本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板、顯示面板及顯示面板的驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

有機電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器是當今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點之一，與液晶顯示器相比，OLED顯示器具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點，目前，在手機、PDA、數(shù)碼相機等平板顯示領(lǐng)域，OLED顯示器已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)。

在現(xiàn)有的OLED顯示器，如圖1所示，具有呈矩陣排列的多個像素，每一像素中包括R、G、B三個有機發(fā)光二極管，每一有機發(fā)光二極管通過一個像素電路與對應(yīng)列的數(shù)據(jù)線以及對應(yīng)行的柵線相連，有機發(fā)光二極管在像素電路的驅(qū)動下發(fā)光。

但是，現(xiàn)有的OLED顯示器，由于數(shù)據(jù)線的數(shù)量比較多，數(shù)據(jù)線之間會產(chǎn)生電容耦合作用，而數(shù)據(jù)線的電容耦合作用，會使有機發(fā)光二極管的亮度低于正常亮度。因此，如何降低顯示器的電容耦合作用是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示面板的驅(qū)動方法，通過將相同顏色的有機發(fā)光二極管共用一個像素電路，通過減少像素電路的數(shù)量減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而可以減小顯示面板的數(shù)據(jù)線電容耦合作用。

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括：

沿行方向和列方向排列的多個像素，每一所述像素中設(shè)置有至少三種不同顏色的有機發(fā)光二極管；以及

像素電路；

其中，至少一個所述像素電路包括第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊，同一所述像素電路的所述第一發(fā)光控制模塊和所述第二發(fā)光控制模塊分別連接兩個相同顏色的所述有機發(fā)光二極管；

與同一所述像素電路連接的兩個相同顏色的所述有機發(fā)光二極管分別為第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種上述顯示面板的驅(qū)動方法，在顯示每一幀畫面時，所述像素電路驅(qū)動與其連接的所述第一有機發(fā)光二極管和所述第二有機發(fā)光二極管交替發(fā)光。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了另一種上述顯示面板的驅(qū)動方法，在顯示第奇數(shù)幀畫面時，所述像素電路驅(qū)動與其連接所述第一有機發(fā)光二極管發(fā)光；在顯示第偶數(shù)幀畫面時，所述像素電路驅(qū)動與其連接的所述第二有機發(fā)光二極管發(fā)光。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、顯示面板及顯示面板的驅(qū)動方法，其中陣列基板包括像素和像素電路，像素中設(shè)置有至少三種不同顏色的有機發(fā)光二極管，由于至少一個像素電路包括第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊，同一像素電路的第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊分別連接兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管。這樣采用一個像素電路的第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊分別控制相同顏色的兩個有機發(fā)光二極管，不僅可以減少陣列基板上像素電路的數(shù)量，還可以減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而可以減小數(shù)據(jù)線的電容耦合作用。并且，在單位面積上像素數(shù)目(PPI)一定的基礎(chǔ)上，減少像素電路和數(shù)據(jù)線數(shù)量還可以起到加寬數(shù)據(jù)線寬度和增大像素尺寸的作用，進而可以減小數(shù)據(jù)線上的壓降和降低陣列基板的工藝難度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8所示的像素電路對應(yīng)的一種工作時序圖；

圖10為圖8所示的像素電路對應(yīng)的另一種工作時序圖；

圖11為圖8所示的像素電路對應(yīng)的另一種工作時序圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，如圖1所示，包括：

沿行方向和列方向排列的多個像素1(圖1中僅示出沿行方向排列的兩個像素)，每一像素1中設(shè)置有至少三種不同顏色的有機發(fā)光二極管(圖1中的R、G和B)；以及像素電路2；其中，至少一個像素電路2包括第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22，同一像素電路2的第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22分別連接兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管(圖1中的R或G)；與同一像素電路2連接的兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管分別為第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12。

在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，包括像素1和像素電路2，像素1中設(shè)置有至少三種不同顏色的有機發(fā)光二極管，由于至少一個像素電路2包括第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22，同一像素電路2的第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22分別連接兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管。這樣采用一個像素電路2的第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22分別控制相同顏色的兩個有機發(fā)光二極管，不僅可以減少陣列基板上像素電路2的數(shù)量，還可以減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而可以減小數(shù)據(jù)線的電容耦合作用。并且，在單位面積上像素數(shù)目(PPI)一定的基礎(chǔ)上，減少像素電路和數(shù)據(jù)線數(shù)量還可以起到加寬數(shù)據(jù)線寬度和增大像素尺寸的作用，進而可以減小數(shù)據(jù)線上的壓降和降低陣列基板的工藝難度。

需要說明的是，本發(fā)明說明書附圖均是以像素中設(shè)置有R、G、B三種顏色的有機發(fā)光二極管為例進行說明的，但本發(fā)明對有機發(fā)光二極管的具體顏色不做具體限制。

本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，可以是每一像素電路均連接有兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管，也可以僅有部分像素電路是連接有兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管，在此不作限定。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，每一像素電路均連接有兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，與同一像素電路連接的第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管同時發(fā)光。與像素分辨率相同的現(xiàn)有顯示面板相比，相當于減少了像素電路的數(shù)量，同時由于像素電路數(shù)量減少還會相應(yīng)的減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，與同一像素電路連接的第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管交替發(fā)光。相當于每種顏色的有機發(fā)光二極管的壽命提高了一倍，從而延長了陣列基板的使用壽命。與同一像素電路連接的第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管可以是一幀畫面內(nèi)交替發(fā)光發(fā)光，也可以是在相鄰兩幀畫面間交替發(fā)光，在此不作限定。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2a和圖2b所示，圖2a為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，與同一像素電路2連接的第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12分別屬于相鄰的兩個像素1，這樣便于陣列基板上的布線。

進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖2a所示，與同一像素電路2連接的第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12沿行方向相鄰設(shè)置；或者，如圖2b所示，與同一像素電路2連接的第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12沿列方向相鄰設(shè)置。

以圖2a所示的陣列基板為例，假設(shè)在一幀畫面中，相鄰的兩個像素1中，一個像素1需要顯示紫色、另一個像素1需要顯示黃色。則在沿列方向相鄰的這兩個像素1中，與兩個紅色的有機發(fā)光二極管R相連的像素電路2控制該兩個紅色的有機發(fā)光二極管R同時發(fā)光，與兩個藍色的有機發(fā)光二極管B相連的像素電路2僅控制位于第一列像素1中的藍色的有機發(fā)光二極管B發(fā)光，與兩個綠色的有機發(fā)光二極管G相連的像素電路2僅控制位于第二列像素1中的綠色的有機發(fā)光二極管G發(fā)光。這時，第一列像素1中僅有紅色的有機發(fā)光二極管R和藍色的有機發(fā)光二極管B發(fā)光，該像素1顯示紫色。第二列像素1中僅有紅色的有機發(fā)光二極管R和綠色的有機發(fā)光二極管G發(fā)光，該像素1顯示黃色。從而利用三個像素電路2控制兩個像素1，減少了引線。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖3a和圖3b所示，圖3a為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3b為本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，與同一像素電路2連接的第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12屬于同一個像素1。

進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖3a和圖3b所示，各像素1中每種顏色的有機發(fā)光二極管(例如圖3a和圖3b中的R、G或B)的數(shù)量為兩個，且像素1中兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管沿行方向或沿列方向相鄰設(shè)置。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。各像素電路2還包括驅(qū)動模塊23，驅(qū)動模塊23用于驅(qū)動第一有機發(fā)光二極管11或第二有機發(fā)光二極管12發(fā)光；其中，第一有機發(fā)光二極管11通過第一發(fā)光控制模塊21與驅(qū)動模塊23連接，第二有機發(fā)光二極管12通過第二發(fā)光控制模塊22與驅(qū)動模塊23連接；第一發(fā)光控制模塊21用于在第一控制信號Emit1的控制下使第一有機發(fā)光二極管11與驅(qū)動模塊23導(dǎo)通；第二發(fā)光控制模塊22用于在第二控制信號Emit2的控制下使第二有機發(fā)光二極管12與驅(qū)動模塊23導(dǎo)通。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖5a和圖5b所示，圖5a為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖，圖5b為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖。像素電路2中，第一發(fā)光控制模塊21包括第一開關(guān)晶體管M1；其中，第一開關(guān)晶體管M1的柵極用于接收第一控制信號Emit1，第一開關(guān)晶體管M1的第一極與第一有機發(fā)光二極管11相連，第一開關(guān)晶體管M1的第二極與驅(qū)動模塊23相連。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，如圖5a和圖5b所示，像素電路2中，第二發(fā)光控制模塊22包括第二開關(guān)晶體管M2；其中，第二開關(guān)晶體管M2的柵極用于接收第二控制信號Emit2，第二開關(guān)晶體管M2的第一極與第二有機發(fā)光二極管12相連，第二開關(guān)晶體管M2的第二極與驅(qū)動模塊23相連。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2均為P型晶體管或者均為N型晶體管。如圖5a所示，像素電路2中，第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2均為P型晶體管；或者如圖5b所示，第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2均為N型晶體管。這樣第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2可以采用相同制備工藝。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖6a和圖6b所示，圖6a為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖，圖6b為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖。在像素電路2中，第一控制信號Emit1與第二控制信號Emit2為同一控制信號，第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2為不同類型的晶體管。如圖6a所示，第一開關(guān)晶體管M1為N型晶體管，第二開關(guān)晶體管M2為P型晶體管；或者，如圖6b所示，第一開關(guān)晶體管M1為P型晶體管，第二開關(guān)晶體管M2為N型晶體管。這樣，同一時刻，第一開關(guān)晶體管M1和第二開關(guān)晶體管M2中只能有一個處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而第一有機發(fā)光二極管11和第二有機發(fā)光二極管12只能是交替發(fā)光。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，驅(qū)動模塊可以是任何能夠驅(qū)動有機發(fā)光二極管發(fā)光的結(jié)構(gòu)，在此不作限定。下面以其中一種實施例舉例說明。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖5a至圖6b所示，像素電路2中，驅(qū)動模塊23包括：第三開關(guān)晶體管M3、第四開關(guān)晶體管M4、第五開關(guān)晶體管M5、第六開關(guān)晶體管M5、驅(qū)動晶體管M0和電容C1；其中，第三開關(guān)晶體管M3的柵極用于接收第一掃描信號Scan1，第三開關(guān)晶體管M3的第一極用于接收參考信號Vref，第三開關(guān)晶體管M3的第二極分別與驅(qū)動晶體管M0的柵極、第六開關(guān)晶體管M6的第一極以及電容C1的第一端相連；第四開關(guān)晶體管M4的柵極與用于接收第三控制信號Emit3，第四開關(guān)晶體管M4的第一極分別與電容C1的第二端和第一電壓源VDD相連，第四開關(guān)晶體管M4的第二極分別與驅(qū)動晶體管M0的第一極和第五開關(guān)晶體管M5的第二極相連；第五開關(guān)晶體管M5的柵極用于接收第二掃描信號Scan2，第五開關(guān)晶體管M5的第一極用于接收數(shù)字信號Vdata；第六開關(guān)晶體管M6的柵極用于接收第二掃描信號Scan2，第六開關(guān)晶體管M6的第二極分別與驅(qū)動晶體管M0的第二極、第一發(fā)光控制模塊21和第二發(fā)光控制模塊22相連。

進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖7所示，圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖，像素電路中，驅(qū)動模塊23還包括：第七開關(guān)晶體管M7；其中，第七開關(guān)晶體管M7的柵極用于接收第四控制信號Emit4，第七開關(guān)晶體管M7的第一極與第一電壓源VDD相連，第七開關(guān)晶體管M7的第二極與驅(qū)動晶體管M0的第一極相連。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，如圖8所示，圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板中又一種像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖。圖8與圖7提供的實施例的區(qū)別在于，第四開關(guān)晶體管M4的柵極接收第一控制信號Emit1，第七開關(guān)晶體管M7的柵極接收第二控制信號Emit2。第四開關(guān)晶體管與第一開關(guān)晶體管M1接收相同的控制信號，第七開關(guān)晶體管M7與第二開關(guān)晶體管M2接收相同的控制信號，從而減少控制信號的數(shù)量。

以上僅是舉例說明像素電路中驅(qū)動模塊的具體結(jié)構(gòu)，在具體實施時，驅(qū)動模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實施例提供的上述結(jié)構(gòu)，還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu)，在此不做限定。

在具體實施，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，像素電路中，第三開關(guān)晶體管、第四開關(guān)晶體管、第五開關(guān)晶體管、第六開關(guān)晶體管和第七開關(guān)晶體管均為N型晶體管或P型晶體管。

優(yōu)選的，為了簡化制備工藝，在本發(fā)明實施提供的上述陣列基板中，像素電路中的所有晶體管均為N型晶體管或P型晶體管。

需要說明的是，本發(fā)明上述實施例中提到的晶體管可以是薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOS，Metal Oxide Scmiconductor)，在此不作限定。在具體實施中，這些晶體管的第一極可以為源極，第二極為漏極，當然也可以是第一極為漏極，第二極為源極。

下面以圖8所示的像素電路為例，說明本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，像素電路的工作原理。其中在圖8所示的像素電路中，所有晶體管均為P型晶體管，各P型晶體管在高電平信號作用下截止，在低電平信號作用下導(dǎo)通。下述描述中以1表示高電平信號，0表示低電平信號。

以第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管同時發(fā)光為例，一幀時間對應(yīng)的輸入時序圖如圖9所示，圖9為圖8所示的像素電路對應(yīng)的一種工作時序圖。具體地，選取如圖9所示的輸入時序圖中的T1、T2和T3三個階段。

在重置階段T1，Scan1＝0，Scan2＝1，Emit1＝1，Emit2＝1。

僅第三開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管均截止。導(dǎo)通的第三開關(guān)晶體管M3將參考信號Vref提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極，電容C1開始充電，電容C1第一端的電壓為Vref。在此階段中，參考信號Vref需要滿足Vref>VGL-V_th，VGL為低電平信號的電位，V_th為驅(qū)動晶體管M0的閾值電壓，否則驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓為VGL-V_th。

在補償階段T2，Scan1＝1，Scan2＝0，Emit1＝1，Emit2＝1。

第五開關(guān)晶體管M5和第六晶體管M6導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。驅(qū)動晶體管M0導(dǎo)通，數(shù)字信號Vdata依次通過導(dǎo)通的第五開關(guān)晶體管M5、驅(qū)動晶體晶體管M0和第六晶體管N6導(dǎo)通使電容C1開始放電，當驅(qū)動晶體管M0的柵極電壓與其第一極電壓的電壓差Vgs滿足Vgs＝V_th時，驅(qū)動晶體管M0截止，此時電容C1的第一端的電壓變?yōu)閂data+V_th。

在發(fā)光階段T3，Scan1＝1，Scan2＝1，Emit1＝0，Emit2＝0。

第一開關(guān)晶體管M1、第二開關(guān)晶體管M2、第四開關(guān)晶體管M4和第七晶體管M7導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。電容C1第一端的電壓仍為Vdata+V_th，第一電壓源VDD的電壓Vdd通過導(dǎo)通的第四開關(guān)晶體管M4和第七晶體管M7提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極。驅(qū)動晶體管M0工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0工作電流I滿足公式：I＝K(V_gs–V_th)²＝K[(Vdata+V_th)-Vdd-V_th]²＝K(Vdata-Vdd)²，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。需要注意的是，驅(qū)動晶體管M0的第二極與第一極的電壓差Vds需要滿足Vds<Vgs-V_th，其中Vgs-V_th小于或等于5伏。

可以看出流過第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管的電流已經(jīng)不受驅(qū)動晶體管的閾值電壓影響，僅與數(shù)據(jù)信號和第一電源電壓端有關(guān)，徹底解決了驅(qū)動晶體管由于工藝制程以及長時間操作造成的閾值電壓漂移對發(fā)光二極管的工作電流I_oled的影響，改善面板顯示不均勻性。

以一幀時間內(nèi)僅有第一有機發(fā)光二極管發(fā)光為例，一幀時間對應(yīng)的輸入時序圖如圖10所示，圖10為圖8所示的像素電路對應(yīng)的另一種工作時序圖。具體地，選取如圖10所示的輸入時序圖中的T1、T2和T3三個階段。

在重置階段T1，Scan1＝0，Scan2＝1，Emit1＝1，Emit2＝1。

僅第三開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管均截止。導(dǎo)通的第三開關(guān)晶體管M3將參考信號Vref提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極，電容C1開始充電，電容C1第一端的電壓為Vref。在此階段中，參考信號Vref需要滿足Vref>VGL-V_th，VGL為低電平信號的電位，V_th為驅(qū)動晶體管M0的閾值電壓，否則驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓為VGL-V_th。

在補償階段T2，Scan1＝1，Scan2＝0，Emit1＝1，Emit2＝1。

第五開關(guān)晶體管M5和第六晶體管M6導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。驅(qū)動晶體管M0導(dǎo)通，數(shù)字信號Vdata依次通過導(dǎo)通的第五開關(guān)晶體管M5、驅(qū)動晶體晶體管M0和第六晶體管N6導(dǎo)通使電容C1開始放電，當驅(qū)動晶體管M0的柵極電壓與其第一極電壓的電壓差Vgs滿足Vgs＝V_th時，驅(qū)動晶體管M0截止，此時電容C1的第一端的電壓變?yōu)閂data+V_th。

在發(fā)光階段T3，Scan1＝1，Scan2＝1，Emit1＝0，Emit2＝1。

第一開關(guān)晶體管M1、第二開關(guān)晶體管M2和第四開關(guān)晶體管M4導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。電容C1第一端的電壓仍為Vdata+V_th，第一電壓源VDD的電壓Vdd通過導(dǎo)通的第四開關(guān)晶體管M4提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極。驅(qū)動晶體管M0工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0工作電流I滿足公式：I＝K(V_gs–V_th)²＝K[(Vdata+V_th)-Vdd-V_th]²＝K(Vdata-Vdd)²，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。需要注意的是，驅(qū)動晶體管M0的第二極與第一極的電壓差Vds需要滿足Vds<Vgs-V_th，其中Vgs-V_th小于或等于5伏。

可以看出流過第一有機發(fā)光二極管的電流已經(jīng)不受驅(qū)動晶體管的閾值電壓影響，僅與數(shù)據(jù)信號和第一電源電壓端有關(guān)，徹底解決了驅(qū)動晶體管由于工藝制程以及長時間操作造成的閾值電壓漂移對發(fā)光二極管的工作電流I_oled的影響，改善面板顯示不均勻性。

以一幀時間內(nèi)第一有機發(fā)光二極管與第二有機發(fā)光二極管交替發(fā)光為例，一幀時間對應(yīng)的輸入時序圖如圖11所示，圖11為圖8所示的像素電路對應(yīng)的另一種工作時序圖。具體地，選取如圖11所示的輸入時序圖中的T1、T2、T3和T4四個階段。

在重置階段T1，Scan1＝0，Scan2＝1，Emit1＝1，Emit2＝1。

僅第三開關(guān)晶體管M3導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管均截止。導(dǎo)通的第三開關(guān)晶體管M3將參考信號Vref提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極，電容C1開始充電，電容C1第一端的電壓為Vref。在此階段中，參考信號Vref需要滿足Vref>VGL-V_th，VGL為低電平信號的電位，V_th為驅(qū)動晶體管M0的閾值電壓，否則驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓為VGL-V_th。

在補償階段T2，Scan1＝1，Scan2＝0，Emit1＝1，Emit2＝1。

第五開關(guān)晶體管M5和第六晶體管M6導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。驅(qū)動晶體管M0導(dǎo)通，數(shù)字信號Vdata依次通過導(dǎo)通的第五開關(guān)晶體管M5、驅(qū)動晶體晶體管M0和第六晶體管N6導(dǎo)通使電容C1開始放電，當驅(qū)動晶體管M0的柵極電壓與其第一極電壓的電壓差Vgs滿足Vgs＝V_th時，驅(qū)動晶體管M0截止，此時電容C1的第一端的電壓變?yōu)閂data+V_th。

在第一發(fā)光階段T3，Scan1＝1，Scan2＝1，Emit1＝0，Emit2＝1。

第一開關(guān)晶體管M1、第二開關(guān)晶體管M2和第四開關(guān)晶體管M4導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。電容C1第一端的電壓仍為Vdata+V_th，第一電壓源VDD的電壓Vdd通過導(dǎo)通的第四開關(guān)晶體管M4提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極。驅(qū)動晶體管M0工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0工作電流I滿足公式：I＝K(V_gs–V_th)²＝K[(Vdata+V_th)-Vdd-V_th]²＝K(Vdata-Vdd)²，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。需要注意的是，驅(qū)動晶體管M0的第二極與第一極的電壓差Vds需要滿足Vds<Vgs-V_th，其中Vgs-V_th小于或等于5伏。

在第二發(fā)光階段T4，Scan1＝1，Scan2＝1，Emit1＝1，Emit2＝2。

第一開關(guān)晶體管M1、第二開關(guān)晶體管M2和第七開關(guān)晶體管M7導(dǎo)通，其它開關(guān)晶體管截止。電容C1第一端的電壓仍為Vdata+V_th，第一電壓源VDD的電壓Vdd通過導(dǎo)通的第七開關(guān)晶體管M7提供給驅(qū)動晶體管M0的柵極。驅(qū)動晶體管M0工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0工作電流I滿足公式：I＝K(V_gs–V_th)²＝K[(Vdata+V_th)-Vdd-V_th]²＝K(Vdata-Vdd)²，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。需要注意的是，驅(qū)動晶體管M0的第二極與第一極的電壓差Vds需要滿足Vds<Vgs-V_th，其中Vgs-V_th小于或等于5伏。

可以看出流過第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管的電流已經(jīng)不受驅(qū)動晶體管的閾值電壓影響，僅與數(shù)據(jù)信號和第一電源電壓端有關(guān)，徹底解決了驅(qū)動晶體管由于工藝制程以及長時間操作造成的閾值電壓漂移對發(fā)光二極管的工作電流I_oled的影響，改善面板顯示不均勻性。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。該有機發(fā)光顯示面板可以是電腦、手機、電視、筆記本、一體機等的顯示面板，對于顯示面板的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種上述顯示面板的驅(qū)動方法，在顯示每一幀畫面時，像素電路驅(qū)動與其連接的第一有機發(fā)光二極管和第二有機發(fā)光二極管交替發(fā)光。相當于每種顏色的有機發(fā)光二極管的壽命提高了一倍，從而提高顯示面板的壽命。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了另一種上述顯示面板的驅(qū)動方法，在顯示第奇數(shù)幀畫面時，像素電路驅(qū)動與其連接第一有機發(fā)光二極管發(fā)光；在顯示第偶數(shù)幀畫面時，像素電路驅(qū)動與其連接的第二有機發(fā)光二極管發(fā)光。相當于每種顏色的有機發(fā)光二極管的壽命提高了一倍，從而提高顯示面板的壽命。

本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板、顯示面板及顯示面板的驅(qū)動方法，其中陣列基板包括像素和像素電路，像素中設(shè)置有至少三種不同顏色的有機發(fā)光二極管，由于至少一個像素電路包括第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊，同一像素電路的第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊分別連接兩個相同顏色的有機發(fā)光二極管。這樣采用一個像素電路的第一發(fā)光控制模塊和第二發(fā)光控制模塊分別控制相同顏色的兩個有機發(fā)光二極管，不僅可以減少陣列基板上像素電路的數(shù)量，還可以減少數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而可以減小數(shù)據(jù)線的電容耦合作用。并且，在PPI一定的基礎(chǔ)上，減少像素電路和數(shù)據(jù)線數(shù)量還可以起到加寬數(shù)據(jù)線寬度和增大像素尺寸的作用，進而可以減小數(shù)據(jù)線上的壓降和降低陣列基板的工藝難度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。