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電光學裝置的驅(qū)動方法與流程

文檔序號:11325124閱讀:341來源:國知局
電光學裝置的驅(qū)動方法與流程

本申請是申請?zhí)枮?01210375917.0、申請日為2012年9月29日、申請人為精工愛普生株式會社、發(fā)明名稱為“電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備”的發(fā)明專利申請的分案申請。

本發(fā)明涉及例如在像素電路微細化時有效的電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備。



背景技術:

近年來,提出了各種使用有機發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,以下稱為“oled”)元件等發(fā)光元件的電光學裝置。在該電光學裝置中一般構成為,對應于掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉,包括上述發(fā)光元件、晶體管等的像素電路與應該顯示的圖像的像素對應地設置。在這樣的構成中,若與像素的灰度等級對應的電位的數(shù)據(jù)信號被施加給該晶體管的柵極,則該晶體管向發(fā)光元件供給與柵極-源極間的電壓對應的電流。由此,該發(fā)光元件以與灰度等級對應的亮度發(fā)光(例如參照專利文獻1)。

另外,電光學裝置大多被強烈要求顯示尺寸的小型化、顯示的高精細化。由于為了兼顧顯示尺寸的小型化與顯示的高精細化,需要對像素電路進行微細化,所以還提出了一種例如在硅集成電路上設置電光學裝置的技術(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1:日本特開2007-316462號公報

專利文獻2:日本特開2009-288435號公報

然而,在對像素電路進行微細化時,需要以微小區(qū)域來控制電流向發(fā)光元件的供給。雖然對發(fā)光元件供給的電流由晶體管的柵極-源極間的電壓控制,但在微小區(qū)域中,相對于柵極-源極間的電壓的微小變化,對發(fā)光元件供給的電流會大幅變化。

另一方面,輸出數(shù)據(jù)信號的電路為了以短時間對數(shù)據(jù)線進行充電而提高其驅(qū)動能力。這樣,在具有較高的驅(qū)動能力的電路中,難以以非常高的精度輸出數(shù)據(jù)信號。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的,其目的之一在于,提供一種不需要高精度的數(shù)據(jù)信號就能夠精確地控制對發(fā)光元件供給的電流的電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備。

為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所涉及的電光學裝置的特征在于,具有:多條掃描線;多條數(shù)據(jù)線;第1保持電容,其一端與上述數(shù)據(jù)線連接;第2保持電容,其分別對上述多條數(shù)據(jù)線各自的電位進行保持;像素電路,其與多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的交叉對應設置;以及驅(qū)動電路,其驅(qū)動所述像素電路;上述像素電路包括:第1晶體管,其供給與柵極-源極間的電壓對應的電流;發(fā)光元件,其以與由上述晶體管供給的電流對應的亮度發(fā)光;和第2晶體管,其在上述數(shù)據(jù)線與上述第1晶體管的柵極之間導通或者截止;上述驅(qū)動電路在第1期間使上述第2晶體管導通,并且在向上述數(shù)據(jù)線供給初始電位,緊接著上述第1期間的第2期間,以使上述第2晶體管導通的狀態(tài)向上述第1保持電容的另一端供給與灰度等級對應的電位的數(shù)據(jù)信號,在上述第2期間之后,使上述第2晶體管截止。根據(jù)本發(fā)明,在第1期間,第1晶體管的柵極與數(shù)據(jù)線一起被第2保持電容保持為初始電位。在第2期間,當以使第2晶體管導通的狀態(tài)向第1保持電容的另一端供給與灰度等級對應的電位的數(shù)據(jù)信號時,數(shù)據(jù)線以及第1晶體管的柵極的電位移位如下的量、即以第1保持電容以及第2保持電容的電容比對該第1保持電容的另一端的電位變動進行分壓的量。因此,根據(jù)本發(fā)明,由于第1晶體管的柵極的電位范圍相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍縮小,所以即使在電流變化相對于第1晶體管的柵極-源極間的電壓變化較大的情況下,也能夠正確地控制電流。

在本發(fā)明中,優(yōu)選上述驅(qū)動電路在上述第1期間之前,以使上述第2晶體管截止的狀態(tài)開始向上述數(shù)據(jù)線供給上述初始電位。根據(jù)該構成,首先在數(shù)據(jù)線以單體被復位為初始電位之后,在第1期間中,第2晶體管導通,第1晶體管的柵極也被初始化。

在該構成中,優(yōu)選上述像素電路具有在上述第1晶體管與上述發(fā)光元件之間導通或者截止的第3晶體管,上述驅(qū)動電路緊接著上述第2期間的第3期間使上述第3晶體管導通。根據(jù)該方式,在數(shù)據(jù)信號的移位電位被寫入到第1晶體管的柵極之后,向發(fā)光元件供給電流。

另外,在上述方式中,上述驅(qū)動電路可以在上述第1期間之前使上述第3晶體管截止。由此,能夠在第1晶體管的柵極成為初始電位的第1期間、和從該初始電位移位的第2期間不向發(fā)光元件供給電流。

上述像素電路也可以包括對上述第1晶體管的柵極-源極間的電壓進行保持的第3保持電容。該第3保持電容可以是該第1晶體管的寄生電容,也可以是另外設置的電容元件。

此外,本發(fā)明除了電光學裝置以外,還能夠構成為電光學裝置的驅(qū)動方法、具有該電光學裝置的電子設備。作為電子設備,典型地能夠列舉頭戴式顯示器(hmd)、電子取景器等的顯示裝置。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式所涉及的電光學裝置的構成的立體圖。

圖2是表示該電光學裝置的構成的圖。

圖3是表示該電光學裝置中的像素電路的圖。

圖4是表示該電光學裝置的動作的時間圖。

圖5是該電光學裝置的動作說明圖。

圖6是該電光學裝置的動作說明圖。

圖7是該電光學裝置的動作說明圖。

圖8是該電光學裝置的動作說明圖。

圖9是該電光學裝置的動作說明圖。

圖10是表示該電光學裝置中的數(shù)據(jù)信號的振幅壓縮的圖。

圖11是表示第2實施方式所涉及的電光學裝置的構成的圖。

圖12是表示該電光學裝置中的像素電路的圖。

圖13是表示該電光學裝置的動作的時間圖。

圖14是該電光學裝置的動作說明圖。

圖15是該電光學裝置的動作說明圖。

圖16是該電光學裝置的動作說明圖。

圖17是該電光學裝置的動作說明圖。

圖18是表示該電光學裝置中的晶體管的特性的圖。

圖19是表示第3實施方式所涉及的電光學裝置的構成的圖。

圖20是表示該電光學裝置的動作的時間圖。

圖21是該電光學裝置的動作說明圖。

圖22是該電光學裝置的動作說明圖。

圖23是該電光學裝置的動作說明圖。

圖24是該電光學裝置的動作說明圖。

圖25是表示使用了實施方式等所涉及的電光學裝置的hmd的立體圖。

圖26是表示hmd的光學構成的圖。

具體實施方式

以下,參照附圖,對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。

<第1實施方式>

圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電光學裝置10的構成的立體圖。

電光學裝置10例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。關于電光學裝置10的詳細內(nèi)容將在后面敘述,是在例如硅基板上形成有多個像素電路、驅(qū)動該像素電路的驅(qū)動電路等的有機el裝置,在像素電路使用了作為發(fā)光元件的一個例子的oled。

電光學裝置10被收容于在顯示部開口的框狀的殼體72,并且與fpc(flexibleprintedcircuits:撓性電路板)基板74的一端連接。在fpc基板74上通過cof(chiponfilm:覆晶薄膜)技術安裝有半導體晶片的控制電路5,并且設置有多個端子76,與省略圖示的上級電路連接。從該上級電路經(jīng)由多個端子76與同步信號同步地供給圖像數(shù)據(jù)。同步信號包括垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘信號。另外,圖像數(shù)據(jù)例如以8位來規(guī)定應該顯示的圖像的像素的灰度等級。

控制電路5是兼具電光學裝置10的電源電路與數(shù)據(jù)信號輸出電路的功能的電路。即,控制電路5除了向電光學裝置10供給根據(jù)同步信號生成的各種控制信號、各種電位之外,還將數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)變換為模擬的數(shù)據(jù)信號并向電光學裝置10供給。

圖2是表示第1實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的圖。如該圖所示,電光學裝置10大致被分為掃描線驅(qū)動電路20、多路分配器(demultiplexer)30、電平移位電路40、和顯示部100。

其中,在顯示部100中以矩陣狀排列有與應該顯示的圖像的像素對應的像素電路110。詳細而言,在顯示部100中,m行的掃描線12在圖中沿橫方向延伸設置,另外,按每3列分組的(3n)列的數(shù)據(jù)線14在圖中沿縱向延伸、并且與各掃描線12相互保持電絕緣地設置。而且,與m行的掃描線12和(3n)列的數(shù)據(jù)線14的交叉部對應地設置有像素電路110。因此,在本實施方式中,像素電路110以縱m行×橫(3n)列被排列成矩陣狀。

此處,m、n都是自然數(shù)。為了區(qū)別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(row),有時在圖中從上到下按順序稱為1、2、3、…、(m-1)、m行。同樣,為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列(column),有時在圖中從左到右按順序稱為1、2、3、…、(3n-1)、(3n)列。另外,為了通常化說明數(shù)據(jù)線14的組,若使用1以上n以下的整數(shù)j,則從左數(shù)第(3j-2)列、第(3j-1)列以及第(3j)列的數(shù)據(jù)線14屬于第j個組。

其中,同一行的掃描線12和屬于同一組的3列數(shù)據(jù)線14的交叉所對應的3個像素電路110分別對應于r(紅)、g(綠)、b(藍)的像素,這3個像素表現(xiàn)應該顯示的彩色圖像的1點。即,在本實施方式中,成為通過與rgb對應的oled的發(fā)光而利用加色混色來表現(xiàn)1點的彩色的構成。

通過控制電路5向電光學裝置10供給如下那樣的控制信號。詳細而言,向電光學裝置10供給如下的信號:用于控制掃描線驅(qū)動電路20的控制信號ctr;用于控制多路分配器30的選擇的控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3);與這些信號處于邏輯反轉(zhuǎn)的關系的控制信號/sel(1)、/sel(2)、/sel(3);用于控制電平移位電路40的負邏輯的控制信號/gini。其中,實際上在控制信號ctr中包括脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多個信號。

另外,在電光學裝置10中根據(jù)多路分配器30的選擇時機,通過控制電路5與第1、第2、…、第n組對應地供給數(shù)據(jù)信號vd(1)、vd(2)、…、vd(n)。其中,將數(shù)據(jù)信號vd(1)~vd(n)能取得的電位的最高值設為vmax,將最低值設為vmin。

掃描線驅(qū)動電路20是根據(jù)控制信號ctr生成用于在整個幀的期間逐行按順序?qū)呙杈€12進行掃描的掃描信號的電路。此處,將對第1、第2、第3、…、第(m-1)、第m行的掃描線12供給的掃描信號分別表記為gwr(1)、gwr(2)、gwr(3)、…、gwr(m-1)、gwr(m)。

需要說明的是,除了掃描信號gwr(1)~gwr(m)之外,掃描線驅(qū)動電路20還按每行生成與該掃描信號同步的各種控制信號并向顯示部100供給,但在圖2中省略了圖示。另外,幀的期間是指電光學裝置10顯示1個鏡頭(片段)的圖像所需的期間,例如若同步信號所包括的垂直同步信號的頻率為120hz,則是其1個周期的8.3毫秒的期間。

多路分配器30是按列設置的傳輸門34的集合體,按順序向構成各組的3列供給數(shù)據(jù)信號。

此處,與屬于第j組的(3j-2)、(3j-1)、(3j)列對應的傳輸門34的輸入端相互共同連接,分別向該共同端子供給數(shù)據(jù)信號vd(j)。

當控制信號sel(1)是h電平時(控制信號/sel(1)是l電平時),第j組中設置在作為左端列的(3j-2)列的傳輸門34導通(on)。同樣,當控制信號sel(2)是h電平時(控制信號/sel(2)是l電平時),第j組中設置在作為中央列的(3j-1)列的傳輸門34導通,當控制信號sel(3)是h電平時(控制信號/sel(3)是l電平時),第j組中設置在作為右端列的(3j)列的傳輸門34導通。

電平移位電路40按每列分別具有保持電容44、p溝道m(xù)os型的晶體管45、與n溝道m(xù)os型的晶體管46的組,是對從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數(shù)據(jù)信號的電位進行移位的電路。此處,保持電容44的一端與對應的列的數(shù)據(jù)線14和晶體管45的漏極節(jié)點連接,另一方面,保持電容44的另一端與傳輸門34的輸出端和晶體管46的漏極節(jié)點連接。因此,保持電容44作為一端與數(shù)據(jù)線14連接的第1保持電容發(fā)揮作用。另外,雖然在圖2中省略,但將保持電容44的電容設為crf1。

初始電位vini遍及各列被公共對各列的晶體管45的源極節(jié)點供給,控制信號/gini遍及各列被公共對柵極節(jié)點供給。另外,電位vref遍及各列被公共對各列的晶體管46的源極節(jié)點供給,由not電路18將控制信號/gini邏輯反轉(zhuǎn)后的信號遍及各列被公共對柵極節(jié)點供給。

因此,在本實施方式中,各列的晶體管45、46構成為在控制信號/gini是l電平時一齊導通,在控制信號/gini是h電平時一齊截止。

按每條數(shù)據(jù)線14設置保持電容50。詳細而言,保持電容50的一端與數(shù)據(jù)線14連接,另一端遍及各列接地為公共的例如電位vss。因此,保持電容50作為對數(shù)據(jù)線14的電位進行保持的第2保持電容發(fā)揮作用。

此外,關于保持電容50,圖2中被設置在顯示部100的外側(cè),但這只是等效電路,當然也可以設置在顯示部100的內(nèi)側(cè),或者從內(nèi)側(cè)遍及外側(cè)設置。另外,雖然在圖2中省略,但將保持電容50的電容設為cdt。電位vss相當于作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的l電平。

在本實施方式中,為了方便起見而分為掃描線驅(qū)動電路20、多路分配器30以及電平移位電路40,但能夠?qū)⑦@些統(tǒng)一概括為驅(qū)動像素電路110的驅(qū)動電路。

參照圖3,對像素電路110進行說明。如果從電氣方面來看,由于各像素電路110是相同的構成,所以這里以第i行的位于第j組中的左端列的第(3j-2)列的i行(3j-2)列的像素電路110為例來進行說明。

其中,i是一般性表示像素電路110排列的行的情況下的符號,是1以上m以下的整數(shù)。

如圖3所示,像素電路110包括p溝道m(xù)os型的晶體管121、122、124、oled130、和保持電容132。

對該像素電路110供給掃描信號gwr(i)、和控制信號gel(i)。此處,掃描信號gwr(i)、控制信號gel(i)是分別與第i行對應而通過掃描線驅(qū)動電路20供給的信號。因此,如果是第i行,則還對關注的(3j-2)列以外的其他列的像素電路共同供給掃描信號gwr(i)、和控制信號gel(i)。

i行(3j-2)列的像素電路110中的晶體管122的柵極節(jié)點與第i行的掃描線12連接,漏極或者源極節(jié)點的一方與第(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14連接,另一方分別與晶體管121的柵極節(jié)點、和保持電容132的一端連接。此處,關于晶體管121的柵極節(jié)點,為了與其他的節(jié)點區(qū)別而表記為g。

晶體管121的源極節(jié)點與供電線116連接,漏極節(jié)點與晶體管124的源極節(jié)點連接。此處,對供電線116供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位vel。

晶體管124的柵極節(jié)點被供給與第i行對應的控制信號gel(i),漏極節(jié)點與oled130的陽極連接。

此處,晶體管121相當于第1晶體管,晶體管122相當于第2晶體管,晶體管124相當于第3晶體管。

保持電容132的另一端與供電線116連接。因此,保持電容132作為對晶體管121的源極-漏極間的電壓進行保持的第3保持電容發(fā)揮作用。此處,在將保持電容132的電容表記為cpix時,保持電容50的電容cdt、保持電容44的電容crf1、和保持電容132的電容cpix被設定為cdt>crf1>>cpix。

即,設定為cdt比crf1大,cpix與cdt以及crf1相比十分小。

此外,作為保持電容132,也可以使用寄生于晶體管121的柵極節(jié)點g的電容,還可以使用在硅基板中通過以相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。

在本實施方式中,由于電光學裝置10形成于硅基板,所以晶體管121、122、124的基板電位為電位vel。

oled130的陽極是按每個像素電路110獨立設置的像素電極。與此相對,oled130的陰極是遍及全部像素電路110共用的共用電極118,被保持為在像素電路110中成為電源的低位側(cè)的電位vct。

oled130是在上述硅基板中通過陽極和具有透光性的陰極來夾持白色有機el層而形成的元件。而且,在oled130的出射側(cè)(陰極側(cè))重疊與rgb的任意一個對應的彩色濾光片。

在這樣的oled130中,若電流從陽極流向陰極,則從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子在有機el層中再結合而生成激子,產(chǎn)生白色光。此時產(chǎn)生的白色光透過與硅基板(陽極)相反側(cè)的陰極,經(jīng)過由彩色濾光片實現(xiàn)的著色而在觀察者側(cè)被視覺確認。

<第1實施方式的動作>

參照圖4,對電光學裝置10的動作進行說明。圖4是用于說明電光學裝置10中的各部的動作的時間圖。其中,為了便于說明,在該圖中,表示電壓振幅的縱刻度未必一致(在以下的圖13、圖20中也同樣)。

如該圖所示,掃描信號gwr(1)~gwr(m)依次被切換為l電平,在1幀的期間中按每1個水平掃描期間(h)依次掃描第1~第m行的掃描線12。

1個水平掃描期間(h)中的動作遍及各行的像素電路110是共同的。鑒于此,以下在水平掃描第i行的掃描期間,特別關注i行(3j-2)列的像素電路110來說明動作。

在本實施方式中,第i行的掃描期間大致區(qū)分為圖4中用(b)所示的初始化期間與用(d)所示的寫入期間。而且,(d)的寫入期間之后,間隔一段時間成為用(a)所示的發(fā)光期間,在經(jīng)過1幀的期間后,再次到達第i行的掃描期間。因此,如果以時間的順序來說,成為(發(fā)光期間)→初始化期間→寫入期間→(發(fā)光期間)這一周期的反復。

其中,在圖4中,與第i行的前1行的第(i-1)行對應的掃描信號gwr(i-1)、和控制信號gel(i-1)的各個成為分別時間上比與第i行對應的掃描信號gwr(i)、控制信號gel(i)領先1個水平掃描期間(h)的波形。

<發(fā)光期間>

為了便于說明,從成為初始化期間的前提的發(fā)光期間開始進行說明。如圖4所示,在第i行的發(fā)光期間,掃描信號gwr(i)是h電平,控制信號gel(i)是l電平。

因此,如圖5所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124導通,而晶體管122截止。因此,晶體管121向oled130供給與由保持電容132保持的電壓、即柵極-源極間的電壓vgs對應的電流ids。如后所述,由于發(fā)光期間的柵極節(jié)點g的電位是根據(jù)保持電容44、50的電容比來對與灰度等級對應的電位的數(shù)據(jù)信號進行電平移位后的值,所以電壓vgs成為與灰度對應的電壓。因此,由于晶體管121供給與灰度等級對應的電流,所以oled130以與該電流對應的亮度發(fā)光。

其中,由于第i行的發(fā)光期間是第i行以外被水平掃描的期間,所以數(shù)據(jù)線14的電位適當?shù)刈儎?。但是,在第i行的像素電路110中,因為晶體管122截止,所以此處不考慮數(shù)據(jù)線14的電位變動。

另外,在圖5中,利用粗線表示了動作說明中重要的路徑(以下的圖6~圖9、圖14~圖17、圖21~圖24中也相同)。

<初始化期間>

接下來,若到達第i行的掃描期間,首先開始(b)的初始化期間。在初始化期間,與發(fā)光期間相比,控制信號gel(i)成為h電平。

因此,如圖6所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124截止。由此,由于對oled130供給的電流的路徑被切斷,所以oled130成為截止(非發(fā)光)狀態(tài)。

另一方面,由于在初始化期間控制信號/gini成為l電平,所以如圖6所示,在電平移位電路40中,晶體管45、46分別導通。因此,作為保持電容44的一端的數(shù)據(jù)線14被初始化為電位vini,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h被初始化為電位vref。

在初始化期間,繼續(xù)在控制信號/gini為l電平的狀態(tài)下,掃描信號gwr(i)成為l電平(第1期間)。因此,如圖7所示,由于在i行(3j-2)列的像素電路110中晶體管122導通,所以柵極節(jié)點g成為與數(shù)據(jù)線14電連接的狀態(tài)。因此,由于柵極節(jié)點g也成為電位vini,所以保持電容132的保持電壓從在發(fā)光期間保持的電壓被初始化為(vel-vini)。

<寫入期間>

在初始化期間之后,作為第2期間到達(d)的寫入期間。在寫入期間中,由于在掃描信號gwr(i)為l電平的狀態(tài)下,掃描信號/gini成為h電平,所以在電平移位電路40中,晶體管45、46分別截止。

因此,如圖8所示,雖然從第(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14到i行(3j-2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g為止的路徑成為浮置狀態(tài),但由于保持電容50的另一端被接地為電位vss,保持電容132的另一端與供電線116連接,所以直到因傳輸門34的導通而供給數(shù)據(jù)信號為止,都被維持為電位vini。

控制電路5在第i行的寫入期間輸出如下那樣的數(shù)據(jù)信號。即,如果以第j組來說,則控制電路5按順序?qū)?shù)據(jù)信號vd(j)切換為與第i行的屬于該組的左端列的(3j-2)列、中央列的(3j-1)列、右端列的(3j)列的像素的灰度等級對應的電位。控制電路5對向其他組輸出的數(shù)據(jù)信號也同樣按順序切換電位。

另一方面,控制電路5配合數(shù)據(jù)信號的電位的切換,按順序排他地使控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)成為h電平。需要說明的是,雖然在圖4中省略,但控制電路5還輸出與控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)處于邏輯反轉(zhuǎn)的關系的控制信號/sel(1)、/sel(2)、/sel(3)。由此,通過多路分配器30,在各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)ā?/p>

此處,當屬于第j組的左端列的傳輸門34基于控制信號sel(1)、/sel(1)導通時,如圖9所示,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h從初始化后的電位vref變化為數(shù)據(jù)信號vd(j)的電位、即與i行(3j-2)列的像素的灰度等級對應的電位。將此時的節(jié)點h的電位變化量表示為δv,將變化后的電位表示為(vref+δv)。

另一方面,由于柵極節(jié)點g處于經(jīng)由數(shù)據(jù)線14與保持電容44的一端電連接的狀態(tài),所以成為從電位vini向節(jié)點h的變化方向移位了對節(jié)點h的電位變化量δv乘以電容比k1而得到的值的值。

其中,電容比k1是crf1/(cdt+crf1)。嚴格來說,還必須考慮保持電容132的電容cpix,但由于設定為電容cpix與電容crf1、cdt相比較十分小,所以將其忽略。

圖10是表示寫入期間中的數(shù)據(jù)信號的電位與柵極節(jié)點g的電位的關系的圖。如上所述,從控制電路5供給的數(shù)據(jù)信號根據(jù)像素的灰度等級可取最小值vmin至最大值vmax的電位范圍。在本實施方式中,該數(shù)據(jù)信號并未被直接寫入到柵極節(jié)點g,而如圖所示那樣進行電平移位,再寫入到柵極節(jié)點g。

此時,柵極節(jié)點g的電位范圍δvgate被壓縮為數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata(=vmax-vmin)乘以電容比k1而得到的值。例如,當以crf1:cdt=1:9的方式設定了保持電容44、50的電容時,能夠?qū)艠O節(jié)點g的電位范圍δvgate壓縮為數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata的1/10。

另外,關于使柵極節(jié)點g的電位范圍δvgate相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata向哪個方向移位多少,能夠由電位vini、vref決定。這是因為,數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata以電位vref為基準被按電容比k1壓縮,并且以電位vini為基準移位該壓縮范圍后的范圍成為柵極節(jié)點g的電位范圍δvgate。

這樣,在第i行的寫入期間,向第i行的像素電路110的柵極節(jié)點g寫入根據(jù)保持電容44、50的電容比對與灰度等級對應的電位的數(shù)據(jù)信號進行電平移位后的電位。

不久,掃描信號gwr(i)成為h電平,晶體管122截止。由此,寫入期間結束,柵極節(jié)點g的電位確定為移位后的值。

<發(fā)光期間>

在第i行的寫入期間結束之后,間隔一段時間到達作為第3期間的發(fā)光期間。在該發(fā)光期間中,由于如上所述,控制信號gel(i)成為l電平,所以在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124導通。因此,如前面的圖5所示,由于與柵極-源極間的電壓vgs對應的電流ids通過晶體管121被供給oled130,所以該oled130以與該電流對應的亮度發(fā)光。

在第i行的掃描期間,也在所關注的第(3j-2)列的像素電路110以外的第i行的像素電路110中時間上并行地執(zhí)行這樣的動作。并且,實際上這樣的第i行的動作在1幀的期間中按第1、第2、第3、…、第(m-1)、第m行的順序執(zhí)行,并且按每幀重復。

此外,在圖4中分別表示了i行(3j-2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g因控制信號sel(1)成為h電平而從電位vini進行電平移位的點、以及與i行(3j-2)列同列的前1行的(i-1)行(3j-2)列的柵極節(jié)點從電位vini進行電平移位的點。

根據(jù)本實施方式,由于柵極節(jié)點g中的電位范圍δvgate相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata縮小,所以即使不以較高的精度刻畫數(shù)據(jù)信號,也能夠向晶體管121的柵極-源極間施加反映了灰度等級的電壓。因此,即使在微小的像素電路110中流過oled130的微小電流相對于晶體管121的柵極-源極間的電壓vgs的變化相對大幅變化的情況下,也能夠精確地控制對oled130供給的電流。

另外,如圖3中用虛線所示那樣,實際上在數(shù)據(jù)線14與像素電路110中的柵極節(jié)點g之間寄生了電容cprs。因此,若數(shù)據(jù)線14的電位變動幅度較大,則會經(jīng)由該電容cprs向柵極節(jié)點g傳播,產(chǎn)生所謂的串擾、不均等而使顯示品位降低。該電容cprs的影響在對像素電路110進行微細化時顯著出現(xiàn)。

與此相對,在本實施方式中,由于數(shù)據(jù)線14的電位變化范圍相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata也被縮小,所以能夠抑制電容cprs帶來的影響。

<第2實施方式>

在第1實施方式中,若晶體管121的閾值電壓按每個像素電路110有偏差,則產(chǎn)生損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均。鑒于此,接下來對補償了晶體管121中的閾值電壓的偏差的第2實施方式進行說明。其中,以下為了避免說明的重復,以與第1實施方式不同的部分為中心進行說明。

圖11是表示第2實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的圖。

該圖所示的第2實施方式與第1實施方式(參照圖2)的不同點在于,第1:設置了供電線16,第2:電平移位電路40的一部分不同,以及第3:像素電路110的構成以及動作不同。

首先,關于第1不同點,在顯示部100的各列中沿數(shù)據(jù)線14分別設置有供電線16。對各供電線16共同供給電位vorst。另外,各列的保持電容50的另一端分別與對應的列的供電線16連接。

關于第2不同點,將第1實施方式中的晶體管46(參照圖2)替換為圖11中的晶體管43。從控制電路5遍及各列向該晶體管43的柵極共同供給控制信號gref。

參照圖12,對第3不同點進行說明。圖12是表示第2實施方式所涉及的電光學裝置10的像素電路110的構成的圖。該圖所示的像素電路110與圖4所示的電路構成的不同點為追加了p溝道m(xù)os型的晶體管123、125。

其中,對晶體管123的柵極節(jié)點供給與第i行對應的控制信號gcmp(i),其源極節(jié)點與晶體管121的漏極節(jié)點連接。另外,晶體管123的漏極節(jié)點與晶體管121的柵極節(jié)點g連接。

另一方面,對晶體管125的柵極節(jié)點供給與第i行對應的控制信號gorst(i),其源極節(jié)點與oled130的陽極連接。另外,晶體管125的漏極節(jié)點與對應的列的供電線16連接。

此外,關于晶體管123、125的基板電位,也與晶體管121、122、14相同地設為電位vel。

<第2實施方式的動作>

參照圖13,對第2實施方式所涉及的電光學裝置10的動作進行說明。圖13是用于說明第2實施方式中的動作的時間圖。

如該圖所示,下述方面與第1實施方式相同:掃描信號gwr(1)~gwr(m)依次被切換為l電平,在1幀的期間中按每1個水平掃描期間(h)依次掃描第1~第m行的掃描線12。但是,在第2實施方式中,第i行的掃描期間與第1實施方式相比,在用(b)所示的初始化期間與用(d)所示的寫入期間之間插入了用(c)所示的補償期間。因此,在第2實施方式中,如果以時間的順序來說,成為(發(fā)光期間)→初始化期間→補償期間→寫入期間→(發(fā)光期間)這一周期的反復。

<發(fā)光期間>

在第2實施方式中,如圖13所示,在第i行的發(fā)光期間中,掃描信號gwr(i)是h電平。另外,作為邏輯信號的控制信號gel(i)、gcmp(i)、gorst(i)中的控制信號gel(i)是l電平,控制信號gcmp(i)、gorst(i)是h電平。

因此,如圖14所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124導通,而晶體管122、123、125截止。因此,晶體管121向oled130供給與柵極-源極間的電壓vgs對應的電流ids。

如后所述,在第2實施方式中,發(fā)光期間的電壓vgs是根據(jù)數(shù)據(jù)信號的電位從晶體管121的閾值電壓進行電平移位后的值。因此,在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下向oled130供給與灰度等級對應的電流。

<初始化期間>

到達第i行的掃描期間,首先開始(a)的初始化期間。在初始化期間,與發(fā)光期間相比,控制信號gel(i)變化為h電平,控制信號gorst(i)變化為l電平。

因此,如圖15所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124截止,而晶體管125導通。由此,對oled130供給的電流的路徑被切斷,并且oled130的陽極被復位為電位vorst。

如上所述,由于oled130是利用陽極與陰極來夾持有機el層的構成,所以如圖中用虛線所示,實際上在陽極-陰極之間并聯(lián)寄生了電容coled。當在發(fā)光期間電流流過oled130時,該oled130的陽極-陰極間的兩端電壓由該電容coled保持,但該保持電壓因晶體管125的導通而被復位。因此,在第2實施方式中,當在之后的發(fā)光期間中電流再次流過oled130時,難以受到由該電容coled保持的電壓的影響。

詳細而言,例如當從高亮度的顯示狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈土炼鹊娘@示狀態(tài)時,若是未復位的構成,則由于保持亮度較高(大電流流過)時的高電壓,所以接下來即使想要流出小電流,也會流動過度的電流,不能夠成為低亮度的顯示狀態(tài)。與此相對,在第2實施方式中,由于因晶體管125的導通而使oled130的陽極的電位被復位,所以可提高低亮度側(cè)的再現(xiàn)性。

其中,在第2實施方式中,電位vorst被設定為該電位vorst與共用電極118的電位vct之差低于oled130的發(fā)光閾值電壓。因此,在初始化期間(接下來進行說明的補償期間以及寫入期間),oled130是截止(非發(fā)光)狀態(tài)。

另一方面,在初始化期間,由于控制信號/gini成為l電平,控制信號gref成為h電平,所以如圖15所示,在電平移位電路40中,晶體管45、43分別導通。因此,作為保持電容44的一端的數(shù)據(jù)線14被初始化為電位vini,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h被初始化為電位vref。

在第2實施方式中,電位vini被設定為(vel-vini)比晶體管121的閾值電壓|vth|大。其中,由于晶體管121是p溝道型,所以以源極節(jié)點的電位為基準的閾值電壓vth為負。鑒于此,為了防止在高低關系的說明中產(chǎn)生混亂,用絕對值的|vth|來表示閾值電壓,以大小關系規(guī)定閾值電壓。

另外,在第2實施方式中,電位vref被設定為相對于數(shù)據(jù)信號vd(1)~vd(n)能取得的電位,比在之后的寫入期間節(jié)點h的電位上升變化那樣的值、例如最低值vmin低。

<補償期間>

在第i行的掃描期間,接下來成為(c)的補償期間。在補償期間中,與初始化期間相比,掃描信號gwr(i)以及控制信號gcmp(i)成為l電平。另一方面,在補償期間,以控制信號gref被維持為h電平的狀態(tài),控制信號/gini成為h電平。

因此,如圖16所示,在電平移位電路40中,通過在晶體管43導通的狀態(tài)下晶體管45截止,使得節(jié)點h被固定為電位vref。另一方面,由于在i行(3j-2)列的像素電路110中通過晶體管122導通而使柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14電連接,所以在補償期間的開始之初柵極節(jié)點g成為電位vini。

由于在補償期間,晶體管123導通,所以晶體管121成為二極管連接。因此,在晶體管121中流過漏極電流,對柵極節(jié)點g以及數(shù)據(jù)線14進行充電。詳細而言,電流以供電線116→晶體管121→晶體管123→晶體管第122→(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14這一路徑流動。因此,因晶體管121的導通而處于相互連接狀態(tài)的數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g從電位vini開始上升。

但是,由于在上述路徑中流動的電流隨著柵極節(jié)點g接近于電位(vel-|vth|)而變得難以流動,所以在到補償期間的結束之前,數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g以電位(vel-|vth|)飽和。因此,在到補償期間的結束之前,保持電容132保持晶體管121的閾值電壓|vth|。

<寫入期間>

若補償期間結束,則由于控制信號gcmp(i)成為h電平,所以晶體管121的二極管連接被解除,另一方面,由于控制信號gref成為l電平,所以晶體管43截止。因此,雖然從第(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14到i行(3j-2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g為止的路徑成為浮置狀態(tài),但該路徑中的電位被保持電容50、132維持為(vel-|vth|)。

在第i行的寫入期間中,如果以第j組來說,則控制電路5按順序?qū)?shù)據(jù)信號vd(j)切換為與i行(3j-2)列、i行(3j-1)列、i行(3j)列的像素的灰度等級對應的電位。另一方面,控制電路5配合數(shù)據(jù)信號的電位的切換,依次排他地使控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)成為h電平。雖然在圖13中省略,但控制電路5還輸出與控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)處于邏輯反轉(zhuǎn)的關系的控制信號/sel(1)、/sel(2)、/sel(3)。由此,通過多路分配器30,在各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)ā?/p>

此處,當左端列的傳輸門34基于控制信號sel(1)、/sel(1)而導通時,如圖17所示,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h從補償期間的電位vref變化為數(shù)據(jù)信號vd(j)的電位、即與i行(3j-2)列的像素的灰度等級對應的電位(vref+δv)。

另一方面,由于柵極節(jié)點g經(jīng)由數(shù)據(jù)線14與保持電容44的一端連接,所以成為從補償期間的電位(vel-|vth|)向上升的方向移位了對節(jié)點h的電位變化量δv乘以電容比k1而得到的值的值。

因此,柵極節(jié)點g的電位成為從補償期間的電位(vel-|vth|)向上升方向移位了對節(jié)點h的電位變化量δv乘以電容比k1而得到的值的值(vel-|vth|+k1·δv)。此時,若用絕對值表現(xiàn)晶體管121的電壓vgs,則成為從閾值電壓|vth|減去柵極節(jié)點g的電位上升的移位量而得到的值(|vth|-k1·δv)。

<發(fā)光期間>

在第2實施方式中,在第i行的寫入期間結束之后,間隔1個水平掃描期間的時間到達發(fā)光期間。在該發(fā)光期間,如上所述,由于控制信號gel(i)成為l電平,所以在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124導通。由于柵極-源極間的電壓vgs是(|vth|-k1·δv),所以如前面的圖14所示,在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下對oled130供給與灰度等級對應的電流。

在第i行的掃描期間,也在第(3j-2)列的像素電路110以外的第i行的其他像素電路110中時間上并行地執(zhí)行這樣的動作。并且,實際上在1幀的期間中以第1、第2、第3、…、第(m-1)、第m行的順序執(zhí)行這樣的第i行的動作,并且按每個幀重復。

根據(jù)第2實施方式,由于與第1實施方式相同,柵極節(jié)點g的電位范圍δvgate相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍δvdata被縮小,所以即使不以高精度刻畫數(shù)據(jù)信號,也能夠向晶體管121的柵極-源極間施加反映了灰度等級的電壓。因此,即使在微小的像素電路110中流過oled130的微小電流相對于晶體管121的柵極-源極間的電壓vgs相對大幅變化的情況下,也能夠精確地控制對oled130供給的電流。

而且,根據(jù)第2實施方式,由于能夠確保比掃描期間長的期間,例如第2實施方式中的2個水平掃描期間,作為使晶體管125導通的期間、即oled130的復位期間,所以能夠?qū)υ诎l(fā)光期間被oled130的寄生電容保持的電壓充分初始化。

另外,根據(jù)第2實施方式,通過晶體管121對oled130供給的電流ids可抵消閾值電壓的影響。因此,根據(jù)第2實施方式,由于即使晶體管121的閾值電壓按每個像素電路110有偏差,該偏差也會被補償,向oled130供給與灰度等級對應的電流,所以可抑制損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均的產(chǎn)生,結果能夠進行高品位的顯示。

參照圖18,對該抵消進行說明。如該圖所示,晶體管121為了對向oled130供給的微小電流進行控制而在弱反轉(zhuǎn)區(qū)域(亞閾值區(qū)域)動作。

圖中,a表示閾值電壓|vth|較大的晶體管,b表示閾值電壓|vth|較小的晶體管。其中,在圖18中,柵極-源極間的電壓vgs是實線所表示的特性與電位vel之差。另外,在圖18中,以從源極朝向漏極的方向為正(上)的對數(shù)表示了縱刻度的電流。

在補償期間,柵極節(jié)點g從電位vini變?yōu)殡娢?vel-|vth|)。因此,閾值電壓|vth|較大的晶體管a的動作點從s向aa移動,而閾值電壓|vth|較小的晶體管b的動作點從s向ba移動。

接下來,在向2個晶體管所屬的像素電路110輸入的數(shù)據(jù)信號的電位相同的情況下,即在指定了相同的灰度等級的情況下,在寫入期間來自動作點aa、ba的電位移位量都是相同的k1·δv。因此,晶體管a的動作點從aa向ab移動,晶體管b的動作點從ba向bb移動,對于電位移位后的動作點處的電流而言,晶體管a、b都幾乎以相同的ids一致。

<第3實施方式>

在第2實施方式中,構成為通過多路分配器30直接向各列的保持電容44的另一端、即節(jié)點h供給數(shù)據(jù)信號。因此,在各行的掃描期間,由于從控制電路5供給數(shù)據(jù)信號的期間等于寫入期間,所以時間上的制約較大。

鑒于此,接下來對能夠緩和這樣的時間上制約的第3實施方式進行說明。其中,以下為了避免說明的重復,以與第2實施方式不同的部分為中心進行說明。

圖19是表示第3實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的圖。

該圖所示的第3實施方式與圖11所示的第2實施方式的不同點主要在于:在電平移位電路40的各列設置了保持電容41以及傳輸門42。

詳細而言,在各列中,傳輸門42電夾設在傳輸門34的輸出端與保持電容44的另一端之間。即,傳輸門42的輸入端與傳輸門34的輸出端連接,傳輸門42的輸出端與保持電容44的另一端連接。

其中,在從控制電路5供給的控制信號gcpl是h電平時(控制信號/gcpl是l電平時),各列的傳輸門42一齊導通。

另外,在各列中,保持電容41的一端與傳輸門34的輸出端(傳輸門42的輸入端)連接,保持電容41的另一端共同接地為固定電位、例如電位vss。雖然在圖19中省略,但將保持電容41的電容設為crf2。

<第3實施方式的動作>

參照圖20,對第3實施方式所涉及的電光學裝置10的動作進行說明。圖20是用于說明第3實施方式中的動作的時間圖。

如該圖所示,掃描信號gwr(1)~gwr(m)依次被切換為l電平,在1幀的期間中,按每1個水平掃描期間(h)依次掃描第1~第m行的掃描線12這一點與第2實施方式相同。另外,在第3實施方式中,第i行的掃描期間成為(b)所示的初始化期間、(c)所示的補償期間、和(d)所示的寫入期間的順序這一點也與第2實施方式相同。此外,在第3實施方式中,(d)的寫入期間是從控制信號gcpl從l變?yōu)閔電平時(控制信號/gcpl成為l電平時)到掃描信號從l變?yōu)閔電平時為止的期間。

在第3實施方式中,也與第2實施方式相同,如果以時間的順序來說,成為(發(fā)光期間)→初始化期間→補償期間→寫入期間→(發(fā)光期間)這一周期的反復。但是,在第3實施方式中,與第2實施方式相比,并不是數(shù)據(jù)信號的供給期間等于寫入期間,而是數(shù)據(jù)信號的供給比寫入期間領先這一點不同。詳細而言,在第3實施方式中,能夠遍及(a)的初始化期間與(b)的補償期間來供給數(shù)據(jù)信號,這一點與第2實施方式不同。

<發(fā)光期間>

在第3實施方式中,如圖20所示,在第i行的發(fā)光期間中掃描信號gwr(i)是h電平,另外,控制信號gel(i)是l電平,控制信號gcmp(i)、gorst(i)是h電平。

因此,如圖21所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,由于晶體管124導通,而晶體管122、123、125截止,所以該像素電路110中的動作基本與第2實施方式相同。即,晶體管121向oled130供給與柵極-源極間的電壓vgs對應的電流ids。

<初始化期間>

到達第i行的掃描期間,首先開始(b)的初始化期間。

在第3實施方式中,在初始化期間,與發(fā)光期間相比,控制信號gel(i)變化為h電平,控制信號gorst(i)變化為l電平。

因此,如圖22所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124截止,晶體管125導通。由此,由于向oled130供給的電流的路徑被切斷,并且因晶體管124的導通而使oled130的陽極被復位為電位vorst,所以該像素電路110中的動作基本與第2實施方式相同。

另一方面,在第3實施方式中,在初始化期間,控制信號/gini成為l電平,控制信號gref成為h電平,并且控制信號gcpl成為l電平。因此,如圖22所示,在電平移位電路40中,晶體管45、43分別導通,并且傳輸門42截止。因此,作為保持電容44的一端的數(shù)據(jù)線14被初始化為電位vini,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h被初始化為電位vref。

在第3實施方式中,與第2實施方式相同,電位vref被設定為相對于數(shù)據(jù)信號vd(1)~vd(n)能取得的電位,在之后的寫入期間節(jié)點h的電位上升變化那樣的值。

如上所述,在第3實施方式中,控制電路5遍及初始化期間以及補償期間來供給數(shù)據(jù)信號。即,如果以第j組來說,控制電路5按順序?qū)?shù)據(jù)信號vd(j)切換為與i行(3j-2)列、i行(3j-1)列、i行(3j)列的像素的灰度等級對應的電位,另一方面,配合數(shù)據(jù)信號的電位的切換而依次排他地使控制信號sel(1)、sel(2)、sel(3)成為h電平。由此,通過多路分配器30,在各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)ā?/p>

此處,在初始化期間,當屬于第j組的左端列的傳輸門34基于控制信號sel(1)而導通時,如圖22所示,由于數(shù)據(jù)信號vd(j)被供給保持電容41的一端,所以該數(shù)據(jù)信號被保持電容41保持。

<補償期間>

在第i行的掃描期間,接下來成為(c)的補償期間。在第3實施方式中,在補償期間,與初始化期間相比,掃描信號gwr(i)變化為l電平,控制信號gcmp(i)變化為l電平。

因此,如圖23所示,在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管122導通,柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14電連接,另一方面,因晶體管123的導通,晶體管121成為二極管連接。

因此,由于電流以供電線116→晶體管121→晶體管123→晶體管122→第(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14這一路徑流動,所以柵極節(jié)點g從電位vini開始上升,不久以(vel-|vth|)飽和。因此,在第3實施方式中,在補償期間的結束之前,保持電容132也對晶體管121的閾值電壓|vth|進行保持。

在第3實施方式中,由于在補償期間,以控制信號gref維持h電平的狀態(tài)控制信號/gini成為h電平,所以在電平移位電路40中,節(jié)點h被固定為電位vref。

另外,當在補償期間,屬于第j組的左端列的傳輸門34基于控制信號sel(1)而導通時,如圖23所示,數(shù)據(jù)信號vd(j)被保持電容41保持。

此外,當在初始化期間,屬于第j組的左端列的傳輸門34已經(jīng)基于控制信號sel(1)而導通時,在補償期間,該傳輸門34不導通,但保持電容41保持數(shù)據(jù)信號vd(j)這一點沒有改變。

另外,若補償期間結束,則由于控制信號gcmp(i)成為h電平,所以晶體管121的二極管連接被解除。

在第3實施方式中,由于在補償期間結束之后到下一個寫入期間開始為止的期間,控制信號gref成為l電平,所以晶體管43截止。因此,雖然從第(3j-2)列的數(shù)據(jù)線14到i行(3j-2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g為止的路徑成為浮置狀態(tài),但該路徑的電位被保持電容50、132維持為(vel-|vth|)。

<寫入期間>

在第3實施方式中,在寫入期間,控制信號gcpl成為h電平(控制信號/gcpl成為l電平)。因此,如圖24所示,由于在電平移位電路40中,傳輸門42導通,所以保持電容41所保持的數(shù)據(jù)信號被供給作為保持電容44的另一端的節(jié)點h。因此,節(jié)點h從補償期間的電位vref變化為電位(vref+δv)。

另一方面,由于柵極節(jié)點g經(jīng)由數(shù)據(jù)線14與保持電容44的一端連接,所以成為從補償期間的電位(vel-|vth|)向上升的方向移位了對節(jié)點h的電位變化量δv乘以電容比k2而得到的值的值。即,柵極節(jié)點g的電位成為從補償期間的電位(vel-|vth|)向上升方向移位了對節(jié)點h的電位變化量δv乘以電容比k2而得到的值的值(vel-|vth|+k2·δv)。

其中,電容比k2是cdt、crf1、crf2的電容比。如上所述,忽略了保持電容132的電容cpix。

另外,在第3實施方式中,電位vref被設定為相對于例如數(shù)據(jù)信號vd(1)~vd(n)能取得的電位,比在之后的寫入期間節(jié)點h的電位上升變化那樣的值、例如最低值vmin低。

另外,此時若將晶體管121的電壓vgs用絕對值表現(xiàn),則成為從閾值電壓|vth|減去了柵極節(jié)點g的電位上升的移位量而得到的值(|vth|-k2·δv)。

<發(fā)光期間>

在第3實施方式中,在第i行的寫入期間結束之后,間隔1個水平掃描期間的時間到達發(fā)光期間。在該發(fā)光期間,由于如上所述,控制信號gel(i)成為l電平,所以在i行(3j-2)列的像素電路110中,晶體管124導通。

柵極-源極間的電壓vgs是(|vth|-k2·δv),是根據(jù)數(shù)據(jù)信號的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此,如前面的圖21所示,在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下,向oled130供給與灰度等級對應的電流。

在第i行的掃描期間,也在第(3j-2)列的像素電路110以外的第i行的其他像素電路110中時間上并行地執(zhí)行這樣的動作。并且,實際上在1幀的期間按第1、第2、第3、…、第(m-1)、第m行的順序執(zhí)行這樣的第i行的動作,并且按每個幀重復。

根據(jù)第3實施方式,與第1實施方式、第2實施方式相同,即使在微小的像素電路110中流過oled130的微小電流相對于晶體管121的柵極-源極間的電壓vgs相對大幅變化的情況下,也能夠精確地控制對oled130供給的電流。

根據(jù)第3實施方式,除了與第2實施方式相同,能夠在發(fā)光期間對由oled130的寄生電容保持的電壓充分進行初始化之外,即使晶體管121的閾值電壓按每個像素電路110有偏差,也能抑制損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均的產(chǎn)生,結果能夠進行高品位的顯示。

根據(jù)第3實施方式,使保持電容41對從控制電路5經(jīng)由多路分配器30供給的數(shù)據(jù)信號進行保持的動作從初始化期間執(zhí)行到補償期間。因此,對在1個水平掃描期間應該執(zhí)行的動作,能夠緩和時間上的制約。

例如,由于在補償期間,隨著柵極-源極間電壓vgs接近閾值電壓,流經(jīng)晶體管121的電流降低,所以將柵極節(jié)點g收斂為電位(vel-|vth|)為止需要時間,但在第3實施方式中,與第2實施方式相比,如圖20所示,能夠較長地確保補償期間。因此,根據(jù)第3實施方式,與第2實施方式相比,能夠精確地補償晶體管121的閾值電壓的偏差。

另外,也能夠使數(shù)據(jù)信號的供給動作低速化。

<應用/變形例>

本發(fā)明并不限定為上述的實施方式、應用例等實施方式等,例如能夠進行如下所述的各種變形。另外,對于如下所述的變形的方式,也能夠適當?shù)亟M合任意選擇的一個或者多個。

<控制電路>

在實施方式中,供給數(shù)據(jù)信號的控制電路5與電光學裝置10分開設置,但控制電路5也可以與掃描線驅(qū)動電路20、多路分配器30、電平移位電路40一起集成于硅基板。

<基板>

在實施方式中,成為在硅基板上集成電光學裝置10的構成,但也可以成為在其他的半導體基板上集成的構成。另外,也可以應用多晶硅工藝來在玻璃基板等上形成。總之,對像素電路110微細化,在晶體管121中漏極電流相對于柵極電壓vgs的變化以指數(shù)函數(shù)的方式大幅變化構成是有效的。

<多路分配器>

在實施方式等中,采用了使數(shù)據(jù)線14按每3列為一組,并在各組中按順序選擇數(shù)據(jù)線14來供給數(shù)據(jù)信號的構成,但構成組的數(shù)據(jù)線數(shù)目也可以是“2”,還可以是“4”以上。

另外,也可以是不分組、即不使用多路分配器30而按線順序一齊向各列的數(shù)據(jù)線14供給數(shù)據(jù)信號的構成。此處,在第1實施方式中,當成為不使用多路分配器30而按線順序一齊向各列的數(shù)據(jù)線14供給數(shù)據(jù)信號的構成時,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h與數(shù)據(jù)信號輸出電路(控制電路5)中的輸出端連接。當數(shù)據(jù)信號輸出電路的輸出電阻較低時,由于在不輸出數(shù)據(jù)信號的期間,節(jié)點h變?yōu)榻拥仉娖?,所以能夠?qū)⒋擞脼槌跏茧娢弧?/p>

<晶體管的溝道型>

在上述的實施方式等中,將像素電路110中的晶體管121~125統(tǒng)一為p溝道型,但也可以統(tǒng)一為n溝道型。另外,也可以將p溝道型以及n溝道型適當?shù)亟M合。

<其他>

在實施方式等中,作為電光學元件,例示了作為發(fā)光元件的oled,但例如只要是無機發(fā)光二極管、led(lightemittingdiode:發(fā)光二極管)等以與電流對應的亮度發(fā)光的元件即可。

<電子設備>

接下來,對應用了實施方式等或應用例所涉及的電光學裝置10的電子設備進行說明。電光學裝置10適合像素為小尺寸、高精細的顯示的用途。鑒于此,作為電子設備,以頭戴式顯示器為例進行說明。

圖25是表示頭戴式顯示器的外觀的圖,圖26是表示其光學構成的圖。

首先,如圖25所示,頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同,具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301l、301r。另外,如圖26所示,頭戴式顯示器300在鼻架320附近的透鏡301l、301r的里側(cè)(圖中下側(cè))設置有左眼用的電光學裝置10l與右眼用的電光學裝置10r。

在圖26中以成為左側(cè)的方式配置了電光學裝置10l的圖像顯示面。由此,電光學裝置10l的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302l在圖中向9點鐘的方向射出。半透半反鏡303l使電光學裝置10l的顯示圖像向6點鐘方向反射,另一方面,使從12點鐘方向入射的光透過。

以成為與電光學裝置10l相反的右側(cè)的方式配置了電光學裝置10r的圖像顯示面。由此,電光學裝置10r的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302r在圖中向3點鐘的方向射出。半透半反鏡303r使電光學裝置10r的顯示圖像向6點鐘方向反射,另一方面,使從12點鐘方向入射的光透過。

在該構成中,頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透過(see-through)狀態(tài)觀察電光學裝置10l、10r的顯示圖像。

另外,在該頭戴式顯示器300中,若使電光學裝置10l顯示伴有視差的兩眼圖像中的左眼用圖像,使電光學裝置10r顯示右眼用圖像,則能夠使佩戴者感覺所顯示的圖像宛如具有縱深感和立體感(3d顯示)。

此外,除了頭戴式顯示器300之外,電光學裝置10也能夠應用于攝像機、透鏡更換式的數(shù)碼相機等中的電子式取景器。

符號說明:10…電光學裝置,12…掃描線,14…數(shù)據(jù)線,20…掃描線驅(qū)動電路,30…多路分配器,40…電平移位電路,41、44、50…保持電容,100…顯示部,110…像素電路,116…供電線,118…共用電極,121~125…晶體管,130…oled,132…保持電容,300…頭戴式顯示器。

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