Led驅(qū)動電路、方法和led顯示系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種LED驅(qū)動電路、方法和LED顯示系統(tǒng)；該驅(qū)動電路包括輸入模塊、用于保持恒定內(nèi)部電壓的調(diào)節(jié)器模塊和用于產(chǎn)生各輸出信號的輸出模塊；所述輸入模塊連接到所述調(diào)節(jié)器模塊，而該調(diào)節(jié)器模塊則連接到所述輸出模塊；所述調(diào)節(jié)器模塊包括運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元；所述運算放大器包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端。該運算放大器的反相輸入端連接到輸入模塊，而該運算放大器的輸出端也連接到輸入模塊，該運算放大器的同相輸入端則連接到所述輸出模塊；各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。本發(fā)明驅(qū)動電路內(nèi)部電壓恒定，PWM脈沖寬度穩(wěn)定，保證了各LED的亮度也穩(wěn)定。
【專利說明】 LED驅(qū)動電路、方法和LED顯示系統(tǒng)
[0001]本發(fā)明申請的優(yōu)先權(quán)要求于2013年11月18日在美國提交的、申請?zhí)枮閁S14/082,841的權(quán)利，其全部通過參考整體引入到此以達(dá)到所有目的。
[0002]【【技術(shù)領(lǐng)域】】
本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及LED即半導(dǎo)體發(fā)光二極管矩陣的顯示系統(tǒng)，尤其涉及用于該系統(tǒng)的LED驅(qū)動電路，以及驅(qū)動LED顯示屏的方法。本發(fā)明的LED是英文LightEmitting D1de的縮寫，中文意思是“發(fā)光二極管”。
[0003]【【背景技術(shù)】】
近年來，LED作為一種節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品，應(yīng)用越來越廣泛，例如LED被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備，包括LED大屏幕顯示屏。隨著LED顯示屏密度的增加，像素點越來越多，而且點間距越來越小的LED顯示屏被用于室內(nèi)大面積高品質(zhì)的顯示。小的LED點間距會增加發(fā)光二極管的密度，使得在每個單獨的LED相對較低的亮度，足以達(dá)到以前亮度相同的大屏幕顯示屏。此外，隨著LED發(fā)光效率的增加，更低的驅(qū)動電流就可以達(dá)到同樣的亮度級。現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路設(shè)計，內(nèi)部參考電流或偏置電流，是和輸出電流成正比的?，F(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路設(shè)計，需要一個小的基準(zhǔn)電流長時間給內(nèi)部節(jié)點以目標(biāo)水平進(jìn)行充電，此節(jié)點具有相對較大的電容。這個充電時間延遲降低了 LED的PWM脈沖寬度，并影響LED的亮度。此外，不同的內(nèi)部節(jié)點的電容導(dǎo)致LED驅(qū)動電路的PWM脈沖寬度發(fā)生變化。因此，需要本領(lǐng)域的技術(shù)人員來改變來解決上述問題。PWM是英文“Pulse Width Modulat1n”的縮寫，中文意思是“脈沖寬度調(diào)制”，簡稱“脈寬調(diào)制”。
[0004]圖1A是現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路的電原理方框示意圖。該LED驅(qū)動電路包括一個輸入模塊101和一個輸出模塊102。偏壓BIAS被加在輸入模塊101上，并且參考電流Ikef也被加在輸入模塊101上。輸入模塊101和輸出模塊102以電氣方式連接到一個節(jié)點VGO，這是一個大電容節(jié)點。輸出電流1tjt和輸出電壓vMJT從輸出模塊102的輸出端輸出。
[0005]圖1B展示了現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路實施例的電路原理示意圖。在此實施例中，輸入模塊包括一個名為MPCl的P溝道型MOS級聯(lián)晶體管103和名為MPC2的另一個P溝道型MOS級聯(lián)晶體管104。輸出模塊是一個名為MPOl的P溝道型MOS輸出晶體管105。P溝道型MOS級聯(lián)晶體管104 (MPC2)的源極和P溝道型MOS級聯(lián)晶體管103 (MPCl)的漏極連接到節(jié)點VDI，這是自生的漏極電壓。偏壓BIAS被施加到P溝道型MOS級聯(lián)晶體管104(MPC2)的柵極。P溝道型MOS級聯(lián)晶體管103 (MPCI)的柵極和P溝道型MOS輸出晶體管105(MP01)的柵極連接在節(jié)點VGO處，也就是柵極輸出電壓。P溝道型MOS級聯(lián)晶體管104(MPC2)的漏極也被連接到節(jié)點VGO。參考電流Ikef被施加到所述輸入模塊和節(jié)點VGO上。輸出電壓Vqut和輸出電流Iqut從P溝道型MOS輸出晶體管105 (ΜΡ01)的漏極輸出。MOS是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，NMOS是電子導(dǎo)電型場效應(yīng)管，PMOS是空穴導(dǎo)電型場效應(yīng)管。
[0006]圖1A和圖1B現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路的缺陷是該LED驅(qū)動電路需要一個小的參考電流Ikef長時間給內(nèi)部較大電容的節(jié)點VGO進(jìn)行充電，這個充電時間會延遲并降低LED驅(qū)動電路的PWM脈沖寬度，并影響LED的亮度。不同的內(nèi)部節(jié)點的電容導(dǎo)致LED驅(qū)動電路的PWM脈沖寬度發(fā)生變化，也會影響LED的亮度。
[0007]【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種LED驅(qū)動電路、方法和LED顯示系統(tǒng)，驅(qū)動電路內(nèi)部電壓恒定，PWM脈沖寬度穩(wěn)定，保證了各LED的亮度也穩(wěn)定。
[0008]本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:
提供一種LED驅(qū)動電路，包括輸入模塊、調(diào)節(jié)器模塊和輸出模塊；調(diào)節(jié)器模塊用于保持恒定的內(nèi)部電壓；輸出模塊用于產(chǎn)生各輸出信號；其中所述輸入模塊連接到所述調(diào)節(jié)器模塊，而該調(diào)節(jié)器模塊則連接到所述輸出模塊；所述調(diào)節(jié)器模塊包括運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元；所述運算放大器包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端；該運算放大器的反相輸入端連接到輸入模塊，而該運算放大器的輸出端也連接到輸入模塊，該運算放大器的同相輸入端則連接到所述輸出模塊；各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。
[0009]所述輸入模塊包括第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管。
[0010]所述輸出模塊包括P溝道型MOS輸出晶體管。
[0011]所述調(diào)節(jié)器模塊之輸出柵極驅(qū)動單元為兩個，分別為第一輸出柵極驅(qū)動單元和第二輸出柵極驅(qū)動單元。
[0012]所述第一輸出柵極驅(qū)動單元包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管；所述第二輸出柵極驅(qū)動單元包括第一P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管；其中兩個第二 P溝道型MOS晶體管有共同的柵極，兩個第二 P溝道型MOS晶體管還有共同的源極。
[0013]所述運算放大器的輸出端連接到所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的柵極，所述運算放大器的反相輸入端連接到所述輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的漏極和所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的源極，所述運算放大器的同相輸入端連接到所述輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管的漏極。
[0014]本發(fā)明還提供一種運行LED驅(qū)動電路的方法，包括以下步驟:給輸入模塊提供參考電流；使用電壓調(diào)節(jié)器控制輸入模塊和輸出模塊之間的電壓差，使之保持大體上恒定；并且生成恒定的輸出電流。所述電壓調(diào)節(jié)器包括一個運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元。所述輸出柵驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、用于保持一個恒定電壓的源極跟隨器和一個N溝道型MOS晶體管。所述源極跟隨器是一個P溝道型MOS晶體管。
[0015]該運行LED驅(qū)動電路的方法是用所述參考電流驅(qū)動所述源極跟隨器；接入內(nèi)部偏置電路；接通輸出開關(guān)；給所述源極跟隨器提供偏置電壓；并且生成輸出電流。
[0016]本發(fā)明還提供一種LED顯示系統(tǒng),包括LED驅(qū)動電路和LED顯示屏；所述驅(qū)動電路包括輸入模塊、調(diào)節(jié)器模塊和輸出模塊；調(diào)節(jié)器模塊用于保持恒定的內(nèi)部電壓；輸出模塊用于產(chǎn)生各輸出信號；其中所述輸入模塊連接到所述調(diào)節(jié)器模塊，而該調(diào)節(jié)器模塊則連接到所述輸出模塊；所述調(diào)節(jié)器模塊包括運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元；所述運算放大器包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端；該運算放大器的反相輸入端連接到輸入模塊，而該運算放大器的輸出端也連接到輸入模塊，該運算放大器的同相輸入端則連接到所述輸出模塊；各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。所述驅(qū)動電路提供恒定的輸出電流來驅(qū)動LED顯示屏。
[0017]所述LED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陰極結(jié)構(gòu)?；蛘呤?，所述LED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陽極結(jié)構(gòu)。
[0018]所述輸入模塊包括第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管；所述輸出模塊包括P溝道型MOS輸出晶體管；每一個所述輸出柵極驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管；其中各第二 P溝道型MOS晶體管有共同的柵極；所述運算放大器的輸出端連接到所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的柵極，所述運算放大器的反相輸入端連接到所述輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的漏極和所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的源極，所述運算放大器的同相輸入端連接到所述輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管的漏極。
[0019]同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明LED驅(qū)動電路、方法和LED顯示系統(tǒng)的有益效果在于: 驅(qū)動電路內(nèi)部電壓恒定，PWM脈沖寬度穩(wěn)定，保證了各LED的亮度也穩(wěn)定。
[0020]【【專利附圖】

【附圖說明】】
圖1A是現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路的電原理方框示意圖；
圖1B是現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動電路一個實施例的電路原理示意圖；
圖2A是本發(fā)明LED驅(qū)動電路的電原理方框示意圖；
圖2B是本發(fā)明LED驅(qū)動電路一個實施例的電路原理示意圖；
圖2C是本發(fā)明LED驅(qū)動電路另一個實施例的電路原理不意圖；
圖3是本發(fā)明LED驅(qū)動電路用于功率節(jié)省模式的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]【【具體實施方式】】
下面結(jié)合各附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0022]現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在各實施例中附有插圖說明，值得注意的是，類似或相同的附圖標(biāo)記指的是相同的元件。就這一方面，各實施例可能有不同的形式，并且不應(yīng)理解為是對此處描述的限制。因此，通過參照附圖，各實施例僅如下所述以解釋本描述的各方面。本文所用的術(shù)語僅是為了描述的目的，不旨在限制本文的范圍。術(shù)語“包括”和/或“包含”用于指定所規(guī)定元素、步驟、操作和/或組件，但不排除現(xiàn)存或附加的其他元素、步驟、操作和/或組件。術(shù)語“第一”，“第二”等可用于描述各種元素，但不限制于這些元素。這些術(shù)語僅用于區(qū)別相互元件。這些和/或其他方面變得淺顯而且本領(lǐng)域的一個普通技術(shù)人員從本發(fā)明的各實施例并配有附圖的描述中更易理解。本發(fā)明的附圖僅為說明目的。從下面的描述中，一個本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員將很容易意識到這里說明的結(jié)構(gòu)和方法的不同實現(xiàn)案例，但這些案例并未脫離這里所描述的發(fā)明的原理。
[0023]參見圖2A，本發(fā)明LED驅(qū)動電路包括一個輸入模塊201、一個調(diào)節(jié)器模塊205和一個輸出模塊206 ;所述輸入模塊201連接到所述調(diào)節(jié)器模塊205，該調(diào)節(jié)器模塊205則連接到所述輸出模塊206。所述調(diào)節(jié)器模塊205也被稱為電壓調(diào)節(jié)器，或者也被稱為電壓穩(wěn)壓器，它自動保持一個恒定的內(nèi)部電壓。所述輸出模塊用于產(chǎn)生各輸出信號。
[0024]參見圖2k,所述調(diào)節(jié)器模塊205包括一個運算放大器207和多個輸出柵極驅(qū)動單元202、203和204，圖2A中只畫出了三個輸出柵極驅(qū)動單元，每個輸出柵極驅(qū)動單元包括一個源極跟隨器，該源極跟隨器也被稱為共漏放大器，源極跟隨器被用作本發(fā)明專利申請中的電壓緩沖器。源極跟隨器的柵極和源極之間的電壓差大致等于MOS晶體管的閾值電壓，該閾值電壓是一個常數(shù)。在本發(fā)明專利申請中，術(shù)語“內(nèi)部電壓”是指整個驅(qū)動電路輸出級的電壓降。輸出柵極驅(qū)動單元202包含一個源極跟隨器208。輸出柵極驅(qū)動單元203包含一個源極跟隨器209。輸出柵極驅(qū)動單兀204包含一個源極跟隨器210。各源極跟隨器的驅(qū)動能力是由偏置電路BIASP控制的偏置電流決定。運算放大器英文是operat1nalamplifier，可縮寫為0ΡΑΜΡ。各源極跟隨器都連接到輸入模塊201的節(jié)點VGP，該節(jié)點VGP也是參考電流Ikef輸入端。運算放大器207的反相輸入端連接到輸入模塊201的節(jié)點VDI，該運算放大器207的輸出端也連接到輸入模塊201的節(jié)點VGI1，該運算放大器207的同相輸入端連接到所述輸出模塊206。
[0025]圖2A中的VG1、VD1、VGI 1、VGP和VGO是各節(jié)點，Ikef是參考電流，Iqut是輸出電流，0UTPUT_SW是輸出使能開關(guān)，BIAS_SW是內(nèi)部偏壓使能開關(guān)，下面圖2B和圖2C的具體實施例中會詳細(xì)描述。
[0026]參見圖2B，該圖2B展示出了具有兩個輸出柵極驅(qū)動單元的LED驅(qū)動電路的具體實施例。本實施例的LED驅(qū)動電路包括一個輸入模塊、一個調(diào)節(jié)器模塊232和一個輸出模塊，調(diào)節(jié)器模塊232包括一個運算放大器226和兩個輸出柵極驅(qū)動單元，該兩個輸出柵極驅(qū)動單元分別為第一輸出柵極驅(qū)動單元和第二輸出柵極驅(qū)動單元231，每一個輸出柵極驅(qū)動單元都包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管。圖2B中的輸入模塊包括兩個級聯(lián)的P溝道型MOS晶體管，即一個名為MPCl的第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221和一個名為MPC2的第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222。第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221 (MPC1)的漏極被連接到第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222 (MPC2)的源極，以形成節(jié)點VDI。節(jié)點VDI又連接到運算放大器226的反相輸入端。運算放大器226是直流耦合的高增益電壓放大器，并且具有差分輸入和通常的單端輸出；該運算放大器226的差分輸入包括一個同相輸入端V+和一個反相輸入端V-。
[0027]參見圖2B，圖2B中的輸出模塊包括一個名為MPOl的P溝道型MOS輸出晶體管230。運算放大器226的同相輸入端被連接到P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)的漏極。P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)的漏極上的電壓為輸出電壓Vqut，電流為輸出電流Iqut。運算放大器226的輸出端被連接到第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222 (MPC2)的柵極，即節(jié)點VGI1。運算放大器226是用來維持節(jié)點VDI處的電壓VDI和輸出電壓Vqut在相同的值。運算放大器226輸出端的輸出電壓VGIl由下式給出:
Vopamp_out = VGIl = Aol * (V+ - V-) = Aol * (Vout - VDI)
其中Kil為運算放大器226的開環(huán)增益，Vopamp out和VGIl為運算放大器226輸出端的輸出電壓，V+和V-分別是運算放大器226同相輸入端和反相輸入端的電壓，Vtot是輸出電壓，VDI是節(jié)點VDI處的電壓。
[0028]參見圖2B，圖2B中的第一輸出柵極驅(qū)動單元包括第一 P溝道型MOS晶體管223(MPR1)、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管224 (MPR2)和一個N溝道型MOS晶體管225 (MNRl);第二輸出柵極驅(qū)動單元也包括第一 P溝道型MOS晶體管227 (MPRli )、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管228 (MPR2')和一個N溝道型MOS晶體管229(MNRli );其中兩個源極跟隨器即兩個第二 P溝道型MOS晶體管224(MPR2)和228(MPR2,)有共同的柵極節(jié)點VGP。該共同的柵極節(jié)點VGP作為輸入，并且連接到參考電流Ikef。兩個第二 P溝道型MOS晶體管224 (MPR2)和228 (MPR2/ )還共用一個公共源極節(jié)點VG0。在本實施例中，源極跟隨器是被作為電壓緩沖器加入以分開節(jié)點VGP和VGO處的電壓VGP和VGO并維持電壓VGO和VGP的差值為一個常數(shù)，即VGO = VGP +常數(shù)。節(jié)點VGP處有一個小的參考電流Ikef，而節(jié)點VGO處有一個大的電容。
[0029]參見圖2B，兩個第一 P溝道型MOS晶體管223 (MPRl)和227 (MPR1’ )的柵極以電子方式連接，但通過一個開關(guān)管隔開，該開關(guān)管是由PWM控制。偏置電壓BIASP施加在該兩個第一 P溝道型MOS晶體管223 (MPRl)和227 (MPR1’ )的公共柵極。兩個第一 P溝道型MOS晶體管223 (MPR1)和227 (MPR1’ )的漏極被電連接到節(jié)點VG0。節(jié)點VGO還被電連接到輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221 (MPCl)的柵極和輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)的柵極。第二 P溝道型MOS晶體管224 (MPR2)的漏極被電連接到N溝道型MOS晶體管225 (MNRl)的源極，而另一個第二 P溝道型MOS晶體管228(MPR2 ’)的漏極被電連接到另一個N溝道型MOS晶體管229 (MNR1’)的源極。兩個N溝道型MOS晶體管225 (MNRl)和229 (MNR1’ )的柵極相互電連接，但通過一個開關(guān)管隔開，該開關(guān)管是由PWM控制。
[0030]參見圖2B，兩個N溝道型MOS晶體管225 (MNRl)和229 (MNR1’)共用一個接地的公共漏極。兩個N溝道型MOS晶體管225 (MNRl)和229 (MNR1’)也有一個共同的柵極，它連接到輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW。N溝道型MOS晶體管229 (MNR1’ )的柵極和輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW通過一個開關(guān)管隔開。
[0031]參見圖2B，參考電流Ikef驅(qū)動源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管224 (MPR2)和228 (MPR2 ’)的柵極VGP。該柵極VGP處的電容比節(jié)點VGO處的電容小得多。源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管224 (MPR2)和228 (MPR2 ’)驅(qū)動P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)的柵極VG0。因此，節(jié)點VGP和節(jié)點VGO之間的電壓差為一常數(shù)，是恒定的。
[0032]參見圖2B，上升時間I；，它是驅(qū)動電流從一個預(yù)先確定的較低值變?yōu)轭A(yù)先設(shè)定的較高值所花的時間。下降時間TF，它是驅(qū)動電流從一個預(yù)先確定的較高值變?yōu)轭A(yù)先確定的較低值的時間。如圖2B所示，I；和/或Tf可以通過數(shù)字化地改變偏置電流、偏置電路BIASP或改變源極跟隨器的尺寸進(jìn)行調(diào)整，例如，通過增加或減少輸出柵驅(qū)動單元的數(shù)目來進(jìn)行調(diào)整。
[0033]參見圖2B，運算放大器226保持輸出電流Iqut恒定。它形成了一個負(fù)反饋回路來控制輸入模塊的第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222 (MPC2)的柵極，以使輸入模塊的第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221(MPC1)的漏源電壓VDS和輸出模塊的P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)的漏源電壓VDS匹配。運算放大器226用來實現(xiàn)保持恒定的輸出電流。輸出電壓Vott是由系統(tǒng)設(shè)計和LED的特性決定的，比如由發(fā)光二極管的正向?qū)▔航礦f和內(nèi)部阻抗來決定。當(dāng)輸出電壓Vtot變化，反饋回路響應(yīng)第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222(MPC2)的柵極電壓，然后節(jié)點VDI處的電壓VDI跟隨響應(yīng)，并最終匹配輸出電壓VQUT。因此，第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221 (MPCl)和P溝道型MOS輸出晶體管230 (MPOl)具有相同的電壓偏置，以保持輸出電流1t和參考電流Ikef之間的電流比為常數(shù)。
[0034]參見圖2C，該圖2C展示出了具有三個輸出柵極驅(qū)動單元的LED驅(qū)動電路的具體實施例。與圖2B的實施例相比，本實施例的第三級輸出柵驅(qū)動單元254被添加。三個輸出柵極驅(qū)動單元一起與運算放大器246用作電壓調(diào)節(jié)器，也就是用作調(diào)節(jié)器模塊255。
[0035]參見圖2C，本實施例的LED驅(qū)動電路包括一個輸入模塊、一個調(diào)節(jié)器模塊255和一個輸出模塊，調(diào)節(jié)器模塊255包括一個運算放大器246和三個輸出柵極驅(qū)動單兀,該三個輸出柵極驅(qū)動單元分別為第一輸出柵極驅(qū)動單元、第二輸出柵極驅(qū)動單元和第三級輸出柵驅(qū)動單元254，每一個輸出柵極驅(qū)動單元都包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管。圖2 C中的輸入模塊也包括兩個級聯(lián)的P溝道型MOS晶體管，即一個名為MPCl的第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241和一個名為MPC2的第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242。輸出模塊包括一個名為MPOl的P溝道型MOS輸出晶體管253。運算放大器246也是直流耦合的高增益電壓放大器，并且也具有差分輸入和通常的單端輸出；該運算放大器246的差分輸入包括一個同相輸入端V+和一個反相輸入端V-。第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241 (MPCl)的漏極被連接到第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242 (MPC2)的源極，以形成節(jié)點VDI。節(jié)點VDI又連接到運算放大器246的反相輸入端V-。運算放大器246的同相輸入端V+被連接到P溝道型MOS輸出晶體管253(MPOl)的漏極。
[0036]參見圖2C，圖2 C中的第一輸出柵極驅(qū)動單元包括第一 P溝道型MOS晶體管243(MPR1)、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管244 (MPR3)和一個N溝道型MOS晶體管245 (MNR1);第二輸出柵極驅(qū)動單元也包括第一 P溝道型MOS晶體管247 (MPR2)、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管248 (MPR4)和一個N溝道型MOS晶體管249 (MNR2)；第三級輸出柵驅(qū)動單元254也包括第一 P溝道型MOS晶體管250(MPR2')、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管251 (MPRf )和一個N溝道型MOS晶體管252 (麗R2 ^ );所有三個源極跟隨器即三個第二 P溝道型MOS晶體管244 (MPR3)、248 (MPR4)和251 (MPR4/ )擁有共同的柵極，共同的柵極節(jié)點是VGP，該共同的柵極節(jié)點VGP作為輸入，并且連接到參考電流Ikef。兩個第二 P溝道型MOS晶體管248 (MPR4)和251 (MPR4/ )還共用一個公共源極節(jié)點VG0。在本實施例中，被加入的源極跟隨器是被作為電壓緩沖器來隔離節(jié)點VGP和節(jié)點VGO。節(jié)點VGP處有一個小的參考電流IKEF，而節(jié)點VGO處有一個大的電容。
[0037]參見圖2C，在左手側(cè)，也被稱為驅(qū)動側(cè)，或輸入端，有兩個第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241 (MPCl)和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242 (MPC2)。在右手側(cè)，或者輸出側(cè)，有一個P溝道型MOS輸出晶體管253 (MPOl)0中間的就是調(diào)節(jié)器模塊255，用于保持恒定的內(nèi)部電壓。
[0038]參見圖2C，P溝道型MOS輸出晶體管253(MP01)的漏極上的電壓為輸出電壓VQUT，電流為輸出電流Iqut。運算放大器246的輸出端被連接到第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242 (MPC2)的柵極，即節(jié)點VGI1。運算放大器246是用來維持節(jié)點VDI處的電壓VDI和輸出電壓Vqut在相同的值。運算放大器246輸出端的輸出電壓VGIl由下式給出:
Vopamp_out = VGIl = Aol * (V+ - V-) = Aol * (Vout - VDI)
其中Kil為運算放大器246的開環(huán)增益，Vopamp out和VGIl為運算放大器246輸出端的輸出電壓，V+和V-分別是運算放大器246同相輸入端和反相輸入端的電壓，Vtot是輸出電壓，VDI是節(jié)點VDI處的電壓。
[0039]參見圖2C，兩個第一 P溝道型MOS晶體管247 (MPR2)和250 (MPR2’)的漏極被電連接到節(jié)點VG0。節(jié)點VGO還被電連接到輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管253(MP01)的柵極。如上所述，節(jié)點VGO還被電連接到兩個第二 P溝道型MOS晶體管248 (MPR4)和251 (MPR4/ )的共同源極。另一個第一 P溝道型MOS晶體管243 (MPRl)的漏極被電連接到輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241 (MPCl)的柵極和另一個第二 P溝道型MOS晶體管244 ( MPR3 )的源極，形成節(jié)點VGI。三個第一 P溝道型MOS晶體管243 (MPR1)、
247(MPR2)和250 (MPR2 ’)的柵極以電子方式連接，但是其中兩個第一 P溝道型MOS晶體管247 (MPR2)和250 (MPR2 ’)的柵極通過一個開關(guān)管隔開，該開關(guān)管是由PWM控制。偏置電壓BIASP被施加到三個第一 P溝道型MOS晶體管243 (MPRl),247 (MPR2)和250 (MPR2’)的公共柵極，用開關(guān)管來控制分離偏置BIASP和第一 P溝道型MOS晶體管250 (MPR2 ’ )的柵極。
[0040]參見圖2C,三個 N 溝道型 MOS 晶體管 245 (MNRl ),249 (MNR2 )和邪2 (MNR2 ’ )共用一個公共漏極并接地。兩個N溝道型MOS晶體管249 ( MNR2 )和252 ( MNR2 ’)也都有一個共同的柵極，然后該共同的柵極被連接到輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW，并且N溝道型MOS晶體管252 (MNR2 ’)的柵極和和輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW通過一個開關(guān)管隔開，該開關(guān)管也是由PWM控制。N溝道型MOS晶體管245 (MNRl)的源極被連接到第二 P溝道型MOS晶體管244 (MPR3)的漏極。N溝道型MOS晶體管245 (MNR1)的柵極被連接到一個內(nèi)部偏壓使能開關(guān)BIAS_SW。另一個N溝道型MOS晶體管249 (MNR2)的源極被連接到另一個第二 P溝道型MOS晶體管248 (MPR4)的漏極。還有一個N溝道型MOS晶體管252 (MNR2’)的源極被連接到第二 P溝道型MOS晶體管251 (MPR4 ’ )的漏極。
[0041]參見圖2C，參考電流Ikef驅(qū)動源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管244(MPR3)、
248(MPR4)和251 (MPR4/ )的柵極VGP。源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管之柵極VGP處的電容比P溝道型MOS輸出晶體管253 (MPOl)之柵極VGO處的電容小得多。源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管244 (MPR3)、248 (MPR4)和251 (MPR4/ )驅(qū)動P溝道型MOS輸出晶體管253 (MPOl)的柵極VG0。因此，節(jié)點VGP和節(jié)點VGO之間的電壓差為一常數(shù)，是恒定的，即VGP-VGO =常數(shù)，這種結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個電流鏡，其中VGP為節(jié)點VGP處的電壓，VGO為節(jié)點VGO處的電壓。
[0042]參見圖2C，類似于圖2B，I；和/或Tf可以通過數(shù)字化地改變偏置電流、偏置電路BIASP或改變源極跟隨器的尺寸進(jìn)行調(diào)整。運算放大器246用來形成負(fù)反饋環(huán)路以控制第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242 (MPC2)的柵極，以使第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241(MPCl)的漏源電壓VDS匹配P溝道型MOS輸出晶體管253 (MP01)的漏源電壓VDS。輸出電SVott的變化被消除，并且作為其結(jié)果，輸出電流1tt的變化也消除了。源極跟隨器即第二 P溝道型MOS晶體管244 (MPR3)、248 (MPR4)和251 (MPR4/ )，以及參考電流Ikef將被精心選擇以確保節(jié)點VGI處的電壓和節(jié)點VGP處的電壓在使用之前是穩(wěn)定的。
[0043]參見圖2C，正常運行期間的電流輸出導(dǎo)通。內(nèi)部偏壓使能開關(guān)BIAS_SW和輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW均處于高邏輯。偏置電壓VGI和VGP由調(diào)節(jié)器模塊255左側(cè)的輸入模塊之參考電流IREF產(chǎn)生。同時偏置電壓VGP也驅(qū)動調(diào)節(jié)器模塊255右側(cè)的輸出模塊并且產(chǎn)生輸出電壓VG0。輸出電壓VGO和偏置電壓VGI有相同的電壓。小的參考電流與P溝道型MOS輸出晶體管的柵極大電容相隔離。調(diào)節(jié)器模塊右側(cè)的輸出模塊是可以進(jìn)行數(shù)字設(shè)置的。相應(yīng)地，P溝道型MOS輸出晶體管之柵極VGO的切換時間也是可控的，輸出電流的開啟時間也可以進(jìn)行數(shù)字設(shè)置。
[0044]參見圖2B和圖2C，偏置電壓BIASP通過模擬的方式控制輸出電流的開啟時間。偏置電壓BIASP變化，流過調(diào)節(jié)器模塊的電流相應(yīng)地變化，因此影響P溝道型MOS輸出晶體管之柵極VGO的切換時間和輸出電流的開啟時間。
[0045]參見圖2C，與圖2B相似，運算放大器246使輸出電流保持恒定。輸出電壓Vqut是由系統(tǒng)設(shè)計和LED的特性決定的，比如由發(fā)光二極管的正向?qū)▔航礦f和內(nèi)部阻抗來決定。當(dāng)輸出電壓Vqut變化，運算放大器246的反饋環(huán)路會響應(yīng)到第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管242 (MPCl)的柵極電壓，節(jié)點VDI處的電壓VDI則會跟隨輸出電壓Vqut達(dá)到匹配。因此，第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管241 (MPCl)和P溝道型MOS輸出晶體管253 (MPOl)有相同的電壓偏置，以保證輸出電流1tt和參考電流Ikef之間的電流比例恒定。
[0046]另一方面，在圖2B中，通道打開(輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW轉(zhuǎn)向高電壓)之后，節(jié)點VGIUVGO和VGP處的電壓開始向目標(biāo)值切換。在圖2C中，當(dāng)內(nèi)部偏壓使能開關(guān)BIAS_SW開啟之后，節(jié)點VGP和VGI處的電壓開始切換。在節(jié)點VGP和VGI處的電壓穩(wěn)定之后，輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW開啟，P溝道型MOS輸出晶體管之柵極VGO跟隨輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW開啟。由于P溝道型MOS輸出晶體管之柵極VGO響應(yīng)更快并且較小依賴于參考電流IKEF，所以節(jié)點VGP處的電壓在輸出使能開關(guān)0UTPUT_SW開啟之前就穩(wěn)定了。
[0047]如前所述，圖3進(jìn)一步舉例闡明本發(fā)明的解決方案。參見圖2C和圖3，為了減小功耗，當(dāng)PWM關(guān)斷的時候，沒有輸出電流，所以通過關(guān)斷三個N溝道型MOS晶體管245 (MNRl)、
249(MNR2)和252 (MNR2丨)，則調(diào)節(jié)器模塊255也被關(guān)斷。在LED顯示系統(tǒng)中，行掃描之間存在一段關(guān)斷狀態(tài)的死區(qū)時間，死區(qū)時間被用來消除重影之類的不良現(xiàn)象。前面提到死區(qū)時間內(nèi)N溝道型MOS晶體管245 (MNRl)開啟用來恢復(fù)調(diào)節(jié)器模塊255的偏置電壓VGl和VGP。此外，小的PWM調(diào)光設(shè)置或者黑色顯示屏，使得內(nèi)部功耗變得更小。
[0048]本發(fā)明還提供一種運行LED驅(qū)動電路的方法，包括以下步驟:給輸入模塊提供參考電流；使用電壓調(diào)節(jié)器控制輸入模塊和輸出模塊之間的電壓差，使之保持大體上恒定；并且生成恒定的輸出電流。所述電壓調(diào)節(jié)器包括一個運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元。所述輸出柵驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、用于保持一個恒定電壓的源極跟隨器和一個N溝道型MOS晶體管。所述源極跟隨器是一個P溝道型MOS晶體管。
[0049]該運行LED驅(qū)動電路的方法是用所述參考電流驅(qū)動所述源極跟隨器；接入內(nèi)部偏置電路；接通輸出開關(guān)；給所述源極跟隨器提供偏置電壓；并且生成輸出電流。
[0050]參見圖2A至圖2C，本發(fā)明還提供一種LED顯示系統(tǒng)，包括LED驅(qū)動電路和LED顯示屏(圖中未畫出)；所述驅(qū)動電路包括輸入模塊201、調(diào)節(jié)器模塊205、232、255和輸出模塊206 ;調(diào)節(jié)器模塊205、232、255用于保持恒定的內(nèi)部電壓；輸出模塊206用于產(chǎn)生各輸出信號；其中所述輸入模塊201連接到所述調(diào)節(jié)器模塊205、232、255，而該調(diào)節(jié)器模塊205、232、255則連接到所述輸出模塊206 ;所述調(diào)節(jié)器模塊205、232、255包括運算放大器207、226、246和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元；所述運算放大器207、226、246包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端。該運算放大器207、226、246的反相輸入端連接到輸入模塊201，而該運算放大器207、226、246的輸出端也連接到輸入模塊201，該運算放大器207、226、246的同相輸入端則連接到所述輸出模塊206 ;各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。所述驅(qū)動電路提供恒定的輸出電流來驅(qū)動LED顯示屏。
[0051]所述LED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陰極結(jié)構(gòu)?；蛘呤牵鯨ED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陽極結(jié)構(gòu)。
[0052]所述輸入模塊201包括第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管221、241和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管222、242 ;所述輸出模塊206包括P溝道型MOS輸出晶體管230、253 ;每一個所述輸出柵極驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管；其中各第二 P溝道型MOS晶體管有共同的柵極；所述運算放大器226、246的輸出端連接到所述輸入模塊201之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的柵極，所述運算放大器226、246的反相輸入端連接到所述輸入模塊201之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的漏極和所述輸入模塊201之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的源極，所述運算放大器226、246的同相輸入端連接到所述輸出模塊206之P溝道型MOS輸出晶體管230、253的漏極。
[0053]本發(fā)明中的許多創(chuàng)新和其實施例將會影響本領(lǐng)域技術(shù)人員的想法，他們會在之前的描述和關(guān)聯(lián)附圖中呈現(xiàn)的教導(dǎo)中獲益。例如，驅(qū)動電路既可以用于驅(qū)動共陰極又可以驅(qū)動共陽極結(jié)構(gòu)的LED陣列。在共陽極結(jié)構(gòu)中，各LED的陽極通過一個開關(guān)被連接到一起再接到電流輸出驅(qū)動來節(jié)省功耗，所有的LED都被連接到同一個電源或者同一個電壓。同樣，共陰極結(jié)構(gòu)中，各LED的陰極通過一個開關(guān)被連接到一起再接到電流輸出驅(qū)動來節(jié)省功耗。更多的共陰極結(jié)構(gòu)和共陽極結(jié)構(gòu)的技術(shù)可以參考申請?zhí)枮?3/237,960，名稱為LED顯示系統(tǒng)(LED Display System),申請日是2011年9月21日的美國專利申請。
[0054]更進(jìn)一步，在LED陣列可以是單色LED或RGB (紅綠藍(lán))或任何其他形式。驅(qū)動電路可以放大或縮小，以驅(qū)動不同尺寸的LED陣列。多個驅(qū)動電路可用于驅(qū)動一個LED顯示系統(tǒng)中的多個LED陣列。驅(qū)動電路組件可以被集成在一個芯片，或多個芯片或PCB板上。本發(fā)明包括這樣的創(chuàng)新，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不只限于所展示的具體實施例，這些創(chuàng)新和實施例旨在說明他們被包括在本發(fā)明所述的范圍之內(nèi)。
[0055]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制；應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍；因此，凡跟本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的等同變換與修飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LED驅(qū)動電路，其特征在于包括: 輸入模塊； 調(diào)節(jié)器模塊，用于保持恒定的內(nèi)部電壓； 輸出模塊，用于產(chǎn)生各輸出信號，其中 所述輸入模塊連接到所述調(diào)節(jié)器模塊，而該調(diào)節(jié)器模塊則連接到所述輸出模塊； 所述調(diào)節(jié)器模塊包括運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元； 所述運算放大器包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端；該運算放大器的反相輸入端連接到輸入模塊，而該運算放大器的輸出端也連接到輸入模塊，該運算放大器的同相輸入端則連接到所述輸出模塊； 各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于: 所述輸入模塊包括第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于: 所述輸出模塊包括P溝道型MOS輸出晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于: 所述調(diào)節(jié)器模塊之輸出柵極驅(qū)動單元為兩個，分別為第一輸出柵極驅(qū)動單元和第二輸出柵極驅(qū)動單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于: 所述第一輸出柵極驅(qū)動單元包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管； 所述第二輸出柵極驅(qū)動單元包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管； 其中兩個第二 P溝道型MOS晶體管有共同的柵極，兩個第二 P溝道型MOS晶體管還有共同的源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于: 所述運算放大器的輸出端連接到所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的柵極，所述運算放大器的反相輸入端連接到所述輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的漏極和所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的源極，所述運算放大器的同相輸入端連接到所述輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管的漏極。
7.一種運行LED驅(qū)動電路的方法；其特征在于包括以下步驟: 給輸入模塊提供參考電流； 使用電壓調(diào)節(jié)器控制輸入模塊和輸出模塊之間的電壓差，使之保持大體上恒定；并且 生成恒定的輸出電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的運行LED驅(qū)動電路的方法，其特征在于: 所述電壓調(diào)節(jié)器包括一個運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的運行LED驅(qū)動電路的方法，其特征在于: 所述輸出柵驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、用于保持一個恒定電壓的源極跟隨器和一個N溝道型MOS晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的運行LED驅(qū)動電路的方法，其特征在于: 所述源極跟隨器是一個P溝道型MOS晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的運行LED驅(qū)動電路的方法，其特征在于: 用所述參考電流驅(qū)動所述源極跟隨器； 接入內(nèi)部偏置電路； 接通輸出開關(guān)； 給所述源極跟隨器提供偏置電壓；并且 生成輸出電流。
12.—種LED顯示系統(tǒng)，包括LED驅(qū)動電路和LED顯示屏；其特征在于: 所述驅(qū)動電路包括: 輸入模塊； 調(diào)節(jié)器模塊，用于保持恒定的內(nèi)部電壓； 輸出模塊，用于產(chǎn)生各輸出信號，其中 所述輸入模塊連接到所述調(diào)節(jié)器模塊，而該調(diào)節(jié)器模塊則連接到所述輸出模塊； 所述調(diào)節(jié)器模塊包括運算放大器和至少兩個輸出柵極驅(qū)動單元； 所述運算放大器包括反相輸入端、同相輸入端和輸出端；該運算放大器的反相輸入端連接到輸入模塊，而該運算放大器的輸出端也連接到輸入模塊，該運算放大器的同相輸入端則連接到所述輸出模塊； 各輸出柵極驅(qū)動單元更進(jìn)一步地包括用于保持恒定電壓的源極跟隨器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED顯示系統(tǒng)，其特征在于: 所述LED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陰極結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED顯示系統(tǒng)，其特征在于: 所述LED顯示屏包括LED陣列，其中各LED被設(shè)置為共陽極結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14之任一項所述的LED顯示系統(tǒng)，其特征在于: 所述輸入模塊包括第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管和第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管；所述輸出模塊包括P溝道型MOS輸出晶體管；每一個所述輸出柵極驅(qū)動單元均包括第一 P溝道型MOS晶體管、作為源極跟隨器的第二 P溝道型MOS晶體管和一個N溝道型MOS晶體管；其中各第二 P溝道型MOS晶體管有共同的柵極；所述運算放大器的輸出端連接到所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的柵極，所述運算放大器的反相輸入端連接到所述輸入模塊之第一 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的漏極和所述輸入模塊之第二 P溝道型MOS級聯(lián)晶體管的源極，所述運算放大器的同相輸入端連接到所述輸出模塊之P溝道型MOS輸出晶體管的漏極。
【文檔編號】G09G3/32GK104333948SQ201410527105
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月18日
【發(fā)明者】李紅化, 湯尚寬, 張漪
申請人:廣州硅芯電子科技有限公司