本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱：AMOLED)的應(yīng)用越來越廣泛。AMOLED的像素顯示器件為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)，AMOLED能夠發(fā)光是通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。

實(shí)用新型人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題：在OLED像素電路中，由于陰陽極之間的各膜層較薄，易發(fā)生陰陽極短路。而且制作過程中工藝復(fù)雜，一旦膜層有異物或挖孔、爬坡等工藝沒有控制好，會(huì)造成此處發(fā)光膜層較薄，導(dǎo)致OLED陰陽極之間電阻較小，致使發(fā)生短路。如果一個(gè)像素陰陽極發(fā)生短路，這個(gè)像素不會(huì)發(fā)光，此處出現(xiàn)黑點(diǎn)。同時(shí)，會(huì)有一個(gè)大電流流過該像素，影響周邊的像素發(fā)光。因此，陰陽極短路會(huì)嚴(yán)重影響顯示質(zhì)量。為保證顯示質(zhì)量，需要將這一壞像素去掉，以抑制陰陽極短路產(chǎn)生的大電流。傳統(tǒng)方式采用將壞點(diǎn)像素找到，然后采用激光燒蝕將此像素破壞掉，過程復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有的OLED像素陰陽極發(fā)生短路會(huì)影響周邊的像素致使影響顯示質(zhì)量的問題，提供一種像素電路、顯示裝置。

解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種像素電路，包括發(fā)光器件和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)單元，還包括短路控制單元以及發(fā)光控制單元；其中短路控制單元連接在發(fā)光器件和發(fā)光控制單元之間，用于獲取發(fā)光器件的輸入端信號(hào)，并根據(jù)發(fā)光器件的輸入端信號(hào)輸出短路控制信號(hào)；發(fā)光控制單元與短路控制單元連接，并串聯(lián)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件之間，用于根據(jù)短路控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件的連接支路的導(dǎo)通和斷開。

優(yōu)選的是，所述發(fā)光器件的輸入端連接發(fā)光控制單元的輸出端、短路控制單元的輸入端，所述發(fā)光器件的輸出端連接第二電源端；

所述驅(qū)動(dòng)單元的輸入端連接第一電源端，所述驅(qū)動(dòng)單元的輸出端連接發(fā)光控制單元的輸入端；

所述短路控制單元的輸出端連接發(fā)光控制單元的控制端。

優(yōu)選的是，所述短路控制單元包括串聯(lián)連接的短路保護(hù)部和預(yù)充部；

在發(fā)光器件工作階段，當(dāng)所述發(fā)光器件的輸入端信號(hào)低于閾值時(shí)，所述短路保護(hù)部控制所述發(fā)光控制單元斷開；

在發(fā)光器件非工作階段，所述預(yù)充部控制所述發(fā)光控制單元導(dǎo)通。

優(yōu)選的是，所述短路保護(hù)部包括第四晶體管和第五晶體管；所述第四晶體管的控制極連接第一控制線，所述第四晶體管的第一極連接第五晶體管的第二極和預(yù)充部，所述第四晶體管的第二極連接第二控制線，所述第五晶體管的控制極連接發(fā)光控制單元和發(fā)光器件，所述第五晶體管的第一極連接第三控制線。

優(yōu)選的是，所述預(yù)充部包括第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、第二電容；

所述第二電容的第一端連接發(fā)光控制單元、第六晶體管的第一極，所述第二電容的第二端連接第八晶體管的第二極、第七晶體管的第一極；

所述第八晶體管的控制極連接第八控制線，所述第八晶體管的第一極連接短路保護(hù)部；

所述第七晶體管的控制極連接第五控制線，第七晶體管的第二極連接第七控制線；

所述第六晶體管的控制極連接第四控制線，第六晶體管的第二極連接第六控制線。

優(yōu)選的是，所述第四晶體管與第五晶體管的寬長比相同，閾值電壓相同。

優(yōu)選的是，所述發(fā)光控制單元包括第三晶體管，所述第三晶體管的控制極連接短路控制單元；所述第三晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)單元，所述第三晶體管的第二極連接發(fā)光器件。

優(yōu)選的是，所述驅(qū)動(dòng)單元包括第一晶體管、第二晶體管、第一電容；

所述第一晶體管的控制極連接?xùn)啪€，所述第一晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)線，所述第一晶體管的第二極連接第一電容的第一端和第二晶體管的控制極；

所述第二晶體管的第一極連接第一電源端和第一電容的第二端，所述第二晶體管的第二極連接發(fā)光控制單元。

本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的像素電路。

本實(shí)用新型還提供一種像素驅(qū)動(dòng)方法，采用上述的像素電路，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

在發(fā)光器件工作階段，驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光；

短路控制單元獲取發(fā)光器件的輸入端信號(hào)，并根據(jù)發(fā)光器件的輸入端信號(hào)輸出短路控制信號(hào)，發(fā)光控制單元根據(jù)短路控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件的連接支路的導(dǎo)通和斷開。

優(yōu)選的是，短路控制單元包括串聯(lián)連接的短路保護(hù)部和預(yù)充部，所述像素驅(qū)動(dòng)方法還包括：

在發(fā)光器件非工作階段，預(yù)充部控制發(fā)光控制單元導(dǎo)通。

本實(shí)用新型的像素電路中包括發(fā)光器件，驅(qū)動(dòng)單元，短路控制單元，以及發(fā)光控制單元，其中，短路控制單元連接在發(fā)光器件和發(fā)光控制單元之間，用于獲取發(fā)光器件的輸入端信號(hào)，并根據(jù)發(fā)光器件的輸入端信號(hào)輸出短路控制信號(hào)；發(fā)光控制單元與短路控制單元連接，并串聯(lián)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件之間，用于根據(jù)短路控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件的連接支路的導(dǎo)通和斷開。相比激光燒蝕方法，本實(shí)用新型的像素電路簡(jiǎn)單易控，無需再增加激光燒蝕設(shè)備。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例1的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2、圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例2的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例2的像素電路的時(shí)序圖；

其中，附圖標(biāo)記為：1、發(fā)光器件；2、驅(qū)動(dòng)單元；3、短路控制單元；31、短路保護(hù)部；32、預(yù)充部；4、發(fā)光控制單元；C1、第一電容；C2、第二電容；P1、第一節(jié)點(diǎn)；Q1、第一晶體管；Q2、第二晶體管；Q3、第三晶體管；Q4、第四晶體管；Q5、第五晶體管；Q6、第六晶體管；Q7、第七晶體管；Q8、第八晶體管；S1、第一控制線；S2、第二控制線；S3、第三控制線；S4、第四控制線；S5、第五控制線；S6、第六控制線；S7、第七控制線；S8、第八控制線；VDD、第一電源端；VSS、第二電源端。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供一種像素電路，如圖1所示，包括發(fā)光器件1和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)單元2，還包括短路控制單元3，以及發(fā)光控制單元4；其中，短路控制單元3連接在發(fā)光控制單元4與發(fā)光器件1之間，用于獲取發(fā)光器件1的輸入端信號(hào)，并根據(jù)發(fā)光器件1的輸入端信號(hào)輸出短路控制信號(hào)；發(fā)光控制單元4與短路控制單元3連接，并串聯(lián)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)單元2和發(fā)光器件1之間，用于根據(jù)短路控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)單元2和發(fā)光器件1的連接支路的導(dǎo)通和斷開。具體的，發(fā)光器件1的輸入端連接發(fā)光控制單元4的輸出端、短路控制單元3的輸入端，發(fā)光器件1的輸出端連接第二電源端VSS；所述驅(qū)動(dòng)單元2的輸入端連接第一電源端VDD，所述驅(qū)動(dòng)單元2的輸出端連接發(fā)光控制單元4的輸入端；所述短路控制單元3的輸出端連接發(fā)光控制單元4的控制端。

本實(shí)施例的像素電路中發(fā)光器件1作為一個(gè)兆歐極的電路串聯(lián)在像素電路中，如果發(fā)生短路，發(fā)光器件1電阻降低甚至降至0，發(fā)光器件的輸入端信號(hào)即陽極電位下降，接近第二電源端VSS電壓，那么短路控制單元3控制這一發(fā)光電路中串聯(lián)的發(fā)光控制單元4開關(guān)斷開，進(jìn)行短路保護(hù)。相比激光燒蝕方法，本實(shí)用新型的像素電路簡(jiǎn)單易控，無需再增加激光燒蝕設(shè)備。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種像素電路，如圖2所示，包括發(fā)光器件1，驅(qū)動(dòng)單元2，短路控制單元3，以及發(fā)光控制單元4；其中，短路控制單元3包括串聯(lián)連接的短路保護(hù)部31和預(yù)充部32。具體的，發(fā)光器件1連接發(fā)光控制單元4、短路控制單元3和第二電源端VSS；所述驅(qū)動(dòng)單元2連接第一電源端VDD和發(fā)光控制單元4，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件1發(fā)光；所述短路控制單元3連接發(fā)光器件1和發(fā)光控制單元4；所述發(fā)光控制單元4連接發(fā)光器件1、驅(qū)動(dòng)單元2和短路控制單元3。其中，在發(fā)光器件1工作階段，當(dāng)所述發(fā)光器件1的陽極電位低于閾值時(shí)，所述短路保護(hù)部31控制所述發(fā)光控制單元4斷開；在發(fā)光器件非工作階段，所述預(yù)充部32控制所述發(fā)光控制單元4導(dǎo)通。

在本實(shí)施例中，第一電源端VDD用于提供工作電壓，第二電源端VSS用于提供參考電壓。其中，通常，第一電源端VDD的電平較高，即其可作為陽極，第二電源端VSS的電平較低，即其可作為陰極。

需要說明的是，本實(shí)施例中的發(fā)光器件1可以是現(xiàn)有技術(shù)中包括LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)或OLED(Organic Light Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)在內(nèi)的電流驅(qū)動(dòng)的，在本實(shí)施例中是以O(shè)LED為例進(jìn)行的說明。

如圖3所示，作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案，驅(qū)動(dòng)單元2包括第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第一電容C1；

所述第一晶體管Q1的控制極連接?xùn)啪€，所述第一晶體管Q1的第一極連接數(shù)據(jù)線，所述第一晶體管Q1的第二極連接第一電容C1的第一端和第二晶體管Q2的控制極；

所述第二晶體管Q2的第一極連接第一電源端和第一電容C1的第二端，所述第二晶體管Q2的第二極連接發(fā)光控制單元4。

本實(shí)施例中，所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2均為P型晶體管。

其中，第一晶體管Q1為開關(guān)管，第二晶體管Q2為驅(qū)動(dòng)管，第一晶體管Q1的開關(guān)由Gate端施加的信號(hào)控制。

作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案，發(fā)光控制單元4包括第三晶體管Q3，所述第三晶體管Q3的控制極連接短路控制單元3；所述第三晶體管Q3的第一極連接驅(qū)動(dòng)單元2，所述第三晶體管Q3的第二極連接發(fā)光器件1。

也就是說，第三晶體管Q3的控制極由短路控制單元3的輸出控制，從而控制OLED發(fā)光回路的導(dǎo)通和斷開。

作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案，預(yù)充部32包括第六晶體管Q6、第七晶體管Q7、第八晶體管Q8、第二電容C2；

所述第二電容C2的第一端連接發(fā)光控制單元4、第六晶體管Q6的第一極，所述第二電容C2的第二端連接第八晶體管Q8的第二極、第七晶體管Q7的第一極；

所述第八晶體管Q8的控制極連接第八控制線S8，所述第八晶體管Q8的第一極連接短路保護(hù)部31；

所述第七晶體管Q7的控制極連接第五控制線S5，第七晶體管Q7的第二極連接第七控制線S7；

所述第六晶體管Q6的控制極連接第四控制線S4，第六晶體管Q6的第二極連接第六控制線S6。

作為本實(shí)施例的一種實(shí)施方案，所述第六晶體管Q6、第七晶體管Q7、第八晶體管Q8均為N型晶體管，第三晶體管Q3為P型晶體管。

這樣將一幀分為A和B兩個(gè)階段，如圖4所示，A階段為發(fā)光器件1的非工作階段，B為發(fā)光器件1的工作階段。

在發(fā)光器件1非工作階段A，即開關(guān)信號(hào)端Gate有效信號(hào)到來之前，第八控制信號(hào)S8輸入一無效電平信號(hào)，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第八晶體管Q8均截止第四控制信號(hào)S4和第五控制信號(hào)S5輸入一有效電平信號(hào)，使得Q6和Q7導(dǎo)通，第六控制信號(hào)S6和第七控制信號(hào)S7傳輸至電容兩端，此時(shí)對(duì)第二電容C2充電，V_S6-V_陽極1＜-V_th3，從而第六控制信號(hào)S6的電平值將第三晶體管Q3導(dǎo)通，其中V_陽極1為非工作階段發(fā)光單元的輸入端信號(hào)即陽極信號(hào)，V_th3為第三晶體管Q3的閾值電壓。

也就是說，通過在發(fā)光器件非工作階段導(dǎo)通第三晶體管Q3，保證在發(fā)光器件初始工作階段，其輸入信號(hào)支路是導(dǎo)通的，使得發(fā)光信號(hào)能順利傳輸至發(fā)光器件，防止短路保護(hù)部31的誤判。

本實(shí)施例中所述第六晶體管Q6、第七晶體管Q7、第八晶體管Q8、第三晶體管Q3也可以選擇其他類型晶體管。

作為本實(shí)施例中的一種優(yōu)選實(shí)施方案，短路保護(hù)部31包括第四晶體管Q4和第五晶體管Q5；所述第四晶體管Q4的控制極連接第一控制線S1，所述第四晶體管Q4的第一極連接第五晶體管Q5的第二極和預(yù)充部32，所述第四晶體管Q4的第二極連接第二控制線S2，所述第五晶體管Q5的控制極連接發(fā)光控制單元4和發(fā)光器件1，所述第五晶體管Q5的第一極連接第三控制線S3，。

優(yōu)選的是，所述第四晶體管Q4與第五晶體管Q5的寬長比相同，閾值電壓相同。

這樣在發(fā)光器件1工作階段B，Gate有效信號(hào)到來，發(fā)光信號(hào)經(jīng)過第三晶體管Q3傳輸至發(fā)光器件，發(fā)光器件進(jìn)行工作。

作為本實(shí)施例中的第一種可選實(shí)施方案：

第三晶體管Q3為P型晶體管，第四晶體管Q4和第五晶體管Q5均為N型晶體管，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第四晶體管Q4、第五晶體管Q5、第八晶體管Q8均導(dǎo)通；第六晶體管Q6、第七晶體管Q7截止。

由于第四晶體管Q4和第五晶體管Q5的寬長比相同，閾值電壓V_th相同。第四晶體管Q4的控制極由第一控制線S1的V_S1控制，第四晶體管Q4的第二極由第二控制線S2的V_S2控制，第五晶體管Q5的第一極由第三控制線S3的V_S3控制，第五晶體管Q5的控制極由OLED的陽極電壓V_陽極控制。

將第二控制線S2接地，V_S1設(shè)定值使得第四晶體管Q4和第五晶體管Q5工作在飽和區(qū)，需第四晶體管Q4和第五晶體管Q5的柵極與源極電壓大于V_th，柵極與漏極電壓小于V_th，V_S1-V_S2≤V_th4，V_S1-V_P1≥V_th4，V_陽極-V_P1≤V_th5，V_陽極-V_S3≥V_th5，V_陽極為此時(shí)發(fā)光器件的輸入端信號(hào)即陽極電位，V_th4V_th5分別為第四晶體管Q4和第五晶體管Q5的閾值電壓。

流過Q4和Q5的電流相同，因此：

1/2μ(W/L)₄(V_S1-V_P1-V_th4)²＝1/2μ(W/L)₅(V_陽極-V_S3-V_th5)²

其中，由于(W/L)₄＝(W/L)₅為第四晶體管和第五晶體管的寬長比，

所以，V_S1-V_P1＝V_陽極-V_S3

因此，V_陽極＝V_S1-V_P1+V_S3，即V_陽極降低，V_P1升高。

根據(jù)電容的自舉作用，V_gate3＝V_S6-V_S7+V_P1，

V_gate3＝V_S6-V_S7+V_P1＝V_S6-V_S7+V_S1-V_陽極+V_S3

若發(fā)光器件1正常工作，V_gate3＝V_S6-V_S7+V_S1-V_陽極2+V_S3,

V_陽極2為發(fā)光器件正常工作的陽極電壓值即為一高電平信號(hào)，則V_gate3-V_陽極2＝V_S6-V_S7+V_S1-2V_陽極2+V_S3為低電平信號(hào)，

V_gate3-V_陽極2<-V_th3，此時(shí)，第三晶體管Q3導(dǎo)通。

若發(fā)光器件1發(fā)生短路，V_gate3＝V_S6-V_S7+V_S1-V_陽極3+V_S3,

V_陽極3為發(fā)光器件短路的陽極電壓值即為一低電平信號(hào)，接近VSS，則V_gate3-V_陽極3＝V_S6-V_S7+V_S1-2V_陽極3+V_S3為高電平信號(hào)，V_gate3-V_陽極3>-V_th3，此時(shí)第三晶體管Q3截止。

作為本實(shí)施例中的其他可選實(shí)施方案，第三晶體管Q3、第四晶體管Q4和第五晶體管Q5也可以是其他類型晶體管。

相比激光燒蝕方法，本實(shí)施例的像素電路簡(jiǎn)單易控，無需再增加激光燒蝕設(shè)備。

需要說明的是，本實(shí)施例中第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第四晶體管Q4、第五晶體管Q5第六晶體管Q6、第七晶體管Q7、第八晶體管Q8分別獨(dú)立選自多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管以及有機(jī)薄膜晶體管中的一種。每個(gè)晶體管包括柵極、源極、漏極共三個(gè)極，其中柵極為控制極；源極和漏極通常是通過電流方向限定的，而在結(jié)構(gòu)上二者并無區(qū)別。因此本實(shí)施例中第一極、第二極分別指晶體管的源極和漏極，并不限定其中哪個(gè)為源極，哪個(gè)為漏極，只要它們分別連接至所需位置即可。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供一種像素驅(qū)動(dòng)方法，采用上述的像素電路，本實(shí)施例的像素電路時(shí)序如圖4所示，所述像素驅(qū)動(dòng)方法包括：

在發(fā)光器件工作階段，驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光；短路控制單元獲取發(fā)光器件的輸入端信號(hào)，并根據(jù)發(fā)光器件的輸入端信號(hào)輸出短路控制信號(hào)，發(fā)光控制單元根據(jù)短路控制信號(hào)，控制驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光器件的連接支路的導(dǎo)通和斷開。

相比激光燒蝕方法，本實(shí)施例的方法簡(jiǎn)單易行，無需再增加激光燒蝕設(shè)備。

進(jìn)一步，短路控制單元包括串聯(lián)連接的短路保護(hù)部和預(yù)充部，所述像素驅(qū)動(dòng)方法還包括：

在發(fā)光器件非工作階段，預(yù)充部控制發(fā)光控制單元導(dǎo)通。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種像素電路。所述顯示裝置可以為：電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。