一種像素電路、其驅(qū)動方法、顯示面板及顯示裝置與流程
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種像素電路、其驅(qū)動方法、顯示面板及顯示裝置。
背景技術：
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED顯示器具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應速度快等優(yōu)點。目前，在手機、平板電腦、數(shù)碼相機等顯示領域，OLED顯示器已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的LCD顯示器。
與LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制其發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，會使像素電路的驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth存在不均勻性，這樣就導致了流過每個OLED的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均，從而影響整個圖像的顯示效果。并且由于流過每個OLED的電流與驅(qū)動管源極即電源電壓相關，由于IR Drop原因，也會造成不同區(qū)域的電流差異，進而造成不同區(qū)域的OLED出現(xiàn)亮度不均勻現(xiàn)象。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明實施例提供一種像素電路、其驅(qū)動方法、有機電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，用以使驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流保持穩(wěn)定，提高圖像顯示亮度的均勻性。
本發(fā)明實施例提供了一種像素電路，包括：數(shù)據(jù)寫入模塊、補償控制模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動晶體管以及發(fā)光器件；其中，
所述數(shù)據(jù)寫入模塊分別與掃描信號端、數(shù)據(jù)信號端以及第一節(jié)點相連；所述數(shù)據(jù)寫入模塊用于在所述掃描信號端的控制下將所述數(shù)據(jù)信號端的信號提供給所述第一節(jié)點；
所述補償控制模塊分別與復位信號端、初始化信號端、第二節(jié)點、所述驅(qū)動晶體管的控制極以及所述驅(qū)動晶體管的第一極相連；所述補償控制模塊用于在所述復位信號端的控制下將所述初始化信號端的信號提供給所述第二節(jié)點，在所述復位信號端的控制下導通所述驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制所述驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；
所述存儲模塊分別與所述第一節(jié)點以及所述驅(qū)動晶體管的控制極相連；所述存儲模塊用于在所述第一節(jié)點的信號與所述驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行充電或放電，以及在所述驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時保持所述第一節(jié)點與所述驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；
所述發(fā)光控制模塊分別與發(fā)光控制信號端、參考信號端、所述第一節(jié)點、所述第二節(jié)點以及所述驅(qū)動晶體管的第一極相連；所述驅(qū)動晶體管的第二極與第一電源端相連；所述發(fā)光器件分別與所述第二節(jié)點以及第二電源端相連；所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光控制信號端的控制下導通所述參考信號端與所述第一節(jié)點、導通所述驅(qū)動晶體管的第一極與所述第二節(jié)點、以及控制所述驅(qū)動晶體管驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括：第一開關晶體管；其中，
所述第一開關晶體管的柵極與所述掃描信號端相連，源極與所述數(shù)據(jù)信號端相連，漏極與所述第一節(jié)點相連。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，所述補償控制模塊包括：第二開關晶體管與第三開關晶體管；其中，
所述第二開關晶體管的柵極與所述復位信號端相連，源極與所述初始化信號端相連，漏極與所述第二節(jié)點相連；
所述第三開關晶體管的柵極與所述復位信號端相連，源極與所述驅(qū)動晶體管的控制極相連，漏極與所述驅(qū)動晶體管的第一極相連。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，所述發(fā)光控制模塊包括：第四開關晶體管與第五開關晶體管；其中，
所述第四開關晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號端相連，源極與所述參考信號端相連，漏極與所述第一節(jié)點相連；
所述第五開關晶體管的柵極與所述發(fā)光控制信號端相連，源極與所述驅(qū)動晶體管的第一極相連，漏極與所述第二節(jié)點相連。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，所述存儲模塊包括：電容；其中，
所述電容的第一端與所述第一節(jié)點相連，第二端與所述驅(qū)動晶體管的控制極相連。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，所述驅(qū)動晶體管為P型晶體管；其中，所述P型晶體管的柵極為所述驅(qū)動晶體管的控制極，源極為所述驅(qū)動晶體管的第二極，漏極為所述驅(qū)動晶體管的第一極；或者，
所述驅(qū)動晶體管為N型晶體管；其中，所述N型晶體管的柵極為所述驅(qū)動晶體管的控制極，源極為所述驅(qū)動晶體管的第一極，漏極為所述驅(qū)動晶體管的第二極。
優(yōu)選地，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，在所述驅(qū)動晶體管為P型晶體管時，所有開關晶體管均為P型開關晶體管；或者，
在所述驅(qū)動晶體管為N型晶體管時，所有開關晶體管均為N型開關晶體管。
相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素電路。
相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板。
相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素電路的驅(qū)動方法，包括：第一階段、第二階段和第三階段；其中，
在所述第一階段，所述補償控制模塊在所述復位信號端的控制下將所述初始化信號端的信號提供給所述第二節(jié)點，在所述復位信號端的控制下導通所述驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制所述驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；所述發(fā)光控制模塊在所述發(fā)光控制信號端的控制下導通所述參考信號端與所述第一節(jié)點、導通所述驅(qū)動晶體管的第一極與所述第二節(jié)點；所述存儲模塊在所述第一節(jié)點的信號與所述驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行放電；
在所述第二階段，所述數(shù)據(jù)寫入模塊在所述掃描信號端的控制下將所述數(shù)據(jù)信號端的信號提供給所述第一節(jié)點；所述補償控制模塊在所述復位信號端的控制下將所述初始化信號端的信號提供給所述第二節(jié)點，在所述復位信號端的控制下導通所述驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制所述驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；所述存儲模塊用于在所述第一節(jié)點的信號與所述驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行充電；
在所述第三階段，所述存儲模塊在所述驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時保持所述第一節(jié)點與所述驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光控制信號端的控制下導通所述參考信號端與所述第一節(jié)點、導通所述驅(qū)動晶體管的第一極與所述第二節(jié)點、以及控制所述驅(qū)動晶體管驅(qū)動所述發(fā)光器件發(fā)光。
本發(fā)明實施例提供的像素電路、其驅(qū)動方法、顯示面板及顯示裝置，包括：數(shù)據(jù)寫入模塊、補償控制模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動晶體管以及發(fā)光器件；其中，數(shù)據(jù)寫入模塊用于在掃描信號端的控制下將數(shù)據(jù)信號端的信號提供給第一節(jié)點；補償控制模塊用于在復位信號端的控制下將初始化信號端的信號提供給第二節(jié)點，在復位信號端的控制下導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；存儲模塊用于在第一節(jié)點的信號與驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行充電或放電，以及在驅(qū)動晶體管的控 制極處于浮接狀態(tài)時保持第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光控制信號端的控制下導通參考信號端與第一節(jié)點、導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點、以及控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。因此通過上述四個模塊以及驅(qū)動晶體管的相互配合，可以使像素電路中的驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流僅與數(shù)據(jù)信號端的電壓以及參考信號端的電壓有關，而與驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及第一電源端的電壓無關，可以避免驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及IR Drop對流過發(fā)光器件的工作電流的影響，從而使驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流保持穩(wěn)定，進而可以提高顯示裝置中顯示區(qū)域畫面亮度的均勻性。
附圖說明
圖1a為本發(fā)明實施例提供的像素電路的結構示意圖之一；
圖1b為本發(fā)明實施例提供的像素電路的結構示意圖之二；
圖2a為圖1a所示的像素電路的具體結構示意圖之一；
圖2b為圖1a所示的像素電路的具體結構示意圖之二；
圖3a為圖1b所示的像素電路的具體結構示意圖之一；
圖3b為圖1b所示的像素電路的具體結構示意圖之二；
圖4a為圖2a所示的像素電路的電路時序圖；
圖4b為圖3a所示的像素電路的電路時序圖；
圖5為本發(fā)明實施例提供的像素電路的驅(qū)動方法的流程圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的，技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的像素電路、其驅(qū)動方法、顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。
本發(fā)明實施例提供的一種像素電路，如圖1a和圖1b所示，數(shù)據(jù)寫入模塊1、補償控制模塊2、存儲模塊3、發(fā)光控制模塊4、驅(qū)動晶體管M0以及發(fā)光器件L；其中，
數(shù)據(jù)寫入模塊1分別與掃描信號端Scan、數(shù)據(jù)信號端SD以及第一節(jié)點A相連；數(shù)據(jù)寫入模塊1用于在掃描信號端Scan的控制下將數(shù)據(jù)信號端SD的信號提供給第一節(jié)點A；
補償控制模塊2分別與復位信號端Reset、初始化信號端VINI、第二節(jié)點B、驅(qū)動晶體管M0的控制極m1以及驅(qū)動晶體管M0的第一極m2相連；補償控制模塊2用于在復位信號端Reset的控制下將初始化信號端VINI的信號提供給第二節(jié)點B，在復位信號端Reset的控制下導通驅(qū)動晶體管M0的控制極m1與其第一極m2，以控制驅(qū)動晶體管M0處于二極管狀態(tài)；
存儲模塊3分別與第一節(jié)點A以及驅(qū)動晶體管M0的控制極m1相連；存儲模塊3用于在第一節(jié)點A的信號與驅(qū)動晶體管M0的控制極m1的信號的控制下進行充電或放電，以及在驅(qū)動晶體管M0的控制極m1處于浮接狀態(tài)時保持第一節(jié)點A與驅(qū)動晶體管M0的控制極m1之間的電壓差穩(wěn)定；
發(fā)光控制模塊4分別與發(fā)光控制信號端EM、參考信號端VREF、第一節(jié)點A、第二節(jié)點B以及驅(qū)動晶體管M0的第一極m2相連；驅(qū)動晶體管M0的第二極m3與第一電源端VDD相連；發(fā)光器件L分別與第二節(jié)點B以及第二電源端VSS相連；發(fā)光控制模塊4用于在發(fā)光控制信號端EM的控制下導通參考信號端VREF與第一節(jié)點A、導通驅(qū)動晶體管M0的第一極m2與第二節(jié)點B、以及控制驅(qū)動晶體管M0驅(qū)動發(fā)光器件L發(fā)光。
本發(fā)明實施例提供的上述像素電路，包括：數(shù)據(jù)寫入模塊、補償控制模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動晶體管以及發(fā)光器件；其中，數(shù)據(jù)寫入模塊用于在掃描信號端的控制下將數(shù)據(jù)信號端的信號提供給第一節(jié)點；補償控制模塊用于在復位信號端的控制下將初始化信號端的信號提供給第二節(jié)點，在復位信號端的控制下導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；存儲模塊用于在第一節(jié)點的信號與驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控 制下進行充電或放電，以及在驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時保持第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光控制信號端的控制下導通參考信號端與第一節(jié)點、導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點、以及控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。本發(fā)明實施例提供的像素電路通過上述四個模塊以及驅(qū)動晶體管的相互配合，可以使像素電路中的驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流僅與數(shù)據(jù)信號端的電壓以及參考信號端的電壓有關，而與驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及第一電源端的電壓無關，可以避免驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及IR Drop對流過發(fā)光器件的工作電流的影響，從而使驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流保持穩(wěn)定，進而可以提高顯示裝置中顯示區(qū)域畫面亮度的均勻性。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，發(fā)光器件與第二節(jié)點相連的一端為其正極，與第二電源端連接的一端為其負極。并且，發(fā)光器件一般為有機電致發(fā)光二極管，其在驅(qū)動晶體管處于飽和狀態(tài)時的電流的作用下實現(xiàn)發(fā)光。另外，一般發(fā)光器件具有閾值電壓，在發(fā)光器件兩端的電壓大于或等于閾值電壓時進行發(fā)光。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，第一電源端的電壓Vdd一般為正值，參考信號端的電壓Vref一般為正值。第二電源端的電壓Vss一般接地或為負值，初始信號端的電壓Vini一般為負值，并且初始信號端的電壓Vini與第二電源端的電壓Vss需要滿足公式：Vini-Vss<Vth(L)；其中，Vth(L)為發(fā)光器件的閾值電壓。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖1a所示，驅(qū)動晶體管M0可以為P型晶體管；其中，該P型晶體管的柵極為驅(qū)動晶體管M0的控制極m1，源極為驅(qū)動晶體管M0的第二極m3，漏極為驅(qū)動晶體管M0的第一極m2。并且在P型晶體管處于飽和狀態(tài)時，電流由P型晶體管的源極流向其漏極，P型晶體管的閾值電壓Vth(M0)一般為負值，其寬長比較小，等效電阻較大。
或者，如圖1b所示，驅(qū)動晶體管M0也可以為N型晶體管；其中，N型晶體管的柵極為驅(qū)動晶體管M0的控制極m1，源極為驅(qū)動晶體管M0的第一極m2，漏極為驅(qū)動晶體管M0的第二極m3。并且在N型晶體管處于飽和狀態(tài)時，電流由N型晶體管的漏極流向其源極，N型晶體管的閾值電壓Vth(M0)一般為正值，其寬長比較小，等效電阻較大。
下面結合具體實施例，對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是，本實施例僅是為了更好的解釋本發(fā)明，但不限制本發(fā)明。
具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a至圖3b所示，數(shù)據(jù)寫入模塊1具體可以包括：第一開關晶體管M1；其中，
第一開關晶體管M1的柵極與掃描信號端Scan相連，源極與數(shù)據(jù)信號端SD相連，漏極與第一節(jié)點A相連。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a和圖3b所示，第一開關晶體管M1可以為P型開關晶體管；或者，如圖2b和圖3a所示，第一開關晶體管M1也可以為N型開關晶體管，在此不作限定。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，第一開關晶體管在掃描信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，將數(shù)據(jù)信號端的信號提供給第一節(jié)點。
以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的像素電路中數(shù)據(jù)寫入模塊的具體結構，在具體實施時，數(shù)據(jù)寫入模塊的具體結構不限于本發(fā)明實施例提供的上述結構，還可以是本領域技術人員可知的其他結構，在此不作限定。
具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a至圖3b所示，補償控制模塊2具體可以包括：第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3；其中，
第二開關晶體管M2的柵極與復位信號端Reset相連，源極與初始化信號端VINI相連，漏極與第二節(jié)點B相連；
第三開關晶體管M3的柵極與復位信號端Reset相連，源極與驅(qū)動晶體管M0的控制極m1相連，漏極與驅(qū)動晶體管M0的第一極m2相連。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a和圖3b所示，第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3可以為P型開關晶體管；或者，如圖2b和圖3a所示，第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3也可以為N型開關晶體管，在此不作限定。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，第二開關晶體管在復位信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，將初始化信號端的信號提供給第二節(jié)點。第三開關晶體管在復位信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，由于驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極相連，因此可以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)。
以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的像素電路中補償控制模塊的具體結構，在具體實施時，補償控制模塊的具體結構不限于本發(fā)明實施例提供的上述結構，還可以是本領域技術人員可知的其他結構，在此不作限定。
具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a至圖3b所示，發(fā)光控制模塊4具體可以包括：第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5；其中，
第四開關晶體管M4的柵極與發(fā)光控制信號端EM相連，源極與參考信號端VREF相連，漏極與第一節(jié)點A相連；
第五開關晶體管M5的柵極與發(fā)光控制信號端EM相連，源極與驅(qū)動晶體管M0的第一極m2相連，漏極與第二節(jié)點B相連。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a和圖3b所示，第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5可以為P型開關晶體管；或者，如圖2b和圖3a所示，第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5也可以為N型開關晶體管，在此不作限定。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，第四開關晶體管在發(fā)光控制信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，可以導通參考信號端與第一節(jié) 點，從而將參考信號端的信號提供給第一節(jié)點。第五開關晶體管在發(fā)光控制信號端的控制下處于導通狀態(tài)時，可以導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點，從而將驅(qū)動晶體管的第一極的信號提供給第二節(jié)點。
以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的像素電路中發(fā)光控制模塊的具體結構，在具體實施時，發(fā)光控制模塊的具體結構不限于本發(fā)明實施例提供的上述結構，還可以是本領域技術人員可知的其他結構，在此不作限定。
具體地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a至圖3b所示，存儲模塊3具體可以包括：電容C；其中，
電容C的第一端與第一節(jié)點A相連，第二端與驅(qū)動晶體管M0的控制極m1相連。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，電容在第一節(jié)點的信號和驅(qū)動晶體管的控制極的信號的共同控制下進行充電；并在第一節(jié)點的信號和驅(qū)動晶體管的控制極的信號的共同控制下進行放電；以及在驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時，保持第一節(jié)點和驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定，以將驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth(M0)和第一電源端的電壓Vdd存儲于驅(qū)動晶體管的控制極上。
以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的像素電路中存儲模塊的具體結構，在具體實施時，存儲模塊的具體結構不限于本發(fā)明實施例提供的上述結構，還可以是本領域技術人員可知的其他結構，在此不作限定。
進一步地，為了簡化像素電路的制作工藝流程，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，如圖2a所示，在驅(qū)動晶體管M0為P型晶體管時，所有的開關晶體管可以均為P型開關晶體管，或如圖3a所示，在驅(qū)動晶體管M0為N型晶體管時，所有的開關晶體管可以均為N型開關晶體管，在此不作限定。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，P型開關晶體管在高電位作用下截止，在低電位作用下導通；N型開關晶體管在高電位作用下 導通，在低電位作用下截止。
需要說明的是，在本發(fā)明實施例提供的上述像素電路中，驅(qū)動晶體管和開關晶體管可以是薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金屬氧化物半導體場效應管(MOS，Metal Oxide Scmiconductor)，在此不作限定。在具體實施時，這些開關晶體管的源極和漏極根據(jù)開關晶體管類型以及信號端的信號的不同，其功能可以互換，在此不做具體區(qū)分。在描述具體實施例時，均是以驅(qū)動晶體管和開關晶體管為薄膜晶體管為例進行說明的。
下面以圖2a和圖3a所示的像素電路為例，結合電路時序圖對本發(fā)明實施例提供的上述像素電路的工作過程作以描述。下述描述中以1表示高電位，0表示低電位。需要說明的是，1和0是邏輯電位，其僅是為了更好的解釋本發(fā)明實施例的具體工作過程，而不是在具體實施時施加在各開關晶體管的柵極上的電位。
實施例一、
如圖2a所示，驅(qū)動晶體管M0為P型晶體管，所有開關晶體管均為P型晶體管；對應的輸入時序圖如圖4a所示。具體地，選取如圖4a所示的輸入時序圖中的T1、T2以及T3三個階段。
在T1階段，Scan＝1，Reset＝0，EM1＝0。
由于Scan＝1，因此第一開關晶體管M1截止。由于Reset＝0，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均導通。由于EM1＝0，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均導通。導通的第四開關晶體管M4將參考信號端VREF的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為參考信號端VREF的信號的電壓Vref。導通的第五開關晶體管M5可以導通驅(qū)動晶體管M0的漏極與第二節(jié)點B。導通的第二開關晶體管M2可以使初始化信號端VINI與第二節(jié)點B導通，以將初始化信號端VINI的信號提供給第二節(jié)點B。導通的第三開關晶體管M3可以導通驅(qū)動晶體管M0的漏極與其柵極，使驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)。由于處于二極管連接狀態(tài)的驅(qū)動晶體管M0、導通的 第二開關晶體管M2以及導通的第五開關晶體管M5，可以使第一電源端VDD與初始化信號端VINI形成放電回路，以使驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓近似為初始化信號端VINI的電壓Vini，從而對電容C進行放電復位。由于發(fā)光器件L的兩端的電壓小于其閾值電壓Vth(L)，因此發(fā)光器件L不發(fā)光。
在T2階段，Scan＝0，Reset＝0，EM1＝1。
由于Scan＝0，因此第一開關晶體管M1導通。由于Reset＝0，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均導通。由于EM1＝1，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均截止。導通的第一開關晶體管M1將數(shù)據(jù)信號端SD的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為數(shù)據(jù)信號端SD的信號的電壓Vsd。導通的第三開關晶體管M3可以導通驅(qū)動晶體管M0的漏極與其柵極，使驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)。由于驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)，第一電源端VDD對電容C進行充電，直至驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓變?yōu)閂dd+Vth(M0)為止。此時電容C兩端的電壓差為：Vsd-Vdd-Vth(M0)。導通的第二開關晶體管M2可以使初始化信號端VINI與第二節(jié)點B導通，以將初始化信號端VINI的信號提供給第二節(jié)點B，因此發(fā)光器件L的兩端的電壓小于其閾值電壓Vth(L)，使發(fā)光器件L不發(fā)光。
在T3階段，Scan＝1，Reset＝1，EM1＝0。
由于Scan＝1，因此第一開關晶體管M1截止。由于Reset＝1，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均截止。由于EM1＝0，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均導通。導通的第四開關晶體管M4將參考信號端VREF的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為參考信號端VREF的信號的電壓Vref。由于第三開關晶體管M3截止，因此驅(qū)動晶體管M0的柵極處于浮接狀態(tài)，即電容C的第二端處于浮接狀態(tài)。根據(jù)電容C的電荷在跳變前后的電荷守恒原則，為了保持電容C兩端的電壓差仍為：Vsd-Vdd-Vth(M0)，因此電容C的第二端的電壓跳變?yōu)椋篤ref-Vsd+Vdd+Vth(M0)，即驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓為：Vref-Vsd+Vdd+Vth(M0)。并且此時驅(qū)動晶體管M0處于飽 和狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管M0的源極的電壓為Vdd，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0且用于驅(qū)動發(fā)光器件L發(fā)光的工作電流IL滿足公式：IL＝K(Vgs-Vth(M0))2＝K[(Vref-Vsd+Vdd+Vth(M0)-Vdd)-Vth(M0)]2＝K(Vref-Vsd)2；其中，Vgs為驅(qū)動晶體管M0的柵源電壓；K為結構參數(shù)，相同結構中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。通過上式可知，驅(qū)動晶體管M0處于飽和狀態(tài)時的電流僅與參考信號端VREF的電壓Vref和數(shù)據(jù)信號端SD的電壓Vsd相關，而與驅(qū)動晶體管M0的閾值電壓Vth(M0)以及第一電源端VDD的電壓Vdd無關，徹底解決了由于驅(qū)動晶體管M0的工藝制程以及長時間的操作造成的閾值電壓Vth(M0)漂移，以及IR Drop對流過發(fā)光器件的電流的影響，從而使發(fā)光器件L的工作電流保持穩(wěn)定，進而保證了發(fā)光器件L的正常工作。
實施例二、
如圖3a所示，驅(qū)動晶體管M0為N型晶體管，所有開關晶體管均為N型晶體管；對應的輸入時序圖如圖4b所示。具體地，選取如圖4b所示的輸入時序圖中的T1、T2以及T3三個階段。
在T1階段，Scan＝0，Reset＝1，EM1＝1。
由于Scan＝0，因此第一開關晶體管M1截止。由于Reset＝1，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均導通。由于EM1＝1，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均導通。導通的第四開關晶體管M4將參考信號端VREF的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為參考信號端VREF的信號的電壓Vref。導通的第五開關晶體管M5可以導通驅(qū)動晶體管M0的源極與第二節(jié)點B。導通的第二開關晶體管M2可以使初始化信號端VINI與第二節(jié)點B導通，以將初始化信號端VINI的信號提供給第二節(jié)點B。導通的第三開關晶體管M3可以導通驅(qū)動晶體管M0的源極與其柵極，使驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)。由于處于二極管連接狀態(tài)的驅(qū)動晶體管M0、導通的第二開關晶體管M2以及導通的第五開關晶體管M5，可以使第一電源端VDD與初始化信號端VINI形成放電回路，以使驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓近似 為初始化信號端VINI的電壓Vini，從而對電容C進行放電復位。由于發(fā)光器件L的兩端的電壓小于其閾值電壓Vth(L)，因此發(fā)光器件L不發(fā)光。
在T2階段，Scan＝1，Reset＝1，EM1＝0。
由于Scan＝1，因此第一開關晶體管M1導通。由于Reset＝1，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均導通。由于EM1＝0，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均截止。導通的第一開關晶體管M1將數(shù)據(jù)信號端SD的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為數(shù)據(jù)信號端SD的信號的電壓Vsd。導通的第三開關晶體管M3可以導通驅(qū)動晶體管M0的源極與其柵極，使驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)。由于驅(qū)動晶體管M0處于二極管連接狀態(tài)，第一電源端VDD對電容C進行充電，直至驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓變?yōu)閂dd+Vth(M0)為止。此時電容C兩端的電壓差為：Vsd-Vdd-Vth(M0)。導通的第二開關晶體管M2可以使初始化信號端VINI與第二節(jié)點B導通，以將初始化信號端VINI的信號提供給第二節(jié)點B，因此發(fā)光器件L的兩端的電壓小于其閾值電壓Vth(L)，使發(fā)光器件L不發(fā)光。
在T3階段，Scan＝0，Reset＝0，EM1＝1。
由于Scan＝0，因此第一開關晶體管M1截止。由于Reset＝0，因此第二開關晶體管M2與第三開關晶體管M3均截止。由于EM1＝1，因此第四開關晶體管M4與第五開關晶體管M5均導通。導通的第四開關晶體管M4將參考信號端VREF的信號提供給第一節(jié)點A，因此第一節(jié)點A的電壓為參考信號端VREF的信號的電壓Vref。由于第三開關晶體管M3截止，因此驅(qū)動晶體管M0的柵極處于浮接狀態(tài)，即電容C的第二端處于浮接狀態(tài)。根據(jù)電容C的電荷在跳變前后的電荷守恒原則，為了保持電容C兩端的電壓差仍為：Vsd-Vdd-Vth(M0)，因此電容C的第二端的電壓跳變?yōu)椋篤ref-Vsd+Vdd+Vth(M0)，即驅(qū)動晶體管M0的柵極的電壓為：Vref-Vsd+Vdd+Vth(M0)。并且此時驅(qū)動晶體管M0處于飽和狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管M0的漏極的電壓為Vdd，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過驅(qū)動晶體管M0且用于驅(qū)動發(fā)光器件L發(fā)光的工作電流IL滿足公式：IL＝K(Vgd-Vth(M0))2＝K[(Vref-Vsd+Vdd+Vth(M0)-Vdd)-Vth(M0)]2＝K(Vref-Vsd)2；其中，Vgd為驅(qū)動晶體管M0的柵漏電壓；K為結構參數(shù)，相同結構中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。通過上式可知，驅(qū)動晶體管M0處于飽和狀態(tài)時的電流僅與參考信號端VREF的電壓Vref和數(shù)據(jù)信號端SD的電壓Vsd相關，而與驅(qū)動晶體管M0的閾值電壓Vth(M0)以及第一電源端VDD的電壓Vdd無關，徹底解決了由于驅(qū)動晶體管M0的工藝制程以及長時間的操作造成的閾值電壓Vth(M0)漂移，以及IR Drop對流過發(fā)光器件的電流的影響，從而使發(fā)光器件L的工作電流保持穩(wěn)定，進而保證了發(fā)光器件L的正常工作。
一般在驅(qū)動晶體管長時間加相同電壓后其特性會發(fā)生偏移，從而導致在流過驅(qū)動晶體管的小電流轉(zhuǎn)變成大電流設定值時，由于小電流不能馬上變成大電流，因此一般需要一定時間才能達到大電流設定值。在本發(fā)明實施例一和實施例二中，由于在T1階段，會有一個穩(wěn)定的電流通過驅(qū)動晶體管，使驅(qū)動晶體管的特性反向偏移，從而可以較快的使驅(qū)動晶體管由小電流變成大電流設定值，可以改善驅(qū)動晶體管的響應時間。
基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素電路的驅(qū)動方法，如圖5所示，包括：第一階段、第二階段和第三階段；其中，
S501、在第一階段，補償控制模塊在復位信號端的控制下將初始化信號端的信號提供給第二節(jié)點，在復位信號端的控制下導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；發(fā)光控制模塊在發(fā)光控制信號端的控制下導通參考信號端與第一節(jié)點、導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點；存儲模塊在第一節(jié)點的信號與驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行放電；
S502、在第二階段，數(shù)據(jù)寫入模塊在掃描信號端的控制下將數(shù)據(jù)信號端的信號提供給第一節(jié)點；補償控制模塊在復位信號端的控制下將初始化信號端的信號提供給第二節(jié)點，在復位信號端的控制下導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；存儲模塊用于在第一節(jié)點的信號與 驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行充電；
S503、在第三階段，存儲模塊在驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時保持第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光控制信號端的控制下導通參考信號端與第一節(jié)點、導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點、以及控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。
本發(fā)明實施例提供的上述驅(qū)動方法，可以使像素電路中的驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流僅與數(shù)據(jù)信號端的電壓和參考信號端的電壓有關，而與驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及第一電源端的電壓無關，可以避免驅(qū)動晶體管的閾值電壓與IR Drop對流過發(fā)光器件的工作電流的影響，從而使驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流保持穩(wěn)定，進而提高顯示裝置中顯示區(qū)域畫面亮度的均勻性。
基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括：本發(fā)明實施例提供的上述任一種像素電路。該顯示面板解決問題的原理與前述的像素電路相似，因此該顯示面板的實施可以參見上述像素電路的實施，重復之處不再贅述。
在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板中，顯示面板可以為有機電致發(fā)光顯示面板。
基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板。該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領域的普通技術人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述像素電路的實施例，重復之處不再贅述。
本發(fā)明實施例提供的像素電路、其驅(qū)動方法、顯示面板及顯示裝置，包括：數(shù)據(jù)寫入模塊、補償控制模塊、存儲模塊、發(fā)光控制模塊、驅(qū)動晶體管以及發(fā)光器件；其中，數(shù)據(jù)寫入模塊用于在掃描信號端的控制下將數(shù)據(jù)信號端的信號提供給第一節(jié)點；補償控制模塊用于在復位信號端的控制下將初始化信號端的 信號提供給第二節(jié)點，在復位信號端的控制下導通驅(qū)動晶體管的控制極與其第一極，以控制驅(qū)動晶體管處于二極管狀態(tài)；存儲模塊用于在第一節(jié)點的信號與驅(qū)動晶體管的控制極的信號的控制下進行充電或放電，以及在驅(qū)動晶體管的控制極處于浮接狀態(tài)時保持第一節(jié)點與驅(qū)動晶體管的控制極之間的電壓差穩(wěn)定；發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光控制信號端的控制下導通參考信號端與第一節(jié)點、導通驅(qū)動晶體管的第一極與第二節(jié)點、以及控制驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光。因此通過上述四個模塊以及驅(qū)動晶體管的相互配合，可以使像素電路中的驅(qū)動晶體管驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流僅與數(shù)據(jù)信號端的電壓以及參考信號端的電壓有關，而與驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及第一電源端的電壓無關，可以避免驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及IR Drop對流過發(fā)光器件的工作電流的影響，從而使驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光的工作電流保持穩(wěn)定，進而可以提高顯示裝置中顯示區(qū)域畫面亮度的均勻性。
顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
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