具有降低的金屬布線電阻的顯示電路本申請要求于2014年1月8日提交的美國專利申請14/150,458的優(yōu)先權(quán)，其通過引用全文結(jié)合于此。技術(shù)領(lǐng)域本申請總體上涉及電子設(shè)備，并且更具體地，涉及具有顯示器的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
近年來，移動電子設(shè)備已經(jīng)由于其便攜性、多功能性以及使用便利性而變得無比流行起來。雖然存在許多不同類型的電子設(shè)備，，諸如目前市場上可見的智能電話、便攜式音樂/視頻播放器以及平板個人電腦(PC)，但是它們中的大多數(shù)共享一些基本組件。特別地，觸摸傳感器面板、觸摸屏等已經(jīng)能夠用作各種移動電子設(shè)備的輸入設(shè)備。特別地，觸摸屏由于其操作的便利性和多功能性而變得越來越流行。觸摸屏可以包括觸摸傳感器面板，其可以是具有觸摸敏感表面的清晰面板，以及諸如LED面板或OLED面板的顯示設(shè)備，其能夠部分或完全位于觸摸傳感器面板之后而使得觸摸敏感表面能夠覆蓋該顯示設(shè)備的可視區(qū)域的至少一部分。假定典型的移動電子設(shè)備的大小與膝上電腦或臺式計算機(jī)相比相對小，所以經(jīng)常期望使得移動電子設(shè)備的顯示區(qū)域最大化。對于具有觸摸屏的設(shè)備而言，顯示區(qū)域的增大還能夠提供更大的觸摸活動區(qū)域。典型地，電子設(shè)備的顯示/觸摸活動區(qū)域部分或完全地被不活動的邊框區(qū)域所包圍。該邊框區(qū)域通常被保留用于將信號從顯示器和/或觸摸傳感器面板送至該設(shè)備的電路。雖然一些基于觸控的設(shè)備中的邊框區(qū)域與顯示/觸摸活動區(qū)域相比可能已經(jīng)相對很小，然而進(jìn)一步減小邊框區(qū)域?qū)⒂兄谠诓⒉辉黾釉O(shè)備的整體大小的情況下使得可用于設(shè)備的顯示/觸摸活動區(qū)域的空間最大化。因此，將期望能夠提供具有減小的邊框區(qū)域的電子顯示器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
提供了一種具有液晶顯示器的電子設(shè)備。該液晶顯示器可以包括形成于玻璃襯底上的顯示像素電路。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以形成于該玻璃襯底上。鈍化層可以形成于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上(例如，氮化硅鈍化層可以直接形成于薄膜晶體管的柵極導(dǎo)體的頂端)。介電內(nèi)襯(例如，薄氧化硅層)可以形成于氮化物鈍化層上。第一低k(low-k)介電層可以形成于該介電內(nèi)襯上。第二低k介電層可以形成于第一低k介電層上。該第一和第二低k介電層可以由具有基本上相似的折射率的材料形成以使得背光透光率最大化。該顯示器可以包括在該顯示器的活動區(qū)域中以行和列進(jìn)行排列的顯示像素的陣列。該矩陣中的每個顯示像素可以經(jīng)由導(dǎo)電布線路徑耦合至相關(guān)聯(lián)的控制電路。例如，每個顯示像素中的每個薄膜晶體管可以耦合至通往顯示驅(qū)動器的相對應(yīng)數(shù)據(jù)線，通往柵極驅(qū)動器的至少一個相對應(yīng)柵極線，以及通往共用電極(Vcom)驅(qū)動器或相關(guān)聯(lián)的觸摸傳感器/驅(qū)動器的Vcom。將數(shù)據(jù)和柵極線耦合至相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動器電路的導(dǎo)電布線路徑可以形成于該顯示器的非活動邊框區(qū)域中。第一導(dǎo)電布線路徑可以形成于第一低k介電層中的介電內(nèi)襯上。第二導(dǎo)電布線路徑可以形成于第二低k介電層中的第一低k介電層上。Vcom電極和像素存儲電容器電路可以形成于第二低k介電層上。第一和第二導(dǎo)電布線路徑可以表現(xiàn)出基本上相似的薄層電阻。形成于鈍化層之下的TFT柵極導(dǎo)線可以由表現(xiàn)出比分別形成于第一和第二低k介電層中的第一和第二導(dǎo)電布線路徑明顯更大的薄層電阻的耐高溫材料所形成(例如，柵極導(dǎo)電材料可以表現(xiàn)出至少是在形成第一和第二導(dǎo)電布線路徑時所使用的材料的電阻率的兩倍)。在一些布置中，附加TFT柵極導(dǎo)線可以在第一活動顯示區(qū)域中形成于第一低k介電層中以提供有所改進(jìn)的像素尋址能力。在第一低k介電層中使用布線路徑減小了整體布線電阻。這使得能夠使用具有減小的寬度的布線路徑，這提高了顯示器的外部布線能力并且減小了非活動邊框區(qū)域。第一和第二導(dǎo)電布線路徑還可以進(jìn)行交錯(interlace)以幫助減小將驅(qū)動器連接至顯示像素陣列中相關(guān)聯(lián)的行和列控制線的連線的分列間距。減小連線分列間距也能夠有助于減小非活動邊框區(qū)域，由此為了可用性有所提升而使得活動顯示區(qū)域最大化。本發(fā)明另外的特征及其屬性以及各種優(yōu)勢將由于附圖和隨后的詳細(xì)描述而更為明顯。附圖說明圖1是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諸如便攜式計算機(jī)的具有顯示器的說明性電子設(shè)備的圖。圖2是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諸如蜂窩電話或其它手持設(shè)備的具有顯示器的說明性電子設(shè)備的圖。圖3是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諸如平板計算機(jī)的具有顯示器的說明性電子設(shè)備的圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諸如具有內(nèi)建式計算機(jī)的計算機(jī)監(jiān)視器的具有顯示器的說明性電子設(shè)備的圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的截面?zhèn)纫晥D。圖6是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示出可以在操作電子設(shè)備顯示器時使用的電路的電路圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器中的說明性顯示像素的電路圖。圖8示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖6的說明性顯示電路的一部分的放大視圖。圖9是僅包括M2布線結(jié)構(gòu)的常規(guī)顯示像素電路的截面?zhèn)纫晥D。圖10是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的說明性顯示像素電路的截面?zhèn)纫晥D，其包括處于M1柵極結(jié)構(gòu)上方以及M2布線結(jié)構(gòu)下方的附加布線結(jié)構(gòu)。圖11是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的說明性顯示像素電路的截面?zhèn)纫晥D，其包括形成于M1柵極結(jié)構(gòu)上方的附加?xùn)艠O結(jié)構(gòu)。圖12是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有兩個柵極端子的說明性顯示像素的電路圖。圖13是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成圖9和10所示類型的顯示像素結(jié)構(gòu)的說明性步驟的流程圖。具體實(shí)施方式這里涉及到用于減少電子設(shè)備的邊框區(qū)域從而使得該設(shè)備的顯示/交互觸摸區(qū)域最大化的方法和電路。特別地，能夠在常規(guī)的M1和M2金屬布線層之間形成附加的金屬布線結(jié)構(gòu)。該附加金屬布線結(jié)構(gòu)可以表現(xiàn)出與M1金屬布線層中所形成的導(dǎo)線相比明顯更低的電阻。因此，使用附加金屬布線結(jié)構(gòu)能夠幫助減小布線電阻，這使得能夠形成更薄的布線路徑并且使得還結(jié)合形成于M2金屬布線層中的布線結(jié)構(gòu)而支持交錯信號布線。形成更薄的布線連線以及交錯的布線路徑(其減少了連線間距)能夠有助于減小電子設(shè)備上的邊框區(qū)域。圖1示出了可以具有顯示器的一類說明性的電子設(shè)備。電子設(shè)備10可以是計算機(jī)，諸如集成到諸如計算機(jī)監(jiān)視器的顯示器中的計算機(jī)、膝上計算機(jī)、平板計算機(jī)，諸如腕表設(shè)備、吊墜設(shè)備或者其它可佩戴或小型設(shè)備的較小便攜式設(shè)備，蜂窩電話、媒體播放器、平板計算機(jī)、游戲設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、計算機(jī)監(jiān)視器、電視機(jī)或者其它電子設(shè)備。如圖1所示，設(shè)備10可以包括諸如顯示器14的顯示器。顯示器14可以是整合了電容觸摸電極或其它觸摸傳感器組件的觸摸屏，或者可以是并非觸摸敏感的顯示器。顯示器14可以包括由液晶顯示器(LCD)組件或其它適當(dāng)顯示像素結(jié)構(gòu)所形成的圖像像素。使用液晶顯示器像素形成顯示器14的布置有時在這里作為示例進(jìn)行描述。然而，這僅是說明性的。如果期望的話，可以在形成顯示器14時使用任意適當(dāng)類型的顯示技術(shù)。設(shè)備10可以具有諸如外殼12的外殼。有時可以被稱作殼體的外殼12可以由塑料、玻璃、陶瓷、纖維化合物、金屬(例如，不銹鋼、鋁等)、其它適當(dāng)材料或者這些材料中的任意兩種或更多的組合所形成。外殼12可以使用一體成型配置形成，其中外殼12的一些或全部被加工或模塑為單個結(jié)構(gòu)，或者可以使用多個結(jié)構(gòu)來形成(例如，整體框架結(jié)構(gòu)，形成外部外殼表面的一個或多個結(jié)構(gòu)，等等)。如圖1所示，外殼12可以具有多個部分。例如，外殼12可以具有上部12A和下部12B。上部12A可以使用鉸鏈耦合至下部12B，該膠料允許部分12A相對于部分12B繞旋轉(zhuǎn)軸16進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。諸如鍵盤18的鍵盤以及諸如觸摸板20的觸摸板可以被裝配在外殼部分12B中。顯示器14可以具有諸如活動區(qū)域AA的活動區(qū)域以及諸如區(qū)域IA的非活動區(qū)域?；顒訁^(qū)域AA例如可以是處于顯示器14中心的矩形區(qū)域，顯示像素在其中被主動用來為設(shè)備10的用戶顯示圖像。非活動區(qū)域IA可以沒有活動顯示像素。在圖1的示例中，非活動區(qū)域IA具有矩形環(huán)的形狀，其包圍顯示器14的活動區(qū)域AA的外圍。電路和其它組件有時可以形成于非活動區(qū)域IA中。為了隱藏該電路和其它組件不被設(shè)備10的用戶所看到，非活動區(qū)域IA有時可以具有不透明外罩。該不透明外罩可以由諸如黑色有色聚合物材料的不透明材料形成，或者可以由其它顏色的不透明遮蔽材料形成。顯示器14中的不透明遮蔽材料具有黑色外觀的配置有時在這里作為示例進(jìn)行描述。然而，這僅是說明性的，設(shè)備10中的不透明遮蔽層可以具有任意適當(dāng)顏色。在圖2的示例中，設(shè)備10已經(jīng)使用充分小型化以適合用戶拿在手中的外殼進(jìn)行了實(shí)施(例如，圖2的設(shè)備10可以是諸如蜂窩電話的手持電子設(shè)備)。如圖2所示，設(shè)備10可以包括安裝在外殼12前方的諸如顯示器14的顯示器。顯示器14可以基本上被填充以活動顯示像素，或者可以具有非活動部分，諸如包圍諸如活動部分AA的活動部分的非活動部分IA。顯示器14可以具有開口(例如，處于顯示器14的非活動區(qū)域IA或活動區(qū)域AA中的開口)，諸如用于容納按鈕22的開口以及用于容納揚(yáng)聲器端口24的開口。圖3是電子設(shè)備10的透視圖，其處于該電子設(shè)備10在其中已經(jīng)以平板電腦的形式被實(shí)施的配置。如圖3所示，顯示器14可以安裝在外殼12的上(前方)表面上?？梢栽陲@示器14中形成開口以容納按鈕22(例如，在包圍活動區(qū)域AA的非活動區(qū)域IA中)。圖4是電子設(shè)備10的透視圖，其處于該電子設(shè)備10在其中已經(jīng)以集成于計算機(jī)監(jiān)視器之中的計算機(jī)的形式被實(shí)施的配置。如圖4所示，顯示器14可以安裝在外殼12的前方表面上。可以使用支架26來支撐外殼12。顯示器14可以包括非活動區(qū)域，諸如包圍活動區(qū)域AA的非活動區(qū)域IA。如果需要，顯示器14可以被配置為使得沿活動區(qū)域AA的一個或多個邊緣的非活動區(qū)域IA的大小最小化或者將其消除。非活動區(qū)域IA沿矩形活動區(qū)域AA的所有四條邊進(jìn)行延伸的配置在這里作為示例進(jìn)行描述。圖5中示出了顯示器的一部分的截面?zhèn)纫晥D，該顯示器為可以在形成圖1-4的顯示器時使用的類型。如圖5所示，顯示器14可以包括濾色鏡(CF)層28和薄膜晶體管(TFT)層30。濾色鏡層28可以包括形成于顯示器襯底上的濾色鏡元件的陣列。如圖5所示，濾色鏡陣列31可以形成于顯示器14的活動區(qū)域AA中的濾色鏡襯底29的內(nèi)表面上。濾色鏡層28還可以包括一層不透明遮蔽材料，諸如黑色遮蔽材料45。黑色遮蔽材料45(有時被稱作黑色遮蔽層或黑色矩陣層)可以形成于濾色鏡襯底29的內(nèi)表面上并且可以形成包圍顯示器14的活動區(qū)域AA的不透明外部邊框。諸如黑色遮蔽材料45'的不透明遮蔽材料也可以形成于顯示器14的活動區(qū)域AA的內(nèi)部。黑色遮蔽材料45'可以在活動區(qū)域AA中的相鄰有色像素之間使用以防止色彩混合。在顯示器的活動部分中使用的黑色遮蔽材料有時被稱作黑色矩陣或黑色矩陣層。在典型布置中，黑色矩陣層45'具有遍布活動區(qū)域AA分布的濾色鏡元件開口。每個開口可以具有一個濾色鏡元件(例如，紅色、綠色或藍(lán)色濾色鏡元件)。液晶(LC)層32包括液晶材料并且可以被夾在濾色鏡層28和薄膜晶體管層30之間。薄膜晶體管層30可以包括形成于諸如TFT襯底30B的介電襯底上的顯示電路30A。顯示電路30A可以包括顯示驅(qū)動器電路(例如，一個或多個顯示驅(qū)動器集成電路)、薄膜晶體管電路(例如，多晶硅晶體管電路或非晶硅晶體管電路)、金屬線、電容器、用于對應(yīng)用于液晶層32的電場進(jìn)行控制的電極，以及電容觸摸傳感器電極?？梢员挥糜陲@示器襯底29和30B的適當(dāng)材料包括平板玻璃襯底、塑料襯底或者其它適當(dāng)襯底材料的薄片。顯示器14可以具有上部和下部偏振層39和40。背光燈單元41可以為顯示器14提供背后照明。背光燈41可以包括諸如發(fā)光二極管帶的光源。背光燈41還可以包括導(dǎo)光板和背反射器。該背反射器可以位于導(dǎo)光板的下表面上以防止漏光。來自光源的光線可以被諸如到導(dǎo)光板的邊緣并且可以以方向43通過顯示器14向上散射。諸如一層覆蓋玻璃的可選覆蓋層可以被用來覆蓋并保護(hù)如圖5所示的顯示器14的各層?？梢园ㄔ陲@示器14中的其它層包括光學(xué)薄膜層(例如，諸如四分之一波片、二分之一波片、擴(kuò)散膜、光學(xué)粘合劑以及雙折射補(bǔ)償層)、屏蔽層(例如，用于防止電場干擾顯示器的操作)、散熱片層(例如，用于將熱量導(dǎo)出顯示器)以及其它適當(dāng)顯示層。觸摸傳感器結(jié)構(gòu)可以被結(jié)合到顯示器14的一個或多個層中。在典型的觸摸傳感器配置中，電容觸摸傳感器電極的陣列可以使用諸如銦錫氧化物的透明導(dǎo)電材料的墊和/或帶來實(shí)施。可以在需要的情況下使用其它觸摸技術(shù)(例如，電阻式觸摸、聲音觸摸、光學(xué)觸摸等)。在形成顯示器14中的信號線(例如，用于傳遞數(shù)據(jù)、電力、控制信號等的結(jié)構(gòu))時也可以使用銦錫氧化物或其它透明導(dǎo)電材料或非透明導(dǎo)體。觸摸傳感器結(jié)構(gòu)和電路可以隨顯示電路30A一起包括在襯底30B上。在黑白顯示器上，可以省略濾色鏡層28。在彩色顯示器中，可以使用濾色鏡層28將色彩施加于圖像像素的陣列。每個圖像像素例如可以具有三個相對應(yīng)的子像素。每個子像素可以與濾色鏡陣列31中的一個單獨(dú)濾色鏡元件相關(guān)聯(lián)。濾色鏡元件例如可以包括紅色(R)濾色鏡元件、藍(lán)色(B)濾色鏡元件和綠色(G)濾色鏡元件。這些元件可以以行和列進(jìn)行排列。例如，濾色鏡元件可以以橫跨顯示器14的寬度的帶(例如，以諸如RGB模式或BRG模式的重復(fù)模式)進(jìn)行排列，而使得每一列中的濾色鏡元件是相同的(即，使得每一列包含所有的紅色元件、所有的藍(lán)色元件或者所有的綠色元件)。通過對通過每個子像素的光傳輸數(shù)量進(jìn)行控制，能夠顯示所期望的彩色圖像。通過每個子像素進(jìn)行傳送的光的數(shù)量能夠使用顯示控制電路和電極進(jìn)行控制。每個子像素例如可以被提供以透明的銦錫氧化物電極。對通過液晶層的相關(guān)聯(lián)部分的電場進(jìn)行控制并且因此對針對子像素的光傳輸進(jìn)行控制的子像素電極上的信號可以使用薄膜晶體管來應(yīng)用。該薄膜晶體管可以從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號，并且當(dāng)被相關(guān)聯(lián)的柵極線所開啟時，可以將數(shù)據(jù)線信號應(yīng)用于與該薄膜晶體管相關(guān)聯(lián)的電極?？梢栽谛枰那闆r下針對電子設(shè)備10和顯示器14使用其它配置。圖1-5的示例僅是說明性的。示出可以在顯示器14和設(shè)備10中使用的類型的電路的示圖在圖6中示出。如圖6所示，顯示器14可以耦合至諸如輸入輸出電路102和控制電路104的設(shè)備組件100。輸入輸出電路102可以包括用于接收設(shè)備輸入的組件。例如，輸入輸出電路102可以包括用于接收音頻輸入的麥克風(fēng)，用于接收輸入(例如，來自用戶的按鍵輸入或按鈕按壓輸入)的鍵盤、小鍵盤或其它按鈕，諸如加速度計、羅盤、光線傳感器、接近傳感器、觸摸傳感器(例如，與顯示器14相關(guān)聯(lián)的觸摸傳感器或單獨(dú)的觸摸傳感器)的用于收集輸入的傳感器，或者其它輸入設(shè)備。輸入輸出電路102還可以包括用于提供輸出的組件。輸出電路可以包括諸如揚(yáng)聲器、發(fā)光二極管或用于產(chǎn)生光線輸出的其它發(fā)光設(shè)備的組件、振動器，以及用于提供輸出的其它組件。電路102中的輸入輸出端口可以被用于接收模擬和/或數(shù)字輸入信號并且可以被用于輸出模擬和/或數(shù)字輸出信號?？梢栽陔娐?02中使用的輸入輸出端口的示例包括音頻端口、數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)端口、與30針連接器、9針連接器、可翻轉(zhuǎn)連接器相關(guān)聯(lián)的端口，以及與通用串行總線連接器和其它數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)連接器相關(guān)聯(lián)的端口?？刂齐娐?04可以在對設(shè)備10的操作進(jìn)行控制時使用。控制電路104可以包括存儲電路，諸如易失性和非易失性存儲器電路、固態(tài)驅(qū)動器、硬盤驅(qū)動器以及其它存儲器和存儲電路。控制電路104還可以包括處理電路，諸如微處理器或其它處理器中的處理電路。在實(shí)現(xiàn)控制電路104時可以使用一個或多個集成電路。可以包括在控制電路104中的集成電路的示例包括微處理器、數(shù)字信號處理器、功率管理單元、基帶處理器、微控制器、應(yīng)用特定集成電路、用于處理音頻和/或視覺信息的電路，以及其它控制電路。控制電路104可以在針對設(shè)備10運(yùn)行軟件時使用。例如，控制電路104可以被配置為執(zhí)行與在顯示器14上顯示圖像(例如，文本、圖片、視頻等)相關(guān)聯(lián)的代碼。顯示器14可以包括諸如像素陣列122的像素陣列。像素陣列122可以使用諸如顯示驅(qū)動器電路118的顯示驅(qū)動器電路所產(chǎn)生的控制信號進(jìn)行控制。顯示驅(qū)動器電路118可以使用一個或多個集成電路(IC)來實(shí)施并且有時可以被稱作驅(qū)動器IC、顯示驅(qū)動器集成電路或者顯示驅(qū)動器。像素陣列122可以由諸如一層玻璃的襯底上的薄膜晶體管所形成。該玻璃層有時可以被稱作薄膜晶體管層或薄膜晶體管襯底層。用于電路118的顯示驅(qū)動器集成電路可以安裝在薄膜晶體管襯底的邊緣上(作為示例)。在設(shè)備10的操作期間，控制電路104可以向顯示驅(qū)動器118提供數(shù)據(jù)。例如，控制電路104可以使用諸如路徑108之類的路徑向顯示驅(qū)動器118提供對應(yīng)于要在顯示器14上進(jìn)行顯示的文本、圖形、視頻或其它圖像的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。顯示驅(qū)動器118可以將在路徑108上所接收的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于控制像素陣列122的像素的信號。用于控制像素陣列122的像素的信號可以使用諸如路徑119的路徑而被提供至諸如柵極驅(qū)動器電路116的柵極驅(qū)動器電路。像素陣列122可以包含顯示像素110的行和列，它們共同形成活動顯示區(qū)域120(有時被稱作顯示器14的活動區(qū)域)。柵極驅(qū)動器電路116和驅(qū)動器電路118可以位于包圍活動顯示區(qū)域120的非活動邊框區(qū)域中。像素陣列122的電路可以使用諸如數(shù)據(jù)線112上的數(shù)據(jù)線信號和柵極線114上的柵極線信號之類的信號進(jìn)行控制。像素陣列122中的像素40可以包含薄膜晶體管電路，諸如多晶硅晶體管電路、非晶硅晶體管電路或者基于氧化物的晶體管電路(例如，InGaZnO晶體管)以及用于跨顯示器14中的液晶材料產(chǎn)生電場的相關(guān)聯(lián)結(jié)構(gòu)。在形成像素40時所使用的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以位于襯底(有時被稱作薄膜晶體管層或薄膜晶體管襯底)上。該薄膜晶體管(TFT)層可以由平板玻璃襯底、塑料襯底或者其它適當(dāng)襯底材料的薄片所形成。柵極驅(qū)動器電路116可以被用來在柵極線114上生成柵極信號。諸如柵極驅(qū)動器電路116的電路可以由薄膜晶體管層上的薄膜晶體管所形成(例如，由多晶硅晶體管電路、非晶硅晶體管電路或者諸如InGaZnO晶體管的基于氧化物的晶體管電路所形成)。例如，如果顯示像素110的薄膜晶體管由InGaZnO晶體管形成，則柵極驅(qū)動器電路116的薄膜晶體管也可以由InGaZnO晶體管形成。柵極驅(qū)動器電路116可以位于像素陣列122的左側(cè)和右側(cè)(如圖6所示)，或者可以僅位于像素陣列122的一側(cè)。像素陣列122中的數(shù)據(jù)線信號承載模擬圖像數(shù)據(jù)(例如，具有表示像素亮度水平的量級的電壓)。在顯示器14上顯示圖像的處理期間，顯示驅(qū)動器電路118可以經(jīng)由路徑108從控制電路104接收數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)并且可以向路徑112提供相對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)線112上的數(shù)據(jù)線信號可以被提供至像素陣列122中的顯示像素110的列。柵極線信號可以由柵極驅(qū)動器電路116使用相應(yīng)柵極線114提供至像素陣列122中的像素110的行。在描述陣列122中的顯示像素110進(jìn)行排列的方式時所使用的術(shù)語“行”和“列”僅是說明性的并且可以互換。通常，顯示器14中的像素110可以以任意適當(dāng)部署形式進(jìn)行組織。圖7是像素陣列122中的說明性顯示像素110的電路圖。諸如圖7的像素110的像素可以位于陣列122中的每個柵極線114和數(shù)據(jù)線112的交點(diǎn)處。數(shù)據(jù)信號D可以從數(shù)據(jù)線112(圖6)之一被提供至端子154。諸如薄膜晶體管150的薄膜晶體管可以具有諸如柵極152的柵極端子，其從柵極驅(qū)動器電路116(圖6)接收柵極線信號G。當(dāng)信號G被有效時，晶體管150將被開啟并且信號D將作為電壓Vp而被送至節(jié)點(diǎn)156。用于顯示器14的數(shù)據(jù)可以以幀進(jìn)行顯示。在一個幀中的信號G有效之后，信號G可以被解除有效。信號S隨后可以被有效以開啟晶體管52并且捕捉后續(xù)顯示幀中心的Vp數(shù)值。顯示器14可以具有耦合至節(jié)點(diǎn)158的共用電極。該共用電極(有時被稱作Vcom電極)可以被用來將諸如共用電極電壓Vcom的共用電極電壓分布至諸如陣列122中的每個像素110中的節(jié)點(diǎn)158的節(jié)點(diǎn)。像素110可以具有諸如電容器CST的信號存儲元件或者其它電荷存儲元件。存儲電容器CST可以耦合在節(jié)點(diǎn)156和158之間。由于在對通過像素的液晶材料(液晶材料160)的電場進(jìn)行控制時所使用的像素110中的電極結(jié)構(gòu)，可以跨節(jié)點(diǎn)156和158形成并行的板極電容CLC。如圖7所示，電極結(jié)構(gòu)162可以耦合至節(jié)點(diǎn)156。電容CLC與電極結(jié)構(gòu)162與節(jié)點(diǎn)158處的共用電極Vcom之間的電容相關(guān)聯(lián)。數(shù)據(jù)線112以及柵極線114(其耦合至諸如圖7的柵極G的柵極)上的柵極線信號被用來對像素110進(jìn)行充電(例如，對電容CST和CLC進(jìn)行充電)。一旦像素110已經(jīng)被充電，電極結(jié)構(gòu)162就可以跨像素110中的液晶材料160的像素大小的部分應(yīng)用受控電場(即，具有與Vp和Vcom之間的差異成比例的量級的電場)。與存儲電容器CST相關(guān)聯(lián)的電容可以在幀之間存儲信號Vp時使用(例如，在連續(xù)的信號G的有效之間的時間段中使用)。由于存在存儲電容器CST(以及電容CLC)，VP的數(shù)值(并且因此跨液晶材料160的相關(guān)聯(lián)電場的數(shù)值)可以在每個幀的持續(xù)時間內(nèi)跨節(jié)點(diǎn)156和158得以被保持?？缫壕Р牧?60所產(chǎn)生的電場導(dǎo)致液晶材料160中的液晶方位的變化。這改變了通過液晶材料160的光的偏振。該偏振變化可以在對通過陣列122中的每個像素110進(jìn)行傳送的光的數(shù)量進(jìn)行控制時使用。圖8提供了圖6的顯示器的一部分的放大視圖。特別地，圖8示出了數(shù)據(jù)線112能夠如何在虛線所指示的活動區(qū)域120的邊緣之外進(jìn)行延伸。每個數(shù)據(jù)線112可以經(jīng)由相應(yīng)金屬布線路徑113連接至顯示驅(qū)動器118。這種類型的金屬軌線113能夠在非活動邊框區(qū)域IA中進(jìn)行布線。為了防止金屬軌線113穿過彼此的路徑，如圖8所示，每個軌線113可以首先在各種長度的設(shè)備的x方向(即，沿寬度)進(jìn)行布線并且隨后以該設(shè)備的y方向(即，沿長度)平行布線。這要求該設(shè)備的邊框區(qū)域足夠?qū)捯匀菁{所有的外圍金屬布線113。為此，邊框區(qū)域會占據(jù)設(shè)備10的表面上相當(dāng)大的區(qū)域。這種其中驅(qū)動器IC必須將信號驅(qū)動到跨設(shè)備的寬度和長度進(jìn)行分布的多條布線軌線上的配置有時被稱作布線“分列”。高分辨率顯示器將需要相對大的分列，這會對能夠用作具有固定整體尺寸的設(shè)備中的活動區(qū)域(即，顯示/觸摸活動區(qū)域)的空間造成不利影響。用于觸摸面板的布線軌線會導(dǎo)致相同的問題。因此，為了提供更好的可用性，期望減小如圖1-4所示的設(shè)備中的邊框區(qū)域以使得其活動區(qū)域最大化。換句話說，通過收窄邊框區(qū)域，可以使得設(shè)備的顯示和觸摸屏幕更大。圖9示出了能夠在顯示器的薄膜晶體管層中形成的常規(guī)顯示像素和相關(guān)聯(lián)的布線結(jié)構(gòu)200的截面?zhèn)纫晥D。如圖9所示，薄膜晶體管208被形成于玻璃襯底202上。金屬遮光片204經(jīng)常直接在薄膜晶體管208之下形成于玻璃襯底上以防止背光可能對薄膜晶體管208的操作形成干擾。一個或多個緩沖層206隨后能夠在遮光片204上方形成于玻璃襯底202上。多晶硅210在緩沖層206上形成圖案以形成用于晶體管208的活動區(qū)域。柵極絕緣材料212在多晶硅210上方形成于緩沖層206上。金屬柵極導(dǎo)線214形成與柵極絕緣層212上并且用作晶體管208的柵極端子。氮化硅層220在柵極214上方形成于柵極絕緣材料212上。氧化硅層222隨后形成于氮化硅層220上。通過層222、220和212形成金屬觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)216和218以與多晶硅210進(jìn)行接觸。在圖9的示圖中，多晶硅210中耦合至觸點(diǎn)216的部分用作晶體管208耦合至相對應(yīng)數(shù)據(jù)線的第一源極-漏極端子(即，觸點(diǎn)216連接至在其上提供模擬圖像數(shù)據(jù)信號的金屬布線路徑)，而多晶硅210中耦合至觸點(diǎn)218的部分則用作晶體管208耦合至相對應(yīng)像素節(jié)點(diǎn)的第二源極-漏極端子(即，觸點(diǎn)218連接至在其上臨時存儲圖像數(shù)據(jù)信號的像素電極結(jié)構(gòu))。丙烯酸有機(jī)平面層(acrylicorganicplanarizationlayer)224形成于氧化硅層222上。共用電極(Vcom)層226形成于平滑層224上。金屬布線導(dǎo)線228形成于Vcom層226上。在平面層224中形成開口以在觸點(diǎn)218和像素電極層232之間形成電連接(即，形成顯示像素觸點(diǎn))。絕緣材料230被夾在像素電極層232和共用電極層226之間。顯示像素存儲電容器240由Vcom電極226和像素電極232中與Vcom電極重疊的部分所形成(即，Vcom層226和像素電極層232中直接面對Vcom層226的部分被絕緣材料230隔開并且共同用作顯示像素的存儲電容器)。共用電極層226和像素電極層232通常由銦錫氧化物所形成，這是允許背光通過而去往薄膜晶體管層上方的液晶材料的透明材料。典型地，薄膜晶體管層208以及相關(guān)聯(lián)的像素和Vcom電極形成于顯示器14的活動區(qū)域AA部分之中?；顒訁^(qū)域AA中的顯示像素陣列電路與相關(guān)聯(lián)的控制電路(即，顯示驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動器、觸摸驅(qū)動器和傳感器電路等)之間的布線利用非活動邊框區(qū)域IA形成。如圖9所示，金屬布線結(jié)構(gòu)250能夠形成于氮化硅層220中的柵極絕緣層212上；金屬布線結(jié)構(gòu)252能夠形成于平面層224中的氧化物層222上；并且金屬布線結(jié)構(gòu)254能夠形成于平面層224上。金屬布線結(jié)構(gòu)250形成于其中的層一般被稱作“M1”金屬布線層。金屬布線結(jié)構(gòu)252形成于其中的層一般被稱作“M2”金屬布線層。金屬布線結(jié)構(gòu)254形成于其中的層一般被稱作“M3”金屬布線層。在形成布線結(jié)構(gòu)250、252和254時所使用的材料因此有時分別被稱作M1金屬、M2金屬和M3金屬。在常規(guī)的基于TFT的顯示器中，M1金屬需要以耐高溫材料形成以便能夠耐受在形成M1金屬之后應(yīng)用于TFT結(jié)構(gòu)的高溫?zé)崽幚?。然而，耐高溫材料受到高電阻率的影響。例如，M2和M3金屬可能表現(xiàn)出小于0.2歐姆/平方的薄層電阻，而耐高溫的M1金屬則可能表現(xiàn)出大于0.4歐姆/平方的薄層電阻(即，M1金屬的電阻率可能會大于M2金屬和M3金屬的電阻率的兩倍)。高的M1電阻通常要求M1層中的金屬布線路徑相對更寬以對高電阻率進(jìn)行補(bǔ)償，這會令人不期望地增大布線區(qū)域。通常，顯示器的非活動邊框能夠通過減小布線分列間距(即，通過減小相鄰金屬布線連線之間的距離)而有所減小。仍然參考圖9，M2布線路徑的間距由距離Tp所指示。所允許的最小間距Tp由當(dāng)前的TFT構(gòu)造技術(shù)所設(shè)定，其對分列連線的密度有所限制。一種減小金屬分列間距的方式是通過交錯金屬布線。交錯金屬布線要求不同相關(guān)聯(lián)信號在M1和M2層中進(jìn)行路由從而減小相鄰連線之間的有效間距。然而，M1和M2金屬的薄層電阻難以滿足交錯布線的布線電阻要求(即，交錯布線要求不同金屬布線層中的交錯金屬路徑具有基本上相似的薄層電阻儀滿足布線性能要求)。以下段落介紹了本公開中能夠使得設(shè)備的非活動邊框區(qū)域最小化而并不增加其整體尺寸、從而能夠使用設(shè)備表面的更大區(qū)域作為用于顯示和/或接收基于觸摸的輸入的活動區(qū)域的各種實(shí)施例。在各種實(shí)施例中，這能夠通過在M1和M2金屬布線層之間形成附加金屬布線結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了與圖9的常規(guī)TFT顯示結(jié)構(gòu)相比表現(xiàn)出有所改進(jìn)的金屬布線能力的顯示像素以及相關(guān)聯(lián)的布線結(jié)構(gòu)300(例如，參見圖10)。如圖10所示，諸如薄膜晶體管308的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以形成于由如玻璃或其它介電材料所制成的透明襯底302上。薄膜晶體管308可以用作結(jié)合圖7中所描述的顯示像素薄膜晶體管150。諸如遮光片304的光線屏蔽結(jié)構(gòu)可以直接在晶體管308以下形成于襯底302上并且可以用來防止背光與晶體管308的操作形成干擾。諸如緩沖層306的一個或多個緩沖層可以形成于襯底302上并且處于遮光片304上方。緩沖層306可以由任意適當(dāng)?shù)耐该鹘殡姴牧纤纬?。用于晶體管308的活動材料310可以形成于緩沖層306上?；顒硬牧?10可以是一層非晶硅或多晶硅(作為示例)。諸如柵極絕緣層312的柵極絕緣層可以形成于緩沖層306上并且處于該活動材料上方。諸如柵極結(jié)構(gòu)314的導(dǎo)電柵極結(jié)構(gòu)可以部署在柵極絕緣體312上。柵極導(dǎo)線314可以用作薄膜晶體管308的柵極端子?；顒硬牧?10直接處于柵極310之下的部分可以用作晶體管308的通道區(qū)域。諸如氮化硅層320的鈍化層可以形成于柵極絕緣層312上并且處于柵極314上方。在層320沉積之后，可以應(yīng)用加氫退火處理以對薄膜晶體管結(jié)構(gòu)308進(jìn)行鈍化處理。利用其形成柵極314的材料有時被稱作“M1”金屬。因此，柵極導(dǎo)線314形成于其中的層320有時可以被稱作第一金屬(M1)布線層。諸如氧化硅內(nèi)襯321的氧化物層可以形成于鈍化層320上。層321可以在層321上形成金屬結(jié)構(gòu)的期間用作蝕刻停止層。低k介電層322(例如，由具有比二氧化硅的介電常數(shù)更小的介電常數(shù)的介電材料所形成的層)可以形成于層321上。層322可以由丙烯酸、光刻膠或其它光敏材料、基于硅氧烷的聚合物、基于硅的介電、有機(jī)材料、這些材料的組合和/或任意適當(dāng)?shù)蚹介電材料所形成。諸如結(jié)構(gòu)316和318的晶體管源極-漏極觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以通過層322所形成以與晶體管活動材料310進(jìn)行電接觸。觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)316和318有時被稱作“通孔”結(jié)構(gòu)。特別地，活動材料310中與通孔316進(jìn)行接觸的部分可以用作晶體管308的第一源極-漏極區(qū)域，而活動材料310中與通孔318進(jìn)行接觸的部分可以用作晶體管308的第二源極-漏極區(qū)域。柵極導(dǎo)體在其中形成于活動源極-漏極區(qū)域上方的薄膜晶體管一般被稱作“頂柵”薄膜晶體管。這僅是說明性的。如果需要，像素300可以使用“底柵”薄膜晶體管配置來形成，其中柵極導(dǎo)體形成于活動源極-漏極區(qū)域之下。有時被稱作“M2”金屬布線路徑的金屬布線結(jié)構(gòu)可以形成于層322上以將晶體管源極-漏極端子連接至其它顯示像素電路。作為示例，形成于層322上的第一M2金屬布線路徑可以被用來將通孔316連接至相對應(yīng)的數(shù)據(jù)線(例如，圖7中的數(shù)據(jù)線D)，而形成于層322上的第二M2金屬布線路徑可以被用來將通孔318連接至相對應(yīng)的像素電極節(jié)點(diǎn)(例如，參見圖7中在其上存儲像素電壓Vp的節(jié)點(diǎn)156)。諸如層324的另一個低k介電層可以形成于層322上。層324可以用作平面層并且有時可以被稱作第二金屬(M2)布線層。類似于層322，層324可以由丙烯酸、光刻膠或其它光敏材料、基于硅氧烷的聚合物、基于硅的介電、有機(jī)材料、這些材料的組合和/或任意適當(dāng)?shù)蚹介電材料所形成。通常，層322和324應(yīng)當(dāng)以相同材料或者具有基本上相似的折射率的材料所形成，從而使得通過這些介電層傳播的背光的透射比最大化(例如，折射率的差異應(yīng)當(dāng)不大于0.1，不大于0.08，不大于0.05，不大于0.01，等等)。諸如Vcom層326的共用電極層可以形成于低k介電平面層324上。共用電極層326可以形成為完全覆蓋顯示像素陣列的透明導(dǎo)電材料的鋪蓋薄膜，形成為通過附加布線路徑進(jìn)行互連的單獨(dú)的Vcom區(qū)域，或者以支持電容觸摸感應(yīng)技術(shù)的其它模式來形成(例如，以透明導(dǎo)電材料的水平和垂直的帶形成)。附加Vcom路由結(jié)構(gòu)328(有時被稱作“M3”金屬布線路徑)可以形成于Vcom層326上以將Vcom電極連接至其它顯示電路(例如，對不同Vcom層進(jìn)行互連，將Vcom層連接至相關(guān)聯(lián)的Vcom驅(qū)動器電路，將Vcom層連接至觸摸傳感器電路，等等)。可以在平面層324中形成開口以在通孔318和像素電極層332之間形成電連接而形成顯示像素觸點(diǎn)360(例如，將存儲電容器連接至薄膜晶體管308的觸點(diǎn))。像素電極層322可以被形成圖案而形成對液晶材料160(圖7)應(yīng)用電場的指狀電極(圖10中未示出)。絕緣材料330可以形成于像素電極層332和共用電極層326之間。Vcom電極326和像素電極332中與Vcom電極326重疊的部分可以形成存儲電容器340(例如，該存儲電容器可以包括Vcom層326、像素電極層332中直接面對Vcom層326的部分，以及置于兩個相對平行導(dǎo)體之間的絕緣材料330)?？傮w上，共用電極326和像素電極332可以由銦錫氧化物或者允許背光通過去往薄膜晶體管層上方的液晶材料的其它適當(dāng)透明材料所形成。遮光結(jié)構(gòu)304和M1柵極結(jié)構(gòu)可以由耐高溫材料所形成，諸如鉬、鎢、二者的組合和/或其它適當(dāng)耐高溫材料。通孔316和318以及M2和M3金屬布線結(jié)構(gòu)可以由銅、鋁、銀、金、鎢、鎳、其它金屬、這些金屬的組合和/或適于在顯示器14中輸送(rout)數(shù)據(jù)和控制信號的其它導(dǎo)電材料。典型地，薄膜晶體管308和相關(guān)聯(lián)的像素以及Vcom電極形成于顯示器14的活動區(qū)域AA部分之中。活動區(qū)域AA中的顯示像素陣列電路和相關(guān)聯(lián)的控制電路(例如，顯示驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動器、觸摸驅(qū)動器和傳感器電路等)的布線形成于非活動邊框區(qū)域IA內(nèi)。如圖10所示，柵極導(dǎo)體314能夠在鈍化層320中形成于柵極絕緣層312上；金屬布線結(jié)構(gòu)350可以在低k介電層322中形成于蝕刻停止層321上；金屬布線結(jié)構(gòu)352可以在低k介電平面層324中形成于低k介電層322之上；并且金屬布線結(jié)構(gòu)354可以形成于平面層324上。柵極結(jié)構(gòu)314形成于其中的層一般被稱作“M1”或第一/最底部金屬布線層。金屬布線結(jié)構(gòu)352形成于其中的層一般被稱作“M2”或第二金屬布線層。金屬布線結(jié)構(gòu)354形成于其中的層一般被稱作“M3”或第三金屬布線層。金屬布線路徑350表示形成于M1和M2金屬布線層之間的附加金屬布線結(jié)構(gòu)。金屬布線路徑350形成于其中的層322因此可以被稱作中間布線層或副M2(或“M2s”)金屬布線層。在形成布線結(jié)構(gòu)350、352和354時所使用的材料因此有時被分別稱作M2s金屬、M2金屬和M3金屬。如果存在，則形成于M3金屬布線層上方的金屬布線層一般被順序地稱作M4金屬布線層、M5金屬布線層、M6金屬布線層，等等。如以上所描述的，M1布線結(jié)構(gòu)由表現(xiàn)出高電阻率的耐高溫材料所形成。因此可能期望使用金屬布線層而不是M1金屬布線層中的導(dǎo)電路徑形式來執(zhí)行信號輸送。由于M2s金屬布線結(jié)構(gòu)350形成于鈍化層320上方(例如，在形成M2s布線結(jié)構(gòu)之前執(zhí)行高溫退火處理)，所以M2s金屬不需要使用耐高溫材料形成而是能夠使用與形成M2和M3金屬布線路徑時所使用的相同低電阻率材料來形成。例如，M2s、M2和M3金屬布線結(jié)構(gòu)可以由銅、鋁、銀、金、鎳、這些金屬的組合和/或表現(xiàn)出低的薄層電阻(例如，具有小于0.4歐姆/平方、小于0.2歐姆/平方、小于0.05歐姆/平方、小于0.01歐姆/平方的薄層電阻的材料，等等)并且適于在顯示器14中輸送數(shù)據(jù)和控制信號的其它導(dǎo)電材料所形成。M2s和M2金屬可以表現(xiàn)出基本上相似的電阻率水平。例如，M2s和M2金屬布線路徑可以均表現(xiàn)出0.047歐姆/平方的薄層電阻。以這種方式形成M2s金屬布線結(jié)構(gòu)提供了能夠在其中形成具有低電阻率的導(dǎo)電路徑的附加金屬布線層，這提高了TFT顯示器/觸摸結(jié)構(gòu)的整體布線能力。當(dāng)M2和M2s金屬布線路徑被并行地用于承載相同信號時，能夠形成更為纖薄的個體布線路徑，因為使用兩個單獨(dú)路徑傳遞相同的信號明顯減小了布線電阻。如圖10所示，形成于層322中的至少一些導(dǎo)電布線路徑350以及形成在層322上的導(dǎo)電布線路徑使用通過層322所形成的通孔351而并行地短接。一般而言，使用寬度有所減小的金屬布線路徑能夠有助于減小分列間距，這減小了非活動邊框區(qū)域。在相鄰的M2和M2s金屬布線路徑被用來承載不同信號的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)交錯金屬布線。為了實(shí)現(xiàn)交錯金屬布線，可以在M2s布線層(例如，層322)中形成第一布線路徑350，并且可以在M2布線層(例如，層324)中盡可能接近第一布線路徑350形成第二布線路徑352而并不會經(jīng)歷過多的寄生耦合效應(yīng)。能夠使用該方法在M2s和M2層中形成多于兩條的金屬布線路徑。以這種方式進(jìn)行排列，電路300的區(qū)域IA中的相鄰布線連線之間的有效間距Tp'小于結(jié)合圖9所描述的電路200的區(qū)域IA中的M2層中所形成的相鄰布線線路之間的間距Tp(例如，與僅能夠在相同層中形成相鄰的金屬布線路徑相比，能夠在不同層中形成相鄰的金屬布線路徑減小了有效連線間距)。經(jīng)由交錯布線減小間距使得非活動邊框區(qū)域能夠進(jìn)一步得以最小化。在另一種適當(dāng)部署形式中，可以在M2s金屬布線層中形成附加TFT柵極結(jié)構(gòu)。圖11示出了其中在M1柵極導(dǎo)線314上方形成附加?xùn)艠O導(dǎo)線351的示例。在該示例中，在M2s金屬布線層中直接在蝕刻停止層321上形成附加?xùn)艠O導(dǎo)線351。針對每個顯示像素中的晶體管308使用多于一個的柵極結(jié)構(gòu)能夠提供有所改進(jìn)的像素尋址能力。圖12示出了具有諸如雙柵極晶體管151的多柵極薄膜晶體管的顯示像素110的電路圖。如圖12所示，晶體管151可以具有耦合至相對應(yīng)的數(shù)據(jù)線112的第一源極-漏極端子，耦合至其上存儲電壓Vp的節(jié)點(diǎn)156的第二源極-漏極端子，耦合至第一柵極線114-1的第一柵極端子，以及耦合至第二柵極線114-2的第二柵極端子。第一柵極線114-1可以使用層320中的M1金屬形成以將第一柵極信號G1提供至晶體管151，而第二柵極線114-2可以使用層322中的M2s金屬形成以將第二柵極信號G2提供至晶體管151。在圖12的示例中，柵極線114-1可以水平布線，而柵極線114-2可以垂直布線(即，柵極線114-1可以垂直于柵極線114-2)。這僅是說明性的。作為另一個示例，柵極線114-1可以垂直布線而柵極線114-2可以水平布線。作為又另一個示例，柵極線114-1和114-2都可以水平布線。柵極信號G1和G2可以單獨(dú)或共同用來控制晶體管151的操作。在一種部署形式中，柵極信號G1和G2都將必須被有效以開啟晶體管151(例如，信號G1和G2將必須同時為高以使得晶體管151能夠?qū)?shù)據(jù)信號從線112送至存儲節(jié)點(diǎn)156)。在另一種部署形式中，這兩個柵極信號中僅有一個將被有效以開啟晶體管151(例如，可以通過將G1驅(qū)動為高或?qū)2驅(qū)動為高而使得晶體管151能夠?qū)?shù)據(jù)信號從線112送至存儲節(jié)點(diǎn)156)。針對圖12的顯示像素110的其余部分(例如，存儲電容器CST、具有電容CLC的液晶材料和Vcom電極158)的描述類似于已經(jīng)結(jié)合圖7所描述的并且無需重復(fù)。圖12的雙柵極顯示像素部署形式僅是說明性的而并非用來對本發(fā)明的范圍加以限制。如果需要，能夠?qū)崿F(xiàn)具有多于兩個的柵極控制線的顯示像素。圖13示出了在形成結(jié)合圖10和11所描述的類型的TFT結(jié)構(gòu)時所涉及的說明性步驟的流程圖。在步驟500，可以在襯底302上形成非透明遮光結(jié)構(gòu)304。在步驟502，一個或多個緩沖層306可以在遮光板304上方形成于襯底302上。在步驟504，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)308可以被形成于緩沖層306上(例如，能夠形成活動區(qū)域多晶硅材料和相關(guān)聯(lián)的源極-漏極摻雜和輕度摻雜漏極(LDD)區(qū)域、柵極絕緣層和M1柵極結(jié)構(gòu))。在步驟506，可以執(zhí)行退火處理以激活源極-漏極區(qū)域(例如，幫助源極-漏極摻雜物在材料310中適當(dāng)擴(kuò)散)。在步驟508，可以在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)308上方形成鈍化層320(例如，氮化硅層)。在步驟510，可以執(zhí)行加氫退火處理以利用層320對薄膜晶體管308進(jìn)行實(shí)際鈍化。在步驟512，薄氧化物層321可以形成于鈍化層320上方。層321可以在層321上形成金屬的期間用作蝕刻停止層。在步驟514，M2s金屬布線結(jié)構(gòu)可以形成于蝕刻停止層321上。M2s金屬布線路徑可以形成于非活動邊框區(qū)域中以提供外部信號輸送(例如，柵極線輸送、數(shù)據(jù)線輸送、Vcom輸送等)并且可以形成于活動顯示區(qū)域內(nèi)以提供附加?xùn)艠O控制(例如，參見圖11和12)。在步驟516，可以在層321上形成第一低k介電層322。在步驟518，可以在第一低k介電層322中經(jīng)由光刻和蝕刻處理形成觸點(diǎn)開孔。在一些布置中，層322可以由光敏材料形成并且可以使用被暴露并發(fā)展以形成所期望觸點(diǎn)開孔的類光刻膠。在步驟520，可以在活動和非活動區(qū)域中在層322上以圖案形成M2金屬布線結(jié)構(gòu)。在步驟522，可以在M2金屬布線結(jié)構(gòu)的上方在第一低k介電層322上形成第二低k介電層324。在一種布置中，第一和第二低k介電層可以由相同的低k介電材料形成。在其它部署形式中，第一和第二低k介電層由具有基本上相似折射率的不同低k介電材料所形成而使得背光透射率最大化。在步驟524，可以經(jīng)由光刻和蝕刻處理在第二低k介電層324中形成觸點(diǎn)開孔(例如，層324也可以由光刻膠和耐蝕刻處理所形成)。在步驟526，可以形成Vcom電極326、M3金屬布線結(jié)構(gòu)328、存儲電容器、像素電極332和其它顯示像素結(jié)構(gòu)。圖13的步驟僅是說明性的而并非用來對本發(fā)明的范圍加以限制?？傮w而言，LCD和其它類型的顯示器中的TFT顯示/觸摸電路可以以這種方式所形成。雖然以具體順序?qū)χ圃旆椒ㄟM(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在所描述的步驟之間執(zhí)行其他步驟，可以對所描述的操作進(jìn)行調(diào)節(jié)而使得它們在稍有不同的時間進(jìn)行。依據(jù)實(shí)施例，提供了一種顯示電路，其包括襯底，形成于該襯底上的薄膜晶體管，形成于該薄膜晶體管上的鈍化層，形成于該鈍化層上的介電內(nèi)襯，以及形成于該介電內(nèi)襯上的導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)。依據(jù)另一個實(shí)施例，該鈍化層包括氮化硅。依據(jù)另一個實(shí)施例，該介電內(nèi)襯包括蝕刻停止材料。依據(jù)另一個實(shí)施例，該顯示電路包括在該導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)上方形成于該介電內(nèi)襯之上的介電層。依據(jù)另一個實(shí)施例，該介電層包括低k介電材料。依據(jù)另一個實(shí)施例，該顯示電路包括形成于該介電層上的附加導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)，形成于介電內(nèi)襯上的導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)和形成于介電層上的附加導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出基本上相似的電阻率。依據(jù)另一個實(shí)施例，該薄膜晶體管包括由表現(xiàn)出比該導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)的薄層電阻更大的薄層電阻的導(dǎo)電材料形成的柵極結(jié)構(gòu)。依據(jù)另一個實(shí)施例，該薄膜晶體管的柵極結(jié)構(gòu)形成于該鈍化層中。依據(jù)另一個實(shí)施例，提供了一種構(gòu)造顯示電路的方法，包括在襯底上方形成薄膜晶體管，在該薄膜晶體管上方形成低k介電層，并且在該低k介電層中形成導(dǎo)電布線路徑。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括在該薄膜晶體管上形成鈍化層，該鈍化層夾在該薄膜晶體管和低k介電層之間。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括形成被置于該鈍化層和低k介電層之間的氧化物內(nèi)襯，該導(dǎo)電布線路徑形成于該氧化物內(nèi)襯上。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括在該低k介電層上形成另一個介電層，并且在該另一個介電層上形成用于該顯示電路的共用電極。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括在該低k介電層上形成附加導(dǎo)電布線路徑，該導(dǎo)電布線路徑和附加導(dǎo)電布線路徑使通過該低k介電層所形成的通孔而并行地短接。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括在該低k介電層上形成附加導(dǎo)電布線路徑，該導(dǎo)電布線路徑和附加導(dǎo)電布線路徑進(jìn)行交錯以減小連線間距。依據(jù)另一個實(shí)施例，該方法包括在該低k介電層上形成另一個介電層，并且在該另一個介電層上形成存儲電容器。依據(jù)一個實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備顯示器結(jié)構(gòu)，其包括襯底，形成于該襯底上方的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括形成于該襯底上方的源極-漏極結(jié)構(gòu)，形成于該源極-漏極結(jié)構(gòu)上方的第一柵極結(jié)構(gòu)，以及形成于該第一柵極結(jié)構(gòu)上的第二柵極結(jié)構(gòu)。依據(jù)另一個實(shí)施例，該第一柵極結(jié)構(gòu)由第一材料形成，并且該第二柵極結(jié)構(gòu)由不同于該第一材料的第二材料形成。依據(jù)另一個實(shí)施例，該第一材料表現(xiàn)出比該第二材料的薄層電阻更大的薄層電阻。依據(jù)另一個實(shí)施例，該電子設(shè)備顯示器結(jié)構(gòu)包括形成于所述第一柵極結(jié)構(gòu)上的鈍化層，以及形成于所述鈍化層上的介電內(nèi)襯，所述第二柵極結(jié)構(gòu)形成于所述介電內(nèi)襯上。依據(jù)另一個實(shí)施例，該電子設(shè)備顯示器結(jié)構(gòu)包括耦合至該第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極線和耦合至該第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極線，該第一柵極線正交于該第二柵極線。以上僅是本發(fā)明的原理的說明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠進(jìn)行各種修改而并不背離本發(fā)明的范圍和精神。以上實(shí)施例可以單獨(dú)實(shí)施或者以任意組合來實(shí)施。