像素電路、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種像素電路、顯示面板和顯示裝置，該像素電路包括：像素補償模塊、發(fā)光模塊和觸控檢測模塊。本發(fā)明提供的像素電路中，集成了像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償模塊和觸控檢測模塊共用數據電壓線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數目，從而大幅縮減像素間距大小并降低IC成本，從而獲得更高的像素密度。同時，本發(fā)明提供的像素電路中，流經電致發(fā)光單元的工作電流不受對應的驅動晶體管的閾值電壓的影響，能夠解決由于驅動晶體管的閾值電壓漂移導致顯示亮度不均的問題。
【專利說明】像素電路、顯示面板和顯示裝置

【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種像素電路、顯示面板和顯示裝置。

【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的急速進步，具有觸控功能的顯示裝置由于其所具有的可視化操作等優(yōu)點而逐漸得到越來越多人們的歡迎。根據觸控面板與顯示面板相對位置的不同，一般可以將現有的具有觸控功能的顯示裝置分為表面式(on cell)觸控面板與內嵌式(incell)觸控面板兩種。與表面式觸控面板相比，內嵌式觸控面板具有更薄的厚度與更高的光透過率。
[0003]而對于現有的顯示裝置而言,有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de,OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。OLED顯示裝置按照驅動方式的不同可分為PMOLED (Passive Matrix Driving 0LED，無源矩陣驅動有機發(fā)光二極管)和AMOLED (Active Matrix Driving 0LED，有源矩陣驅動有機發(fā)光二極管)兩種，由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應答速度、省電、可用于便攜式設備的直流驅動、工作溫度范圍大等等優(yōu)點而可望成為取代IXD(liquid crystal display,液晶顯示器)的下一代新型平面顯示器。在現有的AMOLED顯示面板中，每個OLED均依靠陣列基板上一個像素單元內的多個TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)開關所組成的像素驅動電路驅動發(fā)光實現顯示。像素驅動電路直接決定了 OLED發(fā)光顯示的質量，因此像素驅動電路的設計是AMOLED的核心技術內容。如圖1所示，為現有技術中一種像素驅動電路的電路結構示意圖，包括一個開關薄膜晶體管Tl和一個驅動薄膜晶體管T2、一個存儲電容C，這里的Tl和T2均為P溝道型驅動薄膜晶體管，其中Tl的柵極與掃描線Scan[l]連接，源極連接數據線Vdata，漏極連接C的B端；C的B端還連接T2的柵極，T2的源極連接工作電壓線Vdd，漏極連接對應的OLED ;在Scan [I]掃描到該行像素電路時低電平，控制Tl導通，將數據電壓線Vdd中的數據電壓寫入到C的B端；在該行掃描結束時，Scan [I]變?yōu)楦唠娖?，Tl截止，存儲在C上的數據電壓驅動T2，使其產生電流來驅動0LED，保證OLED在一幀時間內持續(xù)發(fā)光，T2的飽和電流(即流過OLED的電流)Imd = K(Vcs-Vth)20可見，1led與T2的閾值電壓Vth有關。而且，由于工藝制程和器件老化等原因，在這種2T1C的像素驅動電路中，各像素點的驅動TFT的閾值電壓Vth會漂移，即各像素點的驅動薄膜晶體管的閾值電壓存在不均勻性，容易導致流過每個像素點的OLED的電流因Vth的變化而變化，使得顯示屏的顯示亮度不均，從而影響整個圖像的顯示效果。
[0004]另一方面，內嵌式觸控面板(Touch Screen Panel,簡稱TSP)是將用于觸摸的傳感器及驅動電路，同樣利用陣列工藝制作在陣列基板上的每個像素單元內。如果將TSP的傳感器及驅動電路疊加在AMOLED像素中，則需要加入一定數量的驅動電路TFT，從而需要額外占用一定像素單元的空間，而像素單元中空余空間有限，這極大地限制了內嵌式觸控面板電路與AMOLED驅動電路的同時制作。


【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種像素電路及顯示裝置，以避免因驅動晶體管的閾值漂移并提高內嵌式觸控電路與像素驅動電路的集成度。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電路，包括:像素補償模塊、發(fā)光模塊和觸控檢測模塊；
[0007]所述像素補償模塊，包括第一至第五開關單元，像素驅動單元和儲能單元；其中，
[0008]第一開關單元連接在第一工作電壓線與像素驅動單元的輸入端之間，控制端接入第一掃描信號線；
[0009]第二開關單元的一端連接儲能單元的第二端，另一端接地，控制端連接第三掃描信號線；
[0010]第三開關單元的一端連接數據電壓線，另一端連接儲能單元的第一端,控制端連接第四掃描信號線；
[0011]第四開關單元的一端連接像素驅動單元的輸出端，另一端連接儲能單元的第二端，控制端連接第四掃描信號線；
[0012]第五開關單元連接在像素驅動單元的輸出端與發(fā)光模塊之間，控制端連接第二掃描信號線；
[0013]像素驅動單元的控制端與儲能單元的第二端相連；
[0014]所述觸控檢測模塊，包括檢測子模塊和輸出子模塊；其中，所述檢測子模塊，分別連接第三掃描信號線、第二工作電壓線、數據電壓線，用于檢測觸控信號；輸出子模塊，分別連接第四掃描信號線、觸控信號讀取線以及所述檢測子模塊，用于根據第四掃描信號線的輸入向所述觸控信號讀取線輸出檢測觸控信號。
[0015]優(yōu)選的，所述發(fā)光模塊包括電致發(fā)光元件，所述第五開關單元連接在像素驅動單元的輸出端與所述電致發(fā)光元件的陽極之間。
[0016]優(yōu)選的，所述儲能單元為第一電容。
[0017]優(yōu)選的，所述輸出子模塊包括第六開關單元，所述第六開關單元的一端連接所述觸控信號讀取線，另一端連接所述檢測子模塊，控制端連接第四掃描信號線。
[0018]優(yōu)選的，所述檢測子模塊包括第七開關單元、觸控信號驅動單元、第二電容以及觸控電極，所述第七開關單元連接在所述觸控信號驅動單元的控制端與所述數據電壓線之間，控制端連接第三掃描信號線；觸控信號驅動單元的輸入端連接第二工作電壓線，輸出端連接第六開關單元；所述第二電容連接在所述觸控信號驅動單元的輸入端與控制端之間；所述觸控電極與所述觸控信號驅動單元的控制端相連。
[0019]優(yōu)選的，所述第六開關單元的控制端所連接的第四掃描信號線替換為第二掃描信號線。
[0020]優(yōu)選的，所述第七開關單元的控制端所連接的第三掃描信號線替換為第四掃描信號線。
[0021]優(yōu)選的，各個開關單元和驅動單元為薄膜場效應晶體管。
[0022]優(yōu)選的，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型；驅動單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，輸入端為薄膜場效應晶體管的源極，輸出端為薄膜場效應晶體管的漏極；各個開關單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，其他兩端對應于薄膜場效應晶體管的源極和漏極。
[0023]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的像素電路。
[0024]進一步的，所述像素電路在所述顯示面板中呈周期性分布。
[0025]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示面板。
[0026]本發(fā)明提供的像素電路和顯示裝置，在像素電路中集成像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償模塊和觸控檢測模塊共用數據電壓線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數目，從而大幅縮減像素間距大小并降低IC成本，從而獲得更高的像素密度。同時，本發(fā)明提供的像素電路中，流經電致發(fā)光單元的工作電流不受對應的驅動晶體管的閾值電壓的影響，能夠解決由于驅動晶體管的閾值電壓漂移導致顯示亮度不均的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為現有技術中的一種像素驅動電路的電路結構圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實施例提供的像素電路的電路結構示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實施例提供的像素電路的驅動方法中關鍵信號的時序圖；
[0030]圖4為本發(fā)明實施例中的像素電路在不同時序下的電流流向和電壓值的示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明提供的像素電路中像素電極的電勢變化的示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明實施例提供的顯示面板中像素電路與像素的一種位置關系的示意圖。

【具體實施方式】
[0033]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0034]本發(fā)明實施例提供了一種像素電路，如圖2所示，包括:
[0035]像素補償模塊100、發(fā)光模塊200和觸控檢測模塊；
[0036]其中，像素補償模塊100，包括第一開關單元Tl、第二開關單元T2、第二開關單元T3、第四開關單元T4、第五開關單元T5、像素驅動單元DT1、儲能單元Cl，其中，
[0037]第一開關單元Tl的第一端連接第一工作電壓線Vdd，第二端連接驅動單元DTl的輸入端，控制端連接第一掃描信號線Em ；
[0038]第二開關單元T2的第一端連接儲能單元Cl的第二端b端，第二端接地，控制端連接第三掃描信號線Scan [2]；
[0039]第三開關單元T3的第一端連接數據電壓線Vdata,第二端連接儲能單元Cl的第一端a端,控制端連接第四掃描信號線Scan[3]；
[0040]第四開關單元T4的第一端連接像素驅動單元DTl的輸出端，第二端連接儲能單元Cl的第二端b端,控制端連接第四掃描信號線Scan[3]；
[0041]第五開關單元T5的第一端連接像素驅動單元DTl的輸出端，第二端連接發(fā)光模塊200，控制端連接第二掃描信號線Scan [I]；
[0042]像素驅動單元DTl的控制端連接儲能單元Cl的第二端b端；
[0043]觸控檢測模塊，包括檢測子模塊310和輸出子模塊320 ;其中，檢測子模塊310，分別連接線Scan[2]、第二工作電壓線Vint、數據電壓線Vdata，用于檢測觸控信號；輸出子模塊320，分別連接第四掃描信號線Scan[3]、觸控信號讀取線Y-read Line以及檢測子模塊310,用于根據Scan[3]的輸入向Y_read Line輸出檢測觸控信號。
[0044]本發(fā)明提供的像素電路，在像素電路中集成像素補償模塊和觸控檢測模塊，并使像素補償模塊和觸控檢測模塊共用數據線和掃描信號線。這樣就能減少信號線路的數目，從而大幅縮減像素間距大小并降低IC成本，從而獲得更高的像素密度。同時，流經電致發(fā)光單元的工作電流不受對應的驅動晶體管的閾值電壓的影響，徹底解決了由于驅動晶體管的閾值電壓漂移導致顯示亮度不均的問題。
[0045]這里的第二工作電壓線Vint用于提供驅動脈沖。
[0046]具體的，發(fā)光模塊200可以包括電致發(fā)光元件，電致發(fā)光元件的陽極與像素補償模塊中的像素驅動單元DTl的輸出端相連，陰極接地。
[0047]本發(fā)明實施例中，電致發(fā)光元件可以是現有技術中包括LED(Light EmittingDiode,發(fā)光二極管)或OLED (Organic Light Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)在內的多種電流驅動發(fā)光器件。在本發(fā)明實施例中，是以OLED為例進行的說明。
[0048]進一步的，儲能單元Cl為電容(定義為第一電容)。當然實際應用中，根據設計需要也可以采用其他具有儲能功能的元件。
[0049]進一步的，如圖2a所示，像素驅動單元DTl為驅動放大開關。
[0050]進一步的，如圖2a所示，輸出子模塊320包括:第六開關單元T6，第六開關單元T6的一端連接觸控信號讀取線Y-read Line,另一端連接檢測子模塊310,控制端連接Scan [3]。
[0051]進一步的，檢測子模塊310包括第七開關單元T7、觸控信號驅動單元DT2、第二電容C2以及觸控電極d，第七開關單元T7的一端連接數據電壓線Vdata，另一端連接觸控信號驅動單元DT2的控制端，控制端連接第三掃描信號線Scan [2];觸控信號驅動單元DT2的輸入端連接第二工作電壓線Vint，輸出端連接第六開關單元T6的一端；第二電容C2連接在觸控信號驅動單元DT2的輸入端與控制端之間；觸控電極d與DT2的控制端相連，同時由于DT2的控制端還與C2的其中一端相連，則觸控電極d也與電容C2相連，電容C2起到維持觸控電極d的電壓的作用。
[0052]進一步的，如圖2b所示，輸出子模塊320的控制端所連接的Scan[3]可替換為Scan[l],即此時T6的控制端所連接的Scan [3]相應的替換為Scan [I]。
[0053]進一步的，在圖2b所示的電路的基礎上，如圖2c所示，檢測子模塊310的控制端所連接的Scan [2]可替換為Scan [3]，即T7的控制端所連接的Scan [2]替換為Scan [3]。
[0054]進一步的，各個開關單元和驅動單元為薄膜場效應晶體管TFT。
[0055]進一步的，如圖2所示，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型。此時，驅動單元的輸入端為TFT的源極，輸出端為TFT的漏極，控制端為TFT的柵極。對于各個開關單元來說，控制端同樣為TFT的柵極，其他兩端分別對應于TFT的源極和漏極。
[0056]使用同一類型的晶體管，能夠實現工藝流程的統(tǒng)一，從而提高產品的良品率。本領域技術人員可以理解的是，在實際應用中，各個晶體管的類型也可以不完全相同，比如T2和T5可以為N溝道型晶體管，而T3和T6可以為P溝道型晶體管，只要能夠使控制端連接到同一掃描信號線的兩個開關單元的導通/關斷狀態(tài)相同，即可實現本申請?zhí)峁┑募夹g方案，本發(fā)明優(yōu)選的實施方式不應理解為對本發(fā)明保護范圍的限定。
[0057]下面結合圖3和圖4對圖2a中的像素電路的工作原理進行說明，為了方便說明，假設各個開關單元和驅動單元為P溝道型TFT，儲能單元為電容。圖3為本發(fā)明提供的像素電路工作時一種可能的各個掃描信號線的掃描信號在一巾貞內的時序圖,可分為四個階段，在如圖3所示，包括第一階段Wl (像素補償模塊重置和觸控檢測模塊重置階段)、第二階段W2 (像素補償模塊充電和觸控檢測模塊檢測階段)、第三階段W3 (像素補償模塊跳變和觸控檢測模塊停滯階段)，第四階段W4 (像素補償模塊發(fā)光和觸控檢測模塊停滯階段)，在各個階段，像素電路的電流流向和電壓值分別如圖4a、圖4b、圖4c、圖4d所示。
[0058]在第一階段W1，參見圖3，此時Scan[2]為低電平，其他掃描信號線為高電平，并在數據電壓線Vdata施加第一電壓Vp，參見圖4a，在像素補償模塊100中，僅T2導通，此時b點重置接地，電勢為0V，將電容Cl中上一幀的電壓信號重置。在觸控檢測模塊中，T7導通，T8和DT2關閉，實現對觸控檢測模塊的重置，重置以后d點的電勢為Vp0可見，Scan[2]相當于像素補償模塊100和觸控檢測模塊的重置掃描信號線Reset line。
[0059]在第二階段W2，參見圖3，此時Em和Scan [3]為低電平，其他掃描信號線為高電平，保持Vdata的電壓Vp不變。參見圖4b，在像素補償模塊中，Tl、T3、T4導通，T2、T5斷開，由于之前b點接地，所以驅動DTl打開，Vdd通過Tl — DTl — T4開始對b點進行充電，一直將b點充電到Vdd - Vthl為止(DTl柵源兩極之間的壓差為Vthl)，同時，由于T3導通，Vdata沿T3向Cl的a端充電，充電完畢后，a點的電壓維持為Vp，由于T5的關閉使得電流不會通過0LED，間接降低了 OLED的壽命損耗。
[0060]在觸控檢測模塊中，參見圖4b中，T7關閉，T6導通。在這個階段，如圖5所示，當有手指觸控時，參見圖中的虛線部分，觸控電極d的電勢Vd降低(假設降低Vf)，從而直接導致DT2柵極電勢降低達到DT2的導通條件，此時Vint經DT2和T6向Y-read line輸入電信號，在手指觸控導致Vd直接降低Vf之后，由于電容C2放電，Vd持續(xù)下降至O ;而如果此時沒有手指觸控，參見圖中的實線部分，觸控電極d的電勢Vd也就不會降低，仍維持為Vp，此時DT2截止，Y-read line中無法檢測到電信號。
[0061]此時如果有手指的觸摸，會直接導致觸控電極d的電勢降低，達到了 DT2導通的條件，此時I&V特性曲線在放大區(qū)的時候，DT2作為放大TFT會將耦合脈沖的信號導通并放大，由Y-Read Line采集Y方向的信號。而Scan[2]作為X方向(行方向)掃描信號就有采集功能(因為僅在Scan[2]為低電平的時刻能夠采集到對應像素行的信號，且在特定的時刻特定行的像素中的Scan[2]為低電平信號，這樣就能夠根據采集到的觸控信號的時刻確定Scan[2]掃描到了哪一行，從而確定Y的坐標)。這樣就確定了手指觸摸位置的X、Y坐標。此過程只要手指參與觸控，坐標位置隨時都可以采集到。
[0062]可見,在本發(fā)明實施例中，Scan[2]起到了 X方向觸控信號讀取線X_read line的作用。
[0063]在第三階段W3，如圖3所示，僅Scan[3]為低電平，其他掃描信號線為高電平，將施加在Vdata中的電壓提高到Vp+Λ V，如圖4c所示，在像素補償模塊100中，此時T3、T4導通，其他TFT斷開。此時a點電勢由原來的Vp變?yōu)閂p+ Λ V，而b點為浮接狀態(tài)，因此要維持a、b兩點原來的壓差(Vdd-Vthl-Vp)，DTl的柵極b點電勢會發(fā)生等壓跳變，b點電勢跳變變并維持為Vdd - Vthl+ Δ V，并為下一階段作準備。
[0064]在觸控檢測模塊中，除T6外，其他器件都不工作，觸控檢測模塊處于停滯狀態(tài)。這樣能夠減少對顯示過程的影響。
[0065]在第四階段W4，如圖3所示，僅Scan[l]和Em為低電平，其他掃描信號線為高電平，如圖4d所示，在像素補償模塊100中，此時Tl、T5導通，T2、T3、T4關斷。Vdd沿Tl — DTl — T5使得OLED開始發(fā)光。
[0066]在觸控檢測模塊中，除T6之外的所有TFT仍關斷，觸控檢測模塊處于停滯狀態(tài)。這樣能夠減少對顯示過程的影響。
[0067]由TFT飽和電流公式可以得到:
[0068]1led = K (Vgs - Vthl)2 = K [Vdd - (Vdd - Vthl+ Λ V) - Vthl]2
[0069]= K ( Λ V)2
[0070]由上式中可以看到此時工作電流1_已經不受Vthl的影響，只與Vdata有關。徹底解決了驅動TFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓漂移的問題，消除其對1_的影響，保證OLED的正常工作。
[0071]圖2b和圖2c中提供的像素電路，其工作原理與圖2a中的像素電路的工作原理一致，不同之處在于，在如圖2b或圖2c的像素電路中，觸控信號僅能在Scan[l]為低電平的時候(即第四階段W4)被檢測到,此時Scan[l]相當于X_read line ;另外在如圖2c的像素電路中，僅能在Scan [3]為低電平的時候實現對觸控檢測模塊的重置，此時Scan [3]替代Scan[2]作為 Reset line。
[0072]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任一項所述的像素電路。
[0073]優(yōu)選的，所述的像素電路在所述顯示面板中呈周期性分布。實際應用中，并不需要在每個像素對應的位置都采用本發(fā)明實施例提供的像素電路(比如三個像素中設置一個本發(fā)明實施例提供的像素電路，在其他像素中設置普通的像素電路)，同樣能夠實現對觸控信號的檢測。如圖6所示，為每三個像素設置一個本發(fā)明實施例提供的像素電路(PU)的情形。
[0074]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示面板。
[0075]這里的顯示裝置可以為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0076]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種像素電路，其特征在于，包括:像素補償模塊、發(fā)光模塊和觸控檢測模塊； 所述像素補償模塊，包括第一至第五開關單元，像素驅動單元和儲能單元；其中， 第一開關單元連接在第一工作電壓線與像素驅動單元的輸入端之間，控制端接入第一掃描信號線； 第二開關單元的一端連接儲能單元的第二端，另一端接地，控制端連接第三掃描信號線.第三開關單元的一端連接數據電壓線，另一端連接儲能單元的第一端，控制端連接第四掃描信號線； 第四開關單元的一端連接像素驅動單元的輸出端，另一端連接儲能單元的第二端，控制端連接第四掃描信號線； 第五開關單元連接在像素驅動單元的輸出端與發(fā)光模塊之間，控制端連接第二掃描信號線； 像素驅動單元的控制端與儲能單元的第二端相連； 所述觸控檢測模塊，包括檢測子模塊和輸出子模塊；其中，所述檢測子模塊，分別連接第三掃描信號線、第二工作電壓線、數據電壓線，用于檢測觸控信號；輸出子模塊，分別連接第四掃描信號線、觸控信號讀取線以及所述檢測子模塊，用于根據第四掃描信號線的輸入向所述觸控信號讀取線輸出檢測觸控信號。
2.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括電致發(fā)光元件，所述第五開關單元連接在像素驅動單元的輸出端與所述電致發(fā)光元件的陽極之間。
3.如權利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述儲能單元為第一電容。
4.如權利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述輸出子模塊包括第六開關單元，所述第六開關單元的一端連接所述觸控信號讀取線，另一端連接所述檢測子模塊，控制端連接第四掃描信號線。
5.如權利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述檢測子模塊包括第七開關單元、觸控信號驅動單元、第二電容以及觸控電極，所述第七開關單元連接在所述觸控信號驅動單元的控制端與所述數據電壓線之間，控制端連接第三掃描信號線；觸控信號驅動單元的輸入端連接第二工作電壓線，輸出端連接第六開關單元；所述第二電容連接在所述觸控信號驅動單元的輸入端與控制端之間；所述觸控電極與所述觸控信號驅動單元的控制端相連。
6.如權利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述第六開關單元的控制端所連接的第四掃描信號線替換為第二掃描信號線。
7.如權利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述第七開關單元的控制端所連接的第三掃描信號線替換為第四掃描信號線。
8.如權利要求3-7任一項所述的像素電路，其特征在于，各個開關單元和驅動單元為薄膜場效應晶體管。
9.如權利要求8所述的像素電路，其特征在于，各個薄膜場效應晶體管均為P溝道型；驅動單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，輸入端為薄膜場效應晶體管的源極，輸出端為薄膜場效應晶體管的漏極；各個開關單元的控制端為薄膜場效應晶體管的柵極，其他兩端對應于薄膜場效應晶體管的源極和漏極。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的像素電路。
11.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電路在所述顯示面板中呈周期性分布。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求10或11所述的顯示面板。
【文檔編號】G09G3/32GK104078006SQ201410302898
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權日:2014年6月27日
【發(fā)明者】楊盛際 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司