本申請(qǐng)要求2015年12月31日在韓國提交的韓國專利申請(qǐng)no.10-2015-0191554的權(quán)益，為了所有目的，在此為了所有目的援引該專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容作為參考，如同在此完全闡述一樣。

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置，更具體地，本發(fā)明涉及一種可有效補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的劣化的oled顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

近來，具有諸如薄外形、輕重量、低功耗等之類的出色特性的平板顯示裝置已被開發(fā)并應(yīng)用于各種領(lǐng)域。

在平板顯示裝置之中，有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置通過在發(fā)光層中組合電子和空穴而發(fā)光。

通常，oled顯示裝置可形成在柔性基板上，因?yàn)槭亲园l(fā)光型裝置而具有高對(duì)比度，因其響應(yīng)時(shí)間是幾微秒而很容易顯示運(yùn)動(dòng)圖像，不具有視角限制，并且在低溫時(shí)是穩(wěn)定的。此外，因?yàn)閛led顯示裝置可利用dc5v到15v的相對(duì)低電壓進(jìn)行操作，所以可易于制造并設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路。

然而，oled顯示裝置會(huì)具有下述問題：由于oled的特點(diǎn)，oled的特性隨著時(shí)間發(fā)生變化，并且可劣化。例如，當(dāng)長時(shí)間顯示固定圖案圖像時(shí)，顯示部分中的oled劣化可加速。這可導(dǎo)致在劣化的部分中產(chǎn)生殘像，由此使顯示質(zhì)量下降。

作為防止劣化的方案，已提出了減小固定圖案圖像部分的亮度的方法。該方法可僅限于盡量防止劣化，在實(shí)際發(fā)生劣化時(shí)不會(huì)補(bǔ)償oled的劣化。

作為補(bǔ)償劣化的方案，可提出下述方法：直接感測(cè)oled以檢測(cè)劣化，并且使用通過劣化試驗(yàn)而生成的lut(查找表)產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

然而，這種直接感測(cè)補(bǔ)償方法可需要大量的lut數(shù)據(jù)，因而補(bǔ)償時(shí)間可較長。此外，補(bǔ)償算法的復(fù)雜性可較高，因而邏輯電路的尺寸可增加并且補(bǔ)償電路的成本可增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的oled顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。

本發(fā)明的一個(gè)目的是有效補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的劣化。

在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分通過該描述將是顯而易見的，或者可通過本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和廣義描述的，一種有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置包括：包括像素的顯示面板，所述像素具有驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光二極管；時(shí)序控制電路，所述時(shí)序控制電路包括補(bǔ)償值計(jì)算部以及數(shù)據(jù)補(bǔ)償部，所述補(bǔ)償值計(jì)算部利用第一相關(guān)性方程來計(jì)算所述發(fā)光二極管的補(bǔ)償值β，所述第一相關(guān)性方程包含所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變化量δvth作為變量，所述數(shù)據(jù)補(bǔ)償部將計(jì)算的發(fā)光二極管的補(bǔ)償值應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)以產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)；和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器接收所述補(bǔ)償數(shù)據(jù)并將所述補(bǔ)償數(shù)據(jù)提供至所述像素，其中所述第一相關(guān)性方程是β＝a*δvth+b，其中a是第一梯度常數(shù)，b是第一截距常數(shù)。

在另一個(gè)方面中，一種驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置的方法包括：在時(shí)序控制部中，利用以像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變化量δvth作為變量的第一相關(guān)性方程來計(jì)算所述像素的發(fā)光二極管的補(bǔ)償值β，所述第一相關(guān)性方程包含所述像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變化量δvth作為變量，并且將計(jì)算的發(fā)光二極管的補(bǔ)償值應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)；和通過數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器將來自所述時(shí)序控制部的補(bǔ)償數(shù)據(jù)提供至所述像素，其中所述第一相關(guān)性方程是β＝a*δvth+b，其中a是第一梯度常數(shù)，b是第一截距常數(shù)。

應(yīng)當(dāng)理解，前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，旨在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說明

被包括用來給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并且并入本申請(qǐng)中組成本申請(qǐng)一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在圖中：

圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的oled顯示裝置的框圖；

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的像素的示例性等效電路的示圖；

圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的時(shí)序控制電路和存儲(chǔ)器部的框圖；

圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的閾值電壓變化量與發(fā)光二極管的亮度變化率之間的相關(guān)性的試驗(yàn)數(shù)據(jù)的示圖；以及

圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的初始閾值電壓與方程(1)的梯度常數(shù)之間的相關(guān)性的試驗(yàn)數(shù)據(jù)的示圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考實(shí)施方式進(jìn)行描述，附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些例子。在整個(gè)附圖中可使用相同或相似的參考標(biāo)記表示相同或相似的部分。

圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的oled顯示裝置的框圖，圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的像素的示例性等效電路的示圖。

參照?qǐng)D1，本實(shí)施方式的oled顯示裝置10包括顯示面板100、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110、掃描驅(qū)動(dòng)器120、時(shí)序控制電路或時(shí)序控制部200、存儲(chǔ)器部250。

顯示面板100包括沿行和列以矩陣形式布置的多個(gè)像素p。

在顯示面板100的陣列基板中形成有：沿各條行線延伸的柵極線gl，每條柵極線gl給每條行線上的像素提供柵極信號(hào)；以及沿各條列線延伸的數(shù)據(jù)線dl，每條數(shù)據(jù)線dl給每條列線上的像素提供圖像數(shù)據(jù)，例如數(shù)據(jù)電壓。

此外，在陣列基板中可形成有感測(cè)控制線scl，感測(cè)控制線scl沿各條行線延伸并且每條感測(cè)控制線scl給每條行線上的像素提供感測(cè)控制信號(hào)。在陣列基板中可形成有沿各條列線延伸的感測(cè)線sl，每條感測(cè)線sl給每條列線上的像素提供基準(zhǔn)電壓，并且每條感測(cè)線sl給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110提供感測(cè)信號(hào)，以感測(cè)諸如閾值電壓之類的特性值(propertyvalue)。

參照?qǐng)D2進(jìn)一步解釋像素p的結(jié)構(gòu)的示例。像素p包括開關(guān)晶體管ts、驅(qū)動(dòng)晶體管td、感測(cè)晶體管tse、發(fā)光二極管od、以及存儲(chǔ)電容器cst。像素p可進(jìn)一步包括其他類型的晶體管。

開關(guān)晶體管ts用于根據(jù)通過柵極線gl提供的柵極信號(hào)將通過數(shù)據(jù)線dl提供的數(shù)據(jù)信號(hào)vdata，例如數(shù)據(jù)電壓，提供至驅(qū)動(dòng)晶體管td。驅(qū)動(dòng)晶體管td用于根據(jù)施加至驅(qū)動(dòng)晶體管td的柵極的數(shù)據(jù)信號(hào)vdata將通過電源線提供的高電平電源電壓vdd提供至發(fā)光二極管od。

為此，開關(guān)晶體管ts的柵極、源極和漏極分別連接至柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl和驅(qū)動(dòng)晶體管td的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管td的柵極、源極和漏極分別連接至開關(guān)晶體管ts的漏極、發(fā)光二極管od的第一電極和電源線。

驅(qū)動(dòng)晶體管td的源極和發(fā)光二極管od的第一電極在它們之間的第一節(jié)點(diǎn)n1處連接，并且驅(qū)動(dòng)晶體管td的柵極和開關(guān)晶體管ts的漏極在它們之間的第二節(jié)點(diǎn)n2處連接。存儲(chǔ)電容器cst連接在第一節(jié)點(diǎn)n1與第二節(jié)點(diǎn)n2之間。

因此，與數(shù)據(jù)信號(hào)vdata對(duì)應(yīng)的的電流提供至發(fā)光二極管od并顯示灰度級(jí)。

感測(cè)晶體管tse連接至第一節(jié)點(diǎn)n1并用于感測(cè)第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓和/或電流。此感測(cè)晶體管tse的柵極、源極和漏極分別連接至感測(cè)控制線scl、第一節(jié)點(diǎn)n1和感測(cè)線sl。

利用這種感測(cè)晶體管tse，可檢測(cè)諸如閾值電壓vth、遷移率等之類的特性。為此，感測(cè)晶體管tse可根據(jù)通過感測(cè)控制線scl提供的感測(cè)控制信號(hào)進(jìn)行開關(guān)操作。當(dāng)感測(cè)晶體管tse導(dǎo)通時(shí)，基準(zhǔn)電壓通過感測(cè)線sl施加至第一節(jié)點(diǎn)n1，然后感測(cè)第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓和/或電流并通過感測(cè)線sl將其輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110(參見圖1)。

進(jìn)一步參照?qǐng)D1，掃描驅(qū)動(dòng)器120被提供來自時(shí)序控制電路200的掃描控制信號(hào)scs，產(chǎn)生柵極控制信號(hào)和感測(cè)控制信號(hào)并將柵極控制信號(hào)和感測(cè)控制信號(hào)分別提供至柵極線gl和掃描控制線scl。

掃描驅(qū)動(dòng)器120可以以gip(面板內(nèi)柵極)型直接形成在顯示面板110的陣列基板中?？蛇x擇地，掃描驅(qū)動(dòng)器120可以以ic型形成。在gip型中，可通過與形成像素p中的元件相同的工藝形成掃描驅(qū)動(dòng)器120。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110從時(shí)序控制電路200接收數(shù)字圖像數(shù)據(jù)do和數(shù)據(jù)控制信號(hào)dcs。響應(yīng)于數(shù)據(jù)控制信號(hào)dcs，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110將圖像數(shù)據(jù)do轉(zhuǎn)換為模擬圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)電壓并將數(shù)據(jù)電壓輸出至各條數(shù)據(jù)線dl。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110可配置有至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)ic并且可安裝在顯示面板100的陣列基板上。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110將通過感測(cè)線sl傳輸?shù)哪M感測(cè)信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，并且將數(shù)字感測(cè)信號(hào)ds傳輸至?xí)r序控制電路200。

時(shí)序控制電路200通過諸如lvds(低壓差分信令)接口、tmds(最小化傳輸差分信令)接口等之類的接口被提供來自外部主機(jī)系統(tǒng)的圖像數(shù)據(jù)di和各種時(shí)序信號(hào)比如使能信號(hào)de、水平同步信號(hào)hsy、垂直同步信號(hào)vsy和時(shí)鐘信號(hào)clk。利用這些時(shí)序信號(hào)，時(shí)序控制電路200產(chǎn)生數(shù)據(jù)控制信號(hào)dcs和掃描控制信號(hào)scs并將數(shù)據(jù)控制信號(hào)dcs和掃描控制信號(hào)scs分別輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110和掃描驅(qū)動(dòng)器120。

例如，在本實(shí)施方式中，時(shí)序控制電路200把驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓vth的變化量δvth視作變量，根據(jù)閾值電壓變化量δvth計(jì)算發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β，并將該補(bǔ)償值β應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)di，以產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)do。補(bǔ)償數(shù)據(jù)do作為圖像數(shù)據(jù)do被輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110。因此，可有效補(bǔ)償發(fā)光二極管od的劣化。下面詳細(xì)解釋補(bǔ)償值β的計(jì)算和補(bǔ)償數(shù)據(jù)do的產(chǎn)生。

存儲(chǔ)器部250可存儲(chǔ)每個(gè)像素p的驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓vth的信息、以及時(shí)序控制電路200中計(jì)算的發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β的信息。存儲(chǔ)器部250可進(jìn)一步存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ的信息。

可利用從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110傳輸?shù)母袦y(cè)信號(hào)ds在時(shí)序控制電路200中檢測(cè)閾值電壓vth的信息。例如，作為閾值電壓vth的信息，可在存儲(chǔ)器部250中存儲(chǔ)在顯示裝置10的初始狀態(tài)時(shí)檢測(cè)的初始閾值電壓vthi和在顯示裝置10的當(dāng)前狀態(tài)時(shí)檢測(cè)的當(dāng)前閾值電壓vthc。

驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ是被提供用來補(bǔ)償由于驅(qū)動(dòng)晶體管td的劣化而導(dǎo)致的特性變化的值。在這點(diǎn)上，驅(qū)動(dòng)晶體管td由于其劣化可在閾值電壓和/或遷移率方面發(fā)生變化，為了對(duì)此進(jìn)行補(bǔ)償，用來補(bǔ)償閾值電壓變化的閾值電壓補(bǔ)償值φ和用來補(bǔ)償遷移率變化的遷移率補(bǔ)償值α被用作驅(qū)動(dòng)晶體管td的特性變化補(bǔ)償值。在本實(shí)施方式中，通過示例的方式，使用遷移率補(bǔ)償值α和閾值電壓補(bǔ)償值φ二者來補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管td的遷移率和閾值電壓二者，但是實(shí)施方式不限于此。

驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器部250中。在當(dāng)前閾值電壓vthc輸入到存儲(chǔ)器部250時(shí)，響應(yīng)于該輸入，與輸入的閾值電壓vthc對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ輸出至?xí)r序控制電路200?？赏ㄟ^試驗(yàn)預(yù)先準(zhǔn)備補(bǔ)償值α和φ的信息。

可在時(shí)序控制電路200中計(jì)算發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β然后將其傳輸并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器部250中。發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β與驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ一起可與輸入圖像數(shù)據(jù)di的輸入時(shí)序同步地輸出至?xí)r序控制電路200。

當(dāng)補(bǔ)償值α、φ和β輸入至?xí)r序控制電路200時(shí)，時(shí)序控制電路200將補(bǔ)償值α、φ和β應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)di，以最終產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)do，并且補(bǔ)償數(shù)據(jù)do輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110。

因此，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110被提供補(bǔ)償數(shù)據(jù)，以補(bǔ)償由于每個(gè)像素p的劣化而導(dǎo)致的特性變化，因而可改善由于劣化導(dǎo)致的諸如殘像之類的顯示質(zhì)量的降低。

進(jìn)一步參照?qǐng)D3解釋用來執(zhí)行劣化補(bǔ)償?shù)臅r(shí)序控制電路200的構(gòu)造和操作。圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的時(shí)序控制電路和存儲(chǔ)器部的框圖。

時(shí)序控制電路200可包括：補(bǔ)償值計(jì)算部210，補(bǔ)償值計(jì)算部210計(jì)算用來補(bǔ)償發(fā)光二極管od的劣化的補(bǔ)償值β；和數(shù)據(jù)補(bǔ)償部220，數(shù)據(jù)補(bǔ)償部220用來補(bǔ)償輸入圖像數(shù)據(jù)di并產(chǎn)生和輸出補(bǔ)償數(shù)據(jù)do。

向/從時(shí)序控制電路200發(fā)送/接收信息以產(chǎn)生補(bǔ)償值β和補(bǔ)償數(shù)據(jù)do的存儲(chǔ)器部250可包括第一到第三存儲(chǔ)器251到253。

第一存儲(chǔ)器251是被寫入閾值電壓vthi和vthc的存儲(chǔ)部件，其例如可以是nand存儲(chǔ)器。第二存儲(chǔ)器252是被寫入發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β的存儲(chǔ)部件，第三存儲(chǔ)器253是被寫入驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ的存儲(chǔ)部件。第二存儲(chǔ)器252和第三存儲(chǔ)器253的每一個(gè)例如可以是諸如ddr存儲(chǔ)器之類的高速存儲(chǔ)器。

補(bǔ)償值計(jì)算部210是根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓變化量δvth來產(chǎn)生發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β的組件。補(bǔ)償值計(jì)算部210可包括第一計(jì)算部211和第二計(jì)算部212。

第一計(jì)算部211被提供來自第一存儲(chǔ)器251的每個(gè)像素p的驅(qū)動(dòng)晶體管td的初始閾值電壓vthi和當(dāng)前閾值電壓vthc，并計(jì)算閾值電壓vthi和vthc之間的差，以產(chǎn)生閾值電壓變化量δvth。換句話說，閾值電壓變化量δvth為vthc-vthi。

第二計(jì)算部212被提供來自第一計(jì)算部211的閾值電壓變化量δvth，并利用閾值電壓變化量δvth與補(bǔ)償值β之間的相關(guān)性方程產(chǎn)生補(bǔ)償值β。

閾值電壓變化量δvth與補(bǔ)償值β之間的相關(guān)性方程可以以下面的方程(1)表示。

方程(1)：β＝a*δvth+b

在方程(1)中，a是梯度常數(shù)(gradientconstant)，b是截距常數(shù)(interceptconstant)。a和b可根據(jù)顯示面板100的特性進(jìn)行調(diào)整。

如此，閾值電壓變化量δvth和補(bǔ)償值β具有一階(firstorder)相關(guān)性，其可通過試驗(yàn)數(shù)據(jù)繪出。

例如，圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的閾值電壓變化量與發(fā)光二極管的亮度變化率之間的相關(guān)性的試驗(yàn)數(shù)據(jù)的示圖。在圖4中，利用具有不同初始特性的顯示裝置作為試驗(yàn)樣品，顯示了用于每個(gè)試驗(yàn)樣品的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，相同的試驗(yàn)樣品由相同的形狀和相同的顏色表示。

參照?qǐng)D4，對(duì)于每個(gè)試驗(yàn)樣品來說，由于劣化導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓變化量δvth和發(fā)光二極管od的亮度變化率基本具有一階方程相關(guān)性，例如線性相關(guān)性。亮度變化率是指當(dāng)前狀態(tài)的亮度相對(duì)于初始狀態(tài)的亮度的變化百分比。

發(fā)光二極管od的劣化量與驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓變化量δvth具有一階相關(guān)性。因此，當(dāng)基于試驗(yàn)數(shù)據(jù)針對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管td的閾值電壓變化量δvth繪出發(fā)光二極管od的劣化量時(shí)，可有效計(jì)算基于閾值電壓變化量δvth的補(bǔ)償值β。

因而，在本實(shí)施方式中，通過利用經(jīng)由試驗(yàn)數(shù)據(jù)產(chǎn)生的、以當(dāng)前閾值電壓的變化量δvth作為變量的上述相關(guān)性方程執(zhí)行算術(shù)運(yùn)算，可產(chǎn)生補(bǔ)償值β。

參照?qǐng)D4，不同的樣品具有不同的梯度常數(shù)。例如，第一試驗(yàn)樣品(例如，方形樣品)具有第一梯度常數(shù)a1，第二試驗(yàn)樣品(例如，圓形樣品)具有與第一梯度常數(shù)a1不同的第二梯度常數(shù)a2。這意味著即使在不同的樣品中發(fā)生了相同的閾值電壓變化量δvth，發(fā)光二極管od的劣化量也不同，并且補(bǔ)償值β也不同。

如此，方程(1)中的梯度常數(shù)a具有取決于驅(qū)動(dòng)晶體管td的初始特性，例如初始閾值電壓vthi的相關(guān)性。換句話說，相對(duì)較高亮度變化率的第一試驗(yàn)樣品是初始閾值電壓vthi相對(duì)較低的情形，因而發(fā)光二極管od的劣化量相對(duì)較大。與此相對(duì)照，相對(duì)較低亮度變化率的第二試驗(yàn)樣品是初始閾值電壓vthi相對(duì)較高的情形，因而發(fā)光二極管od的劣化量相對(duì)較小。

圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施方式的初始閾值電壓與方程(1)的梯度常數(shù)之間的相關(guān)性的試驗(yàn)數(shù)據(jù)的示圖。

參照?qǐng)D5，初始閾值電壓vthi和方程(1)的梯度常數(shù)a(例如，增益)基本具有負(fù)(-)一階相關(guān)性。換句話說，對(duì)于相同的閾值電壓變化量δvth來說，隨著初始閾值電壓vthi減小，發(fā)光二極管od的劣化量相對(duì)增加，因而用來補(bǔ)償劣化的梯度常數(shù)，例如增益增大。與此相對(duì)照，隨著初始閾值電壓vthi增大，發(fā)光二極管od的劣化量相對(duì)減小，因而用來補(bǔ)償劣化的梯度常數(shù)，例如增益減小。

初始閾值電壓vthi與梯度常數(shù)a之間的相關(guān)性可以以下面的方程(2)表示。

方程(2)：a＝c*vthi+d

在方程(2)中，c是梯度常數(shù)，d是截距常數(shù)。c和d可根據(jù)顯示面板100的特性進(jìn)行調(diào)整。

最終，方程(1)可表示如下：

方程(1)：β＝a*δvth+b＝(c*vthi+d)*δvth+b

根據(jù)方程(1)，當(dāng)獲得了針對(duì)每個(gè)像素p來說當(dāng)前閾值電壓vthc相對(duì)于初始閾值電壓vthi的變化量δvth時(shí)，可計(jì)算發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β。

因而，在本示例性實(shí)施方式中，檢測(cè)初始閾值電壓vthi和當(dāng)前閾值電壓vthc并將其存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器251中，第一計(jì)算部211計(jì)算閾值電壓變化量δvth。

將初始閾值電壓vthi和閾值電壓變化量δvth代入方程(1)中，因而可很容易產(chǎn)生用來補(bǔ)償發(fā)光二極管od的劣化的補(bǔ)償值β。

通過補(bǔ)償值計(jì)算部210獲得的補(bǔ)償值β被加載到第二存儲(chǔ)器252上。

第三存儲(chǔ)器253可配置成加載用來補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管td的劣化的補(bǔ)償值α和φ。例如，當(dāng)閾值電壓，例如當(dāng)前閾值電壓vthc的信息從第一存儲(chǔ)器251輸入至第三存儲(chǔ)器253時(shí)，響應(yīng)于此，可將相應(yīng)的補(bǔ)償值α和φ加載在第三存儲(chǔ)器253上。

加載于第二存儲(chǔ)器252上的補(bǔ)償值β和加載于第三存儲(chǔ)器253上的補(bǔ)償值α和φ可與相應(yīng)像素p的輸入圖像數(shù)據(jù)di的輸入時(shí)序同步地輸出。換句話說，與每個(gè)像素p的輸入圖像數(shù)據(jù)di向時(shí)序控制電路200的輸入時(shí)序同步，第二和第三存儲(chǔ)器分別將補(bǔ)償值β以及補(bǔ)償值α和φ輸出至?xí)r序控制電路200。

輸入圖像數(shù)據(jù)di、補(bǔ)償值β以及補(bǔ)償值α和φ同時(shí)輸入至?xí)r序控制電路200的數(shù)據(jù)補(bǔ)償部220，數(shù)據(jù)補(bǔ)償部220將補(bǔ)償值β、α和φ應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)di，以執(zhí)行數(shù)據(jù)補(bǔ)償。例如，可使用下面的方程(3)執(zhí)行數(shù)據(jù)補(bǔ)償。

方程(3)：do＝α*di+φ+β

根據(jù)方程(3)，可通過將驅(qū)動(dòng)晶體管td的遷移率補(bǔ)償值α和閾值電壓補(bǔ)償值φ應(yīng)用于輸入圖像數(shù)據(jù)di來產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)(α*di+φ)。此外，可通過將發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β應(yīng)用于補(bǔ)償數(shù)據(jù)(α*di+φ)來產(chǎn)生用于補(bǔ)償發(fā)光二極管od的劣化的補(bǔ)償數(shù)據(jù)do。

換句話說，根據(jù)方程(3)，可產(chǎn)生用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管td的劣化和發(fā)光二極管od的劣化二者的補(bǔ)償數(shù)據(jù)do。因此，基本上在每個(gè)像素中導(dǎo)致劣化的元件中的驅(qū)動(dòng)晶體管td和發(fā)光二極管od的劣化可得到補(bǔ)償，能夠基本改善每個(gè)像素p的劣化。

可選擇地，可不進(jìn)行對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管td的劣化的補(bǔ)償，執(zhí)行對(duì)發(fā)光二極管od的劣化的補(bǔ)償。在這個(gè)例子中，對(duì)于方程(3)來說，不應(yīng)用驅(qū)動(dòng)晶體管td的補(bǔ)償值α和φ(即，α＝1，φ＝0)，應(yīng)用發(fā)光二極管od的補(bǔ)償值β。

通過數(shù)據(jù)補(bǔ)償部220獲得的補(bǔ)償數(shù)據(jù)do作為輸出圖像數(shù)據(jù)do輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器110將補(bǔ)償數(shù)據(jù)do轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)電壓并將數(shù)據(jù)電壓提供至相應(yīng)像素p。因此，像素p被提供補(bǔ)償數(shù)據(jù)do，可補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管td的劣化和發(fā)光二極管od的劣化。

如上所述，在本實(shí)施方式中，為了補(bǔ)償發(fā)光二極管的劣化，利用經(jīng)由試驗(yàn)產(chǎn)生的相關(guān)性方程來計(jì)算發(fā)光二極管的補(bǔ)償值，發(fā)光二極管的補(bǔ)償值與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變化量具有一階相關(guān)性，利用補(bǔ)償值產(chǎn)生補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

如此，在本示例性實(shí)施方式中，利用經(jīng)由相關(guān)性方程基于閾值電壓變化量計(jì)算發(fā)光二極管的補(bǔ)償值的方法，與相關(guān)技術(shù)的直接感測(cè)補(bǔ)償方法相比大幅度地提高了發(fā)光二極管的劣化的補(bǔ)償效率。

換句話說，在相關(guān)技術(shù)的直接感測(cè)補(bǔ)償方法中，需要大量的lut數(shù)據(jù)，因而補(bǔ)償時(shí)間較長。此外，補(bǔ)償算法的復(fù)雜性較高，因而邏輯電路的尺寸增加并且補(bǔ)償電路的成本增加。

相反，在本示例性實(shí)施方式中，通過經(jīng)由相關(guān)性方程計(jì)算發(fā)光二極管的補(bǔ)償值，不需要大量的lut數(shù)據(jù)，因而可很容易獲得實(shí)現(xiàn)該相關(guān)性方程的邏輯電路。因此，補(bǔ)償時(shí)間可非常短，可降低補(bǔ)償電路的成本，并可使補(bǔ)償效率最大化。

此外，可與發(fā)光二極管的補(bǔ)償一起執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的補(bǔ)償，因而可使顯示面板的劣化的補(bǔ)償效果最大化。

在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可在本發(fā)明的顯示裝置中進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的修改和變化。