像素電路、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素電路、顯示面板和顯示裝置，該像素電路包括：像素補償模塊、發(fā)光模塊和觸控檢測模塊。本發(fā)明提供的像素電路中，集成了像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償模塊和觸控檢測模塊共用數(shù)據(jù)電壓線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數(shù)目，從而大幅縮減像素間距大小并降低IC成本，從而獲得更高的像素密度。同時，本發(fā)明提供的像素電路中，流經(jīng)電致發(fā)光單元的工作電流不受對應的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的影響，能夠解決由于驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移導致顯示亮度不均的問題。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素電路、顯示面板及顯示裝置。 像素電路、顯示面板及顯示裝置
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的急速進步，具有觸控功能的顯示裝置由于其所具有的可視化操作 等優(yōu)點而逐漸得到越來越多人們的歡迎。根據(jù)觸控面板與顯示面板相對位置的不同，一 般可以將現(xiàn)有的具有觸控功能的顯示裝置分為表面式（on cell)觸控面板與內(nèi)嵌式（in cell)觸控面板兩種。與表面式觸控面板相比，內(nèi)嵌式觸控面板具有更薄的厚度與更高的光 透過率。
[0003] 而對于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Diode, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應、寬視角和可制作在柔性 襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領(lǐng)域當中。0LED顯示裝置按照驅(qū)動方式 的不同可分為PMOLED(Passive Matrix Driving 0LED，無源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管）和 AMOLED (Active Matrix Driving 0LED，有源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管）兩種，由于AM0LED 顯示器具有低制造成本、高應答速度、省電、可用于便攜式設(shè)備的直流驅(qū)動、工作溫度范圍 大等等優(yōu)點而可望成為取代IXD (liquid crystal display,液晶顯示器）的下一代新型平 面顯示器。在現(xiàn)有的AMOLED顯示面板中，每個0LED均依靠陣列基板上一個像素單元內(nèi)的 多個TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管）開關(guān)所組成的像素驅(qū)動電路驅(qū)動發(fā)光實現(xiàn) 顯示。像素驅(qū)動電路直接決定了 0LED發(fā)光顯示的質(zhì)量，因此像素驅(qū)動電路的設(shè)計是AMOLED 的核心技術(shù)內(nèi)容。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素驅(qū)動電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖，包括一 個開關(guān)薄膜晶體管T1和一個驅(qū)動薄膜晶體管T2、一個存儲電容C，這里的T1和T2均為P 溝道型驅(qū)動薄膜晶體管，其中T1的柵極與掃描線Scan [1]連接，源極連接數(shù)據(jù)線Data，漏極 連接C的B端；C的B端還連接T2的柵極，T2的源極連接工作電壓線Vdd，漏極連接對應的 0LED ;在Scan [1]掃描到該行像素電路時低電平，控制T1導通，將數(shù)據(jù)電壓線Vdd中的數(shù)據(jù) 電壓寫入到C的B端；在該行掃描結(jié)束時，Scan[1]變?yōu)楦唠娖?，T1截止，存儲在C上的數(shù) 據(jù)電壓驅(qū)動T2,使其產(chǎn)生電流來驅(qū)動0LED，保證0LED在一幀時間內(nèi)持續(xù)發(fā)光，T2的飽和電 流（即流過0LED的電流）I MD = K(Ves-Vth)2?？梢?，與T2的閾值電壓Vth有關(guān)。而且， 由于工藝制程和器件老化等原因，在這種2T1C的像素驅(qū)動電路中，各像素點的驅(qū)動TFT的 閾值電壓V th會漂移，即各像素點的驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓存在不均勻性，容易導致流 過每個像素點的0LED的電流因 Vth的變化而變化，使得顯示屏的顯示亮度不均，從而影響整 個圖像的顯示效果。
[0004] 另一方面，內(nèi)嵌式觸控面板（Touch Screen Panel,簡稱TSP)是將用于觸摸的傳感 器及驅(qū)動電路，同樣利用陣列工藝制作在陣列基板上的每個像素單元內(nèi)。如果將TSP的傳 感器及驅(qū)動電路疊加在AMOLED像素中，則需要加入一定數(shù)量的驅(qū)動電路TFT，從而需要額 外占用一定像素單元的空間，而像素單元中空余空間有限，這極大地限制了內(nèi)嵌式觸控面 板電路與AMOLED驅(qū)動電路的同時制作。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的目的是提供一種像素電路及顯示裝置，以避免因驅(qū)動晶體管的閾值漂移 并提高內(nèi)嵌式觸控電路與像素驅(qū)動電路的集成度。
[0006] 為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電路，包括：像素補償模塊、發(fā)光模塊 和觸控檢測模塊；
[0007] 所述像素補償模塊，包括第一至第五開關(guān)單元，像素驅(qū)動單元和儲能單元；其中，
[0008] 第一開關(guān)單元和第五開關(guān)單元的控制端均連接第一掃描信號線；第一開關(guān)單元的 第一端連接工作電壓線，第一開關(guān)單元的第二端連接驅(qū)動單元的輸入端；第五開關(guān)單元的 第一端連接驅(qū)動單元的輸出端，第二端連接發(fā)光模塊；
[0009] 第二開關(guān)單元和第四開關(guān)單元的控制端均連接第二掃描信號線；第二開關(guān)單元的 第一端連接像素驅(qū)動單元的輸入端，第二開關(guān)單元的第二端連接儲能單元的第二端以及驅(qū) 動單元的控制端；第四開關(guān)單元的第一端連接數(shù)據(jù)電壓線，第四開關(guān)單元的第二端連接驅(qū) 動單元的輸出端；
[0010] 第三開關(guān)單元的控制端連接第三掃描信號線，第三開關(guān)單元的第一端連接儲能單 元的第二端，第三開關(guān)單元的第二端連接低電平線；
[0011] 所述觸控檢測模塊，包括檢測子模塊和輸出子模塊；其中，所述檢測子模塊，分別 連接第三掃描信號線、第二工作電壓線、數(shù)據(jù)電壓線，用于檢測觸控信號；輸出子模塊，分別 連接第二掃描信號線、觸控信號讀取線以及所述檢測子模塊，用于根據(jù)第二掃描信號線的 輸入向所述觸控信號讀取線輸出檢測觸控信號。
[0012] 優(yōu)選的，所述發(fā)光模塊包括電致發(fā)光元件，所述電致發(fā)光元件與所述像素補償模 塊相連。
[0013] 優(yōu)選的，所述儲能單元為電容。
[0014] 優(yōu)選的，所述輸出子模塊包括第六開關(guān)單元，所述第六開關(guān)單元的第一端連接所 述檢測子模塊，第二端連接所述觸控信號讀取線。
[0015] 優(yōu)選的，所述檢測子模塊包括第七開關(guān)單元、觸控信號驅(qū)動單元、感測電容和觸控 電極，所述第七開關(guān)單元連接在所述觸控信號驅(qū)動單元的控制端與所述數(shù)據(jù)電壓線之間， 控制端連接第三掃描信號線；觸控信號驅(qū)動單元的輸入端連接第二工作電壓線，輸出端連 接第六開關(guān)單元；所述感測電容連接在所述觸控信號驅(qū)動單元的輸入端與控制端之間；所 述觸控電極連接與所述觸控信號驅(qū)動單元的控制端相連。
[0016] 優(yōu)選的，各個開關(guān)單元和驅(qū)動單元為薄膜場效應晶體管。
[0017] 優(yōu)選的，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型；驅(qū)動單元的控制端為薄膜場效應 晶體管的柵極，輸入端為源極，輸出端為漏極；各個開關(guān)單元的控制端為薄膜場效應晶體管 的柵極，其他兩端對應于源極和漏極。
[0018] 本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的像素電路。
[0019] 進一步的，所述像素電路在所述顯示面板中呈周期性分布。
[0020] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示面板。
[0021] 本發(fā)明提供的像素電路中，集成了像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償 模塊和觸控檢測模塊共用數(shù)據(jù)電壓線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數(shù)目，從而 大幅縮減像素間距大小并降低1C成本，從而獲得更高的像素密度。同時，本發(fā)明提供的像 素電路中，流經(jīng)電致發(fā)光單元的工作電流不受對應的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的影響，能夠 解決由于驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移導致顯示亮度不均的問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種像素驅(qū)動電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0023] 圖2為本發(fā)明實施例提供的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖3為本發(fā)明實施例提供的像素電路的驅(qū)動方法中關(guān)鍵信號的時序圖；
[0025] 圖4為本發(fā)明實施例中的像素電路在不同時序下的電流流向和電壓值的示意圖；
[0026] 圖5為本發(fā)明提供的像素電路中像素電極的電勢變化的示意圖；
[0027] 圖6為本發(fā)明實施例提供的顯示面板中像素電路與像素的一種位置關(guān)系的示意 圖。
【具體實施方式】
[0028] 下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅 用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0029] 本發(fā)明實施例提供了一種像素電路，如圖2所示，包括：
[0030] 像素補償模塊100、發(fā)光模塊200和觸控檢測模塊；
[0031] 其中，像素補償模塊100,包括第一開關(guān)單元T1、第二開關(guān)單元T2、第三開關(guān)單元 T3、第四開關(guān)單元T4、第五開關(guān)單元T5、像素驅(qū)動單元DT1、儲能單元C1，其中，第一開關(guān)單 元T1的第一端連接工作電壓線Vdd，另一端連接像素驅(qū)動單元DT1的輸入端，第五開關(guān)單元 T5的第一端連接驅(qū)動單元DT1的輸出端，第二端連接發(fā)光模塊；第一開關(guān)單元T1和第五開 關(guān)單元T5的控制端均連接第一掃描信號線Em，像素驅(qū)動單元DT1的控制端連接儲能單元 C1的第二端b端；
[0032] 第二開關(guān)單元T2的一端連接儲能單元C1的第二端b端，另一端連接像素驅(qū)動單 元DT1的輸入端，控制端連接第二掃描信號線Scan [1];
[0033] 第三開關(guān)單元T3-端連接儲能單元Cl的第二端b端，另一端連接低電平線Vcom, 控制端連接第三掃描信號線Scan [2];
[0034] 第四開關(guān)單元T4的一端連接數(shù)據(jù)電壓線Data，另一端連接像素驅(qū)動單元DT1的輸 出端，控制端連接第二掃描信號線Scan[l];
[0035] 儲能單元Cl的第一端a端連接工作電壓線Vdd ;
[0036] 觸控檢測模塊，包括檢測子模塊310和輸出子模塊320 ;其中，檢測子模塊310,分 別連接第三掃描信號線Scan[2]、第二工作電壓線Vint、數(shù)據(jù)電壓線Data，用于檢測觸控 信號；輸出子模塊，分別連接第二掃描信號線Scan[l]、觸控信號讀取線Y-read line以及 檢測子模塊310,用于根據(jù)第二掃描信號線Scan[l]的輸入向所述觸控信號讀取線Y-read line輸出檢測觸控信號。
[0037] 本發(fā)明提供的像素電路中，集成了像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償 模塊和觸控檢測模塊共用數(shù)據(jù)線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數(shù)目，從而大幅 縮減像素間距大小并降低1C成本，從而獲得更高的像素密度。同時，流經(jīng)電致發(fā)光單元的 工作電流不受對應的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的影響，徹底解決了由于驅(qū)動晶體管的閾值電 壓漂移導致顯示亮度不均的問題。
[0038] 這里的第二工作電壓線Vint用于提供檢測觸控所需要的驅(qū)動脈沖。
[0039] 具體的，發(fā)光模塊200可以包括電致發(fā)光元件，電致發(fā)光元件的陽極與T5的第二 端相連。
[0040] 本發(fā)明實施例中，電致發(fā)光元件可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管）或0LED(0rganic Light Emitting Diode,有機發(fā)光二極管）在內(nèi)的多 種具有電致發(fā)光功能的器件。在本發(fā)明實施例中，是以0LED為例進行的說明。
[0041] 進一步的，儲能單元C1為電容。當然實際應用中，根據(jù)設(shè)計需要也可以采用其他 具有儲能功能的元件。
[0042] 進一步的，如圖2所示，輸出子模塊320包括：第六開關(guān)單元T6,第六開關(guān)單元T6 的一端連接觸控信號讀取線Y -read Line,另一端連接檢測子模塊310,控制端連接第二掃 描信號線Scan [1]。
[0043] 進一步的，檢測子模塊310包括第七開關(guān)單元T7、觸控信號驅(qū)動單元DT2、感測電 容C2以及觸控電極d，第七開關(guān)單元T7的一端連接數(shù)據(jù)電壓線Data，另一端連接觸控信號 驅(qū)動單元DT2的控制端，第七開關(guān)單元的控制端連接第三掃描信號線Scan [2];觸控信號驅(qū) 動單元DT2的輸入端連接第二工作電壓線Vint，輸出端連接第六開關(guān)單元T6 ;感測電容C2 連接在觸控信號驅(qū)動單元DT2的輸入端與控制端之間；觸控電極d與DT2的控制端相連，由 于C2的其中一端也與DT2的控制端相連，則C2連接DT2的控制端的一端也與觸控電極d 相連。
[0044] 進一步的，各個開關(guān)單元和驅(qū)動單元為薄膜場效應晶體管TFT。
[0045] 進一步的，如圖2所示，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型。此時，驅(qū)動單元的輸 入端為TFT的源極，輸出端為TFT的漏極，控制端為TFT的柵極。對于各個開關(guān)單元來說， 控制端同樣為TFT的柵極，其他兩端分別對應于TFT的源極和漏極。
[0046] 不難理解，這里的驅(qū)動單元和開關(guān)單元對應的晶體管可以為源漏極可以互換的晶 體管，或者根據(jù)導通類型的不同，各個開關(guān)單元和驅(qū)動單元的第一端可能為晶體管的漏極、 第二端為晶體管的源極，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性的勞動的前提下，對本發(fā)明提供 的像素電路中各個晶體管進行源漏極的反接所得到的、能夠取得與本發(fā)明提供的技術(shù)方案 所能達到的技術(shù)效果相同或相似的電路結(jié)構(gòu)同樣應落入本發(fā)明的保護范圍。
[0047] 使用同一類型的晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)工藝流程的統(tǒng)一，從而提高產(chǎn)品的良品率。本 領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在實際應用中，各個晶體管的類型也可以不完全相同，例如T2 和T5可以為N溝道型晶體管，而T3和T6可以為P溝道型晶體管，只要能夠使控制端連接 到同一掃描信號線的兩個開關(guān)單元的導通/關(guān)斷狀態(tài)相同，即可實現(xiàn)本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方 案，本發(fā)明優(yōu)選的實施方式不應理解為對本發(fā)明保護范圍的限定。
[0048] 下面結(jié)合圖3和圖4對圖2中的像素電路的工作原理進行說明，為了方便說明，例 如各個開關(guān)單元和驅(qū)動單元為P溝道型TFT，儲能單元為電容。圖3為本發(fā)明提供的像素電 路工作時一種可能的各個掃描信號線的掃描信號在一幀內(nèi)的時序圖，可分為三個階段，在 圖3中分別表示為第一階段W1 (像素補償模塊重置和觸控檢測模塊重置階段）、第二階段 W2 (像素補償模塊充電和觸控檢測模塊檢測階段）、第三階段W3 (像素補償模塊發(fā)光和觸控 檢測模塊停滯階段），在各個階段，像素電路的電流流向和電壓值分別如圖4a、圖4b、圖4c 所示。
[0049] 在第一階段W1，參見圖3,此時Scan[2]為低電平，其他掃描信號線為高電平，參見 圖4a，在像素補償模塊100中，僅T3導通，此時b點連接到低電平線Vcom (例如為接地線）， 電勢為0V，將電容C1中上一巾貞的電壓信號重置。
[0050] 在觸控檢測模塊中，T7導通，T6和DT2關(guān)閉，實現(xiàn)對觸控檢測模塊的重置，重置以 后觸控電極d的電勢與此時施加到Data線上的電壓相等（例如為Vdata)，并由于電容C2 也與觸控電極d相連，觸控電極d的電勢被維持為Vdata?？梢?，Scan[2]相當于像素補償 模塊100和觸控檢測模塊的重置掃描信號線Reset line。
[0051] 在第二階段W2,參見圖3,此時Scan[l]為低電平，其他掃描信號線為高電平，保持 Data線上的電壓不變。參見圖4b，在像素補償模塊100中，T2和T4導通，T1、T3、T5斷開， 由于之前b點接地，所以驅(qū)動DT1打開，Data線通過Τ4 - DT1 - Τ2開始對b點進行充電， 一直將b點充電到Vdata - Vth為止（滿足DT1柵源兩極之間的壓差為Vth)，同時，由于a 點接地電位始終為Vdd，在充電完畢后，b點的電位一直維持在Vdata-Vth，另外由于T5的 關(guān)閉使得電流不會通過0LED，間接降低了 0LED的壽命損耗。
[0052] 在觸控檢測模塊中，參見圖4b中，T7關(guān)閉，T6導通。在這個階段，如圖5所示，當 手指觸控時，參見圖中的虛線部分，觸控電極d的電勢Vd降低（例如降低Vf)，從而直接導 致DT2柵極電勢降低達到DT2的導通條件，此時Vint經(jīng)DT2和T6向γ-read line輸入電 信號，在手指觸控導致Vd直接降低Vf之后，由于電容C2放電，Vd持續(xù)下降至0 ;而如果此 時沒有手指觸控，參見實線部分，觸控電極d的電勢Vd也就不會降低，仍維持為Vdata，此時 DT2截止，Y-read line中無法檢測到電信號。
[0053] 當DT2的柵源電壓滿足M0S管導通條件，這樣才會有信號通過DT2,此時為觸控單 元緩沖階段，即"等待"著DT2柵極電勢降低，而降低的主要誘因就是手指的觸控。
[0054] 此時如果有手指的觸摸，會直接導致觸控電極d的電勢降低，達到了 DT2導通的條 件，此時I&V特性曲線在放大區(qū)的時候，DT2作為放大TFT會將耦合脈沖的信號導通并放大， 由Y-Read Line采集Y方向的信號。而Scan [2]作為X方向（行方向）掃描信號就有采集 功能（因為僅在Scan[2]為低電平的時刻能夠采集到對應像素行的信號，且在特定的時刻 特定行的像素中的Scan[2]為低電平信號，這樣就能夠根據(jù)采集到的觸控信號的時刻確定 Scan[2]掃描到了哪一行，從而確定Y的坐標）。這樣就確定了手指觸摸位置的X、Y坐標。 此過程只要手指參與觸控，坐標位置隨時都可以采集到。
[0055] 可見，在本發(fā)明實施例中，Scan[2]起到了 X方向觸控信號讀取線X-read line的 作用。
[0056] 在第三階段W3,如圖3所示，僅Em為低電平，其他掃描信號線為高電平，如圖4c所 示，在像素補償模塊100中，此時ΤΙ、T5導通，T2、T3、T4關(guān)斷。Vdd沿T1 - DT1 - T5使得 0LED開始發(fā)光。
[0057] 在觸控檢測模塊中，所有元器件都不工作，觸控檢測模塊處于停滯狀態(tài)。這樣能夠 減少對顯示過程的影響。
[0058] 由TFT飽和電流公式可以得到：
[0059] IOLED = K(VGS - Vth)2 = K[Vdd - (Vdata - Vth) - Vth]2
[0060] = K (Vdd - Vdata)2
[0061] 由上式中可以看到此時工作電流IOLED已經(jīng)不受Vth的影響，只與Vdata有關(guān)。徹 底解決了驅(qū)動TFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓（Vth)漂移的問題，消除其 對I0LED的影響，保證0LED的正常工作。
[0062] 本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的像素電路。
[0063] 優(yōu)選的，所述的像素電路在所述顯示面板中呈周期性分布。實際應用中，并不需要 在每個像素對應的位置都采用本發(fā)明實施例提供的像素電路（例如三個像素中設(shè)置一個 本發(fā)明實施例提供的像素電路，在其他像素中設(shè)置普通的像素電路），同樣能夠?qū)崿F(xiàn)對觸控 信號的檢測。如圖6所示，為每三個像素設(shè)置一個本發(fā)明實施例提供的像素電路（PU)的情 形。
[0064] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示面板。
[0065] 這里的顯示裝置可以為：電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù) 碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[〇〇66] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾 也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素電路，其特征在于，包括：像素補償模塊、發(fā)光模塊和觸控檢測模塊； 所述像素補償模塊，包括第一至第五開關(guān)單元，像素驅(qū)動單元和儲能單元；其中， 第一開關(guān)單元和第五開關(guān)單元的控制端均連接第一掃描信號線；第一開關(guān)單元的第一 端連接工作電壓線，第一開關(guān)單元的第二端連接驅(qū)動單元的輸入端；第五開關(guān)單元的第一 端連接驅(qū)動單元的輸出端，第五開關(guān)單元的第二端連接發(fā)光模塊； 第二開關(guān)單元和第四開關(guān)單元的控制端均連接第二掃描信號線；第二開關(guān)單元的第一 端連接像素驅(qū)動單元的輸入端，第二開關(guān)單元的第二端連接儲能單元的第二端以及驅(qū)動單 元的控制端；第四開關(guān)單元的第一端連接數(shù)據(jù)電壓線，第四開關(guān)單元的第二端連接驅(qū)動單 兀的輸出端； 第三開關(guān)單元的控制端連接第三掃描信號線，第三開關(guān)單元的第一端連接儲能單元的 第二端，第三開關(guān)單元的第二端連接低電平線； 所述觸控檢測模塊，包括檢測子模塊和輸出子模塊；其中，所述檢測子模塊，分別連接 第三掃描信號線、第二工作電壓線、數(shù)據(jù)電壓線，用于檢測觸控信號；輸出子模塊，分別連接 第二掃描信號線、觸控信號讀取線以及所述檢測子模塊，用于根據(jù)第二掃描信號線的輸入 向所述觸控信號讀取線輸出檢測觸控信號。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括電致發(fā)光元件，所述 電致發(fā)光元件的陽極與所述第五開關(guān)單元的第二端相連。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述儲能單元為電容。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述輸出子模塊包括第六開關(guān)單元，所 述第六開關(guān)單元的第一端連接所述檢測子模塊，第二端連接所述觸控信號讀取線。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述檢測子模塊包括第七開關(guān)單元、 觸控信號驅(qū)動單元、感測電容和觸控電極，所述第七開關(guān)單元連接在所述觸控信號驅(qū)動單 元的控制端與所述數(shù)據(jù)電壓線之間，控制端連接第三掃描信號線；觸控信號驅(qū)動單元的輸 入端連接第二工作電壓線，輸出端連接第六開關(guān)單元；所述感測電容連接在所述觸控信號 驅(qū)動單元的輸入端與控制端之間；所述觸控電極連接與所述觸控信號驅(qū)動單元的控制端相 連。
6. 如權(quán)利要求3-5任一項所述的像素電路，其特征在于，各個開關(guān)單元和驅(qū)動單元為 薄膜場效應晶體管。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型； 驅(qū)動單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，驅(qū)動單元的輸入端為源極，驅(qū)動單元的輸 出端為漏極；各個開關(guān)單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，其他兩端對應于源極和 漏極。
8. -種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的像素電路。
9. 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電路在所述顯示面板中呈周 期性分布。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的顯示面板。
【文檔編號】G09G3/32GK104091562SQ201410302129
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】楊盛際 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司