本發(fā)明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種3T像素最佳公共電壓調整方法。

背景技術：

液晶顯示面板通常由彩色濾光片基板、薄膜晶體管陣列基板以及配置于兩基板間的液晶層所構成，并分別在兩基板的相對內側設置像素電極、公共電極，通過施加電壓控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。液晶顯示器包括扭曲向列(TN)模式、電子控制雙折射(ECB)模式、垂直配向(VA)等多種顯示模式，其中，VA模式是一種具有高對比度、寬視角、無須摩擦配向等優(yōu)勢的常見顯示模式。但由于VA模式采用垂直轉動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導致大視角下的色偏(color shift)問題比較嚴重。

隨著液晶顯示技術的發(fā)展，顯示屏幕的尺寸越來越大，傳統(tǒng)采用4domain(4疇)的PSVA(聚合物穩(wěn)定垂直配向)像素會凸顯視角色偏的不良表現(xiàn)。為了提升面板視角表現(xiàn)，3T_8domain(8疇3晶體管)的PSVA像素逐漸應用于大尺寸電視面板的設計，使同一個子像素(sub pixel)內主(main)區(qū)的4個疇與次(sub)區(qū)的4個疇的液晶分子的轉動角度不一樣，從而改善色偏。如圖1所示，其為現(xiàn)有的3T像素結構的電路示意圖。液晶顯示面板內多個子像素呈陣列式排布，每個子像素可分為主(main)區(qū)和次(sub)區(qū)，包括主區(qū)薄膜晶體管TFT_m，主區(qū)液晶電容Clc_m，主區(qū)存儲電容Cst_m，次區(qū)薄膜晶體管TFT_s，次區(qū)液晶電容Clc_s，次區(qū)存儲電容Cst_s，以及共享薄膜晶體管TFT_share，對應每一行子像素分別設置一條掃描線Gate，對應每一列子像素分別設置一條數(shù)據(jù)線Data；主區(qū)薄膜晶體管TFT_m的柵極連接掃描線Gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線Data，在其漏極/源極與公共電極A_com(或C_com)之間并聯(lián)連接主區(qū)液晶電容Clc_m和主區(qū)存儲電容Cst_m；次區(qū)薄膜晶體管TFT_s的柵極連接掃描線Gate，其源極/漏極連接數(shù)據(jù)線Data，在其漏極/源極與公共電極A_com(或C_com)之間并聯(lián)連接次區(qū)液晶電容Clc_s和次區(qū)存儲電容Cst_s；共享薄膜晶體管TFT_share的柵極連接掃描線Gate，其源極和漏極分別連接該次區(qū)薄膜晶體管TFT_s的漏極/源極和公共電極A_com。本領域技術人員可以理解，雖然公共電極A_com和C_com名稱不同，但是在實際液晶面板中兩者通常電位相同，可以僅以公共電極A_com來表示；對于薄膜晶體管，由于其源極和漏極的特性一樣，因此在電路中不對其源極和漏極進行特別限定；在液晶顯示面板的立體結構中，液晶電容和存儲電容的兩極通常分別對應像素電極(或與像素電極電位相同的存儲電極)和公共電極。

并且隨著面板刷新頻率不斷提高，主區(qū)和次區(qū)最佳公共電壓(best Vcom)調試是一個不可避免的問題，以改善閃爍(Flicker)現(xiàn)象。最佳公共電壓是像素所需的公共電極(com)電壓，當主區(qū)或次區(qū)最佳公共電壓不一樣時，會存在串擾(cross_talk)及圖像殘留(IS)等問題(issue)。并且像素的公共電極A_com因為是與子像素直接相連的，所以公共電極A_com的電位直接影響子像素的公共電壓(Vcom)表現(xiàn)。

影像殘留產生的主要原因是由于液晶顯示器驅動電路中的薄膜晶體管(如圖1中的TFT_s)存在寄生電容(Cgs)。在液晶顯示器的顯示過程中，當掃描線輸送的電壓發(fā)生變化時，在寄生電容Cgs上將產生饋通(Feed Through)電壓Vft，這使得數(shù)據(jù)線進行極性反轉時不能以公共電壓(Vcom)為中值進行對稱，進而產生直流殘留效應。在直流殘留效應的影響下，若長時間保持液晶上下極板電壓大小不變，液晶分子中殘留的可移動離子在同一方向電場中容易聚集在分子的同一側，形成內電場，當液晶顯示器的畫面由高灰階切換到低灰階時，該內電場與液晶上下極板的電場相互抵消，使得液晶無法達到預期的偏轉角度，最終產生圖像殘留現(xiàn)象。

在實際應用過程中，液晶顯示器的顯示畫面的閃爍(Flicker)值可以作為衡量當前直流殘留效應是否嚴重的標準。其原因是交流驅動的正負極電壓與公共電極電壓的壓差不相等也即產生直流殘留效應時，若數(shù)據(jù)線進行極性反轉，則使得畫面亮度發(fā)生變化進而使得畫面閃爍，其中，畫面閃爍程度的大小取決于閃爍值的大小，因此，可以得出閃爍值越大直流殘留效應越嚴重的結論。為了減少直流殘留效應進而降低圖像殘留現(xiàn)象，通常會通過調整公共電壓的同時監(jiān)測特定灰階電壓下的液晶顯示器的閃爍值，當閃爍值最小時，此時的公共電壓被認定為最佳公共電壓，此時的直流殘留效應最小。

現(xiàn)有饋通電壓計算公式(1)如下：

其中，Vft為饋通電壓，Cgs為寄生電容，Cst為存儲電容，Clc為液晶電容，Vpp為掃描電壓，即掃描線開啟與關閉薄膜晶體管時的電壓差值。

參見圖2，其為饋通電壓Vft影響公共電壓Vcom的原理圖。圖2中，Vcom為公共電壓，Vp為數(shù)據(jù)線施加至像素電極的電壓。由于饋通電壓Vft的影響，Vp偏離成為V+或V－。從圖2中還可以看出Vft(紅色子像素R)>Vft(綠色子像素)，這是由于不同顏色子像素的寄生電容Cgs不同造成的。

圖3為不同公共電極A_com電位下次區(qū)最佳公共電壓的示意圖，橫軸表示公共電極A_com電位，縱軸表示最佳公共電壓。展示了公共電極A_com電位大小影響次區(qū)最佳公共電壓的模擬結果趨勢，以及次區(qū)最佳公共電壓值是隨著公共電極A_com電位的值呈現(xiàn)正相關性。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種3T像素最佳公共電壓調整方法，以便于調整主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓平衡。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種3T像素最佳公共電壓調整方法，包括：

步驟10、調整主區(qū)，使其饋通電壓盡可能小，使主區(qū)公共電壓處于高位；

步驟20、調整次區(qū)，使其饋通電壓盡可能小，使次區(qū)公共電壓處于高位；

步驟30、調整公共電極電位，使次區(qū)最佳公共電壓提升；

步驟40、逐漸增大主區(qū)饋通電壓，使主區(qū)公共電壓下降，最終使主區(qū)和次區(qū)的公共電壓一致。

其中，步驟10中通過調整主區(qū)寄生電容調整主區(qū)饋通電壓。

其中，步驟10中通過調整主區(qū)存儲電容調整主區(qū)饋通電壓。

其中，步驟10中通過調整掃描信號延遲調整主區(qū)饋通電壓。

其中，步驟20中通過調整次區(qū)寄生電容調整主區(qū)饋通電壓。

其中，步驟20中通過調整次區(qū)存儲電容調整主區(qū)饋通電壓。

其中，根據(jù)如下公式調整饋通電壓：

其中，Vft為饋通電壓，Cgs為寄生電容，Cst為存儲電容，Clc為液晶電容，Vpp為掃描電壓。

其中，所述像素為PSVA像素。

綜上，本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法很容易調整主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓平衡，使得整個面板的公共電壓一致，改善串擾現(xiàn)象。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的3T像素結構的電路示意圖；

圖2為饋通電壓Vft影響公共電壓Vcom的原理圖；

圖3為不同公共電極A_com電位下次區(qū)最佳公共電壓的示意圖；

圖4為本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法的原理示意圖；

圖5為本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法的流程圖。

具體實施方式

參見圖5，其為本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法的流程圖。該方法主要包括：

步驟10、調整主區(qū)，使其饋通電壓盡可能小，使主區(qū)公共電壓處于高位；

步驟20、調整次區(qū)，使其饋通電壓盡可能小，使次區(qū)公共電壓處于高位；

步驟30、調整公共電極電位，使次區(qū)最佳公共電壓提升；

步驟40、逐漸增大主區(qū)饋通電壓，使主區(qū)公共電壓下降，最終使主區(qū)和次區(qū)的公共電壓一致。

本發(fā)明可以根據(jù)前述電壓公式(1)來調整主區(qū)及次區(qū)的公共電壓，使得整個面板的公共電壓一致，改善串擾現(xiàn)象。

圖4為本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法的原理示意圖，結合圖4及圖5進一步舉例說明本發(fā)明。

首先調整主區(qū)，可以減小Cgs，增大Cst，使其Vft盡可能小，主區(qū)公共電壓需求處于高位值。

調整次區(qū)，可以減小Cgs，增大Cst，使其Vft盡可能小，提升次區(qū)公共電壓值。

通過調整公共電極A_com電位，使次區(qū)最佳公共電壓提升。

逐漸增大主區(qū)Vft，使其公共電壓下降，最終主區(qū)和次區(qū)處于一個差不多相等的平衡值。可以通過增大主區(qū)Cgs，減小Cst，調整掃描信號延遲(Gate delay)等方式來增大主區(qū)Vft，使主區(qū)公共電壓Vcom從高位下降，按照最大(max)，平均(Avg)至最小(min)的趨勢變化，直至變化至與次區(qū)一致，使主區(qū)和次區(qū)的最佳公共電壓一致。

本發(fā)明3T像素最佳公共電壓調整方法很容易調整主區(qū)及次區(qū)最佳公共電壓平衡，使得整個面板的公共電壓一致，改善串擾現(xiàn)象。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。