本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像串?dāng)_補償方法、裝置及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

oled(organiclightemittingdisplay，有機發(fā)光二極管顯示裝置)顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型oled(passivematrixoled，pmoled)和有源矩陣型oled(activematrixoled，amoled)兩大類。

其中，amoled顯示產(chǎn)品為電流驅(qū)動器件，它的oled器件的顯示亮度與電流的大小有關(guān)。而流過oled器件的電流，受到dtft的控制，即：i～|vgs-vth|²成正比關(guān)系，其中i表示流過oled器件的電流，vgs表示柵源電壓，vth表示閾值電壓。通常，vs的大小取值為elvdd，而vg的大小取值為vdata，所以amoled的顯示亮度與|elvdd-vdata|²相關(guān)。

然而，在設(shè)計面板(panel)時，難免會出現(xiàn)信號走線的交叉，這就會導(dǎo)致出現(xiàn)信號耦合的問題，因而產(chǎn)生圖像串?dāng)_。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種數(shù)圖像串?dāng)_補償方法、裝置及顯示設(shè)備，以改善由于信號耦合導(dǎo)致的圖像串?dāng)_現(xiàn)象。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種圖像串?dāng)_補償方法，包括：

獲取當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓之間的數(shù)據(jù)電壓變化值；

根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值；

根據(jù)所述電源電壓變化值和下一時刻預(yù)計施加于所述像素單元的原始數(shù)據(jù)電壓，獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓；

利用所述補償后的數(shù)據(jù)電壓，作為所述下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。

進一步的，所述根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值的步驟，包括：

獲取耦合參數(shù)；

將所述數(shù)據(jù)電壓變化值和所述耦合參數(shù)的乘積，作為所述電源電壓變化值。

進一步的，所述獲取耦合參數(shù)包括：

通過對施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓跳變進行測試，獲取所述耦合參數(shù)。

進一步的，所述根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值的步驟，包括：

分別獲取所述像素單元的n個鄰近像素單元在當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻之間的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值；n為自然數(shù)；

對于所述n個鄰近像素單元，計算每個鄰近像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值的乘積，獲得每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值；

將每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值的和，作為所述電源電壓變化值。

進一步的，所述根據(jù)所述電源電壓變化值和下一時刻預(yù)計施加于所述像素單元的原始數(shù)據(jù)電壓，獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓的步驟，包括：

將所述原始數(shù)據(jù)電壓和所述電源電壓變化值的和，作為所述補償后的數(shù)據(jù)電壓。

第二方面，本發(fā)明實施例提供一種圖像串?dāng)_補償裝置，包括：

第一獲取模塊，用于獲取當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓之間的數(shù)據(jù)電壓變化值；

確定模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值；

第二獲取模塊，用于根據(jù)所述電源電壓變化值和下一時刻預(yù)計施加于所述像素單元的原始數(shù)據(jù)電壓，獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓；

電壓補償模塊，用于利用所述補償后的數(shù)據(jù)電壓，作為所述下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。

進一步的，所述確定模塊包括：

參數(shù)獲取子模塊，用于獲取耦合參數(shù)；

確定子模塊，用于將所述數(shù)據(jù)電壓變化值和所述耦合參數(shù)的乘積，作為所述電源電壓變化值。

進一步的，所述參數(shù)獲取子模塊具體用于，通過對施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓跳變進行測試，獲取所述耦合參數(shù)。

進一步的，所述確定模塊包括：

參數(shù)獲取子模塊，用于分別獲取所述像素單元的n個鄰近像素單元在當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻之間的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值；n為自然數(shù)；

計算子模塊，用于對于所述n個鄰近像素單元，計算每個鄰近像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值的乘積，獲得每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值；

確定子模塊，用于將每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值的和，作為所述電源電壓變化值。

進一步的，所述第二獲取模塊具體用于，將所述原始數(shù)據(jù)電壓和所述電源電壓變化值的和，作為所述補償后的數(shù)據(jù)電壓。

第三方面，本發(fā)明實施例提供一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括第一方面所述的圖像串?dāng)_補償裝置。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

在本發(fā)明實施例中，根據(jù)當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻的數(shù)據(jù)電壓之間的變化值，確定電源電壓變化值，并根據(jù)電源電壓變化值獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓，從而利用補償后的數(shù)據(jù)電壓作為下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。由于在本發(fā)明實施例中可對施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓進行補償，從而改善了由于信號耦合導(dǎo)致的圖像串?dāng)_現(xiàn)象。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的圖像串?dāng)_補償方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例中鄰近像素單元的示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的圖像串?dāng)_補償裝置的示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例中確定模塊的第一示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例中確定模塊的第二示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實施例的圖像串?dāng)_補償方法，包括：

步驟101、獲取當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓之間的數(shù)據(jù)電壓變化值。

在此步驟中，獲取當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓，并利用上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓和當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓之差，作為數(shù)據(jù)電壓變化值。

具體的，δvdata＝vdata(t1)-vdata(t0)

其中，vdata(t0)是上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓，vdata(t1)是當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓，δvdata為數(shù)據(jù)電壓變化值。

步驟102、根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值。

在此步驟中，可獲取耦合參數(shù)，將所述數(shù)據(jù)電壓變化值和所述耦合參數(shù)的乘積，作為所述電源電壓變化值。通過測試產(chǎn)品信號耦合的特性，可得到耦合參數(shù)xgain的函數(shù)關(guān)系式。

在實際應(yīng)用中，該耦合參數(shù)還可通過對施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓跳變進行測試獲得。該耦合參數(shù)還可能與相鄰像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化值相關(guān)。

具體的，為了進一步改善交叉走線而帶來的串?dāng)_現(xiàn)象，在此步驟中，分別獲取所述像素單元的n個(n為自然數(shù))鄰近像素單元在當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻之間的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值。對于所述n個鄰近像素單元，計算每個鄰近像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值的乘積，獲得每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值。將每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值的和，作為所述電源電壓變化值。

其中，所述鄰近像素單元指的是與像素單元位于同一像素行且位置相鄰的像素單元。對于某個像素單元來說，通?？蛇x擇其附近的3-5個位于同一像素行的相鄰的像素單元作為鄰近像素單元。

具體的，如圖2所示，對于像素單元1(pixel_1)來講，它的鄰近像素單元分別為與其位于同一像素行上的像素單元2(pixel_2)，像素單元3(pixel_3)和像素單元4(pixel_4)。在本發(fā)明實施例中，相對位置越近的鄰近像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化對elvdd產(chǎn)生的耦合影響越大，其權(quán)重也可設(shè)置的越大。

對于像素單元1的電源電壓變化值，可按照下述公式(2)計算：δvelvdd_1＝xgain_1×δvdata_1+a1×xgain_2×δvdata_2+a2×xgain_3×δvdata_3+a3×xgain_4×δvdata_4

其中，δvelvdd_1為elvdd電源電壓變化值；δvdata_1為像素單元1的數(shù)據(jù)電壓變化量；xgain_1為像素單元1的耦合參數(shù)；δvdata_2～δvdata_4為像素單元2-像素單元4的數(shù)據(jù)電壓變化量；xgain_2～xgain_4為像素單元2-像素單元4的耦合參數(shù)；a1～a3為像素單元2-像素單元4的權(quán)重值。

步驟103、根據(jù)所述電源電壓變化值和下一時刻預(yù)計施加于所述像素單元的原始數(shù)據(jù)電壓，獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓。

所述原始數(shù)據(jù)電壓指的是預(yù)先設(shè)置的預(yù)計施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓。在此步驟中，將所述原始數(shù)據(jù)電壓和所述電源電壓變化值的和，作為所述補償后的數(shù)據(jù)電壓。

步驟104、利用所述補償后的數(shù)據(jù)電壓，作為所述下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。

在實際應(yīng)用中，如前所述，amoled的顯示亮度與|elvdd-vdata|²相關(guān)。那么，在本發(fā)明實施例中，通過對施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓進行補償來改善由于信號耦合導(dǎo)致的圖像串?dāng)_現(xiàn)象。

對于某個像素單元來講，當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓之間的差值為：

δvdata＝vdata(t1)-vdata(t0)

根據(jù)獲取的耦合參數(shù)，可得出電源電壓變化值：

δvelvdd＝xgain×δvdata

而δvelvdd＝velvdd’—velvdd＝velvdd’—xgain×δvdata。

其中，velvdd’表示發(fā)生耦合現(xiàn)象時的電源電壓，velvdd表示實際的電源電壓。

那么，根據(jù)上述顯示亮度與|elvdd-vdata|²的關(guān)系，可得出：

|elvdd’—vdata’|＝|velvdd—vdata|＝|velvdd+δvelvdd–vdata’|

由于數(shù)據(jù)電壓的變化為具有單一變化方向的曲線(非拋物線變化)，所以：

velvdd–vdata＝velvdd+δvelvdd–vdata’，

進而可得出：

vdata’＝vdata+δelvdd。

其中，vdata’為補償后的數(shù)據(jù)電壓，vdata為原始數(shù)據(jù)電壓，δelvdd為電源電壓變化值。

那么在下一掃描時刻，利用補償后的數(shù)據(jù)電壓作為施加于該像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓，以改善串?dāng)_現(xiàn)象。

在具體應(yīng)用中，可將上述實施例的算法置于驅(qū)動芯片內(nèi)，通過帶有補償算法的ic點亮amoled顯示模組，補償圖像串?dāng)_問題。

在本發(fā)明實施例中，根據(jù)當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻的數(shù)據(jù)電壓之間的變化值，確定電源電壓變化值，并根據(jù)電源電壓變化值獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓，從而利用補償后的數(shù)據(jù)電壓作為下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。由于在本發(fā)明實施例中可對施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓進行補償，從而改善了由于信號耦合導(dǎo)致的圖像串?dāng)_現(xiàn)象。

如圖3所示，本發(fā)明實施例的圖像串?dāng)_補償裝置，包括：

第一獲取模塊301，用于獲取當(dāng)前掃描時刻施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓和上一掃描時刻施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓之間的數(shù)據(jù)電壓變化值；確定模塊302，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓變化值確定電源電壓變化值；第二獲取模塊303，用于根據(jù)所述電源電壓變化值和下一時刻預(yù)計施加于所述像素單元的原始數(shù)據(jù)電壓，獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓；電壓補償模塊304，用于利用所述補償后的數(shù)據(jù)電壓，作為所述下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。

其中，如圖4所示，所述確定模塊302包括：

參數(shù)獲取子模塊3021，用于獲取耦合參數(shù)；確定子模塊3022，用于將所述數(shù)據(jù)電壓變化值和所述耦合參數(shù)的乘積，作為所述電源電壓變化值。

具體的，所述參數(shù)獲取子模塊具體用于，通過對施加于所述像素單元的數(shù)據(jù)電壓跳變進行測試，獲取所述耦合參數(shù)。

其中，如圖5所示，所述確定模塊302包括：

參數(shù)獲取子模塊3023，用于分別獲取所述像素單元的n個鄰近像素單元在當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻之間的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值；計算子模塊3024，用于對于所述n個鄰近像素單元，計算每個鄰近像素單元的數(shù)據(jù)電壓變化值、耦合參數(shù)、權(quán)重值的乘積，獲得每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值；確定子模塊3025，用于將每個鄰近像素單元的參考數(shù)據(jù)電壓變化值的和，作為所述電源電壓變化值。

在實際應(yīng)用中，所述第二獲取模塊303具體用于，將所述原始數(shù)據(jù)電壓和所述電源電壓變化值的和，作為所述補償后的數(shù)據(jù)電壓。

本發(fā)明所述裝置的工作原理可參照前述方法實施例的描述。

在本發(fā)明實施例中，根據(jù)當(dāng)前掃描時刻和上一掃描時刻的數(shù)據(jù)電壓之間的變化值，確定電源電壓變化值，并根據(jù)電源電壓變化值獲得補償后的數(shù)據(jù)電壓，從而利用補償后的數(shù)據(jù)電壓作為下一時刻施加于所述像素單元的實際數(shù)據(jù)電壓。由于在本發(fā)明實施例中可對施加于像素單元的數(shù)據(jù)電壓進行補償，從而改善了由于信號耦合導(dǎo)致的圖像串?dāng)_現(xiàn)象。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括圖3-圖5任一所示的圖像串?dāng)_補償裝置。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。