1.一種轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；
所述形成單元用于根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)電流和預(yù)設(shè)電壓形成標(biāo)準(zhǔn)電阻；
所述輸入單元用于根據(jù)所述輸入端輸入的驅(qū)動(dòng)電流向所述標(biāo)準(zhǔn)電阻輸出所述驅(qū)動(dòng)電流；
所述形成單元用于根據(jù)所述第一電壓端的輸入信號和所述驅(qū)動(dòng)電流形成電壓信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸入單元包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管；
所述第一晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第一晶體管的第一極與所述輸入端連接，所述第一晶體管的第二極與所述第二晶體管的第二極連接；
所述第二晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第二晶體管的第一極與所述第三晶體管的第二極連接，所述第二晶體管的第二極接地；
所述第三晶體管的柵極與所述第二晶體管的第一極連接，所述第三晶體管的第一極與所述第四晶體管的第一極連接；
所述第四晶體管的柵極與所述第二晶體管的第一極連接，所述第四晶體管的第二極與輸出端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為N型MOS晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管為P型MOS晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一電壓端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸入單元包括第五晶體管和第六晶體管；
所述第五晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第五晶體管的第一極與所述輸入端連接，所述第五晶體管的第二極與所述第六晶體管的第二極連接；
所述第六晶體管的柵極與所述輸入端連接，所述第六晶體管的第一極與所述輸出端連接，所述第六晶體管的第二極接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第五晶體管和所述第六晶體管為N型MOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一電壓端與高電平連接。
8.一種補(bǔ)償裝置，其特征在于，包括補(bǔ)償單元和權(quán)利要求1至7任一所述的轉(zhuǎn)換電路，所述補(bǔ)償單元的輸入端與所述形成單元的輸出端連接。
9.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括像素單元與權(quán)利要求8所述的補(bǔ)償裝置，所述像素單元的驅(qū)動(dòng)電流輸出端與所述輸入單元的輸入端連接。
10.一種轉(zhuǎn)換電路的工作方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)換電路包括形成單元和輸入單元，所述形成單元分別與輸出端和第一電壓端連接，所述輸入單元分別與輸入端和輸出端連接；
所述轉(zhuǎn)換電路的工作方法包括：
所述形成單元根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)電流和預(yù)設(shè)電壓形成標(biāo)準(zhǔn)電阻；
所述輸入單元根據(jù)所述輸入端輸入的驅(qū)動(dòng)電流向所述標(biāo)準(zhǔn)電阻輸出所述驅(qū)動(dòng)電流；
所述形成單元根據(jù)所述第一電壓端的輸入信號和所述驅(qū)動(dòng)電流形成電壓信號。