Amoled像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置。所述AMOLED像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED，包括：電荷存儲單元，用于在數(shù)據(jù)寫入階段被充電并在像素點(diǎn)亮階段放電以點(diǎn)亮所述OLED；用于在數(shù)據(jù)寫入階段寫入數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)寫入單元；發(fā)光控制單元，用于在像素點(diǎn)亮階段控制導(dǎo)通所述電荷存儲單元和所述OLED的連接；所述AMOLED像素驅(qū)動電路還包括電流放大單元，其用于在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對所述電荷存儲單元充電。本發(fā)明可以通過很小的數(shù)據(jù)電流就可以驅(qū)動OLED，并且可以通過調(diào)節(jié)在像素點(diǎn)亮階段流過OLED的電流的大小來調(diào)節(jié)灰階。
【專利說明】AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種AM0LED(Active Matrix/Organic LightEmitting Diode，是有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電流型AMOLED像素驅(qū)動電路直接采用電流型信號進(jìn)行像素電路的驅(qū)動，OLED的亮度和驅(qū)動電流的大小成正比，可以實(shí)現(xiàn)多級灰階的顯示。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的電流型AMOLED像素驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管TP1、數(shù)據(jù)寫入晶體管TP2和存儲單元，TPl和TP2為PMOS管，所述存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容C和電阻R，在數(shù)據(jù)寫入階段，接入TP2的柵極的數(shù)據(jù)寫入控制信號Gate為低電平，TP2導(dǎo)通，Idata通過TP2對存儲電容C進(jìn)行充電；在像素點(diǎn)亮階段，接入TPl的柵極的發(fā)光控制信號EM為低電平，TPl導(dǎo)通，C放電以點(diǎn)亮OLED，OLED的陰極與驅(qū)動電源的低電平輸出端ELVSS連接?，F(xiàn)有的電流型AMOLED像素驅(qū)動電路需要一定大小的驅(qū)動電流才能夠驅(qū)動0LED，并且由于在數(shù)據(jù)寫入階段對存儲電容充電的量固定，在此過程中無法對該充電量進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此無法調(diào)節(jié)灰階。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的主要目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置，以通過很小的數(shù)據(jù)電流就可以驅(qū)動0LED，并且可以通過調(diào)節(jié)在像素點(diǎn)亮階段流過OLED的電流的大小來調(diào)節(jié)灰階。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了 一種AMOLED像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管0LED，包括:電荷存儲單元，用于在數(shù)據(jù)寫入階段被充電并在像素點(diǎn)亮階段放電以點(diǎn)亮所述OLED ;用于在數(shù)據(jù)寫入階段寫入數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)寫入單元；發(fā)光控制單元，用于在像素點(diǎn)亮階段控制導(dǎo)通所述電荷存儲單元和所述OLED的連接；所述AMOLED像素驅(qū)動電路還包括電流放大單元，其用于在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對所述電荷存儲單元充電。
[0006]實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段；
[0007]當(dāng)所述電流放大單元在電流放大階段放大數(shù)據(jù)電流時，所述數(shù)據(jù)寫入單元還用于在直接充電階段通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
[0008]實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入單元和所述電荷存儲單元的連接點(diǎn)為寫入節(jié)點(diǎn)；
[0009]所述電流放大單元包括電流放大控制模塊和比例電流鏡，其中，
[0010]所述電流放大控制模塊，用于在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間或部分時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)與所述比例電流鏡的電流輸入端之間的連接；
[0011]所述比例電流鏡的電流輸出端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接；
[0012]所述比例電流鏡，用于對所述數(shù)據(jù)電流進(jìn)行放大。
[0013]實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極接入所述數(shù)據(jù)電流，第二極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接；
[0014]所述電流放大控制模塊包括:
[0015]放大控制三極管，基極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，第一極接入電流放大控制信號；
[0016]寫入控制晶體管，柵極接入所述數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極與所述比例電流鏡的電流輸入端連接，第二極與所述放大控制三極管的第二極連接。
[0017]實(shí)施時，所述比例電流鏡包括輸入支路和輸出支路；
[0018]所述輸入支路包括:
[0019]第一 PMOS管，第一極與驅(qū)動電源的高電平輸出端連接；
[0020]以及，第一 NMOS管，柵極與所述第一 NMOS管的第一極連接，第一極與驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，第二極與所述第一 PMOS管的第二極連接；
[0021]所述第一 NMOS管的第二極為所述比例電流鏡的電流輸入端；
[0022]所述輸出支路包括:
[0023]第二 PMOS管，柵極與所述第一 PMOS管的柵極連接，第一極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接，第二極與所述第二 PMOS管的柵極連接；
[0024]以及，第二 NMOS管，柵極與所述第一 NMOS管的柵極連接，第一極為所述電流輸出端，第二極與所述第二 PMOS管的第二極連接。
[0025]實(shí)施時，所述第二 PMOS管的寬長比與所述第二 NMOS管的寬長比相等；所述第一PMOS管的寬長比與所述第一 NMOS管的寬長比相等；
[0026]所述第二 PMOS管的寬長比為所述第一 PMOS管的寬長比的K倍，K大于I。
[0027]實(shí)施時，所述電荷存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容和電阻；
[0028]所述存儲電容，一端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，另一端與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接。
[0029]本發(fā)明還提供了 一種AMOLED像素驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:
[0030]在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)寫入單元寫入數(shù)據(jù)電流；
[0031]在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間或部分時間，電流放大單元放大所述數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電；
[0032]在像素點(diǎn)亮階段，發(fā)光控制單元控制導(dǎo)通電荷存儲單元與OLED的連接，電荷存儲單元放電以點(diǎn)亮所述OLED。
[0033]實(shí)施時，所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段；
[0034]在電流放大階段，所述電流放大單元放大數(shù)據(jù)電流；
[0035]在直接充電階段，所述數(shù)據(jù)寫入單元通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
[0036]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括OLED和上述的AMOLED像素驅(qū)動電路，所述AMOLED像素驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述OLED。
[0037]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的AMOLED像素驅(qū)動電路、方法和顯示裝置，采用電流放大單元在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)寫入單元寫入的數(shù)據(jù)電流，通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電，在像素點(diǎn)亮階段電荷存儲單元放電以點(diǎn)亮0LED,從而通過很小的數(shù)據(jù)電流就可以驅(qū)動0LED，并且通過控制電流放大單元對數(shù)據(jù)電流進(jìn)行放大的時間，可以調(diào)節(jié)在像素點(diǎn)亮階段流過OLED的電流的大小，從而可以調(diào)節(jié)灰階。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是現(xiàn)有的電流型AMOLED像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0039]圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0040]圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0041 ] 圖4是本發(fā)明又一實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0042]圖5是本發(fā)明再一實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路的電路圖；
[0043]圖6是如圖5所示的AMOLED像素驅(qū)動電路的實(shí)施例的工作信號時序圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0045]本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。
[0046]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動0LED(0rganicLight-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管),包括:
[0047]電荷存儲單元21，用于在數(shù)據(jù)寫入階段被充電并在像素點(diǎn)亮階段放電以點(diǎn)亮所述OLED ；
[0048]用于在數(shù)據(jù)寫入階段寫入數(shù)據(jù)電流Idata的數(shù)據(jù)寫入單元22 ；
[0049]發(fā)光控制單元23，用于在像素點(diǎn)亮階段控制導(dǎo)通所述電荷存儲單元21和所述OLED的連接；
[0050]以及，電流放大單元24，其用于在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)電流Idata，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流Idata對所述電荷存儲單元21充電。
[0051 ] 本發(fā)明實(shí)施例所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，是一種電流型AMOLED像素驅(qū)動電路，采用電流放大單元在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)寫入單元寫入的數(shù)據(jù)電流，通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電，在像素點(diǎn)亮階段電荷存儲單元放電以點(diǎn)亮0LED，從而通過很小的數(shù)據(jù)電流就可以驅(qū)動0LED，并且通過控制電流放大單元對數(shù)據(jù)電流進(jìn)行放大的時間，可以調(diào)節(jié)在像素點(diǎn)亮階段流過OLED的電流的大小，從而可以調(diào)節(jié)灰階。
[0052]在以上實(shí)施例中，電流放大單元可以在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電；也可以根據(jù)灰階的要求選擇在數(shù)據(jù)寫入階段的部分時間通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電。
[0053]具體的，當(dāng)電流放大單元在數(shù)據(jù)寫入階段的部分時間放大數(shù)據(jù)電流時，可以將所述數(shù)據(jù)寫入階段劃分為電流放大階段和直接充電階段；
[0054]所述電流放大單元在電流放大階段放大數(shù)據(jù)電流，所述數(shù)據(jù)寫入單元還用于在直接充電階段通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
[0055]具體的，如圖3所示，所述數(shù)據(jù)寫入單元22和所述電荷存儲單元21的連接點(diǎn)為寫入節(jié)點(diǎn)NI ；
[0056]所述電流放大單元包括電流放大控制模塊241和比例電流鏡242，其中，
[0057]所述電流放大控制模塊241，用于在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間或部分時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)NI與所述比例電流鏡242的電流輸入端IN之間的連接；
[0058]所述比例電流鏡242的電流輸出端與所述寫入節(jié)點(diǎn)NI連接；
[0059]所述比例電流鏡242，用于放大數(shù)據(jù)電流Idata ；
[0060]在如圖3所示的實(shí)施例中，采用了比例電流鏡來放大數(shù)據(jù)電流Idata，由于比例電流鏡能夠放大電流而且不受工藝和溫度的影響，進(jìn)一步保證了顯示畫面的穩(wěn)定性。
[0061]具體的，如圖4所示，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:數(shù)據(jù)寫入晶體管TI，柵極接入數(shù)據(jù)寫入控制信號Gate,第一極接入所述數(shù)據(jù)電流Idata,第二極與所述寫入節(jié)點(diǎn)NI連接；
[0062]所述電流放大控制模塊包括:
[0063]放大控制三極管TC，基極與所述寫入節(jié)點(diǎn)NI連接，第一極接入電流放大控制信號Gatel ；
[0064]寫入控制晶體管TIC，柵極接入所述數(shù)據(jù)寫入控制信號Gate，第一極與所述比例電流鏡242的電流輸入端IN連接，第二極與所述放大控制三極管TC的第二極連接。
[0065]在如圖4所示的實(shí)施例中，TI和TIC為PMOS管(p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，在實(shí)際操作時，TI和TIC也可以全部或擇一選用NMOS管，只需相應(yīng)調(diào)整管腳連接及控制信號即可。
[0066]在如圖4所示的實(shí)施例中，Gatel的時序可以和Gate的時序相同，此時，電流放大控制模塊在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)NI與所述比例電流鏡242的電流輸入端IN之間的連接；
[0067]Gatel的時序也可以和Gate的時序不同，即當(dāng)Gate控制TI和TIC導(dǎo)通時,在部分時間內(nèi)Gatel控制TC導(dǎo)通，在其余的時間內(nèi)Gatel控制TC關(guān)閉，電流放大控制模塊在數(shù)據(jù)寫入階段的部分時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)NI與所述比例電流鏡242的電流輸入端IN之間的連接。
[0068]具體的，如圖5所示，所述比例電流鏡包括輸入支路和輸出支路；
[0069]所述輸入支路包括:
[0070]第一 PMOS管TP1，第一極與驅(qū)動電源的高電平輸出端ELVDD連接；
[0071]以及，第一 NMOS管TNl，柵極與所述第一 NMOS管TNl的第一極連接，第一極與驅(qū)動電源的低電平輸出端ELVSS連接，第二極與所述第一 PMOS管TPl的第二極連接；
[0072]所述第一 NMOS管TNl的第二極為所述比例電流鏡的電流輸入端IN ；
[0073]所述輸出支路包括:
[0074]第二 PMOS管TP2，柵極與所述第一 PMOS管TPl的柵極連接，第一極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端ELVDD連接，第二極與所述第二 PMOS管TP2的柵極連接；
[0075]以及，第二 NMOS管TN2，柵極與所述第一 NMOS管TNl的柵極連接，第一極為所述比例電流鏡的電流輸出端，第二極與所述第二 PMOS管TP2的第二極連接；
[0076]所述電荷存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容C和電阻R ；
[0077]所述存儲電容C的一端與所述寫入節(jié)點(diǎn)NI連接，所述存儲電容C的另一端與驅(qū)動電源的低電平輸出端ELVSS連接；[0078]所述發(fā)光控制單元包括驅(qū)動晶體管DTFT ；
[0079]所述驅(qū)動晶體管DTFT，柵極接入發(fā)光控制信號EM，第一極與所述寫入節(jié)點(diǎn)NI連接，第二極與OLED的陽極連接；
[0080]OLED的陰極與驅(qū)動電源的低電平輸出端ELVSS連接。
[0081]在如圖5所示的實(shí)施例中，DTFT為PMOS管，在實(shí)際操作時，DTFT也可以選用NMOS管；
[0082]N2點(diǎn)是與TPl的柵極連接的節(jié)點(diǎn)，N3點(diǎn)是與TNl的柵極連接的節(jié)點(diǎn)。
[0083]在如圖5所示的實(shí)施例中，所述第二 PMOS管TP2的寬長比與所述第二 NMOS管TN2的寬長比相等；所述第一 PMOS管TPl的寬長比與所述第一 NMOS管TNl的寬長比相等；
[0084]所述第二 PMOS管TP2的寬長比為所述第一 PMOS管TPl的寬長比的K倍，K大于1，則由1ut=KIref，其中，1ut為比例電流鏡的輸出電流，Iref為比例電流鏡的輸入電流。
[0085]如圖6所示，Gate的時序和Gatel的時序相同，即在數(shù)據(jù)寫入階段電流放大單元放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元進(jìn)行充電。如圖5所示的AMOLED像素驅(qū)動電路在工作時，
[0086]在數(shù)據(jù)寫入階段Tl，Gate和Gatel為低電平信號，EM為高電平信號，T1、TIC和TC開啟，DTFT關(guān)閉，首先Idata通過TI輸入TC的基極，TC對Idata進(jìn)行第一步的放大，比例電流鏡的輸入電流Iref為NX Idata,比例電流鏡的輸出電流1ut為KXNX Idata, 1ut對存儲電容C充電；
[0087]在數(shù)據(jù)寫入階段Tl，在N2點(diǎn)和N3點(diǎn)加合適的偏置電壓使得TP1、TP2、TNl和TN2全部工作在飽和區(qū)，此時Iref和1ut幾乎與ELVDD無關(guān)，能避免由于電源電壓波動引起的電流不穩(wěn)定弓I起的閃爍，保證了顯示畫面的穩(wěn)定性；
[0088]在像素點(diǎn)亮階段T2，Gate和Gatel為高電平信號，EM為低電平信號，T1、TIC和TC關(guān)閉，DTFT開啟，存儲電容放電以點(diǎn)亮OLED。
[0089]在實(shí)際操作時，可以通過調(diào)節(jié)Gatel的時序來控制TC的導(dǎo)通時間，進(jìn)而控制lout，能夠調(diào)節(jié)灰階。
[0090]如圖5所述的AMOLED像素驅(qū)動電路的實(shí)施例中管子數(shù)目較多，較適用于頂發(fā)射，但是由于比例電流鏡的輸出電流只與MOS管的寬長比的比例有關(guān)，因此MOS管的尺寸可以做的很小，不會占用很多空間，可以應(yīng)用于單晶娃襯底OLED-on-silicon (娃基有機(jī)發(fā)光二極管)微型顯示技術(shù)。
[0091 ] 本發(fā)明還提供了 一種AMOLED像素驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的AMOLED像素驅(qū)動電路，包括:
[0092]在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)寫入單元寫入數(shù)據(jù)電流；
[0093]在數(shù)據(jù)寫入階段，電流放大單元放大所述數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電；
[0094]在像素點(diǎn)亮階段，發(fā)光控制單元控制導(dǎo)通電荷存儲單元與OLED的連接，電荷存儲單元放電以點(diǎn)亮所述OLED。
[0095]具體的，當(dāng)電流放大單元在數(shù)據(jù)寫入階段的部分時間放大數(shù)據(jù)電流時，所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段；
[0096]在電流放大階段，所述電流放大單元放大數(shù)據(jù)電流；[0097]在直接充電階段，所述數(shù)據(jù)寫入單元通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
[0098]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括OLED和上述的AMOLED像素驅(qū)動電路，所述AMOLED像素驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述OLED。
[0099]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種AMOLED像素驅(qū)動電路，用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管0LED，包括:電荷存儲單元，用于在數(shù)據(jù)寫入階段被充電并在像素點(diǎn)亮階段放電以點(diǎn)亮所述OLED ;用于在數(shù)據(jù)寫入階段寫入數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)寫入單元；發(fā)光控制單元，用于在像素點(diǎn)亮階段控制導(dǎo)通所述電荷存儲單元和所述OLED的連接；其特征在于，所述AMOLED像素驅(qū)動電路還包括電流放大單元，其用于在數(shù)據(jù)寫入階段放大數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對所述電荷存儲單元充電。
2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段； 當(dāng)所述電流放大單元在電流放大階段放大數(shù)據(jù)電流時，所述數(shù)據(jù)寫入單元還用于在直接充電階段通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
3.如權(quán)利要求1或2所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于， 所述數(shù)據(jù)寫入單元和所述電荷存儲單元的連接點(diǎn)為寫入節(jié)點(diǎn)； 所述電流放大單元包括電流放大控制模塊和比例電流鏡，其中， 所述電流放大控制模塊，用于在數(shù)據(jù)寫入階段的全部時間或部分時間導(dǎo)通所述寫入節(jié)點(diǎn)與所述比例電流鏡的電流輸入端之間的連接； 所述比例電流鏡的電流輸出端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接； 所述比例電流鏡，用于對所述數(shù)據(jù)電流進(jìn)行放大。
4.如權(quán)利要求3所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)寫入單元包括:數(shù)據(jù)寫入晶體管，柵極接入數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極接入所述數(shù)據(jù)電流，第二極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接； 所述電流放大控制模塊包括: 放大控制三極管，基極與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，第一極接入電流放大控制信號； 寫入控制晶體管，柵極接入所述數(shù)據(jù)寫入控制信號，第一極與所述比例電流鏡的電流輸入端連接，第二極與所述放大控制三極管的第二極連接。
5.如權(quán)利要求4所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述比例電流鏡包括輸入支路和輸出支路； 所述輸入支路包括: 第一 PMOS管，第一極與驅(qū)動電源的高電平輸出端連接； 以及，第一 NMOS管，柵極與所述第一 NMOS管的第一極連接，第一極與驅(qū)動電源的低電平輸出端連接，第二極與所述第一 PMOS管的第二極連接； 所述第一 NMOS管的第二極為所述比例電流鏡的電流輸入端； 所述輸出支路包括: 第二 PMOS管，柵極與所述第一 PMOS管的柵極連接，第一極與所述驅(qū)動電源的高電平輸出端連接，第二極與所述第二 PMOS管的柵極連接； 以及，第二 NMOS管，柵極與所述第一 NMOS管的柵極連接，第一極為所述電流輸出端，第二極與所述第二 PMOS管的第二極連接。
6.如權(quán)利要求5所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二PMOS管的寬長比與所述第二 NMOS管的寬長比相等；所述第一 PMOS管的寬長比與所述第一 NMOS管的寬長比相等；所述第二 PMOS管的寬長比為所述第一 PMOS管的寬長比的K倍，K大于I。
7.如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述電荷存儲單元包括相互并聯(lián)的存儲電容和電阻； 所述存儲電容，一端與所述寫入節(jié)點(diǎn)連接，另一端與所述驅(qū)動電源的低電平輸出端連接。
8.—種AMOLED像素驅(qū)動方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，包括: 在數(shù)據(jù)寫入階段，數(shù)據(jù)寫入單元寫入數(shù)據(jù)電流； 在數(shù)據(jù)寫入階段，電流放大單元放大所述數(shù)據(jù)電流，并通過放大后的數(shù)據(jù)電流對電荷存儲單元充電； 在像素點(diǎn)亮階段，發(fā)光控制單元控制導(dǎo)通電荷存儲單元與OLED的連接，電荷存儲單元放電以點(diǎn)亮所述OLED。
9.如權(quán)利要求8所述的AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于， 所述數(shù)據(jù)寫入階段包括電流放大階段和直接充電階段； 在電流放大階段，所述電流放大單元放大數(shù)據(jù)電流； 在直接充電階段，所述數(shù)據(jù)寫入單元通過所述數(shù)據(jù)電流直接對所述電荷存儲單元充電。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括OLED和如權(quán)利要求1至7所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，所述AMOLED像素驅(qū)動電路用于驅(qū)動所述OLED。
【文檔編號】G09G3/32GK103956138SQ201410158960
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】王穎, 劉穎 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司