本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及像素驅(qū)動電路和顯示裝置。

背景技術(shù)：

與傳統(tǒng)的LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)相比，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具備顏色鮮艷、發(fā)光效率高、質(zhì)量輕、可視角度廣、響應(yīng)速度快、可柔性制備等優(yōu)點，因此成為繼LCD之后的新一代顯示技術(shù)。

在OLED面板上除了有機(jī)發(fā)光二極管，還需要能夠為OLED持續(xù)點亮提供條件的像素驅(qū)動電路。較為傳統(tǒng)和簡單的像素驅(qū)動電路為2個晶體管和1個電容構(gòu)成的2T1C結(jié)構(gòu)，包括1個開關(guān)晶體管、1個驅(qū)動晶體管和1個存儲電容，但是這種驅(qū)動電路的缺點是存在閾值電壓漂移，導(dǎo)致面板亮度的均勻性較差，因此一般還需要增加補(bǔ)償電路。為了補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的閾值電壓，可以采用如圖1所示的像素驅(qū)動電路，包括7個晶體管(M1～M7)和1個存儲電容(Cst)，其中M1為開關(guān)晶體管，M2為驅(qū)動晶體管，M3為補(bǔ)償晶體管，M4和M5為隔離晶體管，M6為復(fù)位晶體管，M7為下拉晶體管。其補(bǔ)償原理是在為存儲電容Cst充電的過程中，數(shù)據(jù)線寫入的數(shù)據(jù)信號Data被存儲在存儲電容Cst中，之后釋放存儲電容中的電荷，依靠存儲電容Cst來保持?jǐn)?shù)據(jù)信號的電壓。

但是對于上述圖1所示的像素驅(qū)動電路，在初始化存儲電容Cst和發(fā)光二極管OLED陽極的過程中，分別需要向?qū)Υ鎯﹄娙軨st進(jìn)行初始化的晶體管M6和對發(fā)光二極管OLED陽極進(jìn)行初始化的晶體管M7提供初始化信號Vint，由于該初始化信號線的設(shè)置將會導(dǎo)致像素尺寸不可避免的有所增加，不利于提顯示高面板的分辨率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的為提供一種像素驅(qū)動電路和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中具有補(bǔ)償功能的像素驅(qū)動電路不利于提高面板的分辨率的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，一方面，

本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管、驅(qū)動晶體管和存儲電容，還包括：

第一初始化晶體管，其漏極連接所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端，其柵極和源極短接到第n-1級柵極掃描信號或第n+1級柵極掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，還包括：

第二初始化晶體管，其漏極連接所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極端，其柵極和源極短接到所述第n-1級柵極掃描信號或所述第n+1級柵極掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，所述第一初始化晶體管的柵極與源極連接所述第n-1級柵極掃描信號，所述第二初始化晶體管的柵極與源極連接所述第n+1級柵極掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，所述第一初始化晶體管的柵極與源極以及所述第二初始化晶體管的柵極與源極均連接所述第n-1級柵極掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一初始化晶體管的柵極與源極以及所述第二初始化晶體管的柵極與源極均連接所述第n+1級柵極掃描信號。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，還包括：

開關(guān)晶體管，其柵極連接第n級柵極掃描信號，其源極連接數(shù)據(jù)信號，其漏極連接所述驅(qū)動晶體管的源極。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，還包括：

補(bǔ)償電路，其控制端連接所述第n級柵極掃描信號，其第一端與第二端分別連接所述驅(qū)動晶體管的柵極與漏極。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，還包括：

第一隔離晶體管，其源極連接所述開關(guān)晶體管的漏極，其漏極連接電源和所述存儲電容的第二端，其柵極連接使能信號。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，還包括：

第二隔離晶體管，其源極連接所述驅(qū)動晶體管的漏極，其漏極連接所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極端，其柵極連接所述使能信號。

另一方面，

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括以上所述的像素驅(qū)動電路。

本發(fā)明的有益效果在于，通過將需要初始化晶體管的源極和柵極短接到第n-1級柵極掃描信號或第n+1級柵極掃描信號，對于常用的逐行掃描的驅(qū)動電路中，只有第n級柵極掃描信號為高電平，控制該行柵極掃描信號對應(yīng)的開關(guān)晶體管打開，與此同時第n-1級柵極掃描信號或第n+1級柵極掃描信號均為低電平，能夠在該初始化信號端為低電平時完成初始化，因而不需要額外提供用于初始化的信號線，這樣可以節(jié)省初始化信號線所占用的面積，提高顯示面板的分辨率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中像素驅(qū)動電路圖。

圖2為本發(fā)明實施例二中提供的像素驅(qū)動電路的電路圖。

圖3為本發(fā)明實施例三中提供的像素驅(qū)動電路的電路圖。

圖4為本發(fā)明實施例四中提供的像素驅(qū)動電路的電路圖。

圖5-7為本發(fā)明實施例五中提供的包含隔離晶體管的像素驅(qū)動電路的電路圖。

具體實施方式

體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點的典型實施例將在以下的說明中詳細(xì)敘述。應(yīng)理解的是，本發(fā)明能夠在不同的實施例上具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及附圖在本質(zhì)上是當(dāng)作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。

為解決上述問題，給出以下幾個實施例對本發(fā)明進(jìn)行解釋和說明。

實施例一

基于上述，本實施例提供了一種像素驅(qū)動電路，包括有機(jī)發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管M2和存儲電容Cst，除此之外，該像素驅(qū)動電路中還包括：

第一初始化晶體管M6，其漏極連接驅(qū)動晶體管M2的柵極，其柵極和源極短接到第n-1級柵極掃描信號Sn-1或第n+1級柵極掃描信號Sn+1。

通過將第一初始化晶體管M6的柵極和源極短接到Sn-1或Sn+1，使得M6被用作二極管，當(dāng)Sn-1或Sn+1為低電平時，M6打開，Sn-1或Sn+1的低電平充入到存儲電容Cst的一端，可以在不需要額外提供初始化信號線的前提下完成對存儲電容Cst的初始化，節(jié)省初始化信號線所占用的面積。

其中存儲電容Cst用于為驅(qū)動晶體管M2的柵極提供維持電壓，其第一端連接驅(qū)動晶體管M2的柵極，第二端連接電源ELVDD，驅(qū)動晶體管M2用于控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED的發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極端與低電壓VSS連接，可以在驅(qū)動晶體管M2輸出的驅(qū)動電壓的驅(qū)動下發(fā)光。

該像素驅(qū)動電路中還包括：

第二初始化晶體管M7，其漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極端與驅(qū)動晶體管M2的漏極，其柵極和源極短接到第n-1級柵極掃描信號Sn-1或第n+1級柵極掃描信號Sn+1。

通過將第二初始化晶體管M7的柵極和源極短接到Sn-1或Sn+1，使得M7被用作二極管，當(dāng)Sn-1或Sn+1為低電平時，M7打開，Sn-1或Sn+1的低電平充入到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極端，可以在不需要額外提供初始化信號線的前提下完成對有機(jī)發(fā)光二極管的初始化，進(jìn)一步節(jié)省初始化信號線所占用的面積。

需要說明的是，除了將第一初始化晶體管M6和第二初始化晶體管M7的柵極和源極短接到Sn-1或Sn+1，還可以將其短接到第n級柵極掃描信號Sn以外的其它級柵極掃描信號，均可以實現(xiàn)與連接到Sn-1或Sn+1相同的效果，但是從方便布線的角度來看，將M6和M7的柵極和源極均短接到Sn相鄰的Sn-1或Sn+1是最為優(yōu)選的方案。

該像素驅(qū)動電路中還包括：

開關(guān)晶體管M1，其柵極連接第n級柵極掃描信號Sn，其源極連接數(shù)據(jù)信號Data，其漏極連接驅(qū)動晶體管M2的源極。開關(guān)晶體管M1用于控制數(shù) 據(jù)線的數(shù)據(jù)信號Data的寫入，其漏極連接驅(qū)動晶體管M2的源極。

該像素驅(qū)動電路中還包括：

補(bǔ)償電路，其控制端連接第n級柵極掃描信號Sn，其第一端與第二端分別連接驅(qū)動晶體管M2的柵極與漏極。補(bǔ)償電路用于向存儲電容Cst預(yù)先存儲驅(qū)動晶體管M2的閾值電壓，包括補(bǔ)償晶體管M3，其源極與漏極分別與存儲電容Cst的第一端以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極端連接，其柵極與第n級柵極掃描信號Sn連接。補(bǔ)償電路可以補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移，改善顯示亮度均勻性。

需要說明的是，本實施例中的補(bǔ)償電路中補(bǔ)償晶體管是以一個為例，但是并不因此限定補(bǔ)償晶體管僅為一個，還可以根據(jù)需要設(shè)置兩個或多個補(bǔ)償晶體管，具體個數(shù)再此不做特殊限定。

還需要說明的是，本實施例中中的初始化晶體管的個數(shù)可以是一個，還可以根據(jù)需要設(shè)置兩個或多個初始化晶體管，根據(jù)初始化信號完成復(fù)位功能，具體個數(shù)在此不做特殊限定。在數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號寫入像素驅(qū)動電路之前，需要對像素驅(qū)動電路進(jìn)行復(fù)位，以消除上一幀數(shù)據(jù)的影響。接著，需要將數(shù)據(jù)信號存儲到存儲電容Cst中，同時通過補(bǔ)償電路將驅(qū)動晶體管M2閾值電壓階段預(yù)先寫入存儲電容Cst。然后，在存儲電容Cst里預(yù)先存儲的數(shù)據(jù)信號的控制下，通過驅(qū)動晶體管M2的驅(qū)動電流驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。不管電路中設(shè)置多少個初始化晶體管，只要需要對各個初始化晶體管均采用本實施例的方式，即將柵極和源極短接到上一級或下一級的柵極掃描信號就能完成初始化，不需要額外提供初始化信號線，減小信號線所占用的面積。

本實施例提供的像素驅(qū)動電路的有益效果在于，通過將需要初始化單元的初始化信號端短接到第n級柵極掃描信號Sn的上一級柵極掃描信號Sn-1或下一級柵極掃描信號Sn+1，對于常用的逐行掃描的驅(qū)動電路中，只有第n級柵極掃描信號為高電平，控制該行柵極掃描信號對應(yīng)的開關(guān)晶體管打開，與此同時其他柵極掃描信號(Sn-1或Sn+1)均為低電平，能夠在該初始化信號端為低電平時完成初始化，因而不需要如現(xiàn)有技術(shù)中再額外提供用于初始化的信號線，而是直接利用原本電路中其第Sn-1或Sn+1級柵極掃描信號提供低電平就能實現(xiàn)初始化，這樣可以節(jié)省初始化信號線所占用的面積，提高 顯示面板的分辨率。

實施例二

基于上述實施例一，本實施例提供的不需額外提供初始化信號而完成對存儲電容Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的初始化的像素驅(qū)動電路可以采用如下方式：

第一初始化晶體管M6的柵極和源極連接第n-1級柵極掃描信號Sn-1，第二初始化晶體管M7的柵極和源極連接第n+1級柵極掃描信號Sn+1，電路圖如圖2所示，也就是將晶體管M6的柵極和源極短接到第n-1級柵極掃描信號Sn-1，將晶體管M7的柵極和源極短接到第n+1級柵極掃描信號Sn+1。

另外，圖2中開關(guān)晶體管M1用于控制數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號的寫入，其源極與數(shù)據(jù)線Data連接，漏極與驅(qū)動晶體管M2的源極連接；驅(qū)動晶體管M2用于控制有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光，其漏極與補(bǔ)償晶體管M3的源極連接；有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極與低電壓VSS連接，可在驅(qū)動晶體管M2輸出驅(qū)動電壓的驅(qū)動下發(fā)光；補(bǔ)償晶體管M3和開關(guān)晶體管M1的柵極均連接第n級柵極掃描信號Sn，能夠在Sn-1低電平時M6打開，Sn-1的低電平充入到存儲電容Cst的一端；在Sn+1低電平時M7打開，Sn+1的低電平充入到OLED的陽極端。

本實施例能夠?qū)崿F(xiàn)的技術(shù)效果同實施例一，此處不再贅述。

實施例三

基于上述實施例一，本實施例提供的不需額外提供初始化信號而完成對存儲電容Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的初始化的像素驅(qū)動電路還可以采用如下方式：

第一初始化晶體管M6的柵極和源極以及第二初始化晶體管M7的柵極和源極均連接第n-1級柵極掃描信號Sn-1，電路圖如圖3所示。

圖3中開關(guān)晶體管M1、驅(qū)動晶體管M2、補(bǔ)償晶體管M3與電源ELVDD、低電壓VSS、數(shù)據(jù)線Data以及柵極掃描信號Sn的連接與圖2相同，此處不再贅述，不同之處在于，圖3中將晶體管M6的柵極和源極以及晶體管M7的柵極和源極全部都短接到第n-1級柵極掃描信號Sn-1，在Sn-1低電平時，M6 打開，Sn-1的低電平充入到存儲電容Cst的一端，同樣Sn-1的低電平也充入到OLED的陽極端，這樣通過一條第n-1級柵極掃描信號Sn-1就能實現(xiàn)M6和M7的初始化，實現(xiàn)節(jié)省初始化信號線占用的面積，提高分辨率的目的。

本實施例能夠?qū)崿F(xiàn)的技術(shù)效果同實施例一，此處不再贅述。

實施例四

基于上述實施例一，本實施例提供的不需額外提供初始化信號而完成對存儲電容Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的初始化的像素驅(qū)動電路還可以采用如下方式：

第一初始化晶體管M6的柵極和源極以及第二初始化晶體管M7的柵極和源極均連接第n+1級柵極掃描信號Sn+1，電路圖如圖4所示。

圖4中開關(guān)晶體管M1、驅(qū)動晶體管M2、補(bǔ)償晶體管M3與電源ELVDD、低電壓VSS、數(shù)據(jù)線Data以及柵極掃描信號Sn的連接與圖2、圖3均相同，此處不再贅述，不同之處在于，圖4中將晶體管M6的柵極和源極以及晶體管M7的柵極和源極全部都短接到第n+1級柵極掃描信號Sn+1，在Sn+1低電平時，M6打開，Sn+1的低電平充入到存儲電容Cst的一端，同樣Sn+1的低電平也充入到OLED的陽極端，這樣通過一條第n+1級柵極掃描信號Sn+1就能實現(xiàn)M6和M7的初始化，也可以實現(xiàn)節(jié)省初始化信號線占用的面積，提高分辨率的目的。

本實施例能夠?qū)崿F(xiàn)的技術(shù)效果同實施例一，此處不再贅述。

實施例五

基于上述實施例一至四，像素驅(qū)動電路中除了包括開關(guān)晶體管M1、驅(qū)動晶體管M2、補(bǔ)償晶體管M3、有機(jī)發(fā)光二極管OLED和存儲電容Cst以外，利用第一初始化晶體管M6的柵極和源極短接到Sn-1或Sn+1實現(xiàn)對存儲電容Cst的初始化，利用第二初始化晶體管M7的柵極和源極短接到Sn-1或Sn+1實現(xiàn)對有機(jī)發(fā)光二極管的初始化，在該像素驅(qū)動電路還可以包括：

第一隔離晶體管M4，其源極連接開關(guān)晶體管M1的漏極，其漏極連接電源和存儲電容Cst的第二端，其柵極連接使能信號En，該第一隔離晶體管M4主要用于隔離電源ELVDD與驅(qū)動晶體管M2的源極之間的電連接。

第二隔離晶體管M5，其源極連接驅(qū)動晶體管M2的漏極，其漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極端，其柵極連接使能信號En，第二隔離晶體管M5主要用于隔離有機(jī)發(fā)光二極管OLED與驅(qū)動晶體管M2的漏極之間的電連接。增加隔離晶體管的同時，還需要將隔離晶體管的柵極連接到使能信號En。

根據(jù)圖2-4，本實施例對應(yīng)的像素驅(qū)動電路的電路圖如圖5-7所示。另外，像素驅(qū)動電路中除了可以包括上述兩個隔離晶體管M4和M5，還可以根據(jù)具體電路設(shè)計增加其他隔離晶體管，此處不再贅述。

本實施例也能夠?qū)崿F(xiàn)的技術(shù)效果同實施例一，此處不再贅述。

實施例六

本實施例還提供了一種顯示裝置，包括以上的實施例二至五中所提供的像素驅(qū)動電路。具體地，該顯示裝置包括有多個像素單元組成的像素陣列，每個像素單元包括對應(yīng)上述實施例的任一像素驅(qū)動電路。

同時，上述像素驅(qū)動電路還能利用上一級或下一級的柵極掃描信號輸出低電平，對驅(qū)動晶體管初始化的M6的柵極與源極短接到上一級柵極掃描信號或下一級柵極掃描信號，以及對有機(jī)發(fā)光二極管OLED初始化的M7的柵極與源極短接到上一級柵極掃描信號或下一級柵極掃描信號，使得晶體管M6和M7用作二極管，因此不需要額外提供初始化信號線，可以節(jié)省初始化信號線所占用的面積，提高顯示裝置的分辨率。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識到在不脫離本發(fā)明所附的權(quán)利要求所公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下所作的變動與潤飾，均屬本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。