儲(chǔ)電容電壓若要維持在所述驅(qū)動(dòng)管閾值電壓不變，則所述存儲(chǔ)電容第一端躍升至相應(yīng)的一個(gè)包括所述驅(qū)動(dòng)管閾值電壓和所述數(shù)據(jù)信號(hào)端電壓的值。在第三階段，所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管和所述第五開關(guān)管斷開，所述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管導(dǎo)通；第三開關(guān)管的導(dǎo)通為發(fā)光器件接通電源和驅(qū)動(dòng)管的漏極，由于電源電壓遠(yuǎn)大于所述存儲(chǔ)電容第一端電壓，所述驅(qū)動(dòng)管進(jìn)入飽和狀態(tài)，發(fā)光器件開始發(fā)光，此時(shí)所述存儲(chǔ)電容補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)管閾值電壓，流過所述驅(qū)動(dòng)管及所述發(fā)光器件的電流不再受所述驅(qū)動(dòng)管閾值電壓的影響。本實(shí)用新型提高像素電路驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)電流一致性，改善了驅(qū)動(dòng)管制程上的均勻性很差導(dǎo)致的不同像素單元電路亮度不均勻、亮度衰減等問題。優(yōu)選地，本實(shí)用新型的像素電路包括五個(gè)開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管。五個(gè)開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管均為薄膜型場效應(yīng)管。第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、第三開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管具有相同的溝道類型，第四開關(guān)管和第五開關(guān)管具有相同的溝道類型。第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、第三開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管具有的溝道類型與第四開關(guān)管和第五開關(guān)管的溝道類型相反。第一、二和四開關(guān)管的柵極連接第一掃描信號(hào)作為導(dǎo)通或關(guān)斷信號(hào)，所述第三和五開關(guān)管的柵極連接控制信號(hào)作為導(dǎo)通或關(guān)斷信號(hào)。選擇兩種開關(guān)信號(hào)，簡化了電路和電路驅(qū)動(dòng)方法。開關(guān)信號(hào)的選擇，也可以根據(jù)實(shí)際需要增加，或設(shè)定不同的開關(guān)管對(duì)應(yīng)不同的開關(guān)信號(hào)。優(yōu)選地，發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)管漏極之間串聯(lián)所述第三開關(guān)管，所述發(fā)光器件串聯(lián)在所述第三開關(guān)管和所述電源之間。發(fā)光器件選用上發(fā)光的方式，發(fā)光器件的正極與所述電源電壓端相連，發(fā)光器件的負(fù)極與第三開關(guān)管的漏極相連，當(dāng)然相應(yīng)地發(fā)光器件也可選擇下發(fā)光方式，但是上發(fā)光方式相比下發(fā)光方式有更高開口率。驅(qū)動(dòng)管的源極與所述的公共連接端相連，公共 連接端為接地端，驅(qū)動(dòng)管采用恒流型接法。具體地，圖2為本實(shí)用新型像素電路原理圖，下面結(jié)合圖2，對(duì)本實(shí)用新型像素電路具體實(shí)施例進(jìn)行分析。參照?qǐng)D2所示，第一開關(guān)管Tl的漏極與驅(qū)動(dòng)管DTFT的漏極連接，第一開關(guān)管Tl的源極與驅(qū)動(dòng)管DTFT的柵極連接，第一開關(guān)管用于斷開或?qū)?qū)動(dòng)管DTFT的漏極和柵極之間的連接；第二開關(guān)管T2的漏極與存儲(chǔ)電容Cst的第二端(P端)連接，第二開關(guān)管T2的源極與驅(qū)動(dòng)管DTFT的源極接公共接地端VSS，第二開關(guān)管T2用于斷開或?qū)ù鎯?chǔ)電容Cst的第二端(P端)與公共連接端VSS之間的連接；第三開關(guān)管T3的漏極與發(fā)光器件的負(fù)極端連接，第三開關(guān)管T3的源極與驅(qū)動(dòng)管DTFT的漏極連接，所述第三開關(guān)管T3用于斷開或?qū)òl(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)管DTFT的漏極之間的連接；第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5，串聯(lián)設(shè)置于數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata與存儲(chǔ)電容Cst的第二端(P端)之間；第一電容Cl，第一端與所述驅(qū)動(dòng)管的源極連接，第二端分別與所述第四開關(guān)管T4的漏極和所述第五開關(guān)管T5的源極共接一處；其中第四開關(guān)管T4用于斷開或?qū)ù鎯?chǔ)電容Cst的第二端(P端)與第一電容Cl之間的連接；第五開關(guān)管T5用于斷開或?qū)ㄋ鰯?shù)據(jù)信號(hào)端Vdata和第一電容Cl之間的連接。本實(shí)施例的像素電路包含5個(gè)開關(guān)管、I個(gè)驅(qū)動(dòng)管和2個(gè)電容。其中第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5為P型管，第一開關(guān)管Tl、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和驅(qū)動(dòng)管為N型管。第一掃描信號(hào)Vscanl和控制信號(hào)EM兩條信號(hào)線輸入的電平信號(hào)作為控制開關(guān)管斷開或?qū)ǖ男盘?hào)，公共連接端VSS為接地端?？蛇x地，開關(guān)管第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5為N型管，第一開關(guān)管Tl、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3為N型管，但是控制開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷的信號(hào)需要做調(diào)整。具體地，在電源和驅(qū)動(dòng)管DTFT漏極之間串聯(lián)一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為發(fā)光器件，并由第三開關(guān)管T3柵極接收的控制信號(hào)EM控制電源和驅(qū)動(dòng)管DTFT漏極導(dǎo)通或關(guān)斷。OLED為上發(fā)光的方式，比下發(fā)光的方式有更高開口率。驅(qū)動(dòng)管DTFT柵極和源極之間連接第一開關(guān)管Tl，通過第一掃描信號(hào)Vscanl連接第一開關(guān)管Tl柵極控制其導(dǎo)通或關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)管DTFT源極接公共接地端，為恒流型接法，驅(qū)動(dòng)管DTFT柵極接存儲(chǔ)電容Cst的G端，存儲(chǔ)電容Cst的P端(第二端)通過第二開關(guān)管T2與公共接地端連接，第二開關(guān)管T2柵極接第一掃描信號(hào)Vscanl。存儲(chǔ)電容Cst的P端通過第四開關(guān)管T4與第一電容Cl的第二端連接，第四開關(guān)管T4柵極接第一掃描信號(hào)Vscanl。第一電容Cl的第一端與驅(qū)動(dòng)管DTFT的源極同接公共接地端。第一電容Cl的第二端通過第五開關(guān)管T5連接數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata，控制信號(hào)EM控制第五開關(guān)管T5的導(dǎo)通或關(guān)斷。第三開關(guān)管T3的柵極接收控制信號(hào)EM，關(guān)斷或?qū)?qū)動(dòng)管DTFT和OLED的連接，為OLED的發(fā)光提供通路或斷開此通路。本實(shí)用新型還包括驅(qū)動(dòng)上述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，下面結(jié)合圖3所示的時(shí)序圖來對(duì)圖2所示像素電路的各階段各組成部件的工作狀態(tài)和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。
(I)第一階段為DATA預(yù)寫入階段。第一掃描信號(hào)Vscanl的電平為高電平，控制信號(hào)EM的電平為低電平，第一開關(guān)管Tl、第二開關(guān)管T2和第五開關(guān)管T5導(dǎo)通，第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)管DTFT的柵極和漏極導(dǎo)通，存儲(chǔ)電容Cst的P端和第一電容Cl的第一端共接地，所述第一電容Cl的第二端與所述數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata連通。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)管DTFT進(jìn)入飽和狀態(tài)，實(shí)為一個(gè)二極體。存儲(chǔ)電容Cst放電，此時(shí)存儲(chǔ)電容Cst的G端和存儲(chǔ)電容Cst的P端的電壓差與驅(qū)動(dòng)管DTFT閾值電壓Vth相等，Vcst=Ve-Vp=Vth ’第一電容Cl被充電，第一電容Cl兩端的電壓Vcl=Vdata。(2)第二階段為DATA寫入階段。第一掃描信號(hào)Vscanl和控制信號(hào)EM的電平為低電平，第四開關(guān)管T4和第五開關(guān)管T5導(dǎo)通，第一開關(guān)管Tl、第二開關(guān)管T2和第三開關(guān)管T3關(guān)斷。存儲(chǔ)電容Cst的P端和第一電容Cl的第二端共接數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata，第一電容Cl的第一端接地。此時(shí)存儲(chǔ)電容Cst的P端與第一電容Cl第一端連接，此時(shí)存儲(chǔ)電容Cst的P端的電壓充電到Vdata，存儲(chǔ)電容Cst兩端的電壓如果要保持在Vth，則存儲(chǔ)電容Cst的G端的電壓跳變到Ve=Vth+Vdata。(3)第三階段為發(fā)光階段。控制信號(hào)EM的電平為高電平，第一掃描信號(hào)Vscanl的電平為低電平，則第一開關(guān)管Tl、第二開關(guān)管T2和第五開關(guān)管T5關(guān)斷，第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4導(dǎo)通。存儲(chǔ)電容Cst的P端和所述第一電容Cl的第二端導(dǎo)通，第一電容Cl的第一端接地，所述驅(qū)動(dòng)管DTFT的漏極、OLED和電源電壓端VDD串聯(lián)導(dǎo)通。由于電源電壓VDD遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)管柵極(Cst的G端)的電壓Ve，則驅(qū)動(dòng)管DTFT進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)流過驅(qū)動(dòng)管DTFT及OLED的電流I為:I=K(Vcs-Vth) '2=K(Vdata+Vth-Vth) '2=K (Vdata) ~2。如步驟(3)中所做出的分析，此時(shí)流過驅(qū)動(dòng)管DTFT及OLED的電流I不受驅(qū)動(dòng)管DTFT閾值電壓Vth的影響，這樣就可以改善因?yàn)橹瞥躺蠈?dǎo)致的驅(qū)動(dòng)管DTFT閾值電壓Vth不均勻的現(xiàn)象，改善了電流的均勻性，使OLED達(dá)到了亮度的均勻。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述像素電路的顯示裝置，該顯示裝置的每個(gè)OLED發(fā)光單元通過補(bǔ)償OLED驅(qū)動(dòng)管DTFT的閾值電壓，達(dá)到OLED電路的電流的一致性，解決顯示裝置面板亮度不均勻和亮度的衰減等問題。以上所述的是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通人員來說，在不脫離本實(shí)用新型所述的原理前提下還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也在本實(shí)用新型的保 護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種像素電路，其特征在于，所述像素電路包括: 發(fā)光器件，所述發(fā)光器件一端與電源電壓端相連； 用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)管，所述驅(qū)動(dòng)管的源極與公共連接端連接； 第一開關(guān)管，所述第一開關(guān)管的柵極接收第一掃描信號(hào)，所述第一開關(guān)管的源極與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接，所述第一開關(guān)管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)管的漏極連接； 第三開關(guān)管，所述第三開關(guān)的漏極連接所述發(fā)光器件的另一端，所述第三開關(guān)管的源極連接所述驅(qū)動(dòng)管的漏極，所述第三開關(guān)管的柵極連接控制信號(hào)； 存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述驅(qū)動(dòng)管的柵極連接； 第二開關(guān)管，所述第二開關(guān)管的漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，所述第二開關(guān)管的源極與所述公共連接端連接； 第四開關(guān)管，所述第四開關(guān)管的柵極連接第一掃描信號(hào)，所述第四開關(guān)管的源極連接所述存儲(chǔ)電容的第二端； 第五開關(guān)管，所述第五開關(guān)管的柵極連接所述控制信號(hào)，所述第五開關(guān)管的漏極連接數(shù)據(jù)信號(hào)端，所述第五開關(guān)管的源極連接第四開關(guān)管的漏極； 第一電容，所述第一電容的第一端連接第五開關(guān)管的源極，所述第一電容的第二端連接公共連接端。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、第三開關(guān)管、第四開關(guān)管、第五開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管均為薄膜場效應(yīng)管。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和所述驅(qū)動(dòng)管·具有相同的溝道類型，所述第四開關(guān)管和所述第五開關(guān)管的溝道類型與所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和所述驅(qū)動(dòng)管的溝道類型相反。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管為N型薄膜場效應(yīng)管，所述第四開關(guān)管和所述第五開關(guān)管為P型薄膜場效應(yīng)管。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述公共連接端為接地端。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管。
7.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的像素電路。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種像素電路，包括發(fā)光器件；驅(qū)動(dòng)管；第一開關(guān)管，源極與驅(qū)動(dòng)管柵極連接，漏極與驅(qū)動(dòng)管漏極連接；第三開關(guān)管，漏極連接發(fā)光器件，源極連接驅(qū)動(dòng)管的漏極；存儲(chǔ)電容，第一端與驅(qū)動(dòng)管柵極連接；第二開關(guān)管，漏極與存儲(chǔ)電容的第二端連接，源極與公共連接端連接；第四開關(guān)管，源極連接存儲(chǔ)電容的第二端；第五開關(guān)管，漏極連接數(shù)據(jù)信號(hào)端，源極連接第四開關(guān)管漏極；第一電容，第一端連接第五開關(guān)管源極，第二端連接公共連接端。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述像素電路的顯示裝置。本實(shí)用新型的像素電路通過對(duì)驅(qū)動(dòng)管的補(bǔ)償作用，使流過驅(qū)動(dòng)管及發(fā)光器件的電流不受驅(qū)動(dòng)管閾值電壓的影響，使發(fā)光器件達(dá)到了亮度的均勻。
文檔編號(hào)G09G3/32GK203134326SQ20132013135
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月21日
發(fā)明者李天馬, 李宏偉, 韓靜 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司