本公開內(nèi)容涉及具有電流驅(qū)動型顯示元件的顯示單元，涉及在這種顯示單元中使用的驅(qū)動單元和驅(qū)動方法，以及涉及包括這種顯示單元的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
近年來，在執(zhí)行圖像顯示的顯示單元的領(lǐng)域中，已經(jīng)開發(fā)了使用發(fā)光亮度響應(yīng)于流動電流的值發(fā)生變化的電流驅(qū)動型光學(xué)元件，例如有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件的顯示單元(有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示單元)并且其商業(yè)化正在進(jìn)行中。與液晶元件等不同，發(fā)光元件是自發(fā)光元件，并且光源(背光)是不必要的。因此，與需要光源的液晶顯示單元相比，有機(jī)EL顯示單元具有圖像的可視性高、功耗低、元件的響應(yīng)速度快等特征。在顯示單元中，驅(qū)動電路控制以矩陣排列的像素。例如，在PTL1中，公開了包括像素陣列部以及由移位寄存器和多個緩沖電路構(gòu)成的控制線驅(qū)動部的顯示面板?？刂凭€驅(qū)動部通過控制線將控制信號提供給每一個像素。兩個或更多電壓(VDD/VSS)被提供至緩沖電路，并且基于從外面提供的設(shè)置信號和重置信號選擇和輸出這些電壓中的一個。引用列表專利文獻(xiàn)PTL1：日本未經(jīng)審查專利申請公布號2009-223092

技術(shù)實現(xiàn)要素：
順便提及，通常，鑒于成本、電路的配置面積、電路布局的自由度等，電子電路期望具有簡單構(gòu)造，并且顯示單元中的驅(qū)動電路也被期望具有簡單構(gòu)造。因此，希望提供各自適用于實現(xiàn)簡單的電路構(gòu)造的顯示單元、驅(qū)動單元、驅(qū)動方法以及電子設(shè)備。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的一種顯示單元包括：單位像素、開關(guān)以及非線性元件。該開關(guān)被配置為基于施加于第一端子的脈沖信號來執(zhí)行供應(yīng)DC信號的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制。非線性元件被插入第一端子與第三端子之間。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的一種驅(qū)動單元包括開關(guān)和非線性元件。該開關(guān)被配置為基于施加于第一端子的脈沖信號來執(zhí)行供應(yīng)DC信號的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制。非線性元件被插入第一端子與第三端子之間。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的一種驅(qū)動方法包括：基于施加于第一端子的脈沖信號來執(zhí)行供應(yīng)DC信號的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制；并且執(zhí)行第一端子與第三端子之間的非線性操作。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的電子設(shè)備包括上述顯示單元，并且電子設(shè)備的實例可包括電視設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、個人計算機(jī)、攝像機(jī)以及諸如移動電話的移動終端裝置。根據(jù)本公開內(nèi)容的各個實施方式的顯示單元、驅(qū)動單元、驅(qū)動方法以及電子設(shè)備，信號基于脈沖信號來被施加于單位像素。此時，該開關(guān)被控制為基于施加于第一端子的脈沖信號在供應(yīng)DC信號的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間接通或者關(guān)斷，并且通過非線性元件在第一端子與第三端子之間執(zhí)行非線性操作。根據(jù)本公開內(nèi)容的各個實施方式的顯示單元、驅(qū)動單元、驅(qū)動方法以及電子設(shè)備，設(shè)置有基于施加于第一端子的脈沖信號來執(zhí)行供應(yīng)DC信號的第二端子與連接至單位像素的第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制的開關(guān)，以及插入第一端子與第三端子之間的非線性元件。因此，可以實現(xiàn)簡單電路。附圖說明[圖1]是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的顯示單元的構(gòu)造實例的框圖。[圖2]是示出了圖1中示出的子像素的構(gòu)造實例的電路圖。[圖3]是示出了圖1中示出的電源線驅(qū)動部的構(gòu)造實例的電路圖。[圖4]是示出了顯示單元中的電源線驅(qū)動部的配置的說明性示圖。[圖5]是示出了圖3中示出的驅(qū)動電路及其周邊部的布局構(gòu)造實例的布局圖。[圖6]是示出了根據(jù)第一實施方式的驅(qū)動部的操作實例的時序波形圖。[圖7]是示出了根據(jù)第一實施方式的子像素的操作實例的時序波形圖。[圖8]是示出了圖3中示出的驅(qū)動電路的操作實例的時序波形圖。[圖9]是示出了根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動部的構(gòu)造實例的電路圖。[圖10]是示出了圖9中示出的驅(qū)動電路的操作實例的時序波形圖。[圖11]是示出了根據(jù)第一實施方式的變形例的電源線驅(qū)動部的構(gòu)造實例的電路圖。[圖12]是示出了根據(jù)第一實施方式的另一變形例的電源線驅(qū)動部的構(gòu)造實例的電路圖。[圖13]是示出了根據(jù)第二實施方式的驅(qū)動部的操作實例的時序波形圖。[圖14]是示出了根據(jù)第二實施方式的子像素的操作實例的時序波形圖。[圖15]是示出了根據(jù)第二實施方式的驅(qū)動電路的操作實例的時序波形圖。[圖16]是示出了根據(jù)第二實施方式的驅(qū)動電路和子像素的操作實例的說明性示圖。[圖17]是示出了根據(jù)第二實施方式的變形例的子像素的構(gòu)造實例的電路圖。[圖18]是示出了根據(jù)任一實施方式的安裝有顯示單元的模塊的構(gòu)造實例的說明性示圖。[圖19]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例1的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖20A]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例2的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖20B]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例2的另一外觀構(gòu)造的透視圖。[圖21]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例3的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖22A]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例4的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖22B]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例4的外觀構(gòu)造的另一透視圖。[圖23A]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例5的外觀構(gòu)造的前視圖。[圖23B]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例5的外觀構(gòu)造的后視圖。[圖24]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例6的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖25]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例7的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖26]是示出了根據(jù)任一實施方式的顯示單元的應(yīng)用例8的外觀構(gòu)造的透視圖。[圖27]是示出了根據(jù)另一變形例的子像素的構(gòu)造實例的電路圖。具體實施方式下文將參照附圖詳細(xì)描述本公開內(nèi)容的實施方式。應(yīng)注意，將按照以下順序進(jìn)行其描述。1.第一實施方式2.第二實施方式3.應(yīng)用例<1.實施方式>(構(gòu)造實例)圖1示出了根據(jù)第一實施方式的顯示單元的構(gòu)造實例。顯示單元1是使用有機(jī)EL元件的有源矩陣顯示單元。應(yīng)注意，根據(jù)本公開內(nèi)容的各個實施方式的驅(qū)動單元、驅(qū)動方法通過本實施方式來實施并且因此將在一起描述。顯示單元1包括顯示部10和驅(qū)動部20。顯示部10由以矩陣排列的多個像素Pix構(gòu)成。每一個像素Pix均包括紅色、綠色和藍(lán)色子像素11。顯示部10包括沿行方向延伸的多個掃描線WSAL和多個電源線PL，以及沿列方向延伸的多個數(shù)據(jù)線DTL。掃描線WSL、電源線PL以及數(shù)據(jù)線DTL中的每個的端部均連接至驅(qū)動部20。每個上述子像素11被布置在每一個掃描線WSL和每一個數(shù)據(jù)線DTL的交點處。圖2示出了子像素11的電路構(gòu)造的實例。子像素11包括寫入晶體管WSTr、驅(qū)動晶體管DRTr、有機(jī)EL元件OLED以及電容器Cs和電容器Csub。換言之，在該實例中，子像素11具有由兩個晶體管(寫入晶體管WSTr和驅(qū)動晶體管DRTr)以及兩個電容器Cs和電容器Csub構(gòu)成的所謂的“2Tr2C”的構(gòu)造。例如，寫入晶體管WSTr和驅(qū)動晶體管DRTr可各自由N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。寫入晶體管WSTr的柵極連接至掃描線WSL，其源極連接至數(shù)據(jù)線DTL，并且其漏極連接至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極和電容器Cs的一端。驅(qū)動晶體管DRTr的柵極連接至寫入晶體管WSTr的漏極和電容器Cs的一端，其漏極連接至電源線PL，并且其源極連接至電容器Cs的另一端和有機(jī)EL元件OLED的陽極等。電容器Cs的一端連接至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極等，并且其另一端連接至驅(qū)動晶體管DRTr的源極等。電容器Csub的一端連接至有機(jī)EL元件OLED的陽極，并且其另一端連接至有機(jī)EL元件OLED的陰極。換言之，在這個實例中，電容器Csub并聯(lián)連接至有機(jī)EL元件OLED。有機(jī)EL元件OLED是發(fā)射對應(yīng)于每一個子像素11的顏色(紅色、綠色或者藍(lán)色)的光的發(fā)光元件，并且其陽極連接至驅(qū)動晶體管DRTr的源極等，以及其陰極通過驅(qū)動部20來提供陰極電壓Vcath。驅(qū)動部20基于從外面提供的影像信號(picturesignal)Sdisp和同步信號Ssync來驅(qū)動顯示部10。如圖1中所示，驅(qū)動部20包括影像信號處理部21、時序生成部22、掃描線驅(qū)動部23、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27。影像信號處理部21對從外部提供的影像信號Sdisp執(zhí)行預(yù)定的信號處理以產(chǎn)生影像信號Sdisp2。預(yù)定的信號處理的實例可包括伽馬校正和過驅(qū)動校正。時序生成部22是基于從外部提供的同步信號Ssync，向掃描線驅(qū)動部23、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27的每一個提供控制信號，并且控制這些部彼此同步操作的電路。掃描線驅(qū)動部23根據(jù)從時序生成部22提供的控制信號順次將掃描信號WS施加至多個掃描線WSL，以在行的基礎(chǔ)上順次選擇子像素11。電源線驅(qū)動部26根據(jù)從時序生成部22提供的控制信號順次將電力信號DS施加至多個電源線PL，以在行基礎(chǔ)上控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。電力信號DS在電壓Vccp和電壓Vini之間轉(zhuǎn)換。如稍后將描述的，電壓Vini是使子像素11初始化的電壓，并且電壓Vccp是允許電流Ids流過驅(qū)動晶體管DRTr以允許有機(jī)EL元件OLED發(fā)光的電壓。圖3示出了電源線驅(qū)動部26的構(gòu)造實例。電源線驅(qū)動部26包括電壓生成部31、移位寄存器32和多個驅(qū)動電路33。電壓生成部31生成電壓Vccp。電壓生成部31通過配線L1將電壓Vccp供應(yīng)給每個驅(qū)動電路33。移位寄存器32基于從時序生成部22提供的控制信號(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動的像素線的多個掃描信號Ss。每個掃描信號Ss對應(yīng)于顯示部10中的每個像素線。具體地，例如，第k個掃描信號Ss(k)對應(yīng)于第k個像素線。每個掃描信號Ss均是在高電平電壓VH與低電平電壓VL之間轉(zhuǎn)換的信號。低電平電壓VL是比電壓Vini低了驅(qū)動電路33的晶體管35(稍后描述)的閾值電壓Vth的量的電壓(Vini-Vth)。例如，移位寄存器32可以通過第k個配線L2(k)將掃描信號Ss(k)供應(yīng)給第k個驅(qū)動電路33(k)。每個驅(qū)動電路33基于從電壓生成部31供應(yīng)的電壓Vccp和從移位寄存器32供應(yīng)的掃描信號Ss生成電力信號DS。每個驅(qū)動電路33被設(shè)置為對應(yīng)于顯示部10中的每個像素線。具體地，例如，第k個驅(qū)動電路33(k)基于電壓Vccp和第k個掃描信號Ss(k)生成第k個電力信號DS(k)。然后，驅(qū)動電路33(k)在第k個像素線中將電力信號DS(k)施加至電源線PL(k)。每個驅(qū)動電路33均包括晶體管34和晶體管35。例如，各個晶體管34和晶體管35可由與寫入晶體管WSTr和驅(qū)動晶體管DRTr相似的N-溝道MOSTFT構(gòu)成。在驅(qū)動電路33(k)中，晶體管34的柵極連接至晶體管35的源極和配線L2(k)，其漏極連接至配線L1以及其源極連接至晶體管35的漏極和柵極和電源線PL(k)。在驅(qū)動電路33(k)中，晶體管35的漏極連接至晶體管35的柵極、晶體管34的源極和電源線PL(k)，其源極連接至晶體管34的柵極和配線L2(k)。換言之，晶體管35是所謂的二極管連接。晶體管34形成為具有的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。利用該構(gòu)造，在驅(qū)動電路33(k)中，當(dāng)掃描信號Ss(k)的電壓是高電平電壓VH時，導(dǎo)通晶體管34并且截止晶體管35。因此，驅(qū)動電路33(k)將電壓Vccp輸出為電力信號DS(k)。此外，當(dāng)掃描信號Ss(k)的電壓是低電平電壓VL時，截止晶體管34并且瞬時導(dǎo)通晶體管35。因此，驅(qū)動電路33(k)將比低電平電壓VL(＝Vini-Vth)高了晶體管35的閾值電壓Vth的量的電壓Vini輸出為電力信號DS(k)。圖4示出了顯示單元1中的電源線驅(qū)動部26的配置。在這個實例中，掃描線驅(qū)動部23被布置在基板30的設(shè)置有顯示部10的區(qū)域的左側(cè)上的邊框區(qū)域中，并且電源線驅(qū)動部26被布置在其右側(cè)的邊框區(qū)域中。在設(shè)置有電源線26的區(qū)域中，配線L1被如此設(shè)置以沿著垂直方向延伸。進(jìn)一步地，移位寄存器32被布置在配線L1的右側(cè)，并且多個驅(qū)動電路33被布置在配線L1的左側(cè)上的區(qū)域39中。圖5示出了驅(qū)動電路33及其周邊部的布局構(gòu)造實例。在這個實例中，顯示單元1使用適于形成兩個金屬層(即，下層金屬M1和上層金屬M2)的制造工藝進(jìn)行制造。例如，下層金屬M1可由鉬Mo形成，并且例如，上層金屬M2可由鋁Al形成。上層金屬M2的片電阻低于下層金屬M1的片電阻。各個晶體管34和晶體管35的柵極(柵極部分GP)由下層金屬M1構(gòu)成，并且各個晶體管34和晶體管35的漏極和源極被連接至上層金屬M2。配線L1由上層金屬M2形成并且連接至晶體管34的漏極。配線L2在除了與配線L1相交的一部分之外的部分中由上層金屬M2形成，并且在與配線L1相交的一部分中由下層金屬M1形成。配線L2連接至晶體管34的柵極(柵極部分GP)，并且通過接觸CT連接至上層金屬M2，該上層金屬M2連接至晶體管35的源極。電源線PL由上層金屬M2形成，且連接至晶體管34的源極和晶體管35的漏極，并且通過接觸CT連接至晶體管35的柵極。在圖1中，根據(jù)從影像信號處理部21供應(yīng)的影像信號Sdisp2和從時序生成部22供應(yīng)的控制信號，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27生成包括指示每個子像素11的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig以及用于執(zhí)行稍后描述的Vth校正的電壓Vofs的信號Sig，并且將信號Sig施加至每個數(shù)據(jù)線DTL。利用該構(gòu)造，如稍后將描述的，驅(qū)動部20在子像素11上執(zhí)行校正(Vth校正)以抑制驅(qū)動晶體管DRTr的元件變化對圖像質(zhì)量的影響。然后，驅(qū)動部20在子像素11上執(zhí)行像素電壓Vsig的寫入并且執(zhí)行不同于上述Vth校正的μ(遷移率，mobility)校正。然后，此后，每個子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對應(yīng)于寫入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光。在此，子像素11對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“單位像素”的特定但非限制性實例。電容器Cs對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第一電容器”的特定但非限制性實例。電容器Csub對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第二電容器”的特定但非限制性實例。有機(jī)EL元件OLED對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“顯示元件”的特定但非限制性實例。晶體管34對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“開關(guān)”的特定但非限制性實例。晶體管35對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“非線性元件”的特定但非限制性實例。掃描信號Ss對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“脈沖信號”的特定但非限制性實例。配線L2對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第一配線”的特定但非限制性實例，并且配線L1對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第二配線”的特定但非限制性實例。高電平電壓VH對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第一電壓”的特定但非限制性實例，并且低電平電壓VL對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第二電壓”的特定但非限制性實例。電壓Vini對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第三電壓”的特定但非限制性實例，并且電壓Vccp對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第四電壓”的特定但非限制性實例。電壓Vofs對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“重置電壓”的特定但非限制性實例。(操作和功能)隨后，將描述根據(jù)本實施方式的顯示單元1的操作和功能。(總體操作概要)首先，參考圖1，描述顯示單元1的總體操作概要。影像信號處理部21對從外部提供的影像信號Sdisp執(zhí)行預(yù)定的信號處理以產(chǎn)生影像信號Sdisp2。時序生成部22基于從外部提供的同步信號Ssync，向各掃描線驅(qū)動部23、電源線驅(qū)動部26和數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27提供控制信號，以控制這些部彼此同步操作。掃描線驅(qū)動部23根據(jù)從時序生成部22提供的控制信號順次將掃描信號WS施加至多個掃描線WSL中的每一個，以在行基礎(chǔ)上順次選擇子像素11。電源線驅(qū)動部26根據(jù)從時序生成部22提供的控制信號順次將電力信號DS施加至多個電源線PL中的每一個，以在行基礎(chǔ)上控制子像素11的發(fā)光操作和消光操作。根據(jù)從影像信號處理部21供應(yīng)的影像信號Sdisp2和從時序生成部22供應(yīng)的控制信號，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27生成包括指示每個子像素11的發(fā)光亮度的像素電壓Vsig和用于執(zhí)行Vth校正的電壓Vofs的信號Sig，并且將信號Sig施加至每個數(shù)據(jù)線DTL。顯示部10基于從驅(qū)動部20提供的掃描信號WS、電力信號DS和信號Sig來執(zhí)行顯示。(詳細(xì)操作)圖6是驅(qū)動部20的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號WS的波形，(B)示出了電力信號DS的波形，以及(C)示出了信號Sig的波形。在圖6的(A)中，掃描信號WS(k)表示驅(qū)動第k個線中的子像素11的掃描信號WS。同樣地，掃描信號WS(k+1)、WS(k+2)和WS(k+1)表示分別驅(qū)動第(k+1)個線、第(k+2)個線和第(k+3)個線中的子像素11的掃描信號WS。上述情況也適用于電力信號DS(圖6的(B))。驅(qū)動部20的掃描線驅(qū)動部23順次將具有兩個脈沖PP1和脈沖PP2的掃描信號WS施加至每個掃描線WSL(圖6的(A))。這時，在一個水平期間(1H)，掃描線驅(qū)動部23將兩個脈沖PP1和脈沖PP2施加至一個掃描線WSL。電源線驅(qū)動部26將僅在包含脈沖PP1的開始時刻(例如時刻t1)的預(yù)定時間段(例如，從時刻t0至?xí)r刻t2的時間段)中變?yōu)殡妷篤ini并且在其他時間段中變?yōu)殡妷篤ccp的電力信號DS施加至每一個電源線PL(圖6的(B))。數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27在包括脈沖PP2的預(yù)定時間段(例如，從時刻t4至?xí)r刻t7的時間段)將像素電壓Vsig施加至每一個數(shù)據(jù)線DTL，并且在其他時間段將電壓Vofs施加至每一個數(shù)據(jù)線DTL(圖6的(C))。以此方式，驅(qū)動部20在一個水平期間(例如，從時刻t1至?xí)r刻t7)驅(qū)動第k個線中的子像素11，并且在下一個水平期間(例如，從時刻t7至?xí)r刻t8)驅(qū)動第(k+1)個線的子像素11。然后，驅(qū)動部20在一個幀期間驅(qū)動顯示部10的所有子像素11。圖7是子像素11在從時刻t0至?xí)r刻t7的時間段的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號WS的波形，(B)示出了電力信號DS的波形，(C)示出了信號Sig的波形，(D)示出了驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形，以及(E)示出了驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。在圖7的(B)至(E)中，使用相同的電壓軸示出各波形。驅(qū)動部20在一個水平期間(1H)執(zhí)行子像素11的初始化(初始化期間P1)，執(zhí)行Vth校正以抑制驅(qū)動晶體管DRTr的元件變化對圖像質(zhì)量的影響(Vth校正期間P2)，以及執(zhí)行像素電壓Vsig對子像素11的寫入以及μ校正(寫入和μ校正期間P3)。然后，此后，每個子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對應(yīng)于寫入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光(發(fā)光期間P4)。在此，初始化期間P1對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第一子期間”的特定但非限制性實例，Vth校正期間P2對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第二子期間”的特定但非限制性實例。以下將描述其細(xì)節(jié)。首先，在初始化期間P1之前的時刻t0，電源線驅(qū)動部26將電力信號DS從電壓Vccp改變到電壓Vini(圖7的(B))。因此，驅(qū)動晶體管DRTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs被設(shè)置為電壓Vini(圖7的(E))。接下來，驅(qū)動部20在時刻t1至?xí)r刻t2的時間段(初始化期間P1)對子像素11進(jìn)行初始化。具體地，在時刻t1時，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27將信號Sig設(shè)置為電壓Vofs(圖7的(C))，并且掃描線驅(qū)動部23將掃描信號WS的電壓從低電平改變?yōu)楦唠娖?圖7的(A))。因此，寫入晶體管WSTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)置為電壓Vofs(圖7的(D))。以此方式，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs(＝Vofs-Vini)被設(shè)置為大于驅(qū)動晶體管DRTr的閾值電壓Vth的電壓，這使子像素11初始化。接下來，驅(qū)動部20在時刻t2至?xí)r刻t3的時間段期間執(zhí)行Vth校正(Vth校正期間P2)。具體地，電源線驅(qū)動部26在時刻t2時將電力信號DS從電壓Vini改變?yōu)殡妷篤ccp(圖7的(B))。因此，驅(qū)動晶體管DRTr操作在飽和區(qū)中，并且電流Ids從漏極流動至源極。電流Ids增加源極電壓Vs(圖7的(E))。這時，因為源極電壓Vs低于有機(jī)EL元件OLED的陰極的電壓Vcath，所以有機(jī)EL元件OLED保持反向偏壓狀態(tài)，并且電流不流過有機(jī)EL元件OLED。源極電壓Vs以此方式增加，這減少柵極-源極電壓Vgs。因此，電流Ids減少。電流Ids通過負(fù)反饋操作向“0”(零)收斂(converge)。換言之，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs收斂為等于驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth(Vgs＝Vth)。接著，掃描線驅(qū)動部23在時刻t3時將掃描信號WS的電壓從高電平改變?yōu)榈碗娖?圖7的(A))。因此，寫入晶體管WSTr截止。然后，數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27在時刻t4時將信號Sig設(shè)置為像素電壓Vsig(圖7的(C))。然后，在從時刻t5至?xí)r刻t6期間(寫入和μ校正期間P3)，驅(qū)動部20執(zhí)行像素電壓Vsig對子像素11的寫入，并且執(zhí)行μ校正。具體地，掃描線驅(qū)動部23在時刻t5將掃描信號WS的電壓從低電平改變?yōu)楦唠娖?圖7的(A))。因此，寫入晶體管WSTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg從電壓Vofs升高到像素電壓Vsig(圖7的(D))。此時，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs變得大于閾值電壓Vth(Vgs>Vth)，并且電流Ids從漏極流動至源極。因此，驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs增加(圖7的(E))。利用這樣的負(fù)反饋操作，驅(qū)動晶體管DRTr的元件變化的影響被抑制(μ(遷移率)校正)，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極電壓Vgs被設(shè)置為與像素電壓Vsig對應(yīng)的電壓Vemi。然后，驅(qū)動部20在時刻t6之后的時間段允許子像素11發(fā)光(發(fā)光期間P4)。具體地，掃描線驅(qū)動部23在時刻t6時將掃描信號WS的電壓從高電平改變?yōu)榈碗娖?圖7的(A))。因此，寫入晶體管WSTr截止，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極變得浮動。因此，此后，電容器Cs的端子間電壓，即，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極-源極電壓被保持。進(jìn)一步地，驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs在電流Ids流過驅(qū)動晶體管DRTr時增加(圖7的(E))，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg相應(yīng)地增加(圖7的(D))。然后，當(dāng)驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs變得大于這種自舉操作的有機(jī)EL元件OLED的閾值Vel電壓Vcath的和(Vel+Vcath)時，電流在有機(jī)EL元件OLED的陽極和陰極之間流動，并且有機(jī)EL元件OLED發(fā)光。換言之，源極電壓Vs根據(jù)有機(jī)EL元件OLED的元件變化增加并且有機(jī)EL元件OLED發(fā)光。此后，在顯示單元1中，在預(yù)定期間(一個幀期間)過去之后，發(fā)生從發(fā)光期間P4至初始化期間P1的轉(zhuǎn)換。驅(qū)動部20執(zhí)行驅(qū)動以重復(fù)一系列操作。以此方式，在顯示單元1中，執(zhí)行Vth校正和μ校正兩者。因此，可以抑制由驅(qū)動晶體管DRTr的元件變化所引起的圖像質(zhì)量的劣化。此外，在顯示單元1中，在發(fā)光期間P4允許根據(jù)有機(jī)EL元件OLED的元件變化增加源極電壓Vs。因此，可以抑制由有機(jī)EL元件OLED的元件變化所引起的圖像質(zhì)量的劣化。(驅(qū)動電路33的操作)接下來，將描述驅(qū)動電路33的詳細(xì)操作。驅(qū)動電路33基于從電壓生成部31供應(yīng)的電壓Vccp和從移位寄存器32供應(yīng)的掃描信號Ss生成電力信號DS。圖8是驅(qū)動電路33操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號Ss的波形，以及(B)示出了電力信號DS的波形。首先，掃描信號Ss的電壓在時刻t11從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖8的(A))。因此，驅(qū)動電路33的晶體管34導(dǎo)通，晶體管35截止，并且通過電壓生成部31生成的電壓Vccp通過晶體管34相應(yīng)地被施加至電源線PL。以此方式，電力信號DS改變至電壓Vccp(圖8的(B))。然后，在Vth校正期間P2、寫入和μ校正期間P3以及發(fā)光期間P4，驅(qū)動電路33將電流供應(yīng)給連接至電源線PL的每一個子像素11。然后，掃描信號Ss的電壓在時刻t12從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(＝Vini-Vth)(圖8的(A))。因此，驅(qū)動電路33的晶體管34截止，晶體管35瞬時導(dǎo)通，并且電源線PL的電壓相應(yīng)地減少(圖8的(B))。然后，當(dāng)電源線PL的電壓減少至電壓Vini時，晶體管35截止。此后，在初始化期間P1，在連接至電源線PL的每一個子像素11中執(zhí)行初始化。驅(qū)動電路33重復(fù)上述操作。因此，連接至電源線PL的每一個子像素11重復(fù)從初始化至發(fā)光的一系列操作。如上所述，在顯示單元1中，使用起到開關(guān)作用的晶體管34和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管35來配置驅(qū)動電路33。因此，如將使用比較例所描述的，可以簡化電源線驅(qū)動部26的電路構(gòu)造。此外，在驅(qū)動電路33中，制成的晶體管34的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。因此，可以促進(jìn)子像素11的驅(qū)動，并且抑制驅(qū)動電路33的電路面積。具體地，在Vth校正期間P2、寫入和μ校正期間P3以及發(fā)光期間P4，驅(qū)動電路33使晶體管34導(dǎo)通以將電流供應(yīng)至子像素11。具體地，在發(fā)光期間P4，驅(qū)動電路33供應(yīng)允許有機(jī)EL元件OLED發(fā)光的驅(qū)動電流。隨著有機(jī)EL元件OLED的發(fā)光亮度升高，驅(qū)動電流增加。因此，晶體管34的導(dǎo)通電阻理想地的是足夠低，并且晶體管34的溝道寬度W理想地地是較寬。另一方面，在初始化期間P1，驅(qū)動電路33將電壓Vini施加至電源線PL以將子像素11的源極電壓Vs設(shè)置為電壓Vini。在這種情況下，電流瞬時流過晶體管35但是電流不持續(xù)流過晶體管35。因此，可以減小晶體管35的溝道寬度W。該構(gòu)造促進(jìn)子像素11的驅(qū)動并且使得可以抑制驅(qū)動電路33的電路面積。另外，如圖5中所示，在電源線驅(qū)動部26中，配線L1由具有低片電阻的上層金屬M2形成。因此，可以減小配線L1的電阻值，并且促進(jìn)子像素11的驅(qū)動。此外，如圖4和圖5中所示，在電源線驅(qū)動部26中，配線L1被布置在驅(qū)動電路33與移位寄存器32之間。因此，可以促進(jìn)子像素11的驅(qū)動。具體地，例如，當(dāng)配線L1被布置在顯示部10與驅(qū)動電路33之間時，配線L1與電源線PL相交。換言之，在這種情況下，必須通過具有高片電阻的下層金屬M1形成配線L1或者電源線PL，并且在交叉點處無意地形成有寄生電容。因此，施加至電源線PL的電力信號DS的上升時間tr增加，并且例如，難以生成具有短時寬度的脈沖。另一方面，在電源線驅(qū)動部26中，配線L1被布置在驅(qū)動電路33與移位寄存器32之間。因此，可以通過具有低片電阻的上層金屬M2形成配線L1，并且減少電力信號DS等的上升時間tr。順便提及，如圖5中所示，在電源線驅(qū)動部26中，配線L1與配線L2相交，并且必須通過具有高片電阻的下層金屬M1在交叉點處形成配線L2。然而，配線L2被連接至晶體管34和晶體管35，并且與在顯示面板10中延伸的電源線PL不同，電容負(fù)荷較低。因此，移位寄存器32相對容易地驅(qū)動配線L2。因此，可以減少電力信號DS的波形遲鈍的可能性。(比較例)接下來，將描述根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動部26R。在本比較例中，電壓生成部31R生成電壓Vccp和電壓Vini，并且驅(qū)動電路33R選擇和輸出電壓Vccp和電壓Vini中的一個。它的其他構(gòu)造與在本實施方式中(圖1)中的那些構(gòu)造相似。圖9示出了根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動部26R的構(gòu)造實例。電源線驅(qū)動部26R包括電壓生成部31R、移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及多個驅(qū)動電路33R。電壓生成部31R生成電壓Vccp以通過配線L1將電壓Vccp供應(yīng)給每一個驅(qū)動電路33R，并且生成電壓Vini以通過配線L3將電壓Vini供應(yīng)給每一個驅(qū)動電路33R。移位寄存器32RA基于從時序生成部22供應(yīng)的控制信號(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動的像素線的多個掃描信號SsA。例如，移位寄存器32RA可以通過第k個配線L2A(k)將掃描信號SsA(k)供應(yīng)給第k個驅(qū)動電路33R(k)。同樣地，移位寄存器32RB基于從時序生成部22供應(yīng)的控制信號(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動的像素線的多個掃描信號SsB。例如，移位寄存器32RB可以通過第k個配線L2B(k)將掃描信號SsB(k)供應(yīng)給第k個驅(qū)動電路33R(k)。基于從電壓生成部31R供應(yīng)的電壓Vccp和電壓Vini、從移位寄存器33RA供應(yīng)的掃描信號SsA以及從移位寄存器33RB供應(yīng)的掃描信號SsB，每一個驅(qū)動電路33R生成電力信號DS。每一個驅(qū)動電路33R包括晶體管35R。例如，晶體管35R可由類似于晶體管34等的N-溝道MOSTFT構(gòu)成。在驅(qū)動電路33R(k)中，晶體管35R的漏極連接至晶體管34的源極和電源線PL(k)，其柵極連接至配線L2B(k)，以及其源極連接至配線L3。圖10是驅(qū)動電路33R的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號SsA的波形，(B)示出了掃描信號SsB的波形，以及(C)示出了電力信號DS的波形。首先，掃描信號SsB的電壓在時刻t21時從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(圖10的(B))。因此，晶體管35R截止，并且停止電壓Vini施加至電源線PL。然后，掃描信號SsA的電壓在時刻t22時從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖10的(A))。因此，晶體管34導(dǎo)通，通過電壓生成部31R生成的電壓Vccp通過晶體管34被施加至電源線PL，并且電力信號DS改變至電壓Vccp(圖10的(C))。接下來，掃描信號SsA的電壓在時刻t23時從高電平電壓VH改變至低電平電壓VL(圖10的(A))。因此，晶體管34截止，并且停止電壓Vccp施加至電源線PL。然后，掃描信號SsB的電壓在時刻t24時從低電平電壓VL改變至高電平電壓VH(圖10的(B))。因此，晶體管35R導(dǎo)通，通過電壓生成部31R生成的電壓Vini通過晶體管35R被施加至電源線PL，并且電力信號DS相應(yīng)地改變至電壓Vini(圖10的(C))。以此方式，在電源線驅(qū)動部26R中，電壓生成部31R生成電壓Vccp和電壓Vini，并且驅(qū)動電路33R基于通過移位寄存器32RA和移位寄存器32RB分別生成的兩個掃描信號SsA和SsB，選擇和輸出電壓Vccp和電壓Vini中的一個。在根據(jù)比較例的電源線驅(qū)動部26R中，驅(qū)動電路33R使用用作這樣的開關(guān)的兩個晶體管34和晶體管35R構(gòu)成。因此，電源線驅(qū)動部26R必須具有執(zhí)行兩個晶體管34和晶體管35R的導(dǎo)通截止控制的兩個移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及分別傳輸電壓Vccp和電壓Vini的兩個配線L1和配線L3。因此，增加電源線驅(qū)動部26R的電路大小，增加電路和配線的配置面積，并且因此可削弱電路布局的自由度。此外，可削弱作為整個顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計的自由度。具體地，近年來，在產(chǎn)品設(shè)計方面期望具有窄邊框的面板。然而，因為電源線驅(qū)動部26R形成在類似于圖4的情況的所謂邊框區(qū)域中，所以可能難以減少邊框區(qū)域。另一方面，在根據(jù)本實施方式的電源線驅(qū)動部26中，驅(qū)動電路33使用起到開關(guān)作用的晶體管34和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管35構(gòu)成。因此，在電源線驅(qū)動部26中，可實現(xiàn)由一個移位寄存器34和一個配線L1構(gòu)成的簡單構(gòu)造，并且可實現(xiàn)相當(dāng)于電源線驅(qū)動部26R的作用。因此，在電源線驅(qū)動部26中，可以減少電路大小，以減少電路和配線的配置面積，并且增強電路布局的自由度。此外，因為可實現(xiàn)具有窄邊框區(qū)域的面板，這使得可以增強整個顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計的自由度。(效果)如上所述，在本實施方式中，驅(qū)動電路使用起到開關(guān)作用的晶體管和起到非線性元件(二極管)作用的晶體管構(gòu)成。因此，可以簡化電源線驅(qū)動部的構(gòu)造。因此，可以減少電路大小、減少電路和配線的配置面積，以及增強電路布局的自由度，并且增強作為整個顯示單元的產(chǎn)品設(shè)計的自由度。此外，在本實施方式中，制成的晶體管34的溝道寬度W大于晶體管35的溝道寬度W。這促進(jìn)子像素的驅(qū)動并且使得可以抑制驅(qū)動電路的電路面積。此外，在本實施方式中，配線L1由具有低片電阻的上層金屬形成。因此，可以減小配線L1的電阻值，并且促進(jìn)子像素的驅(qū)動。進(jìn)一步地，在本實施方式中，配線L1被布置在驅(qū)動電路與移位寄存器之間。因此，可以促進(jìn)子像素的驅(qū)動。此外，在本實施方式中，顯示部在不使用PMOS晶體管的情況下僅使用NMOS晶體管構(gòu)成。因此，即使通過不可以制造PMOS晶體管的工藝，如利用氧化物TFT(TOSTFT)工藝也能夠制造顯示部。(變形例1-1)在上述實施方式中，二極管連接的晶體管35被設(shè)置在每個驅(qū)動電路33中。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，如圖11中所示，可以設(shè)置二極管35B。電源線驅(qū)動部26B包括驅(qū)動電路33B。在驅(qū)動電路33B(k)中，二極管35B的陽極連接至電源線PL(k)，并且其陰極連接至配線L2(k)。(變形例1-2)在上述實施方式中，驅(qū)動電路的各個晶體管34和晶體管35由N-溝道MOSTFT構(gòu)成。然而，晶體管不限于此，并且例如，如圖12中所示，各個晶體管34和晶體管35可由P-溝道MOSTFT構(gòu)成。根據(jù)本變形例的電源線驅(qū)動部26C包括驅(qū)動電路33C、電壓生成部31C和移位寄存器32C。每個驅(qū)動電路33C包括晶體管36和晶體管37。每個晶體管36和晶體管37均是P-溝道MOSTFT。晶體管36起到非線性元件(二極管)的作用，以及晶體管37起到開關(guān)的作用。電壓生成部31C生成電壓Vini。移位寄存器32C基于從時序生成部22供應(yīng)的控制信號(未示出)生成用于選擇要被驅(qū)動的像素線的多個掃描信號Ss。每個掃描信號Ss的高電平電壓VH是比電壓Vccp高驅(qū)動電路33C的晶體管36的閾值電壓的絕對值|Vth|的電壓(Vccp+|Vth|)。利用該構(gòu)造，在驅(qū)動電路33C(k)中，當(dāng)掃描信號Ss(k)的電壓是低電平電壓VL時，晶體管37導(dǎo)通并且晶體管36截止。因此，驅(qū)動電路33C(k)將電壓Vini輸出為電力信號DS(k)。此外，當(dāng)掃描信號Ss(k)的電壓是高電平電壓VH時，晶體管37截止并且瞬時導(dǎo)通晶體管36。因此，驅(qū)動電路33C(k)將比高電平電壓VH(＝Vccp+|Vth|)低了晶體管36的閾值電壓的絕對值|Vth|的電壓Vccp輸出為電力信號DS(k)。在這個實例中，例如，晶體管36的溝道寬度(W)可大于晶體管37的溝道寬度(W)。(變形例1-3)在上述實施方式中，電源線驅(qū)動部26使用驅(qū)動電路33構(gòu)成。然而，該構(gòu)造不限于此，可替換地或者除此之外，掃描線驅(qū)動部23可以使用驅(qū)動電路33構(gòu)成。在這種情況下，可以簡化掃描線驅(qū)動部23的構(gòu)造(變形例1-4)在上述實施方式中，該技術(shù)應(yīng)用于使用有機(jī)EL元件的顯示單元。然而，該應(yīng)用不限于此，并且可替代地，例如，該技術(shù)可以應(yīng)用于使用液晶顯示元件的顯示單元。具體地，例如，該技術(shù)可以應(yīng)用于選擇像素電壓所寫入的電路(對應(yīng)于上述實施方式中的掃描線驅(qū)動部23)。(變形例1-5)在上述實施方式中，如圖7等中所示，在Vth校正期間P2之前設(shè)置一個初始化期間P1。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個初始化期間P1。在這種情況下，可跨過多個水平期間設(shè)置多個初始化期間P1。因此，確保較長的初始化期間P1，這使得可以更加安全地使子像素11初始化。同樣地，在上述實施方式中，如圖7等中所示，在初始化期間P1與寫入和μ校正期間P3之間設(shè)置一個Vth校正期間P2。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個Vth校正期間P2。在這種情況下，可以跨(over)多個水平期間設(shè)置多個Vth校正期間P2。因此，確保較長的Vth校正期間P2，這使得可以更加安全地執(zhí)行Vth校正。<2.第二實施方式>接下來，將描述根據(jù)第二實施方式的顯示單元2。在本實施方式中，電壓Vofs在子像素11初始化之前被寫至子像素11以執(zhí)行消光操作。應(yīng)注意，相同的標(biāo)號用于表示根據(jù)上述第一實施方式的顯示單元1的基本上相同的部件，并且適當(dāng)省略其描述。如圖1中所示，顯示單元2包括驅(qū)動部40。驅(qū)動部40包括掃描線驅(qū)動部43。如以下所示，掃描線驅(qū)動部43順次將具有三個脈沖PP0至脈沖PP2的掃描信號WS施加至掃描線WSL。圖13是驅(qū)動部40的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號WS的波形，(B)示出了電力信號DS的波形，以及(C)示出了信號Sig的波形。驅(qū)動部40的掃描線驅(qū)動部43在一個水平期間(1H)中將脈沖PP0施加至一個掃描線WSL，并且在下一個水平期間(1H)中將兩個脈沖PP1和脈沖PP2施加至掃描線WSL。具體地，根據(jù)第一實施方式的掃描線驅(qū)動部23在一個水平期間(1H)中將兩個脈沖PP1和脈沖PP2施加至一個掃描線WSL，然而，根據(jù)本實施方式的掃描線驅(qū)動部43在一個水平期間(1H)之前的一個水平期間(1H)中進(jìn)一步將脈沖PP0施加至掃描線WSL。具體地，在信號Sig表示電壓Vofs以及與要供應(yīng)脈沖PP0的與像素線有關(guān)的電力信號DS表示電壓Vccp的期間中的預(yù)定時間段(例如，從時刻t31至t32)期間施加脈沖PP0。圖14是顯示單元2中的子像素11的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號WS的波形，(B)示出了電力信號DS的波形，(C)示出了信號Sig的波形，(D)示出了驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg的波形，以及(E)示出了驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs的波形。首先，驅(qū)動部40在初始化期間P1之前的從時刻t31至?xí)r刻t32的時間段(消光操作期間P0)中執(zhí)行消光操作。具體地，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動部27將電壓Vofs施加至數(shù)據(jù)信號線DTL的期間中的時刻t31，掃描線驅(qū)動部43將掃描信號WS的電壓從低電平變?yōu)楦唠娖?圖14的(A)和(C))。因此，寫入晶體管WSTr導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg從基于在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig的電壓減少，并且驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg被設(shè)置為電壓Vofs(圖14的(D))。因此，驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs也減少，并且驅(qū)動晶體管DRTr的電流Ids變成“0”(零)。因此，有機(jī)EL元件OLED截止，并且發(fā)光期間P4結(jié)束。在此，消光操作期間P0對應(yīng)于本公開內(nèi)容中的“第三子期間”的特定但非限制性實例。此后，在時刻t32時，掃描線驅(qū)動部43將掃描信號WS的電壓從高電平變成低電平(圖14的(A))。因此，寫入晶體管WSTr截止。接下來，在時刻t0時，類似于第一實施方式，電源線驅(qū)動部26將電力信號DS從電壓Vccp變成電壓Vini(圖14的(B))。因此，驅(qū)動晶體管DRTr導(dǎo)通，并且驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓VS減少至被設(shè)置的電壓Vini(圖14的(E))。此時，隨著源極電壓Vs的減少，驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg也減少(圖14的(D))。在圖14中，為了便于描述，電力信號DS被示出為在時刻t0時從電壓Vccp急速變成電壓Vini。然而，實際上，電力信號DS在如以下示出的某個時間常數(shù)從電壓Vccp變成電壓Vini。圖15是驅(qū)動部40的操作的時序圖，其中，(A)示出了掃描信號WS的波形，(B)示出了掃描信號Ss的波形，以及(C)示出了電力信號DS的波形。圖16示出了驅(qū)動電路33和子像素11的操作。電源線驅(qū)動部26的移位寄存器32在時刻t0時將掃描信號Ss的電壓從高電平電壓VH變成低電平電壓VL(圖15的(B))。因此，在每個驅(qū)動電路33中的晶體管35被瞬時導(dǎo)通。如圖16中所示，電流I1通過晶體管35相應(yīng)地從連接至電源線PL的多個子像素11的驅(qū)動晶體管DRTr流過移位寄存器32。因此，如圖14的(E)中所示，在某個時間常數(shù)內(nèi)驅(qū)動晶體管DRTr的源極電壓Vs被設(shè)置為電壓Vini，并且如通過圖15的(C)中的波形W1所示，在某個時間常數(shù)內(nèi)電力信號DS從電壓Vccp變成電壓Vini。此時，在顯示單元2中，子像素11的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg和源極電壓Vs在時刻t0之前立即被設(shè)置為獨立于像素電壓Vsig的預(yù)定電壓。具體地，在時刻t0之前的從時刻t31至?xí)r刻t32的時間段(消光操作期間P0)，當(dāng)驅(qū)動部40執(zhí)行電壓Vofs對子像素11的寫入時，柵極電壓Vg和源極電壓Vs在時刻t0之前立即成為獨立于在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig的預(yù)定電壓。因此，以基本上相同但與在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig無關(guān)的方式，在從時刻t0至?xí)r刻t2期間電力信號DS從電壓Vccp減少至電壓Vini。此后，與根據(jù)第一實施方式的驅(qū)動部20相似，驅(qū)動部40執(zhí)行子像素11的初始化(初始化期間P1)，執(zhí)行Vth校正(Vth校正期間P2)，并且執(zhí)行像素電壓Vsig對子像素11寫入以及執(zhí)行μ校正(寫入和μ校正期間P3)。然后，此后，子像素11的有機(jī)EL元件OLED以對應(yīng)于寫入的像素電壓Vsig的亮度發(fā)光(發(fā)光期間P4)。以此方式，在顯示單元2中，在子像素11的初始化之前電壓Vofs被寫入子像素11以執(zhí)行消光操作。因此，以基本上相同的但與在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig無關(guān)的方式，在從時刻t0至?xí)r刻t2的時間段中可以將電力信號DS從電壓Vccp減少至電壓Vini。因此，在顯示單元2中，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。換言之，如果在子像素11的初始化之前不執(zhí)行消光操作，子像素11在時刻t0之前立即執(zhí)行發(fā)光操作。此時，每個子像素11的驅(qū)動晶體管DRTr的柵極電壓Vg和源極電壓Vs是對應(yīng)于在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig的電壓，并且對應(yīng)于像素電壓Vsig的電流流過有機(jī)EL元件OLED。因此，時刻t0之后的電力信號DS的電壓變化可以根據(jù)在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig而變化。換言之，例如，當(dāng)在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig足夠低時，電流在時刻t0之前幾乎不立即流過有機(jī)EL元件OLED。因此，如通過圖15的(C)中的波形W1所示，電力信號DS的電壓在某個時間常數(shù)內(nèi)變化。另一方面，例如，當(dāng)在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig較高時，大量電流在時刻t0之前立即流過有機(jī)EL元件OLED。因此，如圖15的(C)中的波形W2所示，與像素電壓Vsig較低的情況相比，電力信號DS的電壓可以在較長時間常數(shù)內(nèi)發(fā)生變化。以此方式，因為電力信號DS的電壓變化根據(jù)在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig而變化，例如，在時刻t2時電力信號DS的電壓可以根據(jù)像素電壓Vsig而發(fā)生變化。因此，Vth校正的程度在Vth校正期間P2可以根據(jù)之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig而改變，這可導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。此外，例如，當(dāng)在之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig較高并且電力信號DS的電壓在時刻t1時不能足夠低時，存在在初始化期間P1子像素11沒有徹底初始化的可能性，這可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。另一方面，在根據(jù)本實施方式的顯示單元2中，在子像素11的初始化之前電壓Vofs被寫入至子像素11。因此，在從時刻t0至?xí)r刻t2期間，電力信號DS以與之前基本相同而與之前一個幀期間寫入的像素電壓Vsig無關(guān)的方式從電壓Vccp減少至電壓Vini。此外，因為在子像素11的初始化之前執(zhí)行消光操作，在時刻t0之前電流幾乎不能立即流過有機(jī)EL元件OLED。因此，允許電力信號DS在短時間常數(shù)內(nèi)從電壓Vccp減少至電壓Vini。因此，可以減少顯示單元2中的圖像質(zhì)量的劣化的可能性。如上所述，在本實施方式中，預(yù)定電壓在子像素的初始化之前被寫入至子像素。因此，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。此外，在本實施方式中，在子像素的初始化之前執(zhí)行消光操作。因此，可以減少圖像質(zhì)量的劣化的可能性。其他效果與上述第一實施方式中的效果相似。(變形例2-1)在上述實施方式中，如圖14等中所示，在初始化期間P1之前設(shè)置一個消光操作期間P0。然而，這不是限制性的，并且可替代地，例如，可以設(shè)置多個消光操作期間P0。在這種情況下，例如，可以跨過多個水平期間設(shè)置多個消光操作期間P0。因此，確保較長的消光操作期間P0，這使得可以更加安全地執(zhí)行消光操作。(變形例2-2)在上述實施方式中，在初始化期間P1之前的消光操作期間P0期間，電壓Vofs通過寫入晶體管WSTr施加至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極。然而，這不是限制性的。例如，如圖17中示出的子像素11A，可以設(shè)置控制晶體管CTr，并且電壓Vofs可以通過控制晶體管CTr施加至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極。在該實例中，控制晶體管CTr的漏極連接至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極，其柵極供應(yīng)有控制信號CTL，并且其源極供應(yīng)有電壓Vofs。然后，當(dāng)導(dǎo)通控制晶體管CTr時，電壓Vofs被施加至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極。順便提及，在該實例中，電壓Vofs通過控制晶體管CTr施加至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極。然而，這不是限制性的，并且不同于電壓Vofs的電壓可以施加至驅(qū)動晶體管DRTr的柵極。此外，在該實例中，控制晶體管CTr用于消光操作。然而，這不是限制性的，并且控制晶體管CTr可用于一個或多個消光操作、初始化期間P1中的初始化操作以及Vth校正期間P2中的Vth校正操作。(其他變形例)上述第一實施方式的任何變形例可以應(yīng)用于根據(jù)上述實施方式的顯示單元2。<3.應(yīng)用例>接下來，將描述上述實施方式中所描述的顯示單元的應(yīng)用例。根據(jù)上述實施方式的任何顯示單元適用于各種領(lǐng)域中的將外部輸入影像信號或者內(nèi)部生成影像信號顯示為圖像或者影像的電子設(shè)備的顯示單元，例如，電視設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、筆記本式個人計算機(jī)、諸如移動電話、攝像機(jī)等的移動終端裝置等。任何上述顯示單元可以植入在根據(jù)以下所描述的應(yīng)用例的電子設(shè)備中，例如，如圖18中示出的模塊。在模塊中，例如，顯示部920以及驅(qū)動電路930A和驅(qū)動電路930B可以形成在基板910上。用于連接驅(qū)動電路93與外部裝置的外部連接終端(未示出)形成在被布置在基板910的一側(cè)上的區(qū)域940中。在該實例中，用于輸入和輸出信號的撓性印制電路(FPC)950連接至外部連接終端。顯示部920包括顯示部10，并且每個驅(qū)動電路930A和驅(qū)動電路930B均包括所有或者一部分驅(qū)動部20或者驅(qū)動部40。(應(yīng)用例1)圖19示出了電視設(shè)備的外觀。電視設(shè)備包括主體部110和顯示部120，并且顯示部120是由上述任一顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例2)圖20A示出了電子書的外觀，以及圖20B示出了其他電子書的外觀。例如，這些電子圖書均可包括主體部210和顯示部220，并且顯示部220可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例3)圖21示出了智能電話的外觀。例如，這些智能電話均可包括主體部310和顯示部320，并且顯示部320可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例4)圖22A和圖22B各自示出了數(shù)碼相機(jī)的外觀，其中，圖22A示出了從其前面(物體側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀，以及圖22B示出了從其背面(圖像側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀。例如，數(shù)碼相機(jī)可包括用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開關(guān)430以及快門按鈕440，并且顯示部420可由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例5)圖23A和圖23B各自示出了可互換類型的單鏡頭反光式數(shù)碼相機(jī)的外觀，其中，圖23A示出了從其前面(物體側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀，以及圖23B示出了從其背面(圖像側(cè))觀察的數(shù)碼相機(jī)的外觀。例如數(shù)碼相機(jī)可包括主體部(相機(jī)機(jī)身)450、可互換拍攝鏡頭單元(可互換鏡頭)460、抓握部470、監(jiān)控器480以及取景器490，并且取景器490可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例6)圖24示出了筆記本式個人計算機(jī)的外觀。例如，筆記本式個人計算機(jī)可包括主體部510、鍵盤520和顯示部530，并且顯示部530可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例7)圖25示出了攝像機(jī)的外觀。例如，攝像機(jī)可包括主體部610、鏡頭620、啟停開關(guān)630和顯示部640，并且顯示部640可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。(應(yīng)用例8)圖26示出了頭戴式顯示器的外觀。例如，頭戴式顯示器可包括眼鏡型顯示部710和耳鉤部件720并且顯示部710可以由任一上述顯示單元構(gòu)成。在上文中，盡管已參照電子單元的實施方式、變形例和應(yīng)用例描述了該技術(shù)，但是該技術(shù)不限于實施方式等，并且可以進(jìn)行各種變形。因為通過該技術(shù)可以實現(xiàn)具有窄邊框區(qū)域的面板，所以可以增強電子設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計的自由度。例如，在每個上述實施方式中，電容器Csub被設(shè)置在子像素11中。然而，該構(gòu)造不限于此，并且可替代地，例如，電容器Csub可以如同圖27中示出的子像素11D一樣而省去。具體地，在該實例中，子像素11D具有由兩個晶體管(寫入晶體管WSTr和驅(qū)動晶體管DRTr)和一個電容器Cs配置的所謂的“2Tr1C”的構(gòu)造。應(yīng)注意，本技術(shù)可以進(jìn)行如下配置。(1)一種顯示單元，包括：單位像素；開關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號來執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制，所述第二端子被提供有DC信號以及第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入第一端子與第三端子之間。(2)根據(jù)(1)所述的顯示單元，其中，非線性元件是包括漏極、柵極和源極的第一晶體管，漏極和柵極連接至第三端子，并且源極連接至第一端子，以及開關(guān)是第二晶體管，該第二晶體管的溝道寬度大于第一晶體管的溝道寬度。(3)根據(jù)(2)所述的顯示單元，其中，第一晶體管的導(dǎo)電類型與第二晶體管的導(dǎo)電類型相同。(4)根據(jù)(1)所述的顯示單元，其中，非線性元件是二極管，該二極管具有連接至第三端子的陽極以及連接至第一端子的陰極。(5)根據(jù)(1)至(4)中任一項所述的顯示單元，進(jìn)一步包括：第一配線，連接至第一端子，并且被配置為傳輸脈沖信號；以及第二配線，連接至第二端子并且與第一配線相交，并且被配置為傳輸DC信號。(6)根據(jù)(5)所述的顯示單元，其中，在第一配線與第二配線的交叉點第二配線的片電阻低于第一配線的片電阻。(7)根據(jù)(1)至(6)中任一項所述的顯示單元，其中，脈沖信號在第一電壓與第二電壓之間轉(zhuǎn)換，該第一電壓導(dǎo)通開關(guān)并且關(guān)斷非線性元件，并且第二電壓關(guān)斷開關(guān)。(8)根據(jù)(7)所述的顯示單元，其中，單位像素包括顯示元件以及將驅(qū)動電流提供至顯示元件的驅(qū)動晶體管，以及開關(guān)將所述驅(qū)動電流提供至驅(qū)動晶體管。(9)根據(jù)(8)所述的顯示單元，其中，單位像素進(jìn)一步包括第一電容器和寫入晶體管，驅(qū)動晶體管包括柵極、連接至顯示元件的源極以及連接至第三端子的漏極，第一電容器被插入驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間，以及寫入晶體管被導(dǎo)通為在寫入準(zhǔn)備期間將重置電壓施加至驅(qū)動晶體管的柵極并且在寫入期間將像素電壓施加至驅(qū)動晶體管的柵極。(10)根據(jù)(9)所述的顯示單元，其中，寫入準(zhǔn)備期間包括第一子期間和布置在第一子期間之后的第二子期間，以及脈沖信號在第一子期間處于第二電壓處，并且在第二子期間和寫入期間處于第一電壓處。(11)根據(jù)(10)所述的顯示單元，其中，非線性元件在第一子期間將對應(yīng)于第二電壓的第三電壓施加至單位像素，以及在第二子期間和寫入期間，開關(guān)將由DC信號表示的第四電壓施加至單位像素。(12)根據(jù)(11)所述的顯示單元，其中，在第一子期間，非線性元件通過驅(qū)動晶體管將驅(qū)動晶體管的源極電壓設(shè)置為第三電壓，以及在第二子期間，開關(guān)允許電流流過驅(qū)動晶體管以改變驅(qū)動晶體管的源極電壓。(13)根據(jù)(10)至(12)中任一項所述的顯示單元，其中，寫入準(zhǔn)備期間包括布置在第一子期間之前的第三子期間，脈沖信號在第三子期間處于第一電壓處，以及在第三子期間，開關(guān)將由DC信號表示的第四電壓施加至單位像素。(14)根據(jù)(13)所述的顯示單元，其中，在第三子期間，驅(qū)動晶體管減少將被提供給顯示元件的驅(qū)動電流的量。(15)根據(jù)(8)所述的顯示單元，其中，單位像素進(jìn)一步包括第一電容器和控制晶體管，驅(qū)動晶體管包括柵極、連接至顯示元件的源極以及連接至第三端子的漏極，第一電容器被插入在驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間，以及控制晶體管被導(dǎo)通以在被包括在布置在寫入期間之前的寫入準(zhǔn)備期間中的數(shù)個子期間中的一個或多個子期間將重置電壓施加至驅(qū)動晶體管的柵極。(16)根據(jù)(9)至(15)中任一項所述的顯示單元，其中，所單位像素進(jìn)一步包括連接至驅(qū)動晶體管的源極的第二電容器。(17)一種驅(qū)動單元，包括：開關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號來執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制，第二端子被提供有DC信號并且第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入在第一端子與第三端子之間。(18)一種驅(qū)動方法，包括：基于施加至第一端子的脈沖信號執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制，第二端子被提供有DC信號以及第三端子連接至單位像素；并且在第一端子與第三端子之間執(zhí)行非線性操作。(19)一種電子設(shè)備，設(shè)置有顯示單元和被配置為對顯示單元執(zhí)行操作控制的控制部，所述顯示單元包括：單位像素；開關(guān)，被配置為基于施加至第一端子的脈沖信號來執(zhí)行第二端子與第三端子之間的導(dǎo)通斷開控制，第二端子被提供有DC信號以及第三端子連接至單位像素；以及非線性元件，插入在第一端子與第三端子之間。本申請是基于并且要求2013年1月7日向日本專利局提交的日本專利申請?zhí)?013-473以及2013年11約19日向日本專利局提交的日本專利申請?zhí)?013-239191的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，這些申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于本文中。應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)設(shè)計需求和其他因素做出各種變形、組合、子組合以及更改，只要它們在所附權(quán)利要求或者其等同物的范圍內(nèi)即可。