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像素驅(qū)動電路及顯示裝置制造方法

文檔序號:2555109閱讀:182來源:國知局
像素驅(qū)動電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種像素驅(qū)動電路及顯示裝置,其中,像素驅(qū)動電路包括:驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)管~第四開關(guān)管及存儲電容。驅(qū)動方法包括:對存儲電容充電;對存儲電容放電,使存儲電容兩端的電壓具有電壓差;改變數(shù)據(jù)電壓,以使存儲電容兩端的電壓產(chǎn)生與數(shù)據(jù)電壓相同的變化;驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。上述驅(qū)動電路實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償,進(jìn)而抵消了閾值電壓對有機(jī)發(fā)光二極管的工作電流的影響,徹底解決了不同像素點(diǎn)的驅(qū)動晶體管閾值電壓不一致造成像素點(diǎn)亮度不均一的問題,提高了顯示裝置的畫面顯示效果。
【專利說明】像素驅(qū)動電路及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種像素驅(qū)動電路及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極 管)顯示裝置以其制作工藝簡單、產(chǎn)品更輕薄、發(fā)光亮度高、響應(yīng)速度快、成本低、工作溫度 低等優(yōu)點(diǎn),成為目前主流的顯示技術(shù)之一。
[0003] 根據(jù)驅(qū)動方式的不同,0LED顯示裝置可分為:PMOLED (Passive Matrix Organic Light Emission Display,無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置)和AMOLED (Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置)兩種。相對于 PM0LED,AMOLED的響應(yīng)速度更快,且可滿足各種尺寸顯示裝置的需求,很多企業(yè)將關(guān)注點(diǎn)更 多的集中在AMOLED上。
[0004] 2T1C像素驅(qū)動電路作為一種原始的AMOLED的像素驅(qū)動電路,其結(jié)構(gòu)如圖1所示, 包括:驅(qū)動晶體管DTFT、開關(guān)晶體管T、有機(jī)發(fā)光二極管0LED、及電容Cs。當(dāng)對某一行進(jìn)行 掃描時(shí),掃描電壓Vscan為低電位,開關(guān)晶體管T導(dǎo)通,數(shù)據(jù)電壓Vdata對存儲電容Cs充電; 當(dāng)該行掃描結(jié)束后,掃描電壓Vscan變?yōu)楦唠娢唬_關(guān)晶體管T關(guān)斷,存儲電容Cs放電,使 驅(qū)動晶體管DTFT處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),產(chǎn)生電流來驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管0LED,從而保證了有 機(jī)發(fā)光二極管0LED在一巾貞趣面內(nèi)持續(xù)發(fā)光。
[0005] 根據(jù)晶體管的漏電流計(jì)算公式可知,有機(jī)發(fā)光二極管0LED的工作電流IMD滿足下 述公式:I_ = K(Ves-Vth)2,其中,Ves為驅(qū)動晶體管DTFT的柵極與源極之間的電壓差,V th為 驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓。由于不同TFT工藝制程的差異性和長時(shí)間加壓、高溫導(dǎo)致器 件老化等原因,各像素點(diǎn)的驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓V th會漂移,導(dǎo)致流過各像素點(diǎn)的有 機(jī)發(fā)光二極管0LED的電流(即工作電流1_)因閾值電壓Vth的漂移而變得不一致,顯示裝 置各像素點(diǎn)的亮度有所差異,最終影響整個(gè)畫面的顯示效果。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 本實(shí)用新型提供一種像素驅(qū)動電路及顯示裝置,以提高顯示裝置各像素點(diǎn)亮度的 均勻性,改善畫面顯示效果。
[0007] 為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0008] -種像素驅(qū)動電路,包括:驅(qū)動晶體管和與所述驅(qū)動晶體管相連的有機(jī)發(fā)光二極 管,所述像素驅(qū)動電路還包括:與所述驅(qū)動晶體管相連的第一開關(guān)管,所述第一開關(guān)管受控 于第一掃描信號,且與電源電壓相連;與所述驅(qū)動晶體管相連的存儲電容;與所述存儲電 容相連的第二開關(guān)管,所述第二開關(guān)管受控于第二掃描信號,且與數(shù)據(jù)電壓相連;連接于所 述驅(qū)動晶體管和所述第一開關(guān)管的公共端與所述驅(qū)動晶體管和所述存儲電容的公共端之 間的第三開關(guān)管,所述第三開關(guān)管受控于第三掃描信號;與所述驅(qū)動晶體管和所述有機(jī)發(fā) 光二極管的公共端相連的第四開關(guān)管,所述第四開關(guān)管受控于所述第三掃描信號,且所述 第四開關(guān)管接地。
[0009] 優(yōu)選的,所述第一開關(guān)管的控制端與所述第一掃描信號相連,輸入端與所述電源 電壓相連,輸出端與所述驅(qū)動晶體管的輸入端相連;所述第二開關(guān)管的控制端與所述第二 掃描信號相連,輸入端與所述數(shù)據(jù)電壓相連,輸出端與所述存儲電容的第一端相連;所述存 儲電容的第二端與所述驅(qū)動晶體管的控制端相連;所述第三開關(guān)管的控制端與所述第三掃 描信號相連,輸入端與所述驅(qū)動晶體管和所述第一開關(guān)管的公共端相連,輸出端與所述驅(qū) 動晶體管和所述存儲電容的公共端相連;所述第四開關(guān)管的控制端與所述第三掃描信號相 連,輸入端與所述驅(qū)動晶體管和所述有機(jī)發(fā)光二極管的公共端相連,輸出端接地。
[0010] 優(yōu)選的,當(dāng)所述第一開關(guān)管與所述第二開關(guān)管的類型相同時(shí),所述第一掃描信號 與所述第二掃描信號不相同,所述第一開關(guān)管與所述第二開關(guān)管連接不同的掃描線。
[0011] 優(yōu)選的,所述驅(qū)動晶體管、所述第一開關(guān)管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和 所述第四開關(guān)管的類型均為N型。
[0012] 優(yōu)選的,當(dāng)所述第一開關(guān)管與所述第二開關(guān)管的類型不相同時(shí),所述第一掃描信 號與所述第二掃描信號相同,所述第一開關(guān)管與所述第二開關(guān)管連接同一條掃描線。
[0013] 優(yōu)選的,所述驅(qū)動晶體管、所述第一開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的 類型均為N型,所述第二開關(guān)管的類型為P型;或者,所述驅(qū)動晶體管、所述第二開關(guān)管、所 述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的類型均為N型,所述第一開關(guān)管的類型為P型。
[0014] 本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括以上所述的像素驅(qū)動電路。
[0015] 本實(shí)用新型所提供的像素驅(qū)動電路及顯示裝置中,驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管、第 一開關(guān)管?第四開關(guān)管及存儲電容。在驅(qū)動該電路時(shí),首先通過對存儲電容充電和放電,使 存儲電容的兩端具有電壓差,然后使數(shù)據(jù)電壓發(fā)生跳變,即存儲電容一端的電壓跳變,由于 電容的自舉效應(yīng),存儲電容會維持原來的電壓差不變,從而使存儲電容的另一端(即與驅(qū) 動晶體管相連的一端)的電壓產(chǎn)生相同的跳變,實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓進(jìn)行閾值 電壓的補(bǔ)償,進(jìn)而抵消了閾值電壓對有機(jī)發(fā)光二極管的工作電流的影響,徹底解決了不同 像素點(diǎn)的驅(qū)動晶體管閾值電壓不一致造成像素點(diǎn)亮度不均一的問題,提高了顯示裝置的畫 面顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅 是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提 下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0017] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0018] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0019] 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路在充電階段的電流走向圖;
[0020] 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路在放電階段的電流走向圖;
[0021] 圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路在補(bǔ)償階段的電流走向圖;
[0022] 圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路在發(fā)光階段的電流走向圖;
[0023] 圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例_所提供的像素驅(qū)動電路對應(yīng)的一種驅(qū)動時(shí)序圖;
[0024] 圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例三所提供的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖;
[0025] 圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路對應(yīng)的一種驅(qū)動時(shí)序圖;
[0026] 圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動電路對應(yīng)的另一種驅(qū)動時(shí)序圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面將結(jié)合本實(shí)用 新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所 描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中 的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實(shí)施 例,均屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028] 實(shí)施例一
[0029] 本實(shí)施例提供了一種像素驅(qū)動電路,包括:驅(qū)動晶體管和與驅(qū)動晶體管相連的有 機(jī)發(fā)光二極管,上述像素驅(qū)動電路還包括:與驅(qū)動晶體管相連的第一開關(guān)管,第一開關(guān)管受 控于第一掃描信號,且與電源電壓相連;與驅(qū)動晶體管相連的存儲電容;與存儲電容相連 的第二開關(guān)管,第二開關(guān)管受控于第二掃描信號,且與數(shù)據(jù)電壓相連;連接于驅(qū)動晶體管和 第一開關(guān)管的公共端與驅(qū)動晶體管和存儲電容的公共端之間的第三開關(guān)管,第三開關(guān)管受 控于第三掃描信號;與驅(qū)動晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的公共端相連的第四開關(guān)管,第四開 關(guān)管受控于第三掃描信號,且第四開關(guān)管接地。
[0030] 上述像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法為:對存儲電容充電;對存儲電容放電,使存儲電 容兩端的電壓具有電壓差;改變數(shù)據(jù)電壓,以使存儲電容兩端的電壓產(chǎn)生與數(shù)據(jù)電壓相同 的變化;驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
[0031] 本實(shí)施所提供的像素驅(qū)動電路中,驅(qū)動電路包括具有上述連接關(guān)系的驅(qū)動晶體 管、第一開關(guān)管?第四開關(guān)管及存儲電容,其中,第一開關(guān)管接收第一掃描信號和電源電 壓,第二開關(guān)管接收第二掃描信號,第三開關(guān)管接收第三掃描信號和數(shù)據(jù)電壓,第四開關(guān)管 接收第三掃描信號。驅(qū)動時(shí),通過使第一開關(guān)管?第四開關(guān)管進(jìn)行相應(yīng)的導(dǎo)通和關(guān)斷動作, 控制存儲電容先充電、再放電,使存儲電容具有電壓差,然后對輸入第二開關(guān)管的數(shù)據(jù)電壓 施加跳變信號,利用電容的自舉效應(yīng),使存儲電容與驅(qū)動晶體管相連的一端的電壓產(chǎn)生相 同的跳變,從而實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償,抵消了閾值電壓對 有機(jī)發(fā)光二極管的工作電流的影響,提高了不同像素點(diǎn)的驅(qū)動晶體管閾值電壓的均一性, 極大地改善了畫面顯示效果。
[0032] 實(shí)施例二
[0033] 基于實(shí)施例一,本實(shí)施例具體提供了一種像素驅(qū)動電路,如圖2所示,該電路包 括:有機(jī)發(fā)光二極管0LED、驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管 T3、第四開關(guān)管T4和存儲電容Cs。
[0034] 上述各元件之間的連接關(guān)系與實(shí)施例一中所述的像素驅(qū)動電路相同,更具體的連 接關(guān)系優(yōu)選的可如以下所述:
[0035] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED與驅(qū)動晶體管DTFT的輸出端相連。
[0036] 第一開關(guān)管T1的控制端與第一掃描信號Vscanl相連,輸入端與電源電壓Vdd相 連,輸出端與驅(qū)動晶體管DTFT的輸入端相連。
[0037] 第二開關(guān)管T2的控制端與第二掃描信號Vscan2相連,輸入端與數(shù)據(jù)電壓Vdata 相連,輸出端與存儲電容Cs的第一端相連。
[0038] 存儲電容Cs的第二端與驅(qū)動晶體管DTFT的控制端相連。
[0039] 第三開關(guān)管T3的控制端與第三掃描信號Vscan3相連,輸入端與驅(qū)動晶體管DTFT 和第一開關(guān)管T1的公共端相連,輸出端與驅(qū)動晶體管DTFT和存儲電容Cs的公共端相連。
[0040] 第四開關(guān)管T4的控制端與第三掃描信號Vscan3相連,輸入端與驅(qū)動晶體管DTFT 和有機(jī)發(fā)光二極管0LED的公共端相連,輸出端接地。
[0041] 需要說明的是,本實(shí)施例中所述的控制端例如可為柵極,輸入端例如可為源極,輸 出端例如可為漏極。
[0042] 上述電路的驅(qū)動方法與實(shí)施例一中所提供的驅(qū)動方法相同,下面為該驅(qū)動方法的 各步驟提供一種具體的實(shí)現(xiàn)方式:
[0043] 步驟S1 :充電階段:導(dǎo)通第一開關(guān)管T1、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4,關(guān)斷第 二開關(guān)管T2,以使存儲電容Cs與驅(qū)動晶體管DTFT和第三開關(guān)管T3的公共端相連的一端的 電壓充電至電源電壓Vdd。
[0044] 稱存儲電容Cs與驅(qū)動晶體管DTFT和第三開關(guān)管T3的公共端相連的一端為A端, 存儲電容Cs與第二開關(guān)管T2相連的一端為B端。
[0045] 上述階段中,電流的流向如圖3所示,電流由第一開關(guān)管T1,經(jīng)過第三開關(guān)管T3, 存儲在存儲電容Cs中,存儲電容Cs的A端的電壓升高,直至升高為電源電壓Vdd,充電階段 結(jié)束。
[0046] 步驟S2 :放電階段:導(dǎo)通第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4,關(guān)斷第 一開關(guān)管T1,以對存儲電容Cs與驅(qū)動晶體管DTFT和第三開關(guān)管T3的公共端相連的一端的 電壓放電至驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth,且使存儲電容Cs與第二開關(guān)管T2相連的一 端的電壓為數(shù)據(jù)電壓Vdata。
[0047] 關(guān)斷第一開關(guān)管T1后,存儲電容Cs放電,電流由存儲電容Cs,流經(jīng)第三開關(guān)管 T3、驅(qū)動晶體管DTFT和第四開關(guān)管T4被釋放,存儲電容Cs的A端的電壓由原來的電源電 壓Vdd變?yōu)殚撝惦妷篤th。
[0048] 導(dǎo)通第二開關(guān)管T2后,電流由第二開關(guān)管T2流向存儲電容Cs,存儲電容Cs的B 端的電壓變?yōu)閿?shù)據(jù)電壓Vdata,從而存儲電容Cs的A端與B端具有電壓差:Vth_Vdata。
[0049] 上述階段中,電流的流向如圖4所示。
[0050] 步驟S3 :補(bǔ)償階段:導(dǎo)通第二開關(guān)管T2,關(guān)斷第一開關(guān)管T1、第三開關(guān)管T3和第 四開關(guān)管T4,向數(shù)據(jù)電壓Vdata施加跳變信號AVdata,以使存儲電容Cs與驅(qū)動晶體管 DTFT和第三開關(guān)管T3的公共端相連的一端的電壓變?yōu)轵?qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth與 跳變信號Λ Vdata疊加的電壓,且使存儲電容Cs與第二開關(guān)管T2相連的一端的電壓變?yōu)?數(shù)據(jù)電壓Vdata與跳變信號Λ Vdata疊加的電壓。
[0051 ] 關(guān)斷第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4、向數(shù)據(jù)電壓Vdata施加跳變信號Λ Vdata 后,電流的流向如圖5所示,電流經(jīng)第二開關(guān)管T2流向存儲電容Cs,使存儲電容Cs的B端 的電壓跳變?yōu)閂data+ Λ Vdata。由于電容存在自舉效應(yīng),即電容一端的電壓發(fā)生變化后,為 維持兩端之間原來的電勢差不變,電容的另一端的電壓會產(chǎn)生相同的變化,因此,本階段中 為保持存儲電容Cs的A端與B段之間的電勢差(即Vth-Vdata)不變,在B端的電壓跳變?yōu)?Vdata+Δ Vdata 后,A 端的電壓會變化為:(Vth-Vdata) + (Vdata+Δ Vdata) = Vth+Δ Vdata。 這相當(dāng)于為驅(qū)動晶體管DTFT的驅(qū)動電壓進(jìn)行了閾值電壓Vth的補(bǔ)償。
[0052] 步驟S4 :發(fā)光階段:導(dǎo)通第一開關(guān)管T1,關(guān)斷第二開關(guān)管T1、第三開關(guān)管T3和第 四開關(guān)管T4,以使驅(qū)動晶體管DTFT驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā)光。
[0053] 在關(guān)斷第二開關(guān)管T2、導(dǎo)通第一開關(guān)管T1后,電流的流向如圖6所示,電流由第一 開關(guān)管T1,經(jīng)過驅(qū)動晶體管DTFT和有機(jī)發(fā)光二極管0LED,從而使有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā) 光。
[0054] 本階段中,驅(qū)動晶體管DTFT控制端的電壓Ve與存儲電容Cs的A端的電壓相同, = Vth+ Λ Vdata,驅(qū)動晶體管DTFT輸入端的電壓Vs = Vdd,則驅(qū)動晶體管DTFT工作時(shí)的 驅(qū)動電壓(即柵極與源極之間的電壓差)Ves = Ve-Vs = Vth+AVdata-Vdd ;根據(jù)0LED的工 作電流 I_ = K(VGS-Vth)2,可得到:I_ = K(Vth+AVdata-Vdd-Vth)2 = K(AVdata-Vdd)2, 可見,在0LED的發(fā)光階段,其工作電流I_D已經(jīng)不受驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth的影 響,因此也就不存在各的像素點(diǎn)驅(qū)動晶體管DTFT的閾值電壓Vth不一致造成的畫面顯示不 均勻的問題。
[0055] 從上述所得到的0LED的工作電流公式:I_ = K (Vth+ Λ Vdata-Vdd_Vth)2 = 1((八¥(1&七&,(1(1)2中可以看出,本實(shí)施例中01^0的工作電流取決于跳變信號八¥(1 &七&,而工 作電流的大小是0LED的發(fā)光亮度的決定因素,因此跳變信號Λ Vdata由0LED需要發(fā)光的 亮度決定。因此,本實(shí)施例中,Λ Vdata可能為正值,也可能為負(fù)值,S卩數(shù)據(jù)電壓Vdata可能 增大,也可能減小,這取決于最終所需要的0LED的發(fā)光亮度。
[0056] 本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路,通過對數(shù)據(jù)電壓Vdata施加跳變信號Λ Vdata, 即在驅(qū)動的不同階段通過信號疊加跳變的方式,實(shí)現(xiàn)對像素的閾值電壓Vth的補(bǔ)償,抵消 了閾值電壓Vth對0LED工作電流的影響,從而提高了各像素點(diǎn)的工作電流的一致性,使得 各像素點(diǎn)的亮度均一,極大地提高的整個(gè)畫面的顯示效果。
[0057] 并且,由本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法中可以看出,在放電階段 (即對存儲電容Cs放電,使存儲電容Cs兩端的電壓具有電壓差)和補(bǔ)償階段(即改變數(shù)據(jù) 電壓Vdata,以使存儲電容Cs兩端的電壓產(chǎn)生與數(shù)據(jù)電壓Vdata相同的變化),無電流流過 有機(jī)發(fā)光二極管0LED,從而減少了有機(jī)發(fā)光二極管0LED持續(xù)發(fā)光的時(shí)間,降低了有機(jī)發(fā)光 二極管0LED持續(xù)發(fā)光時(shí)的持續(xù)加壓和高溫對器件壽命的影響,在一定程度上提高了有機(jī) 發(fā)光二極管0LED的使用壽命。
[0058] 此外,本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路僅包括5個(gè)三極管和一個(gè)電容(即5T1C結(jié) 構(gòu)),這相對于為實(shí)現(xiàn)像素補(bǔ)償所提出的7T1C、7T2C等驅(qū)動電路,結(jié)構(gòu)更加簡單,進(jìn)而像素 開口率更大。
[0059] 需要說明的是,第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)完全相反,因此 若第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2的類型相同,則第一掃描信號Vscanl與第三掃描信號 Vscan2不相同,此時(shí),第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2連接不同的掃描線。
[0060] 本實(shí)施例對驅(qū)動電路中驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開 關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4各自的類型并不限定,可為N型,也可為P型。
[0061] 較為優(yōu)選的是,驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和 第四開關(guān)管T4的類型相同,即上述各元件的結(jié)構(gòu)是相同的,這使得上述各元件能夠在相同 的工藝制程下形成,從而達(dá)到簡化工藝制程的目的。
[0062] 更優(yōu)選的,驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第四 開關(guān)管T4的類型均為N型,以使得驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)更簡單、實(shí)現(xiàn)更容易、性能更優(yōu)良。
[0063] 當(dāng)驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管 T4的類型均為N型時(shí),本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時(shí)序圖優(yōu)選的可如圖7所示, 圖中tl時(shí)段對應(yīng)充電階段,t2時(shí)段對應(yīng)放電階段,t3時(shí)段對應(yīng)補(bǔ)償階段,t4時(shí)段對應(yīng)發(fā)光 階段。
[0064] 具體的,tl時(shí)段中,第一掃描信號Vscanl和第三掃描信號Vscan3為高電位,第一 開關(guān)管T1、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4導(dǎo)通,第二掃描信號Vscan2為低電位,第二開關(guān) 管T2關(guān)斷;第一開關(guān)管T1的輸入端接收電源電壓Vdd,存儲電容Cs的A端充電至電源電 壓 Vdd。
[0065] t2時(shí)段中,第三掃描信號Vscan3仍為高電位,第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4保 持導(dǎo)通狀態(tài),第一掃描信號Vscanl變?yōu)榈碗娢?,第一開關(guān)管T1關(guān)斷,第二掃描信號Vscan2 變?yōu)楦唠娢?,第二開關(guān)管T2導(dǎo)通,存儲電容Cs的A端放電至閾值電壓Vth,B端電壓為數(shù)據(jù) 電壓Vdata。
[0066] T3時(shí)段中,第一掃描信號Vscanl仍為低電位,第一開關(guān)管Tl保持關(guān)斷狀態(tài),第二 掃描信號Vscan2仍為高電位,第二開關(guān)管T2保持導(dǎo)通狀態(tài),第三掃描信號Vscan3變?yōu)榈?電位,第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4關(guān)斷,數(shù)據(jù)電壓Vdata被疊加一跳變信號Λ Vdata,使 存儲電容Cs的B端電壓變?yōu)閂data+ Λ Vdata,A端電壓變?yōu)閂th+ Λ Vdata。
[0067] Τ4時(shí)段中,第三掃描信號Vscan3仍為低電位,第三開關(guān)管Τ3和第四開關(guān)管Τ4保 持關(guān)斷狀態(tài),第一掃描信號Vscanl變?yōu)楦唠娢?,第一開關(guān)管Τ1導(dǎo)通,第二掃描信號Vscan2 變?yōu)榈碗娢?,第二開關(guān)管T2關(guān)斷,驅(qū)動晶體管DTFT驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管0LED發(fā)光。
[0068] 需要指出的是,以上僅以各三極管(即驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān) 管T2、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4)的類型為N型,對各三極管驅(qū)動時(shí)的掃描信號變化 進(jìn)行說明,在本實(shí)用新型的其它實(shí)施例中,還可根據(jù)實(shí)際情況具體選定各三極管的類型,并 相應(yīng)確定各三極管掃描信號的變化情況。
[0069] 實(shí)施例三
[0070] 當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)管與第二開關(guān)管的類型不相同時(shí),第一掃描信號與第二掃描信號相 同,第一開關(guān)管與第二開關(guān)管優(yōu)選的可連接同一條掃描線?;诖?,本實(shí)施例提供了 一種像 素驅(qū)動電路,其結(jié)構(gòu)如圖8所示,第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2與同一條掃描線相連,受 控于同一個(gè)掃描信號。此時(shí),第一開關(guān)管T1的類型可為N型,第二開關(guān)管的類型為P型;或 者第一開關(guān)管T1的類型可為P型,第二開關(guān)管的類型為N型。
[0071] 本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法與實(shí)施例一中所介紹的驅(qū)動方法相 同,在此不再贅述。
[0072] 若上述驅(qū)動晶體管DTFT、第一開關(guān)管T1、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4的類型 均為N型,第二開關(guān)管T2的類型為P型,則本實(shí)施中的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時(shí)序圖如圖9所 示;若上述驅(qū)動晶體管DTFT、第二開關(guān)管T2、第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4的類型均為N 型,第一開關(guān)管T1的類型為P型,則本實(shí)施中的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時(shí)序圖如圖10所示。
[0073] 在上述兩種情況下,輸入第三開關(guān)管T3和第四開關(guān)管T4的第三掃描信號Vscan3 和數(shù)據(jù)電壓Vdata的變化情況與實(shí)施例二中所提到的第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2連接 不同的掃描線時(shí)輸入第三開關(guān)管Τ3和第四開關(guān)管Τ4的第三掃描信號Vscan3和數(shù)據(jù)電壓 Vdata的變化情況相同,輸入第一開關(guān)管T1與第二開關(guān)管T2的掃描信號的變化情況相同, 使得二者的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)完全相反。
[0074] 本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動電路,通過使第一開關(guān)管與第二開關(guān)管的類型不同, 使第一開關(guān)管與第二開關(guān)管能夠由同一條掃描線控制,從而將電路中掃描線的數(shù)量減少為 兩條,進(jìn)一步簡化了電路結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法。
[0075] 實(shí)施例四
[0076] 本實(shí)施例提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括實(shí)施例一?實(shí)施例三所述的像素 驅(qū)動電路。
[0077] 本實(shí)施例所提供的顯示裝置中,在驅(qū)動的不同階段通過信號疊加跳變的方式,實(shí) 現(xiàn)對像素的閾值電壓的補(bǔ)償,抵消了閾值電壓對有機(jī)發(fā)光二極管工作電流的影響,徹底消 除了各像素點(diǎn)的驅(qū)動晶體管閾值電壓不一致造成的各像素點(diǎn)的亮度不均一的問題,提高了 顯示裝置的畫面顯示效果。
[0078] 并且,本實(shí)施例所提供的顯示裝置在工作過程中,放電階段和補(bǔ)償階段無電流流 過有機(jī)發(fā)光二極管,從而減少了有機(jī)發(fā)光二極管持續(xù)發(fā)光的時(shí)間,降低了持續(xù)發(fā)光時(shí)電壓 和高溫對有機(jī)發(fā)光二極管壽命的影響,提高了裝置的使用壽命。
[0079] 以上所述僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于 此,任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化 或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán) 利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素驅(qū)動電路,包括:驅(qū)動晶體管和與所述驅(qū)動晶體管相連的有機(jī)發(fā)光二極 管,其特征在于,所述像素驅(qū)動電路還包括 : 與所述驅(qū)動晶體管相連的第一開關(guān)管,所述第一開關(guān)管受控于第一掃描信號,且與電 源電壓相連; 與所述驅(qū)動晶體管相連的存儲電容; 與所述存儲電容相連的第二開關(guān)管,所述第二開關(guān)管受控于第二掃描信號,且與數(shù)據(jù) 電壓相連; 連接于所述驅(qū)動晶體管和所述第一開關(guān)管的公共端與所述驅(qū)動晶體管和所述存儲電 容的公共端之間的第三開關(guān)管,所述第三開關(guān)管受控于第三掃描信號; 與所述驅(qū)動晶體管和所述有機(jī)發(fā)光二極管的公共端相連的第四開關(guān)管,所述第四開關(guān) 管受控于所述第三掃描信號,且所述第四開關(guān)管接地。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,所述第一開關(guān)管的控制端與所 述第一掃描信號相連,輸入端與所述電源電壓相連,輸出端與所述驅(qū)動晶體管的輸入端相 連; 所述第二開關(guān)管的控制端與所述第二掃描信號相連,輸入端與所述數(shù)據(jù)電壓相連,輸 出端與所述存儲電容的第一端相連; 所述存儲電容的第二端與所述驅(qū)動晶體管的控制端相連; 所述第三開關(guān)管的控制端與所述第三掃描信號相連,輸入端與所述驅(qū)動晶體管和所述 第一開關(guān)管的公共端相連,輸出端與所述驅(qū)動晶體管和所述存儲電容的公共端相連; 所述第四開關(guān)管的控制端與所述第三掃描信號相連,輸入端與所述驅(qū)動晶體管和所述 有機(jī)發(fā)光二極管的公共端相連,輸出端接地。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,當(dāng)所述第一開關(guān)管與所述第二 開關(guān)管的類型相同時(shí),所述第一掃描信號與所述第二掃描信號不相同,所述第一開關(guān)管與 所述第二開關(guān)管連接不同的掃描線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,所述驅(qū)動晶體管、所述第一開關(guān) 管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的類型均為N型。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,當(dāng)所述第一開關(guān)管與所述第二 開關(guān)管的類型不相同時(shí),所述第一掃描信號與所述第二掃描信號相同,所述第一開關(guān)管與 所述第二開關(guān)管連接同一條掃描線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素驅(qū)動電路,其特征在于,所述驅(qū)動晶體管、所述第一開關(guān) 管、所述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的類型均為N型,所述第二開關(guān)管的類型為P型;或 者, 所述驅(qū)動晶體管、所述第二開關(guān)管、所述第三開關(guān)管和所述第四開關(guān)管的類型均為N 型,所述第一開關(guān)管的類型為P型。
7. -種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的像素驅(qū)動電路。
【文檔編號】G09G3/32GK203870950SQ201420303564
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月9日
【發(fā)明者】楊盛際 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
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