本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種芯片保護(hù)電路及平板顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

液晶顯示逐漸向高刷新頻率、大尺寸以及高分辨率的趨勢(shì)發(fā)展，導(dǎo)致液晶顯示的驅(qū)動(dòng)芯片需要承載的溫度越來(lái)越高。

目前，高刷新頻率、大尺寸、高分辨率的液晶顯示產(chǎn)品上的驅(qū)動(dòng)芯片的溫度可能超過(guò)了驅(qū)動(dòng)芯片本身耐受的極限溫度，而這些產(chǎn)品上并沒(méi)有相應(yīng)的芯片保護(hù)機(jī)制。當(dāng)驅(qū)動(dòng)芯片長(zhǎng)時(shí)間工作在溫度超過(guò)其耐受的極限溫度的環(huán)境中時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片會(huì)由于溫度過(guò)高導(dǎo)致壽命縮短甚至被燒毀。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種芯片保護(hù)電路及平板顯示設(shè)備，本發(fā)明的芯片保護(hù)電路能夠避免受保護(hù)芯片由于溫度過(guò)高而燒毀。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種芯片保護(hù)電路，所述芯片保護(hù)電路包括溫度敏感開(kāi)關(guān)和比較電路；

所述溫度敏感開(kāi)關(guān)包括輸入端、輸出端以及控制端，所述比較電路包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端；

所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端、輸出端以及控制端中的至少一端連接所述比較電路的第一輸入端，所述比較電路的第二輸入端輸入比較電壓，所述比較電路的輸出端用于連接受保護(hù)芯片的關(guān)斷偵測(cè)端。

其中，所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端和控制端均連接所述比較電路的第一輸入端，所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端連接恒流源。

其中，所述芯片保護(hù)電路或所述溫度敏感開(kāi)關(guān)集成于所述受保護(hù)芯片或與所述受保護(hù)芯片之間具有熱接觸。

其中，溫度越高，施壓于所述比較電路的第一輸入端的電壓越高，在所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

溫度越高，施壓于所述比較電路的第一輸入端的電壓越低，在所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度高于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度高于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)。

其中，在溫度低于或等于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的開(kāi)啟受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度低于或等于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的開(kāi)啟受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)。

本發(fā)明提出的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種平板顯示設(shè)備，所述平板顯示設(shè)備包括驅(qū)動(dòng)芯片和芯片保護(hù)電路，所述芯片保護(hù)電路包括溫度敏感開(kāi)關(guān)和比較電路；

所述溫度敏感開(kāi)關(guān)包括輸入端、輸出端以及控制端，所述比較電路包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端；

所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端、輸出端以及控制端中的至少一端連接所述比較電路的第一輸入端，所述比較電路的第二輸入端輸入比較電壓，所述比較電路的輸出端用于連接所述驅(qū)動(dòng)芯片的關(guān)斷偵測(cè)端。

其中，所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端和控制端均連接所述比較電路的第一輸入端，所述溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端連接恒流源。

其中，溫度越高，施壓于所述比較電路的第一輸入端的電壓越高，在所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

溫度越高，施壓于所述比較電路的第一輸入端的電壓越低，在所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度高于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度高于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的關(guān)閉受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)。

其中，在溫度低于或等于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓超過(guò)所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的開(kāi)啟受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)；或

在溫度低于或等于閾值時(shí)，所述第一輸入端的電壓低于所述比較電壓時(shí)，所述比較電路的輸出端輸出一或零的開(kāi)啟受保護(hù)芯片的邏輯控制信號(hào)。

其中，至少所述溫度敏感開(kāi)關(guān)集成于所述驅(qū)動(dòng)芯片，或與所述驅(qū)動(dòng)芯片熱耦合；所述平板顯示設(shè)備是液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。

有益效果：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端、輸出端以及控制端中的至少一端連接所述比較電路的第一輸入端，在所述比較電路的第二輸入端輸入比較電壓，將所述比較電路的輸出端連接受保護(hù)芯片的關(guān)斷偵測(cè)端。本發(fā)明利用溫度敏感開(kāi)關(guān)為比較電路提供受溫度影響發(fā)生變化的輸入電壓，比較電路對(duì)該受溫度影響而發(fā)生變化的輸入電壓與比較電壓進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果關(guān)斷受保護(hù)芯片，避免受保護(hù)芯片由于溫度過(guò)高而燒毀。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明芯片保護(hù)電路一實(shí)施例的電路示意圖；

圖2是本發(fā)明平板顯示設(shè)備一實(shí)施例的電路示意圖。

具體實(shí)施例

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所提供的一種芯片保護(hù)電路及平板顯示設(shè)備做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明芯片保護(hù)電路一實(shí)施例的電路示意圖，如圖1所示，虛線框內(nèi)即為本發(fā)明的芯片保護(hù)電路100，該芯片保護(hù)電路100包括：溫度敏感開(kāi)關(guān)101和比較電路102。

其中，溫度敏感開(kāi)關(guān)101包括輸入端D1、輸出端S1以及控制端G1，比較電路102包括第一輸入端V1、第二輸入端V2和輸出端V3。

其中，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的輸入端D1、輸出端S1以及控制端G1中的至少一端連接比較電路的第一輸入端V1，比較電路102的第二輸入端V2輸入比較電壓，比較電路102的輸出端V3用于連接受保護(hù)芯片U1的關(guān)斷偵測(cè)端。

其中，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的輸入端D1和控制端G1均連接比較電路102的第一輸入端V1，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的輸入端D1連接恒流源。

溫度敏感開(kāi)關(guān)101的輸入端D1和控制端G1連接比較電路102的第一輸入端V1，即將溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS作為比較電路102的第一輸入端V1輸入的電壓，比較電路的102第二輸入端V2則用于輸入與溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS進(jìn)行比較的比較電壓。

其中，芯片保護(hù)電路100或溫度敏感開(kāi)關(guān)101集成于受保護(hù)芯片U1或與受保護(hù)芯片U1之間具有熱接觸/耦合。

例如，將芯片保護(hù)電路100或所述溫度敏感開(kāi)關(guān)101集成于所述受保護(hù)芯片U1，或令芯片保護(hù)電路100或溫度敏感開(kāi)關(guān)101與受保護(hù)芯片U1之間具有熱接觸/耦合，此外，還可以讓芯片保護(hù)電路100或溫度敏感開(kāi)關(guān)101與受保護(hù)芯片U1同處于一個(gè)熱源，使得芯片保護(hù)電路100或溫度敏感開(kāi)關(guān)101與受保護(hù)芯片U1的溫度接近或一致。

本實(shí)施例中，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓隨著溫度的變化而發(fā)生變化，溫度敏感開(kāi)關(guān)101包括但不限于場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS與溫度存在函數(shù)關(guān)系，該函數(shù)關(guān)系的關(guān)系式為：V_GS＝V_GS0+aT，其中，V_GS0為常溫下溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓，a為溫度敏感開(kāi)關(guān)101的電壓溫度系數(shù)，a由溫度敏感開(kāi)關(guān)101的特性決定，可能為正數(shù)，也可能為負(fù)數(shù)。V_GS0和a可以通過(guò)對(duì)溫度敏感開(kāi)關(guān)101進(jìn)行測(cè)量得到，對(duì)于特定的溫度敏感開(kāi)關(guān)101，V_GS0和a為常數(shù)。根據(jù)溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS與溫度之間的函數(shù)關(guān)系式可以得知溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的變化會(huì)發(fā)生相應(yīng)的線性變化；根據(jù)電壓溫度系數(shù)a的正或負(fù)，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的增加而遞增或遞減。

溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS即為比較電路102的第一輸入端V1的輸入電壓。

若電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，則溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的升高而增加，從而導(dǎo)致施壓于比較電路102的第一輸入端V1的電壓隨著溫度的升高而增加。當(dāng)比較電路102的第一輸入端V1的電壓超過(guò)第二輸入端V2的電壓時(shí)，說(shuō)明溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度較高，即受保護(hù)芯片U1的溫度較高，受保護(hù)芯片U1的壽命會(huì)受到影響甚至燒毀。此時(shí)，比較電路102的輸出端V3則輸出用于關(guān)斷受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，該邏輯控制信號(hào)為一或零。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，則溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的升高而減小，從而導(dǎo)致施壓于比較電路102的第一輸入端V1的電壓隨著溫度的升高而減小。當(dāng)比較電路102的第一輸入端V1的電壓小于第二輸入端V2的電壓時(shí)，溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度較高，即受保護(hù)芯片U1的溫度也較高，受保護(hù)芯片U1的壽命受到影響甚至燒毀。此時(shí)，比較電路102的輸出端V3則輸出用于關(guān)斷受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，該邏輯控制信號(hào)為一或零。

此外，還可以將受保護(hù)芯片U1本身耐受的極限溫度T_Limit設(shè)置為閾值，當(dāng)受保護(hù)芯片長(zhǎng)U1時(shí)間工作在溫度大于T_Limit的環(huán)境中時(shí)，受保護(hù)芯片U1可能被燒毀，需要及時(shí)對(duì)受保護(hù)芯片U1進(jìn)行關(guān)斷處理，對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度也不能超過(guò)極限溫度T_Limit。當(dāng)溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度為T(mén)_Limit時(shí)，對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的極限電壓V_GS-Limit可以根據(jù)上述的函數(shù)關(guān)系式計(jì)算得到，比較電路102的第二輸入端V2的輸入電壓為溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的極限電壓V_GS-Limit。

此時(shí)，若電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，則溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的升高而增加，當(dāng)溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度大于T_Limit時(shí)，對(duì)應(yīng)的電壓V_GS大于極限電壓V_GS-Limit，則說(shuō)明溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度超過(guò)受保護(hù)芯片U1耐受的極限溫度，即受保護(hù)芯片U1的溫度超過(guò)受保護(hù)芯片U1耐受的極限溫度，受保護(hù)芯片U1可能被燒毀。此時(shí)，比較電路102的輸出端V3輸出用于關(guān)斷受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，該邏輯控制信號(hào)為一或零。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，則溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的升高而減小，當(dāng)溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度大于T_Limit時(shí)，對(duì)應(yīng)的電壓V_GS小于極限電壓V_GS-Limit，則說(shuō)明溫度敏感開(kāi)關(guān)101的溫度超過(guò)受保護(hù)芯片U1耐受的極限溫度，即受保護(hù)芯片U1的溫度超過(guò)受保護(hù)芯片U1耐受的極限溫度，受保護(hù)芯片U1可能被燒毀。此時(shí)，比較電壓102的輸出端V3輸出用于關(guān)斷受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，該邏輯控制信號(hào)為一或零。

本實(shí)施例利用溫度敏感開(kāi)關(guān)101為比較電路102提供受溫度影響發(fā)生變化的輸入電壓，比較電路102利用該受溫度影響而發(fā)生變化的輸入電壓與比較電壓進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果關(guān)斷受保護(hù)芯片U1，避免受保護(hù)芯片U1由于溫度過(guò)高而導(dǎo)致壽命縮短甚至燒毀。

對(duì)受保護(hù)芯片U1進(jìn)行關(guān)斷后，受保護(hù)芯片U1不再正常工作，受保護(hù)芯片U1的溫度會(huì)逐漸下降，若電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，則對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的降低而減小。當(dāng)受保護(hù)芯片U1的溫度下降到小于或等于極限溫度T_Limit時(shí)，或小于極限溫度T_Limit下的某個(gè)溫度時(shí)，對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS也會(huì)小于或等于極限電壓V_G1S1-Limit，或小于相應(yīng)的某個(gè)啟動(dòng)電壓，比較電路102的輸出端V3則輸出用于開(kāi)啟受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，以使受保護(hù)芯片U1正常工作。邏輯控制信號(hào)為一或零。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，則對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)101的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS隨著溫度的降低而增加。當(dāng)受保護(hù)芯片U1的溫度下降到小于或等于極限溫度T_Limit時(shí)，或小于極限溫度T_Limit下的某個(gè)溫度時(shí)，對(duì)應(yīng)的溫度敏感開(kāi)關(guān)的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS也會(huì)大于或等于極限電壓V_GS-Limit，或小于相應(yīng)的某個(gè)啟動(dòng)電壓，比較電路102的輸出端S1則輸出用于開(kāi)啟受保護(hù)芯片U1的邏輯控制信號(hào)，以使受保護(hù)芯片U1正常工作。邏輯控制信號(hào)為一或零。

本發(fā)明另一實(shí)施例提出了一種平板顯示設(shè)備，參照?qǐng)D2，圖2是本發(fā)明平板顯示設(shè)備一實(shí)施例的電路示意圖。

如圖2所示，該平板顯示設(shè)備包括驅(qū)動(dòng)芯片U2和芯片保護(hù)電路300，芯片保護(hù)電路300包括溫度敏感開(kāi)關(guān)301和比較電路302，該溫度敏感開(kāi)關(guān)301和比較電路302分別與圖1中的溫度敏感開(kāi)關(guān)101和比較電路102相同；溫度敏感開(kāi)關(guān)301包括輸入端D1、輸出端S1以及控制端G1，比較電路包括第一輸入端V1、第二輸入端V2和輸出端S1；溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端D1、輸出端S1以及控制端G1中的至少一端連接比較電路的第一輸入端V1，比較電路的第二輸入端V2輸入比較電壓，比較電路的輸出端V3用于連接驅(qū)動(dòng)芯片U2的關(guān)斷偵測(cè)端。

芯片保護(hù)電路300或溫度敏感開(kāi)關(guān)301集成于驅(qū)動(dòng)芯片U2或與驅(qū)動(dòng)芯片U2之間具有熱接觸/耦合。

該平板顯示設(shè)備是液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。

該實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)芯片U2即為芯片保護(hù)電路的實(shí)施例中的受保護(hù)芯片U1。

溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端D1和控制端G1均連接比較電路的第一輸入端V1，溫度敏感開(kāi)關(guān)的輸入端D1連接恒流源。

本實(shí)施例中，溫度敏感開(kāi)關(guān)包括但不限于場(chǎng)效應(yīng)晶體管，溫度敏感開(kāi)關(guān)的控制端G1和輸出端S1之間的電壓隨著溫度的變化而發(fā)生變化。溫度敏感開(kāi)關(guān)的控制端G1和輸出端S1之間的電壓V_GS與溫度存在函數(shù)關(guān)系，該函數(shù)關(guān)系與芯片保護(hù)電路實(shí)施例相同，此處不再贅述。

若電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，溫度敏感開(kāi)關(guān)301的溫度越高，施壓于比較電路302的第一輸入端V1的電壓越高，在第一輸入端V1的電壓超過(guò)第二輸入端V2的比較電壓時(shí)，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，溫度敏感開(kāi)關(guān)301的溫度越高，施壓于比較電路302的第一輸入端V1的電壓越低，在第一輸入端V1的電壓低于第二輸入端V2的比較電壓時(shí)，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

將驅(qū)動(dòng)芯片U2本身耐受的極限溫度T_Limit設(shè)置為閾值。

若電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，在溫度高于閾值時(shí)，比較電路302的第一輸入端V1的電壓超過(guò)第二輸入端V2的比較電壓，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，在溫度高于閾值時(shí)，比較電路302的第一輸入端V1的電壓低于第二輸入端V2的比較電壓，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的關(guān)閉驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片U2進(jìn)行關(guān)斷后，驅(qū)動(dòng)芯片U2停止正常工作，驅(qū)動(dòng)芯片U2的溫度會(huì)逐漸下降。

若電壓溫度系數(shù)a為負(fù)數(shù)，在溫度低于或等于閾值時(shí)，比較電路302的第一輸入端V1的電壓超過(guò)第二輸入端V2的比較電壓，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

電壓溫度系數(shù)a為正數(shù)，在溫度低于或等于閾值時(shí)，比較電路302的第一輸入端V1的電壓低于第二輸入端V2的比較電壓，比較電路302的輸出端V3輸出一或零的開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)芯片U2的邏輯控制信號(hào)。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。