本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)和陣列基板。

背景技術(shù)：

一般地，在進行液晶顯示面板的驅(qū)動時，為了避免降低液晶顯示面板的顯示品質(zhì)，較佳地采用極性反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式。其中，極性反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式包括，幀反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)以及點反轉(zhuǎn)等方式。

具體地，參見圖1，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)包括呈陣列排布的像素單元10，每一像素單元10包括紅色子像素(r)11、綠色子像素(g)12和藍色子像素(b)13。當(dāng)液晶顯示面板利用列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式來進行驅(qū)動時，位于同一列的子像素的極性排列相同，相鄰兩列的子像素的極性相反，如圖1中，第一列子像素在第一幀時為正極性(+)，第二列子像素在第一幀時為負極性(-)，在第二幀時，第一列子像素在第一幀時為負極性(-)，第二列子像素在第一幀時為正極性(+)，且在每一幀中，位于相鄰兩列的子像素的極性排列為正極性(+)與負極性(-)交替排列，如圖1所示。

在對液晶顯示面板進行圖案測試時，針對列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式中，每一子像素與相鄰的子像素會出現(xiàn)亮暗或者暗亮的情況，且當(dāng)亮暗或者暗亮的數(shù)值大小相等，則一個像素單元中的顯示亮度不變。但是由于不同顏色的子像素的透過率不同，例如針對相鄰的兩個子像素，紅色子像素11和綠色子像素12，當(dāng)紅色子像素11變亮，且綠色子像素12變暗，由于紅色子像素的透過率小于綠色子像素的透過率，則該像素單元會受到綠色子像素變暗的影響而顯示畫面變暗，從而使得顯示的畫面產(chǎn)生串?dāng)_。

隨著顯示要求的逐漸提高，高分辨率的液晶顯示面板越來越受歡迎。針對高分辨率的顯示面板中，在進行彩色畫面顯示時，由于存在子像素與相鄰子像素出現(xiàn)亮暗或暗亮交替的情況，導(dǎo)致串?dāng)_的現(xiàn)象更加嚴重，從而影響了畫面的顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)和陣列基板，用以避免像素結(jié)構(gòu)中相鄰兩個像素單元由于亮暗交替變換而造成的串?dāng)_問題。

一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，每一像素單元包括像素電極；

分別設(shè)置在每一列像素單元兩側(cè)的數(shù)據(jù)線，且每一像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容分別相等；其中，

第一像素單元中的像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容為c1，所述第二像素單元中的像素電極與像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容為c2，所述第三像素單元中的像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容為c3，所述c1、c2和c3滿足關(guān)系：

c1：c2：c3＝1/l1：1/l2：1/l3；

其中，l1為所述第一像素單元的像素透過率，l2為所述第二像素單元的像素透過率，l3為所述第三像素單元的像素透過率。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種的像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，每一像素單元包括像素電極，通過對像素單元與數(shù)據(jù)線之前的形成的耦合電容進行改進，進一步抵消由于像素單元與相鄰的像素單元在亮暗交替變換中產(chǎn)生的串?dāng)_的問題。具體地，將每一像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容設(shè)置為分別相等，且每相鄰三個像素單元中像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合分別為c1、c2和c3，且c1、c2和c3滿足關(guān)系：c1：c2：c3＝1/l1：1/l2：1/l3；其中，l1為第一像素單元的像素透過率，l2為第二像素單元的像素透過率，l3為第三像素單元的像素透過率。因此，本發(fā)明實施例中通過將像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間的耦合電容進行相應(yīng)地的改變，使得在對不同顏色的像素進行顯示時，通過相鄰兩個子像素中的耦合電容值不同，且呈一定比例，來抵消不同顏色的像素透過率不同而導(dǎo)致的灰階差異，從而避免了串?dāng)_的問題，進一步提高了顯示畫面的質(zhì)量。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第二種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的第三種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的第四種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的第五種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的第六種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的第七種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的第八種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明更全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對它們的重復(fù)描述。本發(fā)明中所描述的表達位置與方向的詞，均是以附圖為例進行的說明，但根據(jù)需要也可以做出改變，所做改變均包含在本發(fā)明保護范圍內(nèi)。本發(fā)明的附圖僅用于示意相對位置關(guān)系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式以便于理解，附圖中的層厚并不代表實際層厚的比例關(guān)系。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式的限制。如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。說明書后續(xù)描述為實施本申請的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。應(yīng)理解，當(dāng)元件諸如層、膜、區(qū)域或者襯底被稱為位于另一個元件“上”時，其可以直接位于另一個元件上，或者可以插設(shè)有一個或多個中間元件。

本發(fā)明實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)和陣列基板，用以避免像素結(jié)構(gòu)中相鄰兩個像素單元由于亮暗交替變換而造成的串?dāng)_問題。

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)和陣列基板的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

參見圖2，本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的第一像素單元21、第二像素單元22和第三像素單元23，每一像素單元包括像素電極20；分別設(shè)置在每一列像素單元兩側(cè)的數(shù)據(jù)線24，且每一像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容分別相等；其中，第一像素單元21中的像素電極20與該像素電極20兩側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c1，其中，第一橡像素單元21中的像素電極與左側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c11，與右側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c12，c11＝c12；第二像素單元22中的像素電極20與像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c2，其中，第二像素單元22的像素電極與該像素單元左側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c21，與右側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c22，c21＝c22；第三像素單元23中的像素電極20與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c3，其中，第三像素單元23中的像素電極與左側(cè)的數(shù)據(jù)線24之間形成的耦合電容為c31，與右側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容為c32，c31＝c32；c1、c2和c3滿足關(guān)系式(1)：

c1：c2：c3＝1/l1：1/l2：1/l3；(1)

其中，l1為第一像素單元21的像素透過率，l2為第二像素單元22的像素透過率，l3為第三像素單元23的像素透過率。

具體地，參見圖2所示，像素結(jié)構(gòu)中還包括：設(shè)置在每行像素單元之間的柵線25。圖2中僅示意了三個像素單元，分別為第一像素單元21、第二像素單元22和第三像素單元23，在顯示面板中，多個像素單元呈陣列排布，且依次以第一像素單元21、第二像素單元22和第三像素單元23的順序進行排列，其中，每一像素單元的像素電極的結(jié)構(gòu)相同，且每一像素電極的形狀不做具體限定，可以為矩形、三角形、狹縫狀結(jié)構(gòu)等任一形狀。圖2中僅以狹縫狀電極為例進行示意。

具體地，本發(fā)明實施例中同一像素單元中，該像素單元中的像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間的耦合電容相等，不同顏色的像素單元之間，像素單元中的像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間的耦合電容值不等，且按照上述關(guān)系式(1)的比例進行設(shè)置。因此，本發(fā)明實施例主要通過改變每一像素單元中的像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間的耦合電容的值，使得不同顏色的像素單元中像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容值呈一定比例關(guān)系，其中，對每一像素單元中的耦合電容的改變的大小與該像素單元所對應(yīng)的像素透過率以及相鄰的像素單元所對應(yīng)的像素透過率有關(guān)。具體地，c1：c2：c3＝1/l1：1/l2：1/l3。從而使得當(dāng)相鄰兩個像素單元出現(xiàn)亮暗或者暗亮交替變化的時，通過相鄰兩個像素單元中的耦合電容的不同來抵消由于亮暗變化和不同顏色像素單元透過率而導(dǎo)致的灰階差，從而避免了串?dāng)_的問題，進一步提高了顯示效果。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述像素結(jié)構(gòu)中，第一像素單元21為紅色像素單元，第二像素單元22為綠色像素單元，第三像素單元23為藍色像素單元。具體地，第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元分別為不同顏色的像素單元，其中，第一像素單元可以為綠色像素單元，第二像素單元可以為藍色像素單元，第三像素單元可以為紅色像素單元?；蛘撸谝幌袼貑卧梢詾樗{色像素單元，第二像素單元可以為紅色像素單元，第三像素單元可以為綠色像素單元。因此，第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元的顏色不做具體限定。

具體地，每一像素單元中的像素電極通過薄膜晶體管與設(shè)置在像素電極左側(cè)的數(shù)據(jù)線電性連接。參見圖3，圖3為圖2沿著a-a1方向的截面示意圖，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的像素電極20，與每一像素電極20一一對應(yīng)的薄膜晶體管30，薄膜晶體管30包括依次設(shè)置在襯底基板01之上且同層設(shè)置的源電極301和漏電極302；參見圖2所示，像素電極20與漏電極302電連接，數(shù)據(jù)線24與源電極301電連接。參加圖3，像素結(jié)構(gòu)還包括：依次設(shè)置在像素電極20與漏電極302所在膜層之間的絕緣層31、金屬層32和平坦化層33，金屬層32通過貫穿絕緣層31的第一過孔311與漏電極302電連接，像素電極20通過貫穿平坦化層33的第三過孔與金屬層32電連接(由于截圖位置的原因，并不能體現(xiàn)出)，數(shù)據(jù)線24通過貫穿第一絕緣層的第二過孔312與源電極301電連接，其中，參見圖2，第一過孔311和第二過孔312與a-a1所示延伸方向在一個水平線上，第三過孔313與第二過孔312和第一過孔311不在同一個水平線上，因此在沿著a-a1方向進行切割時，得到的圖3所示的結(jié)構(gòu)圖中沒有畫出第三過孔313。

其中，像素結(jié)構(gòu)中一個像素電極與一個薄膜晶體管一一對應(yīng)連接，且采用圖2、圖3所示的方式電性連接。具體地，圖3中所示意的薄膜晶體管可以為頂柵型或者底柵型的薄膜晶體管。另外，數(shù)據(jù)線通過薄膜晶體管與像素電極電性連接，包括數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源電極連接，像素電極與漏電極電連接，或者數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的漏電極電連接，像素電極與源電極連接。

根據(jù)圖2以及圖3所示的結(jié)構(gòu)，若要改變像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容，由于在不同顏色的像素單元中，數(shù)據(jù)線和像素電極的形狀均相等，使得不同顏色的像素單元中，數(shù)據(jù)線和像素電極之間的正對面積和距離均相等，若要改變像素電極的結(jié)構(gòu)則會影響像素單元的開口率。因此，本發(fā)明實施例中通過改變數(shù)據(jù)線和像素電極之間的薄膜晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，或者像素電極與薄膜晶體管的連接結(jié)構(gòu)(本發(fā)明實施例中的第一過孔)、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的連接結(jié)構(gòu)(本發(fā)明實施例中的第二過孔)，從而改變像素電極與數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容。

可選地，參見圖2，第一像素單元21為紅色像素單元，第二像素單元22為綠色像素單元，第三像素單元23為藍色像素單元的像素結(jié)構(gòu)，以及結(jié)合圖3所示的像素電極與數(shù)據(jù)線之間的連接結(jié)構(gòu)薄膜晶體管，詳細描述如何改變像素結(jié)構(gòu)中的耦合電容的實施例。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，第一像素單元21為紅色像素單元，第二像素單元22為綠色像素單元，第三像素單元23為藍色像素單元的像素結(jié)構(gòu)，且由于藍色像素的像素透過率小于紅色像素的像素透過率，紅色像素的像素透過率小于綠色像素的像素透過率，因此，根據(jù)關(guān)系式(1)，確定藍色像素單元中的耦合電容大于紅色像素單元中的耦合電容，且紅色像素單元中的耦合電容大于綠色像素單元中的耦合電容，即c3＞c1＞c2。

因此，在調(diào)節(jié)像素結(jié)構(gòu)中的耦合電容時，根據(jù)上述關(guān)系式(1)中的比例調(diào)節(jié)第一像素單元中的耦合電容、第二像素單元中的耦合電容和第三像素單元中的耦合電容。

具體地，本發(fā)明實施例中的不同顏色的像素單元中像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容的大小不同，且可以通過下述方式進行改變：

方式一、針對不同顏色的像素單元，改變與像素電極連接的薄膜晶體管中的漏電極的面積，使得不同顏色的像素單元中的漏電極不同，從而使得不同顏色的像素單元中源電極與漏電極之間的正對面積不同，由于漏電極與像素電極連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

方式二、針對不同顏色的像素單元中，改變像素單元中薄膜晶體管的漏電極和源電極之間的距離，使得不同顏色的像素單元中漏電極與相鄰的漏電極之間的距離不同，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

方式三、針對不同顏色的像素單元中，改變與像素電極連接的薄膜晶體管中的漏電極的面積，使得不同顏色的像素單元中的漏電極不同，從而使得不同顏色的像素單元中源電極與漏電極之間的正對面積不同，并且改變像素電極中薄膜晶體管的漏電極和源電極之間的距離，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

方式四、針對不同顏色的像素單元中，改變第一過孔和第二過孔之間的距離，由于像素電極通過第一過孔和金屬層與漏電極電連接，數(shù)據(jù)線通過第二過孔與源電極電連接，通過改變第一過孔和第二過孔之間的距離，使得數(shù)據(jù)線和像素電極之間的距離改變，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

方式五、針對不同顏色的像素單元中，改變第一過孔和第二過孔的孔深，由于像素電極通過第一過孔和金屬層與漏電極電連接，數(shù)據(jù)線通過第二過孔與源電極電連接，通過改變第一過孔和第二過孔的孔深，使得數(shù)據(jù)線和像素電極之間的正對面積改變，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

方式六、針對不同顏色的像素單元中，由于像素電極通過第一過孔和金屬層與漏電極電連接，數(shù)據(jù)線通過第二過孔與源電極電連接，改變第一過孔和第二過孔之間的距離，以及改變第一過孔和/或第二過孔的孔深，數(shù)據(jù)線和像素電極之間的正對面積改變和距離均變化，從而使得不同顏色的像素單元中，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容不同，且滿足關(guān)系式(1)的比例。

可選地，可以通過上述六種方式改變像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容。當(dāng)然還可以采用方式一、方式二和方式三中的任一種方式，與方式四、方式五和方式六中任一種進行結(jié)合，進一步改變不同顏色的像素單元中的耦合電容，相同之處，在此不再贅述。

下面通過具體實施例，詳細描述不同顏色中像素結(jié)構(gòu)的示意圖，圖中僅示意不同顏色中不同耦合電容之間的大小，并不示意比例的大小。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖4，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的紅色像素單元41、綠色像素單元42和藍色像素單元43，且每一像素單元均包括像素電極20，與每一像素電極20電連接的漏電極302。且不同顏色的像素單元中，漏電極302的面積不同。

具體地，根據(jù)電容的定義：

c＝ks/d(2)

其中，k為常數(shù)，s為兩個電極之間的正對面積，d為兩個電極之間的垂直距離。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖4，根據(jù)公式(2)，以及公式(1)，可以確定藍色像素單元43中形成的耦合電容最大，即藍色像素單元43中的漏電極302的面積最大；綠色像素單元42中形成的耦合電容最小，即綠色像素單元42中的漏電極302的面積最?。患t色像素單元41中形成的耦合電容小于藍色像素單元43中形成的耦合電容，且大于綠色像素單元42中形成的耦合電容，即紅色像素單元41中的漏電極302的面積小于藍色像素單元43中的漏電極302的面積，且大于綠色像素單元42中的漏電極302的面積。

需要說明的是，在不同顏色像素單元中，改變漏電極的面積，還包括改變漏電極的厚度，使得漏電極與源電極之間在的厚度方向上正對的面積發(fā)生改變，在此不做具體限定。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖5，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的紅色像素單元41、綠色像素單元42和藍色像素單元43，設(shè)置在相鄰兩個像素單元之間的數(shù)據(jù)線24，且每一像素單元均包括像素電極20，與每一像素電極20分別連接的漏電極302，與每一數(shù)據(jù)線24分別連接的源電極301，其中，相同顏色的像素單元中，漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離相等，且不同顏色的像素單元中，漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離不等。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖5，根據(jù)公式(2)，以及公式(1)，可以確定藍色像素單元43中形成的耦合電容最大，即藍色像素單元43中的漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離d1最??；綠色像素單元42中形成的耦合電容最小，即綠色像素單元42的漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離d2最大；紅色像素單元41中形成的耦合電容小于藍色像素單元43中形成的耦合電容，且大于綠色像素單元42中形成的耦合電容，即紅色像素單元41中的漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離d3，小于綠色像素單元42的漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離d2，且大于藍色像素單元43中的漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離d1。

需要說明的是，在實現(xiàn)不同顏色中，漏電極與相鄰的源電極之間的距離不等時，可以改進源電極的大小使得源電極與漏電極之間的距離改變，和/或改變漏電極的大小使得源電極和漏電之間的距離改變。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖6，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的紅色像素單元41、綠色像素單元42和藍色像素單元43，設(shè)置在相鄰兩個像素單元之間的數(shù)據(jù)線24，且每一像素單元均包括像素電極20，與每一像素電極20電連接的漏電極302，與每一數(shù)據(jù)線24電連接的源電極301，其中，相同顏色的像素單元中，漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離相等，且不同顏色的像素單元中，漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離不等，漏電極302的面積不同。具體地，藍色像素單元43中的漏電極302的面積最大，且該漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離最??；綠色像素單元42中的漏電極302的面積最小，且該漏電極302與相鄰的源電極301之間的距離最大。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖7，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的像素電極20，與每一像素電極20一一對應(yīng)的薄膜晶體管30，薄膜晶體管30包括依次設(shè)置在襯底基板01之上同層設(shè)置的源電極301和漏電極302；像素結(jié)構(gòu)還包括：依次設(shè)置在像素電極20與漏電極302所在膜層之間的絕緣層31、金屬層32和平坦化層33，金屬層32通過貫穿絕緣層31的第一過孔311與漏電極302電連接，數(shù)據(jù)線24通過貫穿絕緣層的第二過孔312與源電極301電連接。其中，像素電極20從左向右依次屬于紅色像素單元41、綠色像素單元42和藍色像素單元43。在不同顏色的像素單元中，第一過孔311與第二過孔312之間的距離不相等。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖7，根據(jù)公式(2)，以及公式(1)，可以確定藍色像素單元43中形成的耦合電容最大，即藍色像素單元43中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d4最小；綠色像素單元42中形成的耦合電容最大，綠色像素單元42中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d5最大；紅色像素單元41中形成的耦合電容小于藍色像素單元43中形成的耦合電容，且大于綠色像素單元42中形成的耦合電容，即紅色像素單元41中的的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d6，小于綠色像素單元42中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d5，且大于藍色像素單元43中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d4，即d5＞d6＞d4。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖8，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的像素電極20，與每一像素電極20一一對應(yīng)的薄膜晶體管30，薄膜晶體管30包括依次設(shè)置在襯底基板01之上且同層設(shè)置的源電極301和漏電極302；其中，像素結(jié)構(gòu)還包括：依次設(shè)置在像素電極20與漏電極302所在膜層之間的絕緣層31、金屬層32和平坦化層33，金屬層32通過貫穿絕緣層31的第一過孔311與漏電極302電連接，數(shù)據(jù)線24通過貫穿絕緣層的第二過孔312與源電極301電連接。其中，相同顏色的像素單元中，第一過孔311和第二過孔312的孔深相等，且不同顏色的像素單元中，第一過孔311和第二過孔312的孔深不相等。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖8，根據(jù)公式(2)，以及公式(1)，可以確定藍色像素單元43中形成的耦合電容最大，即藍色像素單元43中的第一過孔311和第二過孔312的孔深s1最大；藍色像素單元43中形成的耦合電容最小，即綠色像素單元42中的第一過孔311和第二過孔312的孔深s2最小，紅色像素單元41中形成的耦合電容小于藍色像素單元43中形成的耦合電容，且大于綠色像素單元42中形成的耦合電容，即紅色像素單元41中的第一過孔311和第二過孔312的孔深s3，小于藍色像素單元43中的第一過孔311和第二過孔312的孔深s1，且大于綠色像素單元42中的第一過孔311和第二過孔312的孔深s2，即s2＜s3＜s1。

需要說明的是，在改進不同顏色像素單元中第一過孔和第二過孔的孔深時，可以在形成第一過孔和第二過孔之前，在不同顏色像素單元中的絕緣層中進行半刻蝕，或者采用其他工藝，使得不同顏色像素單元中的絕緣層厚度不同，從而使得第一過孔和第二過孔的孔深不同。

在一些可選的實現(xiàn)方式中，參見圖9，像素結(jié)構(gòu)包括：呈陣列排布的像素電極20，與每一像素電極20一一對應(yīng)的薄膜晶體管30，薄膜晶體管30包括依次設(shè)置在襯底基板01之上同層設(shè)置的源電極301和漏電極302；其中，像素結(jié)構(gòu)還包括：依次設(shè)置在像素電極20與漏電極302所在膜層之間的絕緣層31、金屬層32和平坦化層33，金屬層32通過貫穿絕緣層31的第一過孔311與漏電極302電連接，數(shù)據(jù)線24通過貫穿絕緣層的第二過孔312與源電極301電連接。其中，像素電極20從左向右依次屬于紅色像素單元41、綠色像素單元42和藍色像素單元43。其中，相同顏色的像素單元中，第一過孔311和第二過孔312的孔深相等，且不同顏色的像素單元中，第一過孔311和第二過孔312的孔深不相等，第一過孔311與第二過孔312之間的距離不相等。具體地，藍色像素單元43中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d4最小，且第一過孔311和第二過孔312的孔深s1最大；綠色像素單元42中的第一過孔311與第二過孔312之間的距離d5最大，且第一過孔311和第二過孔312的孔深s2最小。

具體地，圖4-圖9僅示意了不同顏色的像素單元中耦合電容不同時，改變耦合電容的較佳的實施例，但不局限于圖4-圖9所示意的結(jié)構(gòu)，可以采用其他方式改變不同顏色像素單元中的耦合電容。在此不做具體限定。

其中，本發(fā)明實施例中對漏電極的面積的改進還包括對漏電極的厚度上的改進，在實現(xiàn)不同顏色像素單元中第一過孔和第二過孔的孔深不同時，可以采用半刻蝕工藝將絕緣層的厚度進行改進，從而實現(xiàn)不同顏色像素單元中第一過孔的孔深不同。在形成上述不同結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)時，可以采用構(gòu)圖工藝進行制作，構(gòu)圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括襯底基板，以及設(shè)置在襯底基板之上如本發(fā)明實施例提供的任一種的像素結(jié)構(gòu)。具體地，本發(fā)明實施例中的陣列基板的實施例與像素結(jié)構(gòu)的實施例相同，通過采用本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)形成在襯底基板上，且進一步形成陣列基板，使得采用該陣列基板形成的顯示面板避免了串?dāng)_的現(xiàn)象，從而提高了顯示的效果。

其中，本發(fā)明實施例中的陣列基板，可以為用于形成液晶顯示器件，或者有機電致發(fā)光顯示器。在此不做具體限定。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還可以提供一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，每一像素單元包括像素電極，通過對像素單元與數(shù)據(jù)線之前的形成的耦合電容進行改進，進一步抵消由于像素單元與相鄰的像素單元在亮暗交替變換中產(chǎn)生的串?dāng)_的問題。具體地，將每一像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合電容設(shè)置為分別相等，且每相鄰三個像素單元中像素電極與該像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間形成的耦合分別為c1、c2和c3，且c1、c2和c3滿足關(guān)系：c1：c2：c3＝1/l1：1/l2：1/l3；其中，l1為第一像素單元的像素透過率，l2為第二像素單元的像素透過率，l3為第三像素單元的像素透過率。因此，本發(fā)明實施例中通過將像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線之間的耦合電容進行相應(yīng)地的改變，使得在對不同顏色的像素進行顯示時，通過相鄰兩個子像素中的耦合電容值不同，且呈一定比例，來抵消不同顏色的像素透過率不同而導(dǎo)致的灰階差異，從而避免了串?dāng)_的問題，進一步提高了顯示畫面的質(zhì)量。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。