本發(fā)明涉及像素驅(qū)動技術(shù)領域，尤其涉及一種像素驅(qū)動電路、驅(qū)動方法、像素單元和顯示裝置。

背景技術(shù)：

由于工藝偏差，顯示裝置包括的像素驅(qū)動電路中的驅(qū)動TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)閾值電壓會發(fā)生偏移，導致不同的像素的驅(qū)動電流出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象?，F(xiàn)有的像素驅(qū)動電路不能夠在消除因工藝偏差而產(chǎn)生的閾值電壓偏差的同時節(jié)省電路設計的空間，因此不能夠增加像素開口率，減少電路信號線數(shù)量，降低電路成本，方便電路設計。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動電路、驅(qū)動方法、像素單元和顯示裝置，解決現(xiàn)有的像素驅(qū)動電路不能夠在消除因工藝偏差而產(chǎn)生的閾值電壓偏差的同時節(jié)省電路設計的空間的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路，包括：

驅(qū)動晶體管，第一極與發(fā)光元件連接；

充放電單元，第一端與所述驅(qū)動晶體管的第二極連接；

發(fā)光控制單元，分別與第一掃描線、所述驅(qū)動晶體管的第二極和第一電平輸出端連接，用于在第一掃描線的控制下在充電階段和發(fā)光階段控制所述驅(qū)動晶體管的第二極和第一電平輸出端連接；

數(shù)據(jù)寫入控制單元，分別與數(shù)據(jù)線、第二掃描線和所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，用于在充電階段和電路調(diào)整階段在第二掃描線的控制下控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線連接；以及，

充放電控制單元，分別與所述數(shù)據(jù)線、所述驅(qū)動晶體管的第一極、第二電平輸出端、所述第一掃描線、所述充放電單元的第二端和所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，用于在所述數(shù)據(jù)線的控制下在電路調(diào)整階段控制所述驅(qū)動晶體管的第一極與所述第二電平輸出端連接，在所述第一掃描線的控制下在充電階段和發(fā)光階段控制所述充放電單元的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接。

實施時，所述發(fā)光控制單元包括：發(fā)光控制晶體管，柵極與所述第一掃描線連接，第一極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接，第二極與所述第一電平端連接。

實施時，所述數(shù)據(jù)寫入控制單元包括：數(shù)據(jù)寫入控制晶體管，柵極與所述第二掃描線連接，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接。

實施時，所述充放電控制單元包括：第一充放電控制晶體管，柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，第一極與所述第二電平輸出端連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接；以及，

第二充放電控制晶體管，柵極與所述第一掃描線連接，第一極與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，第二極與所述充放電單元的第二端連接。

實施時，所述充放電單元包括存儲電容；

所述存儲電容的第一端與所述驅(qū)動晶體管的第二極連接，所述存儲電容與所述充放電控制單元連接。

本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，應用于上述的像素驅(qū)動電路，所述像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法包括：在每一顯示周期，

在充電階段，數(shù)據(jù)線輸出第三電平，發(fā)光控制單元在第一掃描線的控制下控制驅(qū)動晶體管的第一極和第一電平輸出端連接，數(shù)據(jù)寫入控制單元在第二掃描線的控制下控制驅(qū)動晶體管的柵極與數(shù)據(jù)線連接，以控制所述驅(qū)動晶體管斷開；充放電控制單元在所述第一掃描線的控制下控制充放電單元的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接；

在電路調(diào)整階段，數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata，數(shù)據(jù)寫入控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，數(shù)據(jù)寫入控制單元在第二掃描線的控制下控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，充放電控制單元在所述數(shù)據(jù)電壓的控制下控制所述驅(qū)動晶體管的第一極與第二電平輸出端連接，以控制所述驅(qū)動晶體管導通直至充放電單元放電而使得所述充放電單元的第一端的電位和所述充放電單元的第二端的電位的電位差為Vdata+Vth；Vth為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

在發(fā)光階段，發(fā)光控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的第一極和第一電平輸出端連接，充放電控制單元在所述第一掃描線的控制下控制所述充放電單元的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，以控制所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓維持為Vdata+Vth，使得所述驅(qū)動晶體管導通從而控制所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓。

實施時，當所述驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第三電平與所述第一電平輸出端輸出的第一電平之間的差值小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以控制在充電階段所述驅(qū)動晶體管斷開。

實施時，當所述驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，所述第三電平與所述第一電平輸出端輸出的第一電平之間的差值大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以控制在充電階段所述驅(qū)動晶體管斷開。

本發(fā)明還提供了一種像素單元，包括發(fā)光元件和上述的像素驅(qū)動電路，所述像素驅(qū)動電路與所述發(fā)光元件連接，驅(qū)動所述發(fā)光元件發(fā)光。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的像素單元。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路、驅(qū)動方法、像素單元和顯示裝置可以在消除因工藝偏差而產(chǎn)生的閾值電壓偏差，解決電流不均造成的畫面質(zhì)量問題的同時節(jié)省電路設計的空間，能夠增加像素開口率，減少電路信輸入數(shù)量，降低電路成本，方便電路設計。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的一具體實施例的電路圖；

圖3是本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動電路的具體實施例的工作時序圖；

圖4A是本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動電路的具體實施例在充電階段T1的電流流向示意圖；

圖4B是本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動電路的具體實施例在電路調(diào)整階段T2的電流流向示意圖；

圖4C是本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動電路的具體實施例在發(fā)光階段T3的電流流向示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括：

驅(qū)動晶體管DTFT，第一極與發(fā)光元件10連接；

充放電單元11，第一端與所述驅(qū)動晶體管DTFT的第二極連接；

發(fā)光控制單元12，分別與第一掃描線Scan1、所述驅(qū)動晶體管DTFT的第二極和第一電平輸出端VD1連接，用于在第一掃描線Scan1的控制下在充電階段和發(fā)光階段控制所述驅(qū)動晶體管DTFT的第二極和第一電平輸出端VD1連接；

數(shù)據(jù)寫入控制單元13，分別與數(shù)據(jù)線Data、第二掃描線Scan2和所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接，用于在充電階段和電路調(diào)整階段在第二掃描線Scan2的控制下控制所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極與所述數(shù)據(jù)線Data連接；以及，

充放電控制單元14，分別與所述數(shù)據(jù)線Data、所述驅(qū)動晶體管DTFT的第一極、第二電平輸出端VD2、所述第一掃描線Scan1、所述充放電單元11的第二端和所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接，用于在所述數(shù)據(jù)線Data的控制下在電路調(diào)整階段控制所述驅(qū)動晶體管DTFT的第一極與所述第二電平輸出端VD2連接，在所述第一掃描線Scan1的控制下在充電階段和發(fā)光階段控制所述充放電單元11的第二端與所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接。

在圖1中，以DTFT為n型晶體管為例，但是在實際操作時，DTFT也可以為p型晶體管，在此對驅(qū)動晶體管的類型不作限定。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路可以在消除因工藝偏差而產(chǎn)生的閾值電壓偏差，解決電流不均造成的畫面質(zhì)量問題的同時節(jié)省電路設計的空間，能夠增加像素開口率，減少信號線數(shù)量，降低電路成本，方便電路設計。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路與現(xiàn)有的常見的像素驅(qū)動電路不同的是由數(shù)據(jù)線Data直接控制充放電控制模塊包括的晶體管，從而在電路調(diào)整階段(也即數(shù)據(jù)電壓寫入階段)通過Data控制該晶體管導通從而控制驅(qū)動晶體管DTFT的第一極與第二電平輸出端VD2連接，Data直接控制晶體管開啟和關斷，并通過第一掃描線Scan1和第二掃描線Scan2的配合控制，節(jié)省信號線數(shù)量，降低電路成本，方便電路設計。

具體的，所述發(fā)光控制單元包括：發(fā)光控制晶體管，柵極與所述第一掃描線連接，第一極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接，第二極與所述第一電平端連接。

具體的，所述數(shù)據(jù)寫入控制單元包括：數(shù)據(jù)寫入控制晶體管，柵極與所述第二掃描線連接，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接。

具體的，所述充放電控制單元包括：第一充放電控制晶體管，柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，第一極與所述第二電平輸出端連接，第二極與所述驅(qū)動晶體管的第一極連接；以及，

第二充放電控制晶體管，柵極與所述第一掃描線連接，第一極與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，第二極與所述充放電單元的第二端連接。

具體的，所述充放電單元包括存儲電容，所述存儲電容的第一端與所述驅(qū)動晶體管的第二極連接，所述存儲電容與所述充放電控制單元連接。

在實際操作時，當DTFT和各單元包括的晶體管為n型晶體管時，所述第一電平輸出端VD1輸出高電平Vdd，Vdd≥Vdh(Vdh是對應于最高亮度的數(shù)據(jù)電壓)，所述第二電平輸出端VD2為地端GND。

如圖2所示，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的一具體實施例用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光，該像素驅(qū)動電路的具體實施例包括驅(qū)動晶體管DTFT、充放電單元、發(fā)光控制單元、數(shù)據(jù)寫入控制單元和充放電控制單元，其中，

所述驅(qū)動晶體管DTFT的源極與有機發(fā)光二極管OLED的陽極連接，有機發(fā)光二極管OLED的陰極與地端GND連接；

所述充放電單元包括存儲電容C1；所述存儲電容C1的第一端與所述驅(qū)動晶體管DTFT的漏極連接；

所述發(fā)光控制單元包括：發(fā)光控制晶體管T1，柵極與第一掃描線Scan1連接，源極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的漏極連接，漏極接入高電平Vdd；

所述數(shù)據(jù)寫入控制單元包括：數(shù)據(jù)寫入控制晶體管T2，柵極與第二掃描線Scan2連接，源極與數(shù)據(jù)線Data連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接；

所述充放電控制單元包括：

第一充放電控制晶體管T3，柵極與所述數(shù)據(jù)線Data連接，源極與地端GND連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的源極連接；以及，

第二充放電控制晶體管T4，柵極與所述第一掃描線Scan1連接，源極與所述驅(qū)動晶體管DTFT的柵極連接，漏極與所述存儲電容C1的第二端連接。

如圖3所示，本發(fā)明如圖2所示的像素驅(qū)動電路的具體實施例在工作時，

在充電階段T1，Scan1和Scan2都輸出高電平，Data輸出的數(shù)據(jù)電壓為0，T1、T2和T4都打開，DTFT和T3關閉，此時，如圖4A所示，T1、C1、T4和T2構(gòu)成充電電路，電流路徑如圖4A中帶有箭頭的線所示，將a點電位Va充電至Vdd(a點即與C1的第一端連接的第一節(jié)點)，b點電位為Vb為0(b點即為與C1的第二端連接的第二節(jié)點)；

在電路調(diào)整階段T2，Scan1輸出低電壓Vscan1(V1＜Vscan1＜V2，V1為T1的反向擊穿電壓，V2為T1的閾值電壓Vth與T1關閉電壓的差值)，以使得T1關閉，Scan2輸出高電壓Vscan2(高電壓Vscan在對應于最低亮度的數(shù)據(jù)電壓及對應于最高亮度的數(shù)據(jù)電壓Vdh之間)，以使得T2打開，Data輸出Vdata，Vdata為高電平，此時T1和T4都關閉，T2、DTFT和T3都打開，這樣C1會放電，放電路徑如圖4B所示，通過C1、DTFT和T3放電，當?shù)谝还?jié)點a的電壓Va降到Vdata+Vth時，C1放電截止，Va-Vb＝Vdata+Vth；

在電路發(fā)光階段T3，Scan1輸出高電平，以使得T1打開，Scan2輸出低電平，以使得T2關閉，Data輸出的數(shù)據(jù)電壓為0，此時如圖4C所示，T1、T4和DTFT都打開，T2和T3都關閉，c點的電位Vc和b點的電位Vb相同(c為與DTFT的柵極連接的第三節(jié)點)，a點的電位與c點的電位之間的差值保持為Vdata+Vth，也即此時DTFT的柵源電壓Vgs保持為Vdata+Vth，流過DTFT的驅(qū)動電流I＝K×(Vgs-Vth)²＝K×Vdata²,OLED將保持恒定電流發(fā)光，不受DTFT的閾值電壓Vth影響，其中，K為DTFT的電流系數(shù)。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，應用于上述的像素驅(qū)動電路，所述像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法包括：在每一顯示周期，

在充電階段，數(shù)據(jù)線輸出第三電平，發(fā)光控制單元在第一掃描線的控制下控制驅(qū)動晶體管的第一極和第一電平輸出端連接，數(shù)據(jù)寫入控制單元在第二掃描線的控制下控制驅(qū)動晶體管的柵極與數(shù)據(jù)線連接，充放電控制單元在所述第一掃描線的控制下控制充放電單元的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接；

在電路調(diào)整階段，數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)電壓Vdata，數(shù)據(jù)寫入控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，數(shù)據(jù)寫入控制單元在第二掃描線的控制下控制所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線連接，充放電控制單元在所述數(shù)據(jù)電壓的控制下控制所述驅(qū)動晶體管的第一極與第二電平輸出端連接，以控制所述驅(qū)動晶體管導通直至充放電單元放電而使得所述充放電單元的第一端的電位和所述充放電單元的第二端的電位的電位差為Vdata+Vth；Vth為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

在發(fā)光階段，發(fā)光控制單元控制所述驅(qū)動晶體管的第一極和第一電平輸出端連接，充放電控制單元在所述第一掃描線的控制下控制所述充放電單元的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極連接，以控制所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓維持為Vdata+Vth，使得所述驅(qū)動晶體管導通從而控制所述驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓。

在實際操作時，當所述驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第三電平與所述第一電平輸出端輸出的第一電平之間的差值小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以控制在充電階段所述驅(qū)動晶體管斷開。

在實際操作時，當所述驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，所述第三電平與所述第一電平輸出端輸出的第一電平之間的差值大于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以控制在充電階段所述驅(qū)動晶體管斷開。

本發(fā)明實施例所述的像素單元包括發(fā)光元件和上述的像素驅(qū)動電路，所述像素驅(qū)動電路與所述發(fā)光元件連接，驅(qū)動所述發(fā)光元件發(fā)光。

本發(fā)明實施例所述的顯示裝置包括上述的像素單元。在實際操作時，所述顯示裝置可以為任何具有顯示功能的裝置，也可以為顯示面板。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。